JPH07262610A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH07262610A JPH07262610A JP6051927A JP5192794A JPH07262610A JP H07262610 A JPH07262610 A JP H07262610A JP 6051927 A JP6051927 A JP 6051927A JP 5192794 A JP5192794 A JP 5192794A JP H07262610 A JPH07262610 A JP H07262610A
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- JP
- Japan
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- recording
- optical
- thickness
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 記録層の結晶状態と非晶質状態の２つの状態
を可逆的に相変化させることにより情報を記録および消
去する光情報記録媒体において、透明な基板上に、少な
くとも光学層、第１の保護層、記録層、第２の保護層お
よび反射層を順次形成した構成で、基板の屈折率
（ｎ0 ）、光学層の屈折率（ｎ1 ）、第１の保護層の屈
折率（ｎ2 ）がｎ2 ＞ｎ1 、ｎ1 ＜ｎ0 の関係にあるこ
とを特徴とする光情報記録媒体である。 【効果】 オーバーライト時の消去率の改善及び、ジッ
ター値の低減が可能となる。
を可逆的に相変化させることにより情報を記録および消
去する光情報記録媒体において、透明な基板上に、少な
くとも光学層、第１の保護層、記録層、第２の保護層お
よび反射層を順次形成した構成で、基板の屈折率
（ｎ0 ）、光学層の屈折率（ｎ1 ）、第１の保護層の屈
折率（ｎ2 ）がｎ2 ＞ｎ1 、ｎ1 ＜ｎ0 の関係にあるこ
とを特徴とする光情報記録媒体である。 【効果】 オーバーライト時の消去率の改善及び、ジッ
ター値の低減が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な光記録情報媒
体、さらに詳しくは、単一ビームのオーバーラートにお
いて、ジッターの少ない良質な再生信号を得られる光情
報記録媒体に関するものである。
体、さらに詳しくは、単一ビームのオーバーラートにお
いて、ジッターの少ない良質な再生信号を得られる光情
報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光情報記録媒体は、膨大な情報を
記録・再生・消去する手段として盛んに研究開発が行わ
れている。特に、光学記録層が結晶と非晶質との二状態
間で可逆的に相変化することを利用して情報の記録・消
去を行ういわゆる相変化型光ディスクは、レーザー光の
パワーを変化させるだけで古い情報を消去しながら同時
に新たな情報を記録する（以下オーバーライトと称す
る）ことが出来るという利点を有していることから、有
望視されている。
記録・再生・消去する手段として盛んに研究開発が行わ
れている。特に、光学記録層が結晶と非晶質との二状態
間で可逆的に相変化することを利用して情報の記録・消
去を行ういわゆる相変化型光ディスクは、レーザー光の
パワーを変化させるだけで古い情報を消去しながら同時
に新たな情報を記録する（以下オーバーライトと称す
る）ことが出来るという利点を有していることから、有
望視されている。
【０００３】このオーバーライト可能な相変化型光ディ
スクの記録材料としては、溶融状態から急冷することに
よって非晶質状態になり、かつこの非晶質状態が短時間
の加熱で結晶化するIn-Se 系合金（Appl.Phys.Lett. 第
５０巻、６６７ページ、１９８７年）やIn-Sb-Te（App
l.Phys.Lett. 第５０巻、１６ページ、１９８７年）、G
e-Te-Sb合金（特開昭６２−５３８８６号公報）等のカ
ルコゲン合金が主として用いられている。
