JPH07260703A - 異物・欠陥検査装置 - Google Patents
異物・欠陥検査装置Info
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- JPH07260703A JPH07260703A JP5590894A JP5590894A JPH07260703A JP H07260703 A JPH07260703 A JP H07260703A JP 5590894 A JP5590894 A JP 5590894A JP 5590894 A JP5590894 A JP 5590894A JP H07260703 A JPH07260703 A JP H07260703A
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明な位相物体を高精度に検出することが可
能な異物・欠陥検査装置を提供する。 【構成】 試料３を透過した直接光および回折光のうち
のいずれか一方の位相を１／４波長だけ変化させるため
の位相板１を設ける。
能な異物・欠陥検査装置を提供する。 【構成】 試料３を透過した直接光および回折光のうち
のいずれか一方の位相を１／４波長だけ変化させるため
の位相板１を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、異物・欠陥検査装置
に関し、特に、位相物体を有する試料の異物・欠陥検査
装置に関する。
に関し、特に、位相物体を有する試料の異物・欠陥検査
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトマスク上の異物や欠陥など
を検査する装置として、異物・欠陥検査装置が知られて
いる。図８は、従来の異物・欠陥検査装置の構成を示し
た概略図である。図８を参照して、従来の異物・欠陥検
査装置では、まず光を発生するためのコヒーレント光源
２が設けられている。コヒーレント光源２から所定の距
離を離れてコヒーレント光源２からの光を平面波１０に
修正するためのレンズ２０が設けられている。レンズ２
０から所定の距離を隔てて試料３を透過した光を検出す
るための検出器２３が設置されている。検出器２３はた
とえばＣＣＤによって構成されている。
を検査する装置として、異物・欠陥検査装置が知られて
いる。図８は、従来の異物・欠陥検査装置の構成を示し
た概略図である。図８を参照して、従来の異物・欠陥検
査装置では、まず光を発生するためのコヒーレント光源
２が設けられている。コヒーレント光源２から所定の距
離を離れてコヒーレント光源２からの光を平面波１０に
修正するためのレンズ２０が設けられている。レンズ２
０から所定の距離を隔てて試料３を透過した光を検出す
るための検出器２３が設置されている。検出器２３はた
とえばＣＣＤによって構成されている。
【０００３】図８に示した従来の異物・欠陥検査装置の
動作としては、レンズ２０と検出器２３との間にフォト
マスクやＬＣＤ基板などの試料３を設置する。ここで
は、試料３がフォトマスクの場合について説明する。試
料３の石英基板３ａの裏表面上の所定領域には遮光パタ
ーン３ｂが形成されている。石英基板３ａの裏表面上に
はさらに遮光パターン３ｂと所定の間隔を隔てて位相パ
ターン３ｃが形成されている。このような試料３をレン
ズ２０と検出器２３との間に設置した後、コヒーレント
光源２から光を発射する。コヒーレント光源２から発射
された光はレンズ２０によってコヒーレントな平面波１
０に修正される。そしてそのコヒーンレントな平面波１
０が試料３の石英基板３ａに照射される。遮光パターン
３ｂが存在する部分ではコヒーレントな平面波１０は遮
断されて試料３を透過しない。
動作としては、レンズ２０と検出器２３との間にフォト
マスクやＬＣＤ基板などの試料３を設置する。ここで
は、試料３がフォトマスクの場合について説明する。試
料３の石英基板３ａの裏表面上の所定領域には遮光パタ
