JPH07261152A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH07261152A JPH07261152A JP4680694A JP4680694A JPH07261152A JP H07261152 A JPH07261152 A JP H07261152A JP 4680694 A JP4680694 A JP 4680694A JP 4680694 A JP4680694 A JP 4680694A JP H07261152 A JPH07261152 A JP H07261152A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】低消費電力のＩＣで構成され明るくかつ視角特
性が良好で低コストの薄膜トランジスタ型液晶表示装置
を得る。 【構成】基板面にほぼ平行に電界を印加する電極構造
と、電圧がかかった状態で明るさの最小値を取る液晶の
素子構成と、共通電極からも画素に印加される実効電圧
ＶLCを高める電圧波形を印加する駆動回路とからなる。
性が良好で低コストの薄膜トランジスタ型液晶表示装置
を得る。 【構成】基板面にほぼ平行に電界を印加する電極構造
と、電圧がかかった状態で明るさの最小値を取る液晶の
素子構成と、共通電極からも画素に印加される実効電圧
ＶLCを高める電圧波形を印加する駆動回路とからなる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低消費電力のＩＣで構
成され明るくかつ視角特性が良好で低コストの薄膜トラ
ンジスタ型液晶表示装置に関する。
成され明るくかつ視角特性が良好で低コストの薄膜トラ
ンジスタ型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置
では、液晶層を駆動する電極としては２枚の基板界面上
に形成し相対向させた透明電極を用いていた。これは、
液晶に印加する電界の方向を基板界面にほぼ垂直な方向
とすることで動作する、ツイステッドネマチック表示方
式に代表される表示方式を採用していることによる。一
方、液晶に印加する電界の方向を基板界面にほぼ平行な
方向とする方式として、櫛歯電極対を用いた方式が、例
えば特公昭63−21907 号により提案されているが、表示
装置としては実用化されていない。
では、液晶層を駆動する電極としては２枚の基板界面上
に形成し相対向させた透明電極を用いていた。これは、
液晶に印加する電界の方向を基板界面にほぼ垂直な方向
とすることで動作する、ツイステッドネマチック表示方
式に代表される表示方式を採用していることによる。一
方、液晶に印加する電界の方向を基板界面にほぼ平行な
方向とする方式として、櫛歯電極対を用いた方式が、例
えば特公昭63−21907 号により提案されているが、表示
装置としては実用化されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記の従来技術の表示
装置においては、視角方向を変化させた際の輝度変化が
著しく、特に中間調表示を行った場合、視角方向により
階調レベルが反転してしまうなど、実用上問題であっ
た。これに対し、櫛歯電極対を用いて液晶に印加する電
界の方向を基板界面にほぼ平行な方向とする方式を採用
すると、明るさの視角依存性がほぼなくなることが明ら
かにされている(参照、R. Kiefer, B. Weber, F. Winds
cheid and G. Baur, Proceedings of the Twelfth Inte
rnational Display Research Conference(Japan Displa
y, 92')pp.547−550）。しかしながら、この発表におい
ては薄膜トランジスタの構造とこの方式に適した駆動方
法についての記述はない。また、ここで示された構成に
おいては、十分な光透過率とコントラスト比を保つには
例えば８ボルト以上の高い電圧を印加する必要があり、
製造コストや消費電力が高い高耐圧の駆動ＩＣを用いな
くてはならない。加えて、電極間ギャップが僅かに１０
μｍと、通常の液晶表示装置の画素ピッチに比べて極め
て狭く、パネルの光透過率を引上げ明るさを高めるため
に必須である高開口率の確保が非常に困難となってい
る。一方で高開口率確保のために電極間ギャップを広げ
ると、電極間の電界強度が低下し、十分な光透過率を保
つのに要する駆動電圧がますます高くなってしまい、あ
い路となっていた。
装置においては、視角方向を変化させた際の輝度変化が
著しく、特に中間調表示を行った場合、視角方向により
階調レベルが反転してしまうなど、実用上問題であっ
た。これに対し、櫛歯電極対を用いて液晶に印加する電
界の方向を基板界面にほぼ平行な方向とする方式を採用
すると、明るさの視角依存性がほぼなくなることが明ら
かにされている(参照、R. Kiefer, B. Weber, F. Winds
cheid and G. Baur, Proceedings of the Twelfth Inte
rnational Display Research Conference(Japan Displa
y, 92')pp.547−550）。しかしながら、この発表におい
ては薄膜トランジスタの構造とこの方式に適した駆動方
法についての記述はない。また、ここで示された構成に
おいては、十分な光透過率とコントラスト比を保つには
例えば８ボルト以上の高い電圧を印加する必要があり、
製造コストや消費電力が高い高耐圧の駆動ＩＣを用いな
くてはならない。加えて、電極間ギャップが僅かに１０
μｍと、通常の液晶表示装置の画素ピッチに比べて極め
て狭く、パネルの光透過率を引上げ明るさを高めるため
に必須である高開口率の確保が非常に困難となってい
る。一方で高開口率確保のために電極間ギャップを広げ
ると、電極間の電界強度が低下し、十分な光透過率を保
つのに要する駆動電圧がますます高くなってしまい、あ
い路となっていた。
【０００４】一方、特公昭63−21907 号には相互に咬合
する櫛歯電極対を薄膜トランジスタと接続した構造が提
案されているが、ここでは櫛歯電極を１画素内に１７本
も導入しており、十分な画素開口率（例えば３０％以
上）を維持するには櫛歯電極の電極幅を１〜２μｍ程度
以下と極めて狭くする必要がある。開口率を実用レベル
まで拡大しかつ高電界を印加するには極めて狭い幅の電
極をこのように多数本導入し、対の電極間のギャップを
できるだけ狭くすることが必要である。しかしながら、
大型基板全面にわたってそのような細線を均一にかつ断
線がないように形成することは極めて困難である。即
ち、上記の従来技術では、低駆動電圧，高画素開口率と
製造歩留まりがトレ−ドオフの関係となり、明るい画像
を有する液晶表示装置を低コストで提供することは困難
であった。
する櫛歯電極対を薄膜トランジスタと接続した構造が提
案されているが、ここでは櫛歯電極を１画素内に１７本
も導入しており、十分な画素開口率（例えば３０％以
上）を維持するには櫛歯電極の電極幅を１〜２μｍ程度
以下と極めて狭くする必要がある。開口率を実用レベル
まで拡大しかつ高電界を印加するには極めて狭い幅の電
極をこのように多数本導入し、対の電極間のギャップを
できるだけ狭くすることが必要である。しかしながら、
大型基板全面にわたってそのような細線を均一にかつ断
線がないように形成することは極めて困難である。即
ち、上記の従来技術では、低駆動電圧，高画素開口率と
製造歩留まりがトレ−ドオフの関係となり、明るい画像
を有する液晶表示装置を低コストで提供することは困難
であった。
【０００５】本発明はこれらの課題を同時に解決するも
ので、少ない本数の電極により、かつ電極間ギャップを
さほど狭めずとも実用上十分に低い耐圧のＩＣによって
駆動可能な高画素開口率薄膜トランジスタ型液晶表示装
置を提供することにある。
ので、少ない本数の電極により、かつ電極間ギャップを
さほど狭めずとも実用上十分に低い耐圧のＩＣによって
駆動可能な高画素開口率薄膜トランジスタ型液晶表示装
置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決し、上記
目的を達成するために本発明では以下の手段を用いる。
少なくとも一方が透明な一対の基板，該基板間に挾持さ
れ、配向した誘電率異方性と屈折率異方性とを有する液
晶組成物層，偏光手段，マトリクス状に配置された複数
の画素，各画素ごとに備えられ、画素電極，信号配線電
極及び走査配線電極に接続された薄膜トランジスタ素
子，共通電極，前記画素電極と共通電極の間に電圧信号
波形を印加する手段とを有する液晶表示装置において、 〔手段１〕前記画素電極と前記共通電極は、電圧信号波
形を印加する手段により前記画素電極と前記共通電極と
の間でかつ、基板面にほぼ平行に電界を印加するように
配置され、前記液晶組成物層の配向状態及び前記偏光手
段の構成は、前記画素電極と前記共通電極間に印加され
る電圧ＶLCがほぼゼロにおいて明るさがほぼゼロでかつ
電圧ＶLCをゼロから徐々に増大させるに従い実質的に明
るさが変化しない電圧領域をへた後に明るさが増大す
る、あるいは電圧ＶLCをゼロから徐々に増大させるに従
い明るさが減少し最小値をとるように設定され、前記信