スクの記録材料としては、溶融状態から急冷することに
よって非晶質状態になり、かつこの非晶質状態が短時間
の加熱で結晶化するIn-Se 系合金（Appl.Phys.Lett. 第
５０巻、６６７ページ、１９８７年）やIn-Sb-Te（App
l.Phys.Lett. 第５０巻、１６ページ、１９８７年）、G
e-Te-Sb合金（特開昭６２−５３８８６号公報）等のカ
ルコゲン合金が主として用いられている。
【０００４】これらカルコゲン合金を用いて実際に記録
・消去を行う場合は、記録・消去時の熱による基板の変
形を防止したり、光学記録層の酸化を防止するために、
通常該光学記録層の直下と直上のいずれか一方または双
方に金属あるいは半金属の酸化物、炭化物、フッ化物、
硫化物、窒化物から選ばれた保護層を設けている。そし
てカルコゲン合金からなる記録層と記録層の直下または
直上に設けた保護層と、記録層の基板とは反対に設けた
冷却層を兼ねた反射層（例えばＡｌ合金）とからなる構
造が記録・消去特性の点で好適であるために相変化型光
ディスクの主流となっている。
・消去を行う場合は、記録・消去時の熱による基板の変
形を防止したり、光学記録層の酸化を防止するために、
通常該光学記録層の直下と直上のいずれか一方または双
方に金属あるいは半金属の酸化物、炭化物、フッ化物、
硫化物、窒化物から選ばれた保護層を設けている。そし
てカルコゲン合金からなる記録層と記録層の直下または
直上に設けた保護層と、記録層の基板とは反対に設けた
冷却層を兼ねた反射層（例えばＡｌ合金）とからなる構
造が記録・消去特性の点で好適であるために相変化型光
ディスクの主流となっている。
【０００５】しかしながらこのような構造の相変化型光
ディスクにおいて、光ディスクの光透過率をほぼ０（即
ち反射層を透過する光が０）とした構成では、大きな信
号出力を得るために反射率差Ｒcry−Ｒamoを大きくする
よう設計されており、その結果、次の(3) 式で示すよう
に非晶質状態での光吸収率Ａamo.と結晶質状態での光吸
収率Ａcry.の差が大きくなる。（Ｒamo.、Ｒcry.はそれ
ぞれ非晶質状態、結晶状態における反射率を意味する） Ｒcry.−Ｒamo.＝（１−Ａcry.）−（１−Ａamo.）＝Ａamo.−Ａcry.…(3) 一方、従来の相変化型光ディスクではＲcry.＞Ｒamo.の
関係を利用していたためＡamo.＞Ａcry.の関係にあり、
非晶質状態の方がレーザー光の吸収が多かった。更に一
般的に非晶質状態の熱伝導率は結晶状態の熱伝導率より
小さいため、記録層で発生した熱が放散しにくい状態で
ある。これらのことから、単一ビームでオーバーライト
を行う場合、同じ強度のレーザー光が照射されても、前
の状態が記録状態と消去状態とで温度上昇が異なるとい
う現象が生じていた。このように温度上昇が異なると、
形成されるマークの大きさが不揃いになったり、マーク
の位置が正規の位置からずれたり、或いは前に記録され
ていた情報の消し残りが発生してしまうという問題があ
った。
ディスクにおいて、光ディスクの光透過率をほぼ０（即
ち反射層を透過する光が０）とした構成では、大きな信
号出力を得るために反射率差Ｒcry−Ｒamoを大きくする
よう設計されており、その結果、次の(3) 式で示すよう
に非晶質状態での光吸収率Ａamo.と結晶質状態での光吸
収率Ａcry.の差が大きくなる。（Ｒamo.、Ｒcry.はそれ
ぞれ非晶質状態、結晶状態における反射率を意味する） Ｒcry.−Ｒamo.＝（１−Ａcry.）−（１−Ａamo.）＝Ａamo.−Ａcry.…(3) 一方、従来の相変化型光ディスクではＲcry.＞Ｒamo.の
関係を利用していたためＡamo.＞Ａcry.の関係にあり、
非晶質状態の方がレーザー光の吸収が多かった。更に一
般的に非晶質状態の熱伝導率は結晶状態の熱伝導率より
小さいため、記録層で発生した熱が放散しにくい状態で
ある。これらのことから、単一ビームでオーバーライト
を行う場合、同じ強度のレーザー光が照射されても、前
の状態が記録状態と消去状態とで温度上昇が異なるとい
う現象が生じていた。このように温度上昇が異なると、
形成されるマークの大きさが不揃いになったり、マーク