ーン３ｂが形成されている。石英基板３ａの裏表面上に
はさらに遮光パターン３ｂと所定の間隔を隔てて位相パ
ターン３ｃが形成されている。このような試料３をレン
ズ２０と検出器２３との間に設置した後、コヒーレント
光源２から光を発射する。コヒーレント光源２から発射
された光はレンズ２０によってコヒーレントな平面波１
０に修正される。そしてそのコヒーンレントな平面波１
０が試料３の石英基板３ａに照射される。遮光パターン
３ｂが存在する部分ではコヒーレントな平面波１０は遮
断されて試料３を透過しない。
【０００４】その一方位相パターン３ｃが形成されてい
る部分ではコヒーレントな平面波１０は試料３を透過す
る。また、遮光パターン３ｂおよび位相パターン３ｃが
形成されていない部分に入射されるコヒーレントな平面
波１０は当然試料３を透過する。検出器２３では石英基
板３ａを透過した光と石英基板３ａおよび位相パターン
３ｃを透過した光の振幅強度が検出される。
る部分ではコヒーレントな平面波１０は試料３を透過す
る。また、遮光パターン３ｂおよび位相パターン３ｃが
形成されていない部分に入射されるコヒーレントな平面
波１０は当然試料３を透過する。検出器２３では石英基
板３ａを透過した光と石英基板３ａおよび位相パターン
３ｃを透過した光の振幅強度が検出される。
【０００５】このように従来では試料３を透過する光の
振幅強度を検出器２３によって検出することによって試
料３の異物や欠陥を検出していた。具体的には、石英基
板３ａ上に遮光パターン３ｂを形成する際に遮光パター
ン３ｂのパターニング残り（異物）などが存在する場合
には、そのパターニング残り部分ではコヒーレントな平
面波１０は試料３を透過しない。このため、遮光パター
ン３ｂに対応する部分以外の検出器２３の部分で光が検
出されない状態になる。その結果、遮光パターン３ｂの
パターニング残り（異物）があることが検出される。従
来の異物・欠陥検査装置では上記のようにして異物など
が検出されていた。
振幅強度を検出器２３によって検出することによって試
料３の異物や欠陥を検出していた。具体的には、石英基
板３ａ上に遮光パターン３ｂを形成する際に遮光パター
ン３ｂのパターニング残り（異物）などが存在する場合
には、そのパターニング残り部分ではコヒーレントな平
面波１０は試料３を透過しない。このため、遮光パター
ン３ｂに対応する部分以外の検出器２３の部分で光が検
出されない状態になる。その結果、遮光パターン３ｂの
パターニング残り（異物）があることが検出される。従
来の異物・欠陥検査装置では上記のようにして異物など
が検出されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の異物・欠陥検査装置では、透明な位相パターン
３ｃのパターニング残り（異物）などを検出するのは困
難であった。図９は、透明基板３ａ上に遮光パターン３
ｂ，位相パターン３ｃおよび位相パターンのパターニン
グ残り（異物）３ｅが形成された試料３の検出結果を説
明するための概略図である。図９を参照して、従来で
は、透過光の振幅強度のみ検出していたため、透明な位
相パターン３ｃのパターニング残り（異物）３ｅを検出
することができなかった。
た従来の異物・欠陥検査装置では、透明な位相パターン
３ｃのパターニング残り（異物）などを検出するのは困
難であった。図９は、透明基板３ａ上に遮光パターン３
ｂ，位相パターン３ｃおよび位相パターンのパターニン
グ残り（異物）３ｅが形成された試料３の検出結果を説
明するための概略図である。図９を参照して、従来で
は、透過光の振幅強度のみ検出していたため、透明な位
相パターン３ｃのパターニング残り（異物）３ｅを検出
することができなかった。
【０００７】すなわち、位相パターン３ｃおよび位相パ
ターン３ｃのパターニング残り（異物）３ｅは透明であ
るため、それらを透過する光の振幅強度は変化せず、石
英基板３ａのみを透過した光と同じ振幅強度になる。し