号配線電極および前記共通電極のそれぞれには走査配線
電極に印加する走査信号波形ＶS に同期をとった電圧波
形ＶD，ＶCが印加され、前記信号配線電極および前記共
通電極に印加される電圧波形ＶD，ＶCは前記画素に印加
される実効電圧ＶLCが前記共通電極からの電圧波形の振
幅ＶC がゼロの場合に比べて高くなるように定められ、
かつ前記信号配線電極に印加する電圧の波高値を画像情
報に従い変化させることで、前記画素に印加される実効
電圧ＶLCが明るさが最小となる電圧ＶOFF 近傍とそれよ
り明るい状態となる電圧ＶONとの間で変化するように定
めて駆動されることを特徴とする液晶表示装置。
目的を達成するために本発明では以下の手段を用いる。
少なくとも一方が透明な一対の基板，該基板間に挾持さ
れ、配向した誘電率異方性と屈折率異方性とを有する液
晶組成物層，偏光手段，マトリクス状に配置された複数
の画素，各画素ごとに備えられ、画素電極，信号配線電
極及び走査配線電極に接続された薄膜トランジスタ素
子，共通電極，前記画素電極と共通電極の間に電圧信号
波形を印加する手段とを有する液晶表示装置において、 〔手段１〕前記画素電極と前記共通電極は、電圧信号波
形を印加する手段により前記画素電極と前記共通電極と
の間でかつ、基板面にほぼ平行に電界を印加するように
配置され、前記液晶組成物層の配向状態及び前記偏光手
段の構成は、前記画素電極と前記共通電極間に印加され
る電圧ＶLCがほぼゼロにおいて明るさがほぼゼロでかつ
電圧ＶLCをゼロから徐々に増大させるに従い実質的に明
るさが変化しない電圧領域をへた後に明るさが増大す
る、あるいは電圧ＶLCをゼロから徐々に増大させるに従
い明るさが減少し最小値をとるように設定され、前記信
号配線電極および前記共通電極のそれぞれには走査配線
電極に印加する走査信号波形ＶS に同期をとった電圧波
形ＶD，ＶCが印加され、前記信号配線電極および前記共
通電極に印加される電圧波形ＶD，ＶCは前記画素に印加
される実効電圧ＶLCが前記共通電極からの電圧波形の振
幅ＶC がゼロの場合に比べて高くなるように定められ、
かつ前記信号配線電極に印加する電圧の波高値を画像情
報に従い変化させることで、前記画素に印加される実効
電圧ＶLCが明るさが最小となる電圧ＶOFF 近傍とそれよ
り明るい状態となる電圧ＶONとの間で変化するように定
めて駆動されることを特徴とする液晶表示装置。
【０００７】手段１によれば少ない本数の電極により、
電極間ギャップをさほど狭めずにも実用上十分に低い耐
圧のＩＣによって駆動可能な広視角薄膜トランジスタ型
液晶表示装置を提供することが可能となる。低い耐圧の
ＩＣの使用は同時に低消費電力化をもたらす。
電極間ギャップをさほど狭めずにも実用上十分に低い耐
圧のＩＣによって駆動可能な広視角薄膜トランジスタ型
液晶表示装置を提供することが可能となる。低い耐圧の
ＩＣの使用は同時に低消費電力化をもたらす。
【０００８】〔手段２〕前記液晶組成物層内の配向に関
して、一方の基板界面上での液晶分子配向方向角度φ
LC1と他方基板界面上での液晶分子配向方向角度φLC2と
が互いに略平行（φLC1≒φLC2≡φLC）であり、かつ前
記液晶組成物層の厚みｄ及び屈折率異方性Δｎの積ｄ・
Δｎが０.２１μｍから０.３６μｍの間であることを特
徴とする手段１に記載の液晶表示装置。
して、一方の基板界面上での液晶分子配向方向角度φ
LC1と他方基板界面上での液晶分子配向方向角度φLC2と
が互いに略平行（φLC1≒φLC2≡φLC）であり、かつ前
記液晶組成物層の厚みｄ及び屈折率異方性Δｎの積ｄ・
Δｎが０.２１μｍから０.３６μｍの間であることを特
徴とする手段１に記載の液晶表示装置。
【０００９】手段２によれば液晶表示モードを最適化
し、明るさを最大限引き出すことが可能である。
し、明るさを最大限引き出すことが可能である。
【００１０】〔手段３〕前記液晶組成物層の誘電率異方
性が正であり、前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界
方向とのなす角｜φLC｜が４５度を超え９０度未満であ
り、前記偏光手段が前記液晶組成物層を挟む一対の偏光
板であり、該一対の偏光板のうちの一方の偏光板Ａの透
過軸(或いは吸収軸)の角度φPとφLCとのなす角｜φLC
−φP｜が２度以下であることを特徴とする手段２に記
載の液晶表示装置。ただし、−９０度≦φLC≦９０度で
ある。
性が正であり、前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界
方向とのなす角｜φLC｜が４５度を超え９０度未満であ
り、前記偏光手段が前記液晶組成物層を挟む一対の偏光
板であり、該一対の偏光板のうちの一方の偏光板Ａの透
過軸(或いは吸収軸)の角度φPとφLCとのなす角｜φLC
−φP｜が２度以下であることを特徴とする手段２に記
載の液晶表示装置。ただし、−９０度≦φLC≦９０度で
ある。
【００１１】〔手段４〕前記界面上の液晶分子の長軸方
向と電界方向とのなす角｜φLC｜が８５度を超え９０度
未満であり、かつ前記液晶組成物層の厚みｄ及び屈折率
異方性Δｎの積ｄ・Δｎが０.２６μｍから０.３６μｍ
の間であることを特徴とする手段３に記載の液晶表示装
置。
向と電界方向とのなす角｜φLC｜が８５度を超え９０度
未満であり、かつ前記液晶組成物層の厚みｄ及び屈折率
異方性Δｎの積ｄ・Δｎが０.２６μｍから０.３６μｍ
の間であることを特徴とする手段３に記載の液晶表示装
置。
【００１２】〔手段５〕前記液晶組成物層の誘電率異方
性が正であり、前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界
方向とのなす角｜φLC｜が４５度を超え９０度未満であ
り、前記偏光手段が前記液晶組成物層を挟む一対の偏光
板であり、該一対の偏光板のうちの一方の偏光板の透過
軸（或いは吸収軸）の角度φP よりも大きく、かつその
差｜φLC−φP|が２度以上３０度以下であることを特徴
とする手段２に記載の液晶表示装置。
性が正であり、前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界
方向とのなす角｜φLC｜が４５度を超え９０度未満であ
り、前記偏光手段が前記液晶組成物層を挟む一対の偏光
板であり、該一対の偏光板のうちの一方の偏光板の透過
軸（或いは吸収軸）の角度φP よりも大きく、かつその
差｜φLC−φP|が２度以上３０度以下であることを特徴
とする手段２に記載の液晶表示装置。
【００１３】〔手段６〕前記界面上の液晶分子の長軸方
向と電界方向とのなす角｜φLC｜が８０度以上９０度未
満であり、角度差|φLC−φP｜が２度以上１０度以下で
あることを特徴とする手段５に記載の液晶表示装置。
向と電界方向とのなす角｜φLC｜が８０度以上９０度未
満であり、角度差|φLC−φP｜が２度以上１０度以下で
あることを特徴とする手段５に記載の液晶表示装置。
【００１４】〔手段７〕前記液晶組成物層の誘電率異方
性が負であり、前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界
方向とのなす角｜φLC｜が０度を超え４５度未満であ
り、前記偏光手段が前記液晶組成物層を挟む一対の偏光
板であり、該一対の偏光板のうちの一方の偏光板の透過
軸（或いは吸収軸）の角度φPとφLCとのなす角｜φLC
−φP｜が２度以下であることを特徴とする手段２に記
載の液晶表示装置。ただし、−９０度≦φLC≦９０度で
ある。
性が負であり、前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界
方向とのなす角｜φLC｜が０度を超え４５度未満であ
り、前記偏光手段が前記液晶組成物層を挟む一対の偏光
板であり、該一対の偏光板のうちの一方の偏光板の透過
軸（或いは吸収軸）の角度φPとφLCとのなす角｜φLC
−φP｜が２度以下であることを特徴とする手段２に記
載の液晶表示装置。ただし、−９０度≦φLC≦９０度で
ある。
【００１５】〔手段８〕前記界面上の液晶分子の長軸方
向と電界方向とのなす角｜φLC｜が０度を超え５度未満
であり、かつ前記液晶組成物層の厚みｄ及び屈折率異方
性Δｎの積ｄ・Δｎが０.２６μｍから０.３６μｍの間
であることを特徴とする手段７に記載の液晶表示装置。
向と電界方向とのなす角｜φLC｜が０度を超え５度未満
であり、かつ前記液晶組成物層の厚みｄ及び屈折率異方
性Δｎの積ｄ・Δｎが０.２６μｍから０.３６μｍの間
であることを特徴とする手段７に記載の液晶表示装置。
【００１６】〔手段９〕前記液晶組成物層の誘電率異方
性が負であり、前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界
方向とのなす角｜φLC｜が０度を超え４５度未満であ
り、前記偏光手段が前記液晶組成物層を挟む一対の偏光
板であり、該一対の偏光板のうちの一方の偏光板の透過
軸（或いは吸収軸）の角度φP よりも小さく、かつその
差｜φLC−φP|が２度以上３０度以下であることを特徴
とする手段２に記載の液晶表示装置。
性が負であり、前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界
方向とのなす角｜φLC｜が０度を超え４５度未満であ