の位置が正規の位置からずれたり、或いは前に記録され
ていた情報の消し残りが発生してしまうという問題があ
った。
【０００６】高密度に記録する場合は、このような記録
されるマークの位置ずれやマークの長さの不揃い（以下
ジッターと呼ぶ）が情報の正確な再生を阻害し、エラー
の原因となる。特に、マークの前端と後端の位置を情報
として記録する、いわゆるマークエッジ記録と呼ばれる
高密度記録再生方法では、マーク長およびマーク前後端
位置を正確に制御する必要がある。ところが前記した理
由により、結晶質部分に記録する場合と、非晶質部分に
記録する場合とでは、記録ピットの大きさ・形状、即ち
記録状態が異なるという問題が生じ、消去特性に悪影響
を及ぼしたり、またピットエッジ記録などを用いた高密
度化の際、情報を正しく再生できない等の問題が生じて
いる。
されるマークの位置ずれやマークの長さの不揃い（以下
ジッターと呼ぶ）が情報の正確な再生を阻害し、エラー
の原因となる。特に、マークの前端と後端の位置を情報
として記録する、いわゆるマークエッジ記録と呼ばれる
高密度記録再生方法では、マーク長およびマーク前後端
位置を正確に制御する必要がある。ところが前記した理
由により、結晶質部分に記録する場合と、非晶質部分に
記録する場合とでは、記録ピットの大きさ・形状、即ち
記録状態が異なるという問題が生じ、消去特性に悪影響
を及ぼしたり、またピットエッジ記録などを用いた高密
度化の際、情報を正しく再生できない等の問題が生じて
いる。
【０００７】このようなオーバーライト時の消去率改善
及びジッター値の低減を解決する手段として、結晶状態
と非晶質状態の吸収率の関係をＡcry.＞Ａamo.とする方
法が提案されている。具体的な提案としては、反射層の
膜厚を薄くしたり、反射層に吸収係数の小さい物質を用
いて反射層に入射してきた光の一部を透過させ、この透
過光量を非晶質状態の方が大きくなるように調節するこ
とによってＡcry.＞Ａamo.を実現したり、あるいは従来
と異なりＲamo.＞Ｒcry.の関係になるような構造が検討
されている。
及びジッター値の低減を解決する手段として、結晶状態
と非晶質状態の吸収率の関係をＡcry.＞Ａamo.とする方
法が提案されている。具体的な提案としては、反射層の
膜厚を薄くしたり、反射層に吸収係数の小さい物質を用
いて反射層に入射してきた光の一部を透過させ、この透
過光量を非晶質状態の方が大きくなるように調節するこ
とによってＡcry.＞Ａamo.を実現したり、あるいは従来
と異なりＲamo.＞Ｒcry.の関係になるような構造が検討
されている。
【０００８】しかしこのような従来の構成でＲamo.＞Ｒ
cry.の関係とし、かつ高いコントラストを得るためには
記録層の膜厚を薄くする必要があるが、記録層の膜厚を
薄くすると高い消去比を得られる消去パワー範囲が狭
く、実用に供し得なかった。即ち従来の構成でＲamo.＞
Ｒcry.を実現しようとすると、コントラストと消去パワ
ーマージンを両立することが難しかった。
cry.の関係とし、かつ高いコントラストを得るためには
記録層の膜厚を薄くする必要があるが、記録層の膜厚を
薄くすると高い消去比を得られる消去パワー範囲が狭
く、実用に供し得なかった。即ち従来の構成でＲamo.＞
Ｒcry.を実現しようとすると、コントラストと消去パワ
ーマージンを両立することが難しかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、単一ビーム
でオーバーライトを行う場合に生ずるジッターを低減し
たうえで、良質な再生信号を得ることが出来、かつ消去
パワーマージンの広い光情報記録媒体を提供するもので
ある。
でオーバーライトを行う場合に生ずるジッターを低減し
たうえで、良質な再生信号を得ることが出来、かつ消去
パワーマージンの広い光情報記録媒体を提供するもので
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】即ち本発明は、記録層の
結晶状態と非晶質状態の２つの状態を可逆的に相変化さ