たがって、遮光パターン３ｂに入射された光だけが遮光
パターン３ｂによって遮られることによって、検出され
る光の振幅強度が０になる。
ターン３ｃのパターニング残り（異物）３ｅは透明であ
るため、それらを透過する光の振幅強度は変化せず、石
英基板３ａのみを透過した光と同じ振幅強度になる。し
たがって、遮光パターン３ｂに入射された光だけが遮光
パターン３ｂによって遮られることによって、検出され
る光の振幅強度が０になる。
【０００８】つまり、図９に示したような試料３では遮
光パターン３ｂの存在のみ検知可能であり、透明な位相
パターン３ｃおよび位相パターン３ｃのパターニング残
り（異物）３ｅを検知するのは困難であった。
光パターン３ｂの存在のみ検知可能であり、透明な位相
パターン３ｃおよび位相パターン３ｃのパターニング残
り（異物）３ｅを検知するのは困難であった。
【０００９】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたもので、請求項１〜５に記載の発明の目
的は、透明位相物体を高精度に検知することが可能な異
物・欠陥検査装置を提供することである。
ためになされたもので、請求項１〜５に記載の発明の目
的は、透明位相物体を高精度に検知することが可能な異
物・欠陥検査装置を提供することである。
【００１０】請求項１〜５に記載の発明のもう１つの目
的は、透明な位相物体の形状や位相量を精度良く検出す
ることである。
的は、透明な位相物体の形状や位相量を精度良く検出す
ることである。
【００１１】請求項１〜５に記載の発明のさらにもう１
つの目的は、透明な位相物体からなる異物を検出するこ
とである。
つの目的は、透明な位相物体からなる異物を検出するこ
とである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１〜３における異
物・欠陥検査装置は、光源と位相板と光検出器とを備え
ている。光源は試料に光を照射するためのものである。
位相板は試料を透過した直接光および回折光のうちのい
ずれか一方の位相を１／４波長だけ変化させるためのも
のである。光検出器は位相板を透過した光の強度を検出
するためのものである。
物・欠陥検査装置は、光源と位相板と光検出器とを備え
ている。光源は試料に光を照射するためのものである。
位相板は試料を透過した直接光および回折光のうちのい
ずれか一方の位相を１／４波長だけ変化させるためのも
のである。光検出器は位相板を透過した光の強度を検出
するためのものである。
【００１３】また、好ましくは、上記した位相板を透明
基板と、シフタ部とを含むように構成してもよい。その
シフタ部は、透明基板の表面上の直接光が透過する領域
に形成されるとともに直接光の位相を１／４波長だけ変
化させるものである。さらに好ましくは、上記した位相
板を透明基板と、シフタ膜とを含むように構成し、上記
のシフタ膜を回折光が透過する領域に形成されるととも
に回折光の位相を１／４波長だけ変化させるものとして
形成してもよい。
基板と、シフタ部とを含むように構成してもよい。その
シフタ部は、透明基板の表面上の直接光が透過する領域
に形成されるとともに直接光の位相を１／４波長だけ変
化させるものである。さらに好ましくは、上記した位相
板を透明基板と、シフタ膜とを含むように構成し、上記
のシフタ膜を回折光が透過する領域に形成されるととも
に回折光の位相を１／４波長だけ変化させるものとして
形成してもよい。
【００１４】請求項４〜５における異物・欠陥検査装置
では、光源と、位相板と、光検出器とを備えている。位
相板は試料を透過した光の位相を１／４波長だけ変化さ
せるとともに光の振幅を減衰させるためのものである。
また、好ましくは、上記位相板を透明基板とシフタ部と
半透過性の遮光膜とを含むように構成してもよい。その
場合、シフタ部は透明基板の表面上の直接光が透過する
領域に形成されるとともにその直接光の位相を１／４波
長だけ変化させる。半透過性の遮光膜はシフタ部上に形