り、前記偏光手段が前記液晶組成物層を挟む一対の偏光
板であり、該一対の偏光板のうちの一方の偏光板の透過
軸（或いは吸収軸）の角度φP よりも小さく、かつその
差｜φLC−φP|が２度以上３０度以下であることを特徴
とする手段２に記載の液晶表示装置。
【００１７】〔手段１０〕前記界面上の液晶分子の長軸
方向と電界方向とのなす角｜φLC｜が０度を超え１０度
未満であり、前記角度差｜φLC−φP|が２度以上１０度
以下であることを特徴とする手段９に記載の液晶表示装
置。
方向と電界方向とのなす角｜φLC｜が０度を超え１０度
未満であり、前記角度差｜φLC−φP|が２度以上１０度
以下であることを特徴とする手段９に記載の液晶表示装
置。
【００１８】手段３から手段１０は低い耐圧のＩＣで動
作するように、液晶及び偏光板を最適化する具体策を提
供するものである。
作するように、液晶及び偏光板を最適化する具体策を提
供するものである。
【００１９】〔手段１１〕前記走査配線電極に少なくと
も３値以上の振幅レベルを有する電圧波形を印加し、走
査選択期間には、薄膜トランジスタ素子の信号配線，画
素電極間の抵抗値を著しく下げるのに十分な高いレベル
を有し、かつもっとも高いレベルのＶGHを印加し、非走
査選択期間には、共通配線電極に印加した電圧ＶC の増
減に応じて、異なるレベルの２値以上の電圧（最高値を
ＶGLH，最低値をＶGLLと定義する）を印加し、走査配線
電極と共通電極の間の電位差を減じたことを特徴とする
手段１に記載の液晶表示装置。
も３値以上の振幅レベルを有する電圧波形を印加し、走
査選択期間には、薄膜トランジスタ素子の信号配線，画
素電極間の抵抗値を著しく下げるのに十分な高いレベル
を有し、かつもっとも高いレベルのＶGHを印加し、非走
査選択期間には、共通配線電極に印加した電圧ＶC の増
減に応じて、異なるレベルの２値以上の電圧（最高値を
ＶGLH，最低値をＶGLLと定義する）を印加し、走査配線
電極と共通電極の間の電位差を減じたことを特徴とする
手段１に記載の液晶表示装置。
【００２０】手段１１は手段１及び手段１０全体で生じ
る、基板面に平行に電界を印加する方式を共通電極に電
界を印加する場合の問題である、走査電極と画素電極の
間に生じる寄生容量ＣGSにより発生する飛込み電圧ΔＶ
GSによる電圧変動の影響を抑制することが可能となる。
る、基板面に平行に電界を印加する方式を共通電極に電
界を印加する場合の問題である、走査電極と画素電極の
間に生じる寄生容量ＣGSにより発生する飛込み電圧ΔＶ
GSによる電圧変動の影響を抑制することが可能となる。
【００２１】
【作用】先ず初めに、図２により電界方向９に対する界
面近傍での液晶分子長軸（光学軸）方向１０のなす角φ
LC、偏光板の偏光透過軸１１のなす角φP の定義を示
す。偏光板及び液晶界面はそれぞれ上下に一対あるので
必要に応じてφP1，φP2，φLC1，φLC2と表記する。
尚、図２は後述する図１の正面図に対応する。
面近傍での液晶分子長軸（光学軸）方向１０のなす角φ
LC、偏光板の偏光透過軸１１のなす角φP の定義を示
す。偏光板及び液晶界面はそれぞれ上下に一対あるので
必要に応じてφP1，φP2，φLC1，φLC2と表記する。
尚、図２は後述する図１の正面図に対応する。
【００２２】次に本発明の作用を図１を用いて説明す
る。
る。
【００２３】図１（ａ)，(ｂ）は本発明の液晶パネル内
での液晶の動作を示す側断面を、図１（ｃ)，(ｄ）はそ
の正面図を表す。図１には薄膜トランジスタ素子部は省
略され配線電極構造の１部が示されている。また、本発
明の表示装置は複数の画素で構成されるが、ここでは一
画素の中の部分のみを示した。電圧無印加時のセル側断
面を図１（ａ）に、その時の正面図を図１（ｃ）に示
す。透明な一対の基板の内側に線状の電極１，４が形成
され、その上に保護膜兼用の配向制御膜５が塗布及び配
向処理されている。間には液晶組成物が挟持されてい
る。棒状の液晶分子６は、電界無印加時には電極１，４
の長手方向（図１（ｃ）正面図）に対して若干の角度、
即ち４５度≦｜φLC｜＜９０度、をもつように配向され
ている。図１，図２では界面上の液晶分子長軸配向（ラ
ビング）方向１０を矢印で示した。上下界面上での液晶
分子配向方向は、望ましい一例として平行、即ちφLC1
＝φLC2（＝φLC）となっている。液晶組成物の誘電異
方性は正を想定している。
での液晶の動作を示す側断面を、図１（ｃ)，(ｄ）はそ
の正面図を表す。図１には薄膜トランジスタ素子部は省
略され配線電極構造の１部が示されている。また、本発
明の表示装置は複数の画素で構成されるが、ここでは一
画素の中の部分のみを示した。電圧無印加時のセル側断
面を図１（ａ）に、その時の正面図を図１（ｃ）に示
す。透明な一対の基板の内側に線状の電極１，４が形成
され、その上に保護膜兼用の配向制御膜５が塗布及び配
向処理されている。間には液晶組成物が挟持されてい
る。棒状の液晶分子６は、電界無印加時には電極１，４
の長手方向（図１（ｃ）正面図）に対して若干の角度、
即ち４５度≦｜φLC｜＜９０度、をもつように配向され
ている。図１，図２では界面上の液晶分子長軸配向（ラ
ビング）方向１０を矢印で示した。上下界面上での液晶
分子配向方向は、望ましい一例として平行、即ちφLC1
＝φLC2（＝φLC）となっている。液晶組成物の誘電異
方性は正を想定している。
【００２４】ここで、画素電極４と共通電極１のそれぞ
れに異なる電位を与えそれらの間に電位差を与えて液晶
組成物層に電界９を印加すると、液晶組成物が持つ誘電
異方性と電界との相互作用により図１（ｂ)，(ｄ）に示
したように液晶分子が反応して電界方向にその向きを変
える。この時液晶組成物層の屈折率異方性と偏光板との
相互作用により明るさが変わる。本発明の主要な構成の
第１は電気光学特性の最適化であり、第２は駆動条件の
最適化である。以下それぞれについてその作用について
説明する。
れに異なる電位を与えそれらの間に電位差を与えて液晶
組成物層に電界９を印加すると、液晶組成物が持つ誘電
異方性と電界との相互作用により図１（ｂ)，(ｄ）に示
したように液晶分子が反応して電界方向にその向きを変
える。この時液晶組成物層の屈折率異方性と偏光板との
相互作用により明るさが変わる。本発明の主要な構成の
第１は電気光学特性の最適化であり、第２は駆動条件の
最適化である。以下それぞれについてその作用について
説明する。
【００２５】（１）電気光学特性の最適化（第１の構
成） はじめに、上述のような液晶分子の配向方向を変化させ
て、それにあわせて明るさを変化させる作用について説
明する。一般に一軸性複屈折性媒体を直交配置した２枚
の偏光板の間に挿入した時の光透過率Ｔ／Ｔo は次式で
表される。ここで、χeff は液晶組成物層の実効的な光
軸方向（実効的な分子長軸方向と偏光透過軸とのなす
角）、ｄeff は複屈折性を有する実効的な液晶組成物層
の厚み、Δｎは屈折率異方性、λは光の波長を表す。こ
こで、液晶組成物層の光軸方向を実効的な値とした目的
は、実際のセル内では界面上では液晶分子が固定されて
おり、電界印加時にはセル内で全ての液晶分子が互いに
平行かつ一様に配向しているのではなく、特に界面近傍
では大きな変形が起こっていることを鑑み、それらの平
均値として一様状態を想定した時の見かけの値で取り扱
うことにある。
成） はじめに、上述のような液晶分子の配向方向を変化させ
て、それにあわせて明るさを変化させる作用について説
明する。一般に一軸性複屈折性媒体を直交配置した２枚
の偏光板の間に挿入した時の光透過率Ｔ／Ｔo は次式で
表される。ここで、χeff は液晶組成物層の実効的な光
軸方向（実効的な分子長軸方向と偏光透過軸とのなす
角）、ｄeff は複屈折性を有する実効的な液晶組成物層
の厚み、Δｎは屈折率異方性、λは光の波長を表す。こ
こで、液晶組成物層の光軸方向を実効的な値とした目的
は、実際のセル内では界面上では液晶分子が固定されて
おり、電界印加時にはセル内で全ての液晶分子が互いに
平行かつ一様に配向しているのではなく、特に界面近傍
では大きな変形が起こっていることを鑑み、それらの平
均値として一様状態を想定した時の見かけの値で取り扱
うことにある。
【００２６】 Ｔ／Ｔo＝sin2（２χeff）・sin2（πｄeff・Δｎ／λ） …（１） 明るさを変化させる際の挙動としては、低電圧ＶOFF 印
加時に暗、高電圧ＶON印加時に明状態となるノーマリク
ローズ特性と、明暗がその逆になるノーマリオープン特
性の２種類がある。本発明の第１の構成はＶLCを増大さ
せるに従い明るさが減少し最小値をとるように偏光板等
を設定することにある。従って、ノーマリクローズ特性
を得るには偏光板８の偏光透過軸１１と電界方向９との
なす角φP をラビング方向１０と電界方向９とのなす角
φLCより若干（２度以上３０度以下、望ましくは３度以
上１０度以下）小さな角度に配置すれば良い。こうする
ことで、あるバイアス電圧（後述するＶOFF ）を印加し
た状態で、（１）式におけるχeffが０となり明るさに
対応する光透過率Ｔ／Ｔoも０となる。一方それより高
い電界（後述するＶON）を印加する時にはその強度に応
じてχeff の値が増大し、４５度の時に最大になる。一
方、ノーマリオープン特性を得るには偏光板８の偏光透
過軸１１と電界方向９とのなす角φP をラビング方向１