せることにより情報を記録および消去する光情報記録媒
体において、透明な基板上に、少なくとも光学層、第１
の保護層、記録層、第２の保護層、および反射層を順次
形成した構成で、基板の屈折率（ｎ0 ）、光学層の屈折
率（ｎ1 ）、第１の保護層の屈折率（ｎ2 ）が式（1
）、（2 ）の関係にあることを特徴とする光情報記録
媒体である。
結晶状態と非晶質状態の２つの状態を可逆的に相変化さ
せることにより情報を記録および消去する光情報記録媒
体において、透明な基板上に、少なくとも光学層、第１
の保護層、記録層、第２の保護層、および反射層を順次
形成した構成で、基板の屈折率（ｎ0 ）、光学層の屈折
率（ｎ1 ）、第１の保護層の屈折率（ｎ2 ）が式（1
）、（2 ）の関係にあることを特徴とする光情報記録
媒体である。
【００１１】ｎ2 ＞ｎ1 （1 ） ｎ1 ＜ｎ0 （2 ） 次に本発明を具体的に説明する。本発明における光情報
記録媒体は、透明基板上に少なくとも光学層、第１の保
護層、記録層、第２の保護層、および反射層を順次形成
した構造をとる。
記録媒体は、透明基板上に少なくとも光学層、第１の保
護層、記録層、第２の保護層、および反射層を順次形成
した構造をとる。
【００１２】本発明によれば、基板上に光学層、第１の
保護層、記録層、第２の保護層、および反射層を設けた
構造で、光学層として基板及び第１の保護層の屈折率を
式（1 ）のようにすること、光学層と第１の保護層の界
面と反射層の間で効率良く多重反射を発生させることに
より、オーバーライト時の消去率の向上、ジッター値の
低減が可能となる。高いコントラストをうるためにはｎ
2 −ｎ1 ＞0.5 であることが好ましく、更にはｎ2 −ｎ
1 ＞0.8 にすることでである。
保護層、記録層、第２の保護層、および反射層を設けた
構造で、光学層として基板及び第１の保護層の屈折率を
式（1 ）のようにすること、光学層と第１の保護層の界
面と反射層の間で効率良く多重反射を発生させることに
より、オーバーライト時の消去率の向上、ジッター値の
低減が可能となる。高いコントラストをうるためにはｎ
2 −ｎ1 ＞0.5 であることが好ましく、更にはｎ2 −ｎ
1 ＞0.8 にすることでである。
【００１３】光学層に用いる化合物としては、Ｍｇ
Ｆ2 、ＣａＦ2 、ＬｉＦ、ＳｉＯ2 或いはこれらもうち
少なくとも一種類以上を含む混合物が好ましい。屈折率
が小さいＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、ＬｉＦが好ましい。透明
基板としてはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
か、またはポリカーボネート（ＰＣ）が好ましい。
Ｆ2 、ＣａＦ2 、ＬｉＦ、ＳｉＯ2 或いはこれらもうち
少なくとも一種類以上を含む混合物が好ましい。屈折率
が小さいＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、ＬｉＦが好ましい。透明
基板としてはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
か、またはポリカーボネート（ＰＣ）が好ましい。
【００１４】記録層としては、レーザー光のパワーによ
り結晶と非晶質との二状態間で可逆的に相変化する材料
であればよい。好ましい態様としてIn-Se 系合金、In-S
b-Te系合金、Ge-Te-Sb系合金、Ag-In-Sb-Te 系合金等が
挙げられ、その内でもGe-Te-Sb系合金（特開昭６２−５
３８８６号公報に記載）が記録感度、Ｓ／Ｎ比や消去率
の点で好ましい。
り結晶と非晶質との二状態間で可逆的に相変化する材料
であればよい。好ましい態様としてIn-Se 系合金、In-S
b-Te系合金、Ge-Te-Sb系合金、Ag-In-Sb-Te 系合金等が
挙げられ、その内でもGe-Te-Sb系合金（特開昭６２−５
３８８６号公報に記載）が記録感度、Ｓ／Ｎ比や消去率
の点で好ましい。
【００１５】第１の保護層としては、記録・消去の繰り
返しによる特性劣化が小さいことからＺｎＳと金属或い