成されるとともに直接光の振幅を減衰させるものであ
る。
では、光源と、位相板と、光検出器とを備えている。位
相板は試料を透過した光の位相を１／４波長だけ変化さ
せるとともに光の振幅を減衰させるためのものである。
また、好ましくは、上記位相板を透明基板とシフタ部と
半透過性の遮光膜とを含むように構成してもよい。その
場合、シフタ部は透明基板の表面上の直接光が透過する
領域に形成されるとともにその直接光の位相を１／４波
長だけ変化させる。半透過性の遮光膜はシフタ部上に形
成されるとともに直接光の振幅を減衰させるものであ
る。
【００１５】
【作用】請求項１〜３に係る異物・欠陥検査装置では、
位相板によって試料を透過した直接光および回折光のう
ちのいずれか一方の位相が１／４波長だけ変化されるの
で、位相差法を用いればその位相の変化量が光の強度と
して観測され、さらに位相を１／４波長だけ変化させる
ことによって像平面上でのコントラストが増大される。
これにより、透明な位相物体が精度よく検出される。
位相板によって試料を透過した直接光および回折光のう
ちのいずれか一方の位相が１／４波長だけ変化されるの
で、位相差法を用いればその位相の変化量が光の強度と
して観測され、さらに位相を１／４波長だけ変化させる
ことによって像平面上でのコントラストが増大される。
これにより、透明な位相物体が精度よく検出される。
【００１６】請求項４〜５に係る異物・欠陥検査装置で
は、位相板によって試料を透過した光の位相が１／４波
長だけ変化されるので位相差法を用いればその位相の変
化量が光の強度として観測される。これに加えて、光の
位相が１／４波長だけ変化されるとともに光の振幅が減
衰されるので、従来に比べて像平面上でのコントラスト
がさらに増大される。これにより、透明な位相物体の検
出がより高精度に行なわれる。
は、位相板によって試料を透過した光の位相が１／４波
長だけ変化されるので位相差法を用いればその位相の変
化量が光の強度として観測される。これに加えて、光の
位相が１／４波長だけ変化されるとともに光の振幅が減
衰されるので、従来に比べて像平面上でのコントラスト
がさらに増大される。これにより、透明な位相物体の検
出がより高精度に行なわれる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１８】図１は、本発明の第１実施例による位相差
法を用いた異物・欠陥検査装置を示した模式図である。
図１を参照して、この第１実施例では、図８に示した従
来の異物・欠陥検査装置と同様に、コヒーレント光源２
とレンズ２０とＣＣＤなどの検出器２３とが設けられて
いる。この第１実施例の異物・欠陥検査装置では、さら
に、試料３の下方に試料３を透過した直接光１１，１３
および一次回折光１２ａならびに二次回折光１２ｂを集
光するためのレンズ２１が設けられている。レンズ２１
の下方にはレンズ２１によって集光された直接光１１，
１３の位相を１／４波長変化（遅らせるか進ませるか）
するとともに直接光の強度を減衰させるための位相板１
が設けられている。
法を用いた異物・欠陥検査装置を示した模式図である。
図１を参照して、この第１実施例では、図８に示した従
来の異物・欠陥検査装置と同様に、コヒーレント光源２
とレンズ２０とＣＣＤなどの検出器２３とが設けられて
いる。この第１実施例の異物・欠陥検査装置では、さら
に、試料３の下方に試料３を透過した直接光１１，１３
および一次回折光１２ａならびに二次回折光１２ｂを集
光するためのレンズ２１が設けられている。レンズ２１
の下方にはレンズ２１によって集光された直接光１１，
１３の位相を１／４波長変化（遅らせるか進ませるか）
するとともに直接光の強度を減衰させるための位相板１
が設けられている。
【００１９】すなわち、位相板１は、基板１ａと位相膜
１ｂと半透性の遮光膜１ｃとを含んでいる。位相膜１ｂ
は基板１ａの裏表面上の直接光１１，１３が通過する領
域に形成されており、その位相膜１ｂの表面上に半透性