０と電界方向９とのなす角φLCより大幅に(４５度以上)
小さな角度に配置すれば良い。いずれの特性に対して
も、無彩色でかつ透過率を最大とするには実効的なｄ
eff・Δｎを２分の１波長である０.２８μｍ とすれば
良い（ここで光の波長は０.５５５μｍと想定した）。
現実には裕度があるために、０.２１から０.３６μｍの
間に入っていれば良いが、特に誘電率異方性が正でラビ
ング角度｜φLC｜を１０度以下と小さくする時にはやや
高めの０.２７から０.３３μｍの間の値に設定すると良
い。
加時に暗、高電圧ＶON印加時に明状態となるノーマリク
ローズ特性と、明暗がその逆になるノーマリオープン特
性の２種類がある。本発明の第１の構成はＶLCを増大さ
せるに従い明るさが減少し最小値をとるように偏光板等
を設定することにある。従って、ノーマリクローズ特性
を得るには偏光板８の偏光透過軸１１と電界方向９との
なす角φP をラビング方向１０と電界方向９とのなす角
φLCより若干（２度以上３０度以下、望ましくは３度以
上１０度以下）小さな角度に配置すれば良い。こうする
ことで、あるバイアス電圧（後述するＶOFF ）を印加し
た状態で、（１）式におけるχeffが０となり明るさに
対応する光透過率Ｔ／Ｔoも０となる。一方それより高
い電界（後述するＶON）を印加する時にはその強度に応
じてχeff の値が増大し、４５度の時に最大になる。一
方、ノーマリオープン特性を得るには偏光板８の偏光透
過軸１１と電界方向９とのなす角φP をラビング方向１
０と電界方向９とのなす角φLCより大幅に(４５度以上)
小さな角度に配置すれば良い。いずれの特性に対して
も、無彩色でかつ透過率を最大とするには実効的なｄ
eff・Δｎを２分の１波長である０.２８μｍ とすれば
良い（ここで光の波長は０.５５５μｍと想定した）。
現実には裕度があるために、０.２１から０.３６μｍの
間に入っていれば良いが、特に誘電率異方性が正でラビ
ング角度｜φLC｜を１０度以下と小さくする時にはやや
高めの０.２７から０.３３μｍの間の値に設定すると良
い。
【００２７】図４にこの本発明の主要な第１の構成であ
る明るさの印加電圧依存性の曲線の一例を示す。画素電
極４と共通電極１の間に印加される電圧ＶLCをほぼゼロ
から、徐々に増大させるに従い明るさが一旦減少し最小
値をとった後に再び増大し、やがて印加電圧がほぼゼロ
の時の明るさよりも高い値を取る。ここではこのように
高電圧側で明状態が表示される特性をノーマリクローズ
特性と呼ぶ。一方、図５には高電圧側で暗状態となるノ
ーマリオープン特性の一例を示す。なお、ここではいず
れの場合も複屈折モードを採用し、液晶組成物層を挟持
している２枚の偏光板の偏光透過軸はほぼ直交させた
が、上述のようなある一定幅の電圧範囲で明暗２状態が
表示できる特性を実現する手段であればこれに限らな
い。なお、本発明ではいずれの特性に対しても明るさが
ほぼ最小値となる電圧をＶOFF と定義し、より明るい状
態を得る電圧をＶONと定義する（図４，図５）。
る明るさの印加電圧依存性の曲線の一例を示す。画素電
極４と共通電極１の間に印加される電圧ＶLCをほぼゼロ
から、徐々に増大させるに従い明るさが一旦減少し最小
値をとった後に再び増大し、やがて印加電圧がほぼゼロ
の時の明るさよりも高い値を取る。ここではこのように
高電圧側で明状態が表示される特性をノーマリクローズ
特性と呼ぶ。一方、図５には高電圧側で暗状態となるノ
ーマリオープン特性の一例を示す。なお、ここではいず
れの場合も複屈折モードを採用し、液晶組成物層を挟持
している２枚の偏光板の偏光透過軸はほぼ直交させた
が、上述のようなある一定幅の電圧範囲で明暗２状態が
表示できる特性を実現する手段であればこれに限らな
い。なお、本発明ではいずれの特性に対しても明るさが
ほぼ最小値となる電圧をＶOFF と定義し、より明るい状
態を得る電圧をＶONと定義する（図４，図５）。
【００２８】（２）駆動条件の最適化（第２の構成） 次に、上記の主要な第１の構成と主要な第２の構成であ
る以下の駆動方法とを組み合わせることで駆動ＩＣの電
圧を大幅に引き下げることが可能となる作用について説
明する。図１０に本発明の駆動回路システムを示す。本
発明では一般的な薄膜トランジスタ型表示装置の駆動回
路と同様に走査電極駆動回路１８と信号電極駆動回路１
９とからなるが、加えて共通電極にも電圧波形を印加す
る駆動回路２０も備える。図９にはこの回路による駆動
波形の一例を示す。図９（ａ）は走査電極駆動回路から
供給される走査波形ＶG を、図９（ｂ）は信号電極駆動
回路から供給される画像情報を担った信号波形ＶD をし
めす。図９（ｃ）は共通電極に供給する波形ＶC を、図
９（ｄ）は画素電極であるソース電極にかかる電圧ＶS
を、そして図９（ｅ）は液晶にかかる電圧ＶLCを表す。
ここで、共通電極に供給する波形ＶCは信号波形ＶDと同
期をとりかつその位相を逆にして、液晶に印加される実
効電圧が、共通電極からの電圧波形の振幅ＶC がゼロの
場合よりも著しく高められるようにしている。
る以下の駆動方法とを組み合わせることで駆動ＩＣの電
圧を大幅に引き下げることが可能となる作用について説
明する。図１０に本発明の駆動回路システムを示す。本
発明では一般的な薄膜トランジスタ型表示装置の駆動回
路と同様に走査電極駆動回路１８と信号電極駆動回路１
９とからなるが、加えて共通電極にも電圧波形を印加す
る駆動回路２０も備える。図９にはこの回路による駆動
波形の一例を示す。図９（ａ）は走査電極駆動回路から
供給される走査波形ＶG を、図９（ｂ）は信号電極駆動
回路から供給される画像情報を担った信号波形ＶD をし
めす。図９（ｃ）は共通電極に供給する波形ＶC を、図
９（ｄ）は画素電極であるソース電極にかかる電圧ＶS
を、そして図９（ｅ）は液晶にかかる電圧ＶLCを表す。
ここで、共通電極に供給する波形ＶCは信号波形ＶDと同
期をとりかつその位相を逆にして、液晶に印加される実
効電圧が、共通電極からの電圧波形の振幅ＶC がゼロの
場合よりも著しく高められるようにしている。
【００２９】本発明では、共通電極にも電圧波形を印加
する駆動回路２０を備えているが、前述の電気光学的特
性とこの簡素な回路とを組み合わせることにより、もっ
とも数多く使用しかつ画像情報を担うために高価になる
信号電極駆動回路のコストを低減できる。全回路コスト
のかなりの部分を占める信号電極駆動回路のコスト低減
は表示装置全体のコスト低減に大きく寄与する。一般に
駆動ＩＣの製造コストは耐圧（最大出力電圧）に強く依
存し、低いほど低減しやすい。一方、共通電極駆動回路
の方は基本的には出力端子が１つあれば十分であり、ま
た画像情報を担わせる必要もなく出力電圧を多少高くし
てもさほど大きなコスト上昇には結びつかない。図９か
らも明らかなように、共通電極に信号電圧波形と逆位相
の電圧波形を印加すると液晶にかかる実効電圧ＶLCが高
まる。液晶にかかる実効電圧ＶLCは画素電極であるソー
ス電極にかかる電圧ＶSから共通電極からの電圧ＶCを引
いた電圧になる。また、ゲートがオフの時の画素電極
（ソース電極）にかかる電圧の振幅ΔＶSは信号電極に
かかる電圧ＶDのピークツーピーク値｜ＶDH−ＶDL｜に
ほぼ比例する。したがって、信号電極にかかる電圧、即
ち画素電極(ソース電極)にかかる電圧波形と共通電極に
かかる電圧波形とが互いに逆位相の関係にあれば、液晶
にかかる実効電圧ＶLCのピークツーピーク値はそれらの
和になり、信号電極にかかる電圧が低くとも液晶により
高い電圧がかけられる。図４からも明らかなように変化
できる電圧範囲（ダイナミックレンジとも称す）はΔＶ
S であるため、上述の主要な第１の構成として示した偏
光板等の設定により、明るさの最小値を得る電圧ＶOFF
と、十分な明るさが得られる電圧ＶONとの差のダイナミ
ックレンジに対応する電圧幅が狭められ、より信号電圧
波形の振幅が低く抑制される。
する駆動回路２０を備えているが、前述の電気光学的特
性とこの簡素な回路とを組み合わせることにより、もっ
とも数多く使用しかつ画像情報を担うために高価になる
信号電極駆動回路のコストを低減できる。全回路コスト
のかなりの部分を占める信号電極駆動回路のコスト低減
は表示装置全体のコスト低減に大きく寄与する。一般に
駆動ＩＣの製造コストは耐圧（最大出力電圧）に強く依
存し、低いほど低減しやすい。一方、共通電極駆動回路
の方は基本的には出力端子が１つあれば十分であり、ま
た画像情報を担わせる必要もなく出力電圧を多少高くし
てもさほど大きなコスト上昇には結びつかない。図９か
らも明らかなように、共通電極に信号電圧波形と逆位相
の電圧波形を印加すると液晶にかかる実効電圧ＶLCが高
まる。液晶にかかる実効電圧ＶLCは画素電極であるソー
ス電極にかかる電圧ＶSから共通電極からの電圧ＶCを引
いた電圧になる。また、ゲートがオフの時の画素電極
（ソース電極）にかかる電圧の振幅ΔＶSは信号電極に
かかる電圧ＶDのピークツーピーク値｜ＶDH−ＶDL｜に
ほぼ比例する。したがって、信号電極にかかる電圧、即
ち画素電極(ソース電極)にかかる電圧波形と共通電極に
かかる電圧波形とが互いに逆位相の関係にあれば、液晶
にかかる実効電圧ＶLCのピークツーピーク値はそれらの
和になり、信号電極にかかる電圧が低くとも液晶により
高い電圧がかけられる。図４からも明らかなように変化