は半導体の酸化物との混合物が好ましい。なお酸化物と
してはＴｉＯ2 が高屈折であり、化学的、熱的に安定で
あることから好ましい。反射層としては、例えばＡｌ，
Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ａｇ，Ｍｎ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｃｏ
等、またはこれ等の一種類以上を含む合金を用いること
ができる。
返しによる特性劣化が小さいことからＺｎＳと金属或い
は半導体の酸化物との混合物が好ましい。なお酸化物と
してはＴｉＯ2 が高屈折であり、化学的、熱的に安定で
あることから好ましい。反射層としては、例えばＡｌ，
Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ａｇ，Ｍｎ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｃｏ
等、またはこれ等の一種類以上を含む合金を用いること
ができる。
【００１６】これらの層は、透明基板上に、例えば、蒸
着法やスパッタ法やイオンプレーティング法によって、
光学層、第１の保護層、記録層、第２の保護層、反射層
を順次積層する。光学層、第１の保護層の膜厚は用いる
レーザー光の波長の１／４の奇数倍付近に合わせるのが
多重反射効果を利用する上で望ましい。記録層の膜厚
は、1nm から50nmが望ましい。1nm より小さいと十分な
記録感度が得られず、50nmより大きいと結晶・非晶質の
二状態間におけるコントラストが低下し好ましくない。
第２の保護層の膜厚は、5nm から80nmが好ましい。5nm
より小さいと記録感度が低下する。80nmより大きいと繰
り返し特性が低下する。更に反射層の膜厚については5n
m 以上が好ましい。
着法やスパッタ法やイオンプレーティング法によって、
光学層、第１の保護層、記録層、第２の保護層、反射層
を順次積層する。光学層、第１の保護層の膜厚は用いる
レーザー光の波長の１／４の奇数倍付近に合わせるのが
多重反射効果を利用する上で望ましい。記録層の膜厚
は、1nm から50nmが望ましい。1nm より小さいと十分な
記録感度が得られず、50nmより大きいと結晶・非晶質の
二状態間におけるコントラストが低下し好ましくない。
第２の保護層の膜厚は、5nm から80nmが好ましい。5nm
より小さいと記録感度が低下する。80nmより大きいと繰
り返し特性が低下する。更に反射層の膜厚については5n
m 以上が好ましい。
【００１７】本発明は上記した構成により、効率良く多
重反射を起こさせ、記録層での結晶状態と非晶質状態で
の吸収率Ａcry.、Ａamo.の関係をＡcry.＞Ａamo.とする
ことが出来、かつ高コントラストで消去パワーマージン
が広くできる。また、Ａcry.＞Ａamo.であることによ
り、オーバーライト時の消去率改善、およびジッター値
が低減する。各層の膜厚については各層の屈折率、消衰
係数により規定される最適範囲が存在する。
重反射を起こさせ、記録層での結晶状態と非晶質状態で
の吸収率Ａcry.、Ａamo.の関係をＡcry.＞Ａamo.とする
ことが出来、かつ高コントラストで消去パワーマージン
が広くできる。また、Ａcry.＞Ａamo.であることによ
り、オーバーライト時の消去率改善、およびジッター値
が低減する。各層の膜厚については各層の屈折率、消衰
係数により規定される最適範囲が存在する。
【００１８】
【実施例】以下の実施例では、記録層としてGe-Te-Sb系
合金からなる相変化型記録材料を用いた場合について説
明する。
合金からなる相変化型記録材料を用いた場合について説
明する。
【００１９】
【比較例１】案内溝を設けた直径90mm、厚さ0.6mm のポ
リカーボネート基板１上にZnS-SiO2(SiO230mol％)(ｎ＝
2.12) からなるターゲットからRFスパッタリング法によ
りおよそ60nmの第１の保護層２を形成した。次にこの保
護層の上に、Ge-Te-Sb系合金からなる膜厚8nm の記録層
３、及びZnS-SiO2からなる第２の保護層４を60nm、Alか