の遮光膜１ｃが形成されている。この位相膜１ｂによっ
て直接光１１，１３の位相を１／４波長だけ変化させる
とともに、半透性の遮光膜１ｃによって直接光１１，１
３の強度を減衰させる。位相板１の下方には位相板１を
透過した光を集光するためのレンズ２２が設けられてい
る。
１ｂと半透性の遮光膜１ｃとを含んでいる。位相膜１ｂ
は基板１ａの裏表面上の直接光１１，１３が通過する領
域に形成されており、その位相膜１ｂの表面上に半透性
の遮光膜１ｃが形成されている。この位相膜１ｂによっ
て直接光１１，１３の位相を１／４波長だけ変化させる
とともに、半透性の遮光膜１ｃによって直接光１１，１
３の強度を減衰させる。位相板１の下方には位相板１を
透過した光を集光するためのレンズ２２が設けられてい
る。
【００２０】本実施例では、位相の変化量を強度として
観測する方法である位相差法を用いて試料３の欠陥検出
を行なう。位相差法に関しては、たとえば、J.Picht, Z
eitschr.f.Instrkde, 58(1938), 1 に開示されており、
検出される光の強度は以下の式（１）によって表され、
コントラストは以下の式（２）によって表される。
観測する方法である位相差法を用いて試料３の欠陥検出
を行なう。位相差法に関しては、たとえば、J.Picht, Z
eitschr.f.Instrkde, 58(1938), 1 に開示されており、
検出される光の強度は以下の式（１）によって表され、
コントラストは以下の式（２）によって表される。
【００２１】 Ｉ（ｘ1 ，ｙ1 ）＝｜ｃ｜2 ｛ａ2 ＋２ａφ（ｘ，ｙ）ｓｉｎα｝…（１） ２ａφ（ｘ，ｙ）ｓｉｎα／ａ2 ＝２φ（ｘ，ｙ）ｓｉｎα／ａ…（２） 上記式（１）を参照して、Ｉ（ｘ1 ，ｙ1 ）は像平面上
の点（ｘ1 ，ｙ1 ）での光の強度，ｃは定数，ａは光の
吸収率（光の透過率），αは位相の変化量，φ（ｘ，
ｙ）は円周率である。式（１）から位相差法を用いれば
位相の変化量αを光の強度Ｉとして観測することができ
るのがわかる。
の点（ｘ1 ，ｙ1 ）での光の強度，ｃは定数，ａは光の
吸収率（光の透過率），αは位相の変化量，φ（ｘ，
ｙ）は円周率である。式（１）から位相差法を用いれば
位相の変化量αを光の強度Ｉとして観測することができ
るのがわかる。
【００２２】また、式（２）で表されるコントラストは
式（１）の｛｝内の第１項目と第２項目との比で表され
る。式（２）からコントラストは、光の吸収率が小さい
ほど、また位相の変化量αが含まれるｓｉｎαが大きい
ほど増大することがわかる。ここで、位相の変化量が１
／４波長である場合にはαはπ／２となりそのときｓｉ
ｎαは１となり最大になる。したがって、位相の変化量
が１／４波長の場合にコントラストが最も大きくなるこ
とがわかる。また、式（２）から、光の強度振幅をある
程度減衰させることによって光の吸収率（光の透過率）
ａが小さくなり、その結果さらにコントラストが増大す
ることがわかる。
式（１）の｛｝内の第１項目と第２項目との比で表され
る。式（２）からコントラストは、光の吸収率が小さい
ほど、また位相の変化量αが含まれるｓｉｎαが大きい
ほど増大することがわかる。ここで、位相の変化量が１
／４波長である場合にはαはπ／２となりそのときｓｉ
ｎαは１となり最大になる。したがって、位相の変化量
が１／４波長の場合にコントラストが最も大きくなるこ
とがわかる。また、式（２）から、光の強度振幅をある
程度減衰させることによって光の吸収率（光の透過率）
ａが小さくなり、その結果さらにコントラストが増大す
ることがわかる。
【００２３】これにより、本実施例では、位相差法の原
理を利用して透明な位相物体を検出できるのに加えて、
より高精度な位相物体の検出をも行なうことが可能であ
る。具体的には、図１に示したような透明な位相パター
ン３ｃを検出できるのみならず、透明な位相パターン３
ｃのパターニング残り（異物）が存在する場合にもその