できる電圧範囲（ダイナミックレンジとも称す）はΔＶ
S であるため、上述の主要な第１の構成として示した偏
光板等の設定により、明るさの最小値を得る電圧ＶOFF
と、十分な明るさが得られる電圧ＶONとの差のダイナミ
ックレンジに対応する電圧幅が狭められ、より信号電圧
波形の振幅が低く抑制される。
【００３０】なお、ＶOFF とＶONの差は界面上の液晶の
配向方向（ラビング方向）に強く依存し、液晶の誘電率
異方性が正の場合、角度｜φLC｜を９０度未満の範囲で
できるだけ大きくとることが効果的である。液晶の誘電
率異方性が負の場合は逆に角度｜φLC｜を０度を越える
範囲でできるだけ小さくとると良い。
配向方向（ラビング方向）に強く依存し、液晶の誘電率
異方性が正の場合、角度｜φLC｜を９０度未満の範囲で
できるだけ大きくとることが効果的である。液晶の誘電
率異方性が負の場合は逆に角度｜φLC｜を０度を越える
範囲でできるだけ小さくとると良い。
【００３１】
【実施例】本発明を実施例により具体的に説明する。
【００３２】〔実施例１〕基板としては厚みが１.１mm
で表面を研磨した透明なガラス基板を２枚用いる。これ
らの基板のうち一方の基板の上に薄膜トランジスタを形
成し、更にその上の最表面に絶縁膜兼用の配向膜を形成
した。本実施例では配向膜としてポリイミドを採用し、
その上を液晶を配向させるためのラビング処理をした。
他方の基板上にもポリイミドを塗布し同様のラビング処
理をした。上下界面上のラビング方向は互いにほぼ平行
で、かつ印加電界方向とのなす角度を８８度（φLC1＝
φLC2＝８８°）とした。これらの基板間に誘電率異方
性Δεが正でその値が４.５ であり、屈折率異方性Δｎ
が０.０７２(５８９ｎｍ，２０℃）のネマチック液晶組
成物を挟んだ。ギャップｄは球形のポリマビーズを基板
間に分散して挾持し、液晶封入状態で３.９μｍとし
た。よってΔｎ・ｄは０.２８１μｍである。２枚の偏
光板〔日東電工社製Ｇ１２２０ＤＵ〕でパネルを挾み、
一方の偏光板の偏光透過軸をラビング方向より若干小さ
な角度、即ちφP1＝８０°（即ち、｜φLC1−φP1｜＝
８°）に設定し、他方をそれに直交、即ちφP2＝−１２
°とした。これにより、本発明の第１の主要構成である
画素に印加される電圧ＶLCをゼロから徐々に増大させる
にしたがい明るさが減少し最小値をとる特性（図４）を
得た。本実施例では低電圧(ＶOFF）で暗状態、高電圧
（ＶON）で明状態をとるノーマリクローズ特性を採用し
た。ＶOFFは６.９Ｖ、ＶONは９.１Ｖである。
で表面を研磨した透明なガラス基板を２枚用いる。これ
らの基板のうち一方の基板の上に薄膜トランジスタを形
成し、更にその上の最表面に絶縁膜兼用の配向膜を形成
した。本実施例では配向膜としてポリイミドを採用し、
その上を液晶を配向させるためのラビング処理をした。
他方の基板上にもポリイミドを塗布し同様のラビング処
理をした。上下界面上のラビング方向は互いにほぼ平行
で、かつ印加電界方向とのなす角度を８８度（φLC1＝
φLC2＝８８°）とした。これらの基板間に誘電率異方
性Δεが正でその値が４.５ であり、屈折率異方性Δｎ
が０.０７２(５８９ｎｍ，２０℃）のネマチック液晶組
成物を挟んだ。ギャップｄは球形のポリマビーズを基板
間に分散して挾持し、液晶封入状態で３.９μｍとし
た。よってΔｎ・ｄは０.２８１μｍである。２枚の偏
光板〔日東電工社製Ｇ１２２０ＤＵ〕でパネルを挾み、
一方の偏光板の偏光透過軸をラビング方向より若干小さ
な角度、即ちφP1＝８０°（即ち、｜φLC1−φP1｜＝
８°）に設定し、他方をそれに直交、即ちφP2＝−１２
°とした。これにより、本発明の第１の主要構成である
画素に印加される電圧ＶLCをゼロから徐々に増大させる
にしたがい明るさが減少し最小値をとる特性（図４）を
得た。本実施例では低電圧(ＶOFF）で暗状態、高電圧
（ＶON）で明状態をとるノーマリクローズ特性を採用し
た。ＶOFFは６.９Ｖ、ＶONは９.１Ｖである。
【００３３】薄膜トランジスタ及び各種電極の構造を図
３に示す。図３（ａ）は基板面に垂直な方向から見た正
面図、図３（ｂ)，(ｃ）は側断面図を表す。薄膜トラン
ジスタ素子１４は画素電極（ソース電極）４，信号電極
（ドレイン電極）３，走査電極（ゲート電極）１２、及
びアモルファスシリコン１３から構成される。共通電極
１と走査電極１２、及び信号電極３と画素電極４とはそ
れぞれ同一の金属層をパターン化して構成した。容量素
子１６は、２本の共通電極１の間を結合する領域（図３
において点線で示した）において画素電極４と共通電極
１で絶縁保護膜２を挟む構造として形成した。画素電極
は正面図（図３（ａ））において、２本の共通電極１の
間に配置されている。画素ピッチは横方向（すなわち信
号配線電極間）は６９μｍ、縦方向（すなわち走査配線
電極間）は２０７μｍである。電極幅は、複数画素間に
またがる配線電極である走査電極，信号電極，共通電極
配線部（走査配線電極に平行（図３で横方向）に延びた
部分）を広めにし、線欠陥を回避した。幅はそれぞれ１
０μｍである。一方、開口率向上のために１画素単位で
独立に形成した画素電極、及び共通電極の信号配線電極
の長手方向に伸びた部分の幅は若干狭くし、それぞれ５
μｍ，８μｍとした。これらの電極の幅を狭くしたこと
で異物等の混入により断線する可能性が高まるが、この
場合１画素の部分的欠落ですみ線欠陥には至らない。加
えて、更にできるだけ高い開口率を実現するために絶縁
膜を介して共通電極と信号電極を若干（１μｍ）重ね
た。これにより、信号配線に平行な方向のブラックマト
リクスは不要になる。そこで図３（ｃ）に示されている
ように、走査配線電極方向のみ遮光するブラックマトリ
クス構造とした。このようにして、共通電極と画素電極
とのギャップが２０μｍ、開口部の長手方向の長さ１５
７μｍとなり、４４.０％ の高開口率が得られた。画素
数は３２０本の信号配線電極と１６０本の配線電極とに
より３２０×１６０個とした。複数画素から構成される
パネルの部分を図１３，図１４に示す。図１３ではブラ
ックマトリクスを省略し、図１４ではブラックマトリク
スで遮光した状態を示した。
３に示す。図３（ａ）は基板面に垂直な方向から見た正
面図、図３（ｂ)，(ｃ）は側断面図を表す。薄膜トラン
ジスタ素子１４は画素電極（ソース電極）４，信号電極
（ドレイン電極）３，走査電極（ゲート電極）１２、及
びアモルファスシリコン１３から構成される。共通電極
１と走査電極１２、及び信号電極３と画素電極４とはそ
れぞれ同一の金属層をパターン化して構成した。容量素
子１６は、２本の共通電極１の間を結合する領域（図３
において点線で示した）において画素電極４と共通電極
１で絶縁保護膜２を挟む構造として形成した。画素電極
は正面図（図３（ａ））において、２本の共通電極１の
間に配置されている。画素ピッチは横方向（すなわち信
号配線電極間）は６９μｍ、縦方向（すなわち走査配線
電極間）は２０７μｍである。電極幅は、複数画素間に
またがる配線電極である走査電極，信号電極，共通電極
配線部（走査配線電極に平行（図３で横方向）に延びた
部分）を広めにし、線欠陥を回避した。幅はそれぞれ１
０μｍである。一方、開口率向上のために１画素単位で
独立に形成した画素電極、及び共通電極の信号配線電極
の長手方向に伸びた部分の幅は若干狭くし、それぞれ５
μｍ，８μｍとした。これらの電極の幅を狭くしたこと
で異物等の混入により断線する可能性が高まるが、この
場合１画素の部分的欠落ですみ線欠陥には至らない。加
えて、更にできるだけ高い開口率を実現するために絶縁
膜を介して共通電極と信号電極を若干（１μｍ）重ね
た。これにより、信号配線に平行な方向のブラックマト
リクスは不要になる。そこで図３（ｃ）に示されている
ように、走査配線電極方向のみ遮光するブラックマトリ
クス構造とした。このようにして、共通電極と画素電極
とのギャップが２０μｍ、開口部の長手方向の長さ１５
７μｍとなり、４４.０％ の高開口率が得られた。画素
数は３２０本の信号配線電極と１６０本の配線電極とに
より３２０×１６０個とした。複数画素から構成される
パネルの部分を図１３，図１４に示す。図１３ではブラ
ックマトリクスを省略し、図１４ではブラックマトリク
スで遮光した状態を示した。
【００３４】次に、回路構成及び駆動波形について説明
する。各走査配線１２および各信号配線３にはそれぞれ
走査電極駆動用回路１８および信号電極駆動用回路１９
を接続した。また、共通電極１にも共通電極駆動用回路
２０を接続した(図１０)。信号電極３には情報を有する
信号波形が印加され、走査電極１２には走査波形が信号
波形と同期をとって印加される。信号電極３から薄膜ト
ランジスタ１４を介して画素電極４に情報信号が伝達さ
れ、共通電極１との間で液晶部分に電圧が印加される。
本発明では共通電極にも電圧波形を印加しており、その
分より高い電圧が液晶層にかかる。各配線電極への印加
電圧波形を図９に示す。なお、図９の電圧波形の振幅
は、 ＶD-CENTER＝１４.０，ＶGH＝２８.０，ＶGL＝０，ＶDH
＝１５.１， ＶDL＝１２.９，ＶCH＝２０.４，ＶCL＝４.３９ に設定し、その結果、ゲート電極とソース電極の間の寄
生容量による飛込み電圧ΔＶGS(+)，ΔＶGS(-)，画素電
極にかかる電圧ＶS ，液晶にかかる電圧ＶLCは下表のよ