らなる反射層５を150nm 順次スパッタリング法により形
成した。さらにその上にUV硬化樹脂をスピンコート法に
より塗布し、光情報記録媒体を作製した。
リカーボネート基板１上にZnS-SiO2(SiO230mol％)(ｎ＝
2.12) からなるターゲットからRFスパッタリング法によ
りおよそ60nmの第１の保護層２を形成した。次にこの保
護層の上に、Ge-Te-Sb系合金からなる膜厚8nm の記録層
３、及びZnS-SiO2からなる第２の保護層４を60nm、Alか
らなる反射層５を150nm 順次スパッタリング法により形
成した。さらにその上にUV硬化樹脂をスピンコート法に
より塗布し、光情報記録媒体を作製した。
【００２０】表１に実験から求められた各層の屈折率、
消衰係数を示し、表３にレーザー波長680nm を用いた場
合の多層膜の光学計算により求めたこの記録媒体におけ
る反射率差と吸収率差の値を示す。表２に光情報記録媒
体において各層の構成材料及び膜厚を示す。表のように
結晶状態と非晶質状態の吸収率の関係は従来とは逆にＡ
cry.＞Ａamo.となっている。
消衰係数を示し、表３にレーザー波長680nm を用いた場
合の多層膜の光学計算により求めたこの記録媒体におけ
る反射率差と吸収率差の値を示す。表２に光情報記録媒
体において各層の構成材料及び膜厚を示す。表のように
結晶状態と非晶質状態の吸収率の関係は従来とは逆にＡ
cry.＞Ａamo.となっている。
【００２１】
【実施例１】比較例と同様の基板１上にMgF2からなるタ
ーゲットからRFスパッタリング法によりおよそ120nm の
光学層２を形成した。次にこの光学層の上にZnS-SiO2(T
iO230mol ％)(ｎ＝2.54) からなる第１の保護層３を50n
m、Ge-Te-Sb系合金からなる膜厚15nmの光学記録層３、
及びZnS-TiO2からなる第２の保護層４を40nm、Alからな
る反射層５を150nm 順次スパッタリング法により積層
し、光情報記録媒体を作製した。
ーゲットからRFスパッタリング法によりおよそ120nm の
光学層２を形成した。次にこの光学層の上にZnS-SiO2(T
iO230mol ％)(ｎ＝2.54) からなる第１の保護層３を50n
m、Ge-Te-Sb系合金からなる膜厚15nmの光学記録層３、
及びZnS-TiO2からなる第２の保護層４を40nm、Alからな
る反射層５を150nm 順次スパッタリング法により積層
し、光情報記録媒体を作製した。
【００２２】表１に実験から求められた各層の屈折率、
消衰係数を示し、表３にレーザー波長680nm を用いた場
合の多層膜の光学計算により求めたこの記録媒体におけ
る反射率差、吸収率差の値を示す。表２に光情報記録媒
体において各層の構成材料及び膜厚を示す。表のように
結晶状態と非晶質状態の吸収率の関係は従来とは逆にＡ
cry.＞Ａamo.となっている。
消衰係数を示し、表３にレーザー波長680nm を用いた場
合の多層膜の光学計算により求めたこの記録媒体におけ
る反射率差、吸収率差の値を示す。表２に光情報記録媒
体において各層の構成材料及び膜厚を示す。表のように
結晶状態と非晶質状態の吸収率の関係は従来とは逆にＡ
cry.＞Ａamo.となっている。
【００２３】このようにして作製した光情報記録媒体
を、回転しながら半導体レーザービームを照射すること
によって、記録媒体全面を結晶状態にした。この後、回
転数1800rpm で3.79MHz の信号を記録した後、図３のよ
うな強度変調されたレーザー光で1.08MHz の信号を重ね
書きして、新たに記録した1.08MHz の信号のジッターを
測定した。ジッターは記録したマークの長さのばらつき
やマークの位置ずれに比例する。
を、回転しながら半導体レーザービームを照射すること
によって、記録媒体全面を結晶状態にした。この後、回
転数1800rpm で3.79MHz の信号を記録した後、図３のよ
うな強度変調されたレーザー光で1.08MHz の信号を重ね
書きして、新たに記録した1.08MHz の信号のジッターを
測定した。ジッターは記録したマークの長さのばらつき
やマークの位置ずれに比例する。
【００２４】その結果、吸収率差ΔＡ（Ａcry.−Ａam
o.）が正である実施例１、実施例２がコントラストと消
去パワーマージンにおいて比較例１よりも優れているこ
とが分かる。なお消去パワーマージンはここでは消去率
が２０ｄＢ以上となる消去パワー範囲と定義した。
o.）が正である実施例１、実施例２がコントラストと消
去パワーマージンにおいて比較例１よりも優れているこ
とが分かる。なお消去パワーマージンはここでは消去率
が２０ｄＢ以上となる消去パワー範囲と定義した。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】
【表３】
【００２８】
【発明の効果】本発明による光情報記録媒体を用いるこ
とにより、オーバーライト時の消去率の改善及び、ジッ
ター値の低減が可能となる。
とにより、オーバーライト時の消去率の改善及び、ジッ
ター値の低減が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】比較例１の断面図である。
【図２】実施例１の断面図である。
【図３】実施例１で記録に用いたレーザー光の変調を示
した模式図である。
した模式図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 記録層の結晶状態と非晶質状態の２つの
状態を可逆的に相変化させることにより情報を記録およ
び消去する光情報記録媒体において、透明な基板上に、
少なくとも光学層、第１の保護層、記録層、第２の保護
層および反射層を順次形成した構成で、基板の屈折率
（ｎ0 ）、光学層の屈折率（ｎ1 ）、第１の保護層の屈
折率（ｎ2 ）が式（1 ）、（2 ）の関係にあることを特
徴とする光情報記録媒体。 ｎ2 ＞ｎ1 （1 ） ｎ1 ＜ｎ0 （2 ） - 【請求項２】 請求項１記載の光情報記録媒体におい
て、光学層がＭｇＦ2、ＣａＦ2 、ＬｉＦ、ＳｉＯ2 或
いはこれ等のうち、少なくとも一種類以上を含む混合物
からなることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6051927A JPH07262610A (ja) | 1994-03-23 | 1994-03-23 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6051927A JPH07262610A (ja) | 1994-03-23 | 1994-03-23 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07262610A true JPH07262610A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12900516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6051927A Withdrawn JPH07262610A (ja) | 1994-03-23 | 1994-03-23 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07262610A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0883116A3 (en) * | 1997-06-03 | 1999-02-10 | Nec Corporation | Optical recording media |
-
1994
- 1994-03-23 JP JP6051927A patent/JPH07262610A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0883116A3 (en) * | 1997-06-03 | 1999-02-10 | Nec Corporation | Optical recording media |
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