うになった。なお、電圧の単位は以後すべてボルトとす
る。
する。各走査配線１２および各信号配線３にはそれぞれ
走査電極駆動用回路１８および信号電極駆動用回路１９
を接続した。また、共通電極１にも共通電極駆動用回路
２０を接続した(図１０)。信号電極３には情報を有する
信号波形が印加され、走査電極１２には走査波形が信号
波形と同期をとって印加される。信号電極３から薄膜ト
ランジスタ１４を介して画素電極４に情報信号が伝達さ
れ、共通電極１との間で液晶部分に電圧が印加される。
本発明では共通電極にも電圧波形を印加しており、その
分より高い電圧が液晶層にかかる。各配線電極への印加
電圧波形を図９に示す。なお、図９の電圧波形の振幅
は、 ＶD-CENTER＝１４.０，ＶGH＝２８.０，ＶGL＝０，ＶDH
＝１５.１， ＶDL＝１２.９，ＶCH＝２０.４，ＶCL＝４.３９ に設定し、その結果、ゲート電極とソース電極の間の寄
生容量による飛込み電圧ΔＶGS(+)，ΔＶGS(-)，画素電
極にかかる電圧ＶS ，液晶にかかる電圧ＶLCは下表のよ
うになった。なお、電圧の単位は以後すべてボルトとす
る。
【００３５】
【表１】
【００３６】図４に示すＶON，ＶOFF はそれぞれ９.１
６ボルト，６.８５ボルトとなり、十分に高いコントラ
スト比８０が得られた。
６ボルト，６.８５ボルトとなり、十分に高いコントラ
スト比８０が得られた。
【００３７】なお、本実施例では信号配線電極に供給す
る駆動電圧波形の振幅ＶDP-P(≡VDH−ＶDL）は僅かに
２.２ ボルトという大変に低い値で駆動できた。
る駆動電圧波形の振幅ＶDP-P(≡VDH−ＶDL）は僅かに
２.２ ボルトという大変に低い値で駆動できた。
【００３８】〔比較例１〕実施例１のφP1およびφP2を
それぞれ８８°，−２°に設定し、電圧がゼロの時に最
も暗くなる特性を得た（図４）。駆動電圧波形等他の構
成は実施例１と同一とした。ＶOFF における明るさが１
２％もあり僅かに８という低いコントラスト比しか得ら
れなかった。
それぞれ８８°，−２°に設定し、電圧がゼロの時に最
も暗くなる特性を得た（図４）。駆動電圧波形等他の構
成は実施例１と同一とした。ＶOFF における明るさが１
２％もあり僅かに８という低いコントラスト比しか得ら
れなかった。
【００３９】〔比較例２〕実施例１のφP1およびφP2を
それぞれ８８°，−２°に設定し、電圧がゼロの時に最
も暗くなる特性を得た（図４）。このような特性の変化
に合わせて駆動電圧波形も変えた。即ち、図９のＶCを
１２.４ボルトの一定レベルとし、ＶDHを１８.５ボルト
とし、ＶDLを９.５ボルトとし、９.０ボルトのＶDP-P
を得た。従って、ＶDP-Pは実施例１の２.２ボルト比べ
て非常に高くなった。
それぞれ８８°，−２°に設定し、電圧がゼロの時に最
も暗くなる特性を得た（図４）。このような特性の変化
に合わせて駆動電圧波形も変えた。即ち、図９のＶCを
１２.４ボルトの一定レベルとし、ＶDHを１８.５ボルト
とし、ＶDLを９.５ボルトとし、９.０ボルトのＶDP-P
を得た。従って、ＶDP-Pは実施例１の２.２ボルト比べ
て非常に高くなった。
【００４０】〔実施例２〕本実施例では実施例１のφ
LC1を８８.５°、φP1およびφP2をそれぞれ88.5°，−
１.５°に設定し、液晶のギャップを４.３μｍと若干高
めた。Δｎ・ｄは０.３１０μｍ となった。発明者らの
実験によると、Δｎ・ｄを２分の１波長である０.２８
μｍ程度に固定したままφLC1を９０°に近づけてゆく
と、φLC1 が約７５°の時に透過率が最大になり再び減
少する。これは電圧印加時の液晶配向状態が単純な一軸
配向状態ではなく、３次元的に分布しているためであ
る。そこで、発明者らが鋭意検討した結果、特に９０°
に近い場合（８５°以上）は見かけのΔｎ・ｄが若干減
少するため、それを補償するように少し高めの値（0.31
±０.０５μｍ)に設定すれば良いことが分かった。本実
施例ではこの点を考慮して、液晶のギャップを設定し
た。その結果、図８に示す特性を得た。
LC1を８８.５°、φP1およびφP2をそれぞれ88.5°，−
１.５°に設定し、液晶のギャップを４.３μｍと若干高
めた。Δｎ・ｄは０.３１０μｍ となった。発明者らの
実験によると、Δｎ・ｄを２分の１波長である０.２８
μｍ程度に固定したままφLC1を９０°に近づけてゆく
と、φLC1 が約７５°の時に透過率が最大になり再び減
少する。これは電圧印加時の液晶配向状態が単純な一軸
配向状態ではなく、３次元的に分布しているためであ
る。そこで、発明者らが鋭意検討した結果、特に９０°
に近い場合（８５°以上）は見かけのΔｎ・ｄが若干減
少するため、それを補償するように少し高めの値（0.31
±０.０５μｍ)に設定すれば良いことが分かった。本実
施例ではこの点を考慮して、液晶のギャップを設定し
た。その結果、図８に示す特性を得た。
【００４１】ラビング方向と一方の偏光板偏光透過軸方
向を平行（即ち、φLC1＝φP1)とした結果、電圧ゼロで
の明るさが非常に低くなった。ＶOFFの最大値、および
ＶONはそれぞれ５.０ボルト、８.８ボルトとなった。こ
の特性に合わせて、共通電極に印加する電圧ＶCP-P／２
も６.９ ボルトに設定した。他の構成は実施例１と同一
である。その結果、信号配線電極に供給する駆動電圧波
形の振幅ＶDP-Pは3.8ボルトという低い値にでき、コン
トラスト比も２５０という非常に高い値を得た。
向を平行（即ち、φLC1＝φP1)とした結果、電圧ゼロで
の明るさが非常に低くなった。ＶOFFの最大値、および
ＶONはそれぞれ５.０ボルト、８.８ボルトとなった。こ
の特性に合わせて、共通電極に印加する電圧ＶCP-P／２
も６.９ ボルトに設定した。他の構成は実施例１と同一
である。その結果、信号配線電極に供給する駆動電圧波
形の振幅ＶDP-Pは3.8ボルトという低い値にでき、コン
トラスト比も２５０という非常に高い値を得た。
【００４２】〔実施例３〕本実施例では実施例１のφP1
およびφP2をそれぞれ３８°，−５２°に設定し、図５
に示すノーマリオープン特性を得た。他の構成は実施例
１と同一である。ＶON，ＶOFF 共に実施例１とほぼ等し
くなった。６０というコントラスト比を得た。
およびφP2をそれぞれ３８°，−５２°に設定し、図５
に示すノーマリオープン特性を得た。他の構成は実施例
１と同一である。ＶON，ＶOFF 共に実施例１とほぼ等し
くなった。６０というコントラスト比を得た。
【００４３】実施例１と同様に信号配線電極に供給する
駆動電圧波形の振幅ＶDP-Pは僅かに２.２ ボルトという
大変に低い値で駆動できた。
駆動電圧波形の振幅ＶDP-Pは僅かに２.２ ボルトという
大変に低い値で駆動できた。
【００４４】〔実施例４〜６〕本実施例では実施例１の
φLCを７５度，８８度，８９.５ 度とした。また、｜φ
LC−φP1｜は５度とした。他の構成は実施例１と同一で
ある。その結果、図６に示すような特性が得られ、
ＶON，ＶOFF はそれぞれ以下の表のようになった。
φLCを７５度，８８度，８９.５ 度とした。また、｜φ
LC−φP1｜は５度とした。他の構成は実施例１と同一で
ある。その結果、図６に示すような特性が得られ、
ＶON，ＶOFF はそれぞれ以下の表のようになった。
【００４５】
【表２】
【００４６】いずれの実施例においても、５.０ ボルト
以下という低いＶDP-P（信号配線電極に供給する駆動電
圧波形の振幅）で駆動でき、コントラスト比も十分に高
い値を得た。
以下という低いＶDP-P（信号配線電極に供給する駆動電
圧波形の振幅）で駆動でき、コントラスト比も十分に高
い値を得た。
【００４７】〔実施例７〕液晶材料をメルク社製ＺＬＩ
−２８０６に換えた。誘電率異方性Δεは負でその値は
−４.８であり、屈折率異方性Δｎは０.０４３７であ
る。Δｎ・ｄを望ましい範囲にとするためにギャップｄ
を６.３μｍ とした。よって、Δｎ・ｄは０.２７５で
ある。ラビング方向と印加電界方向とのなす角度を１５
度（φLC1＝φLC2＝１５°)とした。２枚の偏光板〔日
東電工社製Ｇ１２２０ＤＵ〕でパネルを挾み、一方の偏
光板の偏光透過軸をラビング方向より若干大きな角度、
即ちφP1＝２０°に設定し、他方をそれに直交、即ちφ
P2＝−７０°とした。これにより、本発明の第１の主要
構成である画素に印加される電圧ＶLCをゼロから徐々に
増大させるにしたがい明るさが減少し最小値をとる特性
（図７）を得た。本実施例では低電圧(ＶOFF）で暗状
態、高電圧（ＶON）で明状態をとるノーマリクローズ特
性を採用した。ＶOFFは２.９Ｖ、ＶONは９.４Ｖ であ
る。以上の点を除けば他は実施例１と同じである。
−２８０６に換えた。誘電率異方性Δεは負でその値は
−４.８であり、屈折率異方性Δｎは０.０４３７であ
る。Δｎ・ｄを望ましい範囲にとするためにギャップｄ
を６.３μｍ とした。よって、Δｎ・ｄは０.２７５で
ある。ラビング方向と印加電界方向とのなす角度を１５
度（φLC1＝φLC2＝１５°)とした。２枚の偏光板〔日
東電工社製Ｇ１２２０ＤＵ〕でパネルを挾み、一方の偏
光板の偏光透過軸をラビング方向より若干大きな角度、
即ちφP1＝２０°に設定し、他方をそれに直交、即ちφ
P2＝−７０°とした。これにより、本発明の第１の主要
構成である画素に印加される電圧ＶLCをゼロから徐々に
増大させるにしたがい明るさが減少し最小値をとる特性
（図７）を得た。本実施例では低電圧(ＶOFF）で暗状
態、高電圧（ＶON）で明状態をとるノーマリクローズ特
性を採用した。ＶOFFは２.９Ｖ、ＶONは９.４Ｖ であ
る。以上の点を除けば他は実施例１と同じである。
【００４８】６.５ボルトという低いＶDP-P（信号配線
電極に供給する駆動電圧波形の振幅)で駆動でき、コン
トラスト比も１８０という十分に高い値を得た。
電極に供給する駆動電圧波形の振幅)で駆動でき、コン
トラスト比も１８０という十分に高い値を得た。
【００４９】〔比較例３〕実施例７のφP1およびφP2を
ラビング方向と同一にし、それぞれ１５°，−７５°に
設定し、電圧がゼロの時に最も暗くなる特性を得た（図
７）。駆動電圧波形等他の構成は実施例７と同一とし
た。ＶOFF における明るさが７％もあり僅かに１１とい
う低いコントラスト比しか得られなかった。
ラビング方向と同一にし、それぞれ１５°，−７５°に
設定し、電圧がゼロの時に最も暗くなる特性を得た（図
７）。駆動電圧波形等他の構成は実施例７と同一とし
た。ＶOFF における明るさが７％もあり僅かに１１とい
う低いコントラスト比しか得られなかった。
【００５０】〔実施例８〕φLC1，φLC2をそれぞれ１.
５°、ギャップｄを７.２μｍ、Δｎ・ｄを0.315μｍと
した。一方の偏光板の偏光透過軸をラビング方向にほぼ
平行、即ちφP1＝２.５°に設定し、他方をそれに直
交、即ちφP2＝−８７.５°とした。他の条件は、実施
例７と同一である。その結果、暗状態を得る電圧ＶOFF
が５.２ボルト、明状態を得る電圧ＶONが７.８ ボルト
となった。この特性に合わせて、共通電極に印加する電
圧ＶCP-P／２も６.５ ボルトに設定した。他の構成は実
施例１と同一である。その結果、信号配線電極に供給す
る駆動電圧波形の振幅ＶDP-Pは2.6ボルトという低い値
にでき、コントラスト比も１６０という高い値を得た。
５°、ギャップｄを７.２μｍ、Δｎ・ｄを0.315μｍと
した。一方の偏光板の偏光透過軸をラビング方向にほぼ
平行、即ちφP1＝２.５°に設定し、他方をそれに直
交、即ちφP2＝−８７.５°とした。他の条件は、実施
例７と同一である。その結果、暗状態を得る電圧ＶOFF
が５.２ボルト、明状態を得る電圧ＶONが７.８ ボルト
となった。この特性に合わせて、共通電極に印加する電
圧ＶCP-P／２も６.５ ボルトに設定した。他の構成は実
施例１と同一である。その結果、信号配線電極に供給す
る駆動電圧波形の振幅ＶDP-Pは2.6ボルトという低い値
にでき、コントラスト比も１６０という高い値を得た。
【００５１】〔実施例９〕本実施例は駆動方式が異なる
点を除けば実施例１と同一である。本実施例の駆動波形
を図１２に示す。実施例１と異なる点は、走査配線電極
に供給する電圧波形ＶGのレベルがＶGHとＶGLの２値だ
ったものが、ＶGLが更にＶGLHとＶGLL に分かれ合計３
値になった点にある。ＶGLHとＶGLLはそれぞれＶCHとＶ
CLと同一に設定した。
点を除けば実施例１と同一である。本実施例の駆動波形
を図１２に示す。実施例１と異なる点は、走査配線電極
に供給する電圧波形ＶGのレベルがＶGHとＶGLの２値だ
ったものが、ＶGLが更にＶGLHとＶGLL に分かれ合計３
値になった点にある。ＶGLHとＶGLLはそれぞれＶCHとＶ
CLと同一に設定した。
【００５２】本発明では主として基板面に平行な電界を
印加することで明るさを変化させているが、この場合液
晶部分を電気回路として見ると基板面に垂直な電界を印
加する現行方式と比較して容量成分が著しく低い。これ
は、電極が面状であったものが線状になったこと、およ
び電極間ギャップが広がったことによる。図１１に１画
素の透過回路を示す。液晶の容量ＣLCが上述のように小
さくなったため、走査配線電極と信号配線電極との間に
止むなく形成されてしまう寄生容量ＣGSが相対的に増大
してしまう。本実施例の場合ＣLCが３０ｆＦ程度である
のに対し、ＣGSは２０〜５０ｆＦとなる。この寄生容量
は、図９に示す飛込み電圧ΔＶGSの大きさを支配し、画
素に印加する実効電圧の変動要因になる。本実施例で
は、この現象を抑制するために、極力走査配線電極と共
通電極の間の電位差を抑制するように、選択期間以外に
はゲート電極の電位と共通電極の電位とがほぼ同一とな
るように走査配線電極に供給する駆動波形を設計した。
各種電位は、走査配線電極への供給電位のレベル３値と
したこと以外は実施例１と基本的には同様である。
印加することで明るさを変化させているが、この場合液
晶部分を電気回路として見ると基板面に垂直な電界を印
加する現行方式と比較して容量成分が著しく低い。これ
は、電極が面状であったものが線状になったこと、およ
び電極間ギャップが広がったことによる。図１１に１画
素の透過回路を示す。液晶の容量ＣLCが上述のように小
さくなったため、走査配線電極と信号配線電極との間に
止むなく形成されてしまう寄生容量ＣGSが相対的に増大
してしまう。本実施例の場合ＣLCが３０ｆＦ程度である
のに対し、ＣGSは２０〜５０ｆＦとなる。この寄生容量
は、図９に示す飛込み電圧ΔＶGSの大きさを支配し、画
素に印加する実効電圧の変動要因になる。本実施例で
は、この現象を抑制するために、極力走査配線電極と共
通電極の間の電位差を抑制するように、選択期間以外に
はゲート電極の電位と共通電極の電位とがほぼ同一とな
るように走査配線電極に供給する駆動波形を設計した。
各種電位は、走査配線電極への供給電位のレベル３値と
したこと以外は実施例１と基本的には同様である。
【００５３】本実施例では共通電極に印加する電圧波形
としてフレームごとにレベルを変えるフレーム反転方式
を採用したが、共通電極に印加する電圧波形を線順次で
ラインごとにレベルを変えるライン反転方式を採用して
も良い。いずれの場合も、寄生容量の影響が抑制でき、
負荷容量ＣS も小さく（除去も可能）できる。負荷容量
の低減は更に駆動ＩＣの負荷を引き下げるのに有効であ
り、より安価なＩＣの適用が可能となる。
としてフレームごとにレベルを変えるフレーム反転方式
を採用したが、共通電極に印加する電圧波形を線順次で
ラインごとにレベルを変えるライン反転方式を採用して
も良い。いずれの場合も、寄生容量の影響が抑制でき、
負荷容量ＣS も小さく（除去も可能）できる。負荷容量
の低減は更に駆動ＩＣの負荷を引き下げるのに有効であ
り、より安価なＩＣの適用が可能となる。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、界面方向の電界により
液晶をスイッチングする方式の難点であった低駆動電圧
化，高画素開口率化を実現し、低消費電力のＩＣで構成
され明るくかつ視角特性が良好で低コストの薄膜トラン
ジスタ型液晶表示装置を提供することができる。
液晶をスイッチングする方式の難点であった低駆動電圧
化，高画素開口率化を実現し、低消費電力のＩＣで構成
され明るくかつ視角特性が良好で低コストの薄膜トラン
ジスタ型液晶表示装置を提供することができる。
【図１】本発明の液晶表示装置における液晶の動作を示
す図。
す図。
【図２】電界方向に対する、界面上の分子長軸配向方向
（ラビング方向）φLC，偏光板偏光軸方向φPのなす角
を示す図。
（ラビング方向）φLC，偏光板偏光軸方向φPのなす角
を示す図。
【図３】本発明の薄膜トランジスタ，電極，配線の構造
を示す図。（ａ）正面図、(ｂ)，(ｃ）側断面図。
を示す図。（ａ）正面図、(ｂ)，(ｃ）側断面図。
【図４】本発明の電気光学特性の１例を示す図。ノーマ
リクローズ型の例。
リクローズ型の例。
【図５】本発明の電気光学特性の別の例を示す図。ノー
マリオープン型の例。
マリオープン型の例。
【図６】本発明の電気光学特性の別の例を示す図。ノー
マリクローズ型。
マリクローズ型。
【図７】本発明の電気光学特性の別の例を示す図。ノー
マリクローズ型。液晶の誘電率異方性が負の場合。
マリクローズ型。液晶の誘電率異方性が負の場合。
【図８】本発明の電気光学特性のさらに別の例を示す
図。ノーマリクローズ型。
図。ノーマリクローズ型。
【図９】本発明の駆動波形を示す図。
【図１０】本発明の回路を示す図。
【図１１】本発明の１画素の等価回路を示す図。
【図１２】本発明の別の駆動波形を示す図。走査配線電
極への電圧波形が３値レベルである場合。
極への電圧波形が３値レベルである場合。
【図１３】本発明表示装置の複数画素の配置を示す図。
【図１４】本発明表示装置のブラックマトリクスを含む
複数画素の配置を示す図。
複数画素の配置を示す図。
１…共通電極（コモン電極）、２…絶縁保護膜、３…信
号電極(ドレイン電極)、４…画素電極（ソース電極）、
５…保護絶縁膜、、６…液晶組成物層中の液晶分子、７
…基板、８…偏光板、９…電界方向、１０…界面上の分
子長軸配向方向（ラビング方向）、１１…偏光板偏光透
過軸方向、１２…走査電極(ゲート電極)、１３…アモル
ファスシリコン、１４…薄膜トランジスタ部、１５…１
画素ピッチ、１６…付加容量素子部、１７…コントロー
ル回路、１８…走査電極駆動回路、１９…信号電極駆動
回路、２０…共通電極駆動回路、２１…表示領域、２２
…遮光層。
号電極(ドレイン電極)、４…画素電極（ソース電極）、
５…保護絶縁膜、、６…液晶組成物層中の液晶分子、７
…基板、８…偏光板、９…電界方向、１０…界面上の分
子長軸配向方向（ラビング方向）、１１…偏光板偏光透
過軸方向、１２…走査電極(ゲート電極)、１３…アモル
ファスシリコン、１４…薄膜トランジスタ部、１５…１
画素ピッチ、１６…付加容量素子部、１７…コントロー
ル回路、１８…走査電極駆動回路、１９…信号電極駆動
回路、２０…共通電極駆動回路、２１…表示領域、２２
…遮光層。
Claims (11)
- 【請求項１】少なくとも一方が透明な一対の基板，該基
板間に挾持され、配向した誘電率異方性と屈折率異方性
とを有する液晶組成物層，偏光手段，マトリクス状に配
置された複数の画素，各画素ごとに備えられ、画素電
極，信号配線電極及び走査配線電極に接続された薄膜ト
ランジスタ素子，共通電極，前記画素電極と共通電極の
間に電圧信号波形を印加する手段とを有する液晶表示装
置において、 前記画素電極と前記共通電極は、電圧信号波形を印加す
る手段により前記画素電極と前記共通電極との間でか
つ、基板面にほぼ平行に電界を印加するように配置さ
れ、 前記液晶組成物層の配向状態及び前記偏光手段の構成
は、前記画素電極と前記共通電極間に印加される電圧Ｖ
LCがほぼゼロにおいて明るさがほぼゼロでかつ電圧ＶLC
をゼロから徐々に増大させるに従い実質的に明るさが変
化しない電圧領域をへた後に明るさが増大する、あるい
は電圧ＶLCをゼロから徐々に増大させるに従い明るさが
減少し最小値をとるように設定され、 前記信号配線電極および前記共通電極のそれぞれには走
査配線電極に印加する走査信号波形ＶS に同期をとった
電圧波形ＶD，ＶCが印加され、前記信号配線電極および
前記共通電極に印加される電圧波形ＶD，ＶCは前記画素
に印加される実効電圧ＶLCが前記共通電極からの電圧波
形の振幅ＶC がゼロの場合に比べて高くなるように定め
られ、 かつ前記信号配線電極に印加する電圧の波高値を画像情
報に従い変化させることで、前記画素に印加される実効
電圧ＶLCが明るさが最小となる電圧ＶOFF 近傍とそれよ
り明るい状態となる電圧ＶONとの間で変化するように定
めて駆動されることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】前記液晶組成物層内の配向に関して、一方
の基板界面上での液晶分子配向方向角度φLC1と他方基
板界面上での液晶分子配向方向角度φLC2とが互いに略
平行（φLC1≒φLC2≡φLC）であり、かつ前記液晶組成
物層の厚みｄ及び屈折率異方性Δｎの積ｄ・Δｎが０.
２１μｍから０.３６μｍの間であることを特徴とする
請求項１項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】前記液晶組成物層の誘電率異方性が正であ
り、前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界方向とのな
す角｜φLC｜が４５度を超え９０度未満であり、前記偏
光手段が前記液晶組成物層を挟む一対の偏光板であり、
該一対の偏光板のうちの一方の偏光板Ａの透過軸（或い
は吸収軸）の角度φPとφLCとのなす角｜φLC−φP｜が
２度以下であることを特徴とする請求項２項に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項４】前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界方
向とのなす角｜φLC｜が８５度を超え９０度未満であ
り、かつ前記液晶組成物層の厚みｄ及び屈折率異方性Δ
ｎの積ｄ・Δｎが０.２６μｍから０.３６μｍの間であ
ることを特徴とする請求項３項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】前記液晶組成物層の誘電率異方性が正であ
り、前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界方向とのな
す角｜φLC｜が４５度を超え９０度未満であり、前記偏
光手段が前記液晶組成物層を挟む一対の偏光板であり、
該一対の偏光板のうちの一方の偏光板の透過軸（或いは
吸収軸）の角度φP よりも大きく、かつその差｜φLC−
φP|が２度以上３０度以下であることを特徴とする請求
項２項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界方
向とのなす角｜φLC｜が８０度以上９０度未満であり、
角度差|φLC−φP｜が２度以上１０度以下であることを
特徴とする請求項５項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】前記液晶組成物層の誘電率異方性が負であ
り、前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界方向とのな
す角｜φLC｜が０度を超え４５度未満であり、前記偏光
手段が前記液晶組成物層を挟む一対の偏光板であり、該
一対の偏光板のうちの一方の偏光板の透過軸（或いは吸
収軸）の角度φPとφLCとのなす角｜φLC−φP｜が２度
以下であることを特徴とする請求項２項に記載の液晶表
示装置。 - 【請求項８】前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界方
向とのなす角｜φLC｜が０度を超え５度未満であり、か
つ前記液晶組成物層の厚みｄ及び屈折率異方性Δｎの積
ｄ・Δｎが０.２６μｍから０.３６μｍの間であること
を特徴とする請求項７項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】前記液晶組成物層の誘電率異方性が負であ
り、前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界方向とのな
す角｜φLC｜が０度を超え４５度未満であり、前記偏光
手段が前記液晶組成物層を挟む一対の偏光板であり、該
一対の偏光板のうちの一方の偏光板の透過軸（或いは吸
収軸）の角度φP よりも小さく、かつその差｜φLC−φ
P|が２度以上３０度以下であることを特徴とする請求項
２項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】前記界面上の液晶分子の長軸方向と電界
方向とのなす角｜φLC｜が０度を超え１０度未満であ
り、前記角度差｜φLC−φP|が２度以上１０度以下であ
ることを特徴とする請求項９項に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】前記走査配線電極に少なくとも３値以上
の振幅レベルを有する電圧波形を印加し、走査選択期間
には、薄膜トランジスタ素子の信号配線，画素電極間の
抵抗値を著しく下げるのに十分な高いレベルを有し、か
つもっとも高いレベルのＶGHを印加し、非走査選択期間
には、共通配線電極に印加した電圧ＶC の増減に応じ
て、異なるレベルの２値以上の電圧（最高値をＶGLH，
最低値をＶGLLと定義する）を印加し、走査配線電極と
共通電極の間の電位差を減じたことを特徴とする請求項
１項に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04680694A JP3265802B2 (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04680694A JP3265802B2 (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001158099A Division JP2002055326A (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07261152A true JPH07261152A (ja) | 1995-10-13 |
| JP3265802B2 JP3265802B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=12757582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04680694A Expired - Fee Related JP3265802B2 (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3265802B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5838037A (en) * | 1996-11-15 | 1998-11-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | TFT-array and manufacturing method therefor |
| US6342936B1 (en) | 1997-06-27 | 2002-01-29 | Kawasaki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
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