異物を高精度に検出することができる。
理を利用して透明な位相物体を検出できるのに加えて、
より高精度な位相物体の検出をも行なうことが可能であ
る。具体的には、図１に示したような透明な位相パター
ン３ｃを検出できるのみならず、透明な位相パターン３
ｃのパターニング残り（異物）が存在する場合にもその
異物を高精度に検出することができる。
【００２４】図２は、基板３ａ上に透明な位相パターン
３ｃと透明な異物３ｅが存在する場合の位相パターン３
ｃと異物３ｅとの識別方法を説明するための概略図であ
る。図２を参照して、まず位相の変化量に対応する検出
信号強度の波形が表されている。そして、その検出信号
強度の波形を一階微分した波形がその上方に表されてい
る。さらに、その一階微分した波形を強度ごとにヒスト
グラムをとったものが信号強度分布として一階微分波形
の左右に示されている。
３ｃと透明な異物３ｅが存在する場合の位相パターン３
ｃと異物３ｅとの識別方法を説明するための概略図であ
る。図２を参照して、まず位相の変化量に対応する検出
信号強度の波形が表されている。そして、その検出信号
強度の波形を一階微分した波形がその上方に表されてい
る。さらに、その一階微分した波形を強度ごとにヒスト
グラムをとったものが信号強度分布として一階微分波形
の左右に示されている。
【００２５】図２に示す透明な位相パターン３ｃと透明
な異物３ｅとの識別方法は以下のようにして行なう。ま
ず、位相の変化量に対応した検出信号強度をＣＣＤなど
の検出器（図示せず）で検出する。つぎに、その検出結
果を一階微分する。さらに、その一階微分のヒストグラ
ムを作って位相パターン３ｃに対応するヒストグラムと
異物３ｅに対応するヒストグラムとを比較する。これに
より、容易に透明な位相パターン３ｃと透明な異物３ｅ
とを識別することができる。
な異物３ｅとの識別方法は以下のようにして行なう。ま
ず、位相の変化量に対応した検出信号強度をＣＣＤなど
の検出器（図示せず）で検出する。つぎに、その検出結
果を一階微分する。さらに、その一階微分のヒストグラ
ムを作って位相パターン３ｃに対応するヒストグラムと
異物３ｅに対応するヒストグラムとを比較する。これに
より、容易に透明な位相パターン３ｃと透明な異物３ｅ
とを識別することができる。
【００２６】なお、位相シフトマスクなどの膜厚異常の
判定は、次のようにして行なう。まず、位相に対応した
検出信号強度をＣＣＤなどの光検出器（図示せず）で検
出する。そしてその検出結果と予め設定された規格強度
とを比較する。規格強度と検出結果との差が予め設定さ
れた公差以上である場合には膜厚異常の判定がなされ
る。このようにして、位相シフトマスクなどの膜厚異常
の判定が行なわれる。
判定は、次のようにして行なう。まず、位相に対応した
検出信号強度をＣＣＤなどの光検出器（図示せず）で検
出する。そしてその検出結果と予め設定された規格強度
とを比較する。規格強度と検出結果との差が予め設定さ
れた公差以上である場合には膜厚異常の判定がなされ
る。このようにして、位相シフトマスクなどの膜厚異常
の判定が行なわれる。
【００２７】図３は、図１に示した第１実施例の異物・
欠陥検査装置の位相板の詳細な構成を説明するための断
面図である。図３を参照して、この第１実施例の位相板
１では、溶融石英などからなる基板１ａの裏表面上の直
接光が通過する領域に、基板１ａと同じ光学特性を持つ
ＳＯＧなどからなる位相膜１ｂが形成されている。位相
膜１ｂの表面上にはＣｒX ＯY やＭｏＳｉX ＯY などの
金属酸化膜からなる半透性の遮光膜１ｃが形成されてい
る。位相膜１ｂの厚みは、屈折率と検査に使用する波長
とに依存するが、位相をλ／４進めるか遅らせるだけの
厚みがあればよい。たとえば、屈折率１．５，波長６３
０ｎｍならば、３１５＋６３０ｎ（ｎ＝１，２，３…）
ｎｍである。半透性の遮光膜１ｃは、透過光の強度をた
とえば１／４〜１／９に減衰させるものを用いるのが好
ましい。
欠陥検査装置の位相板の詳細な構成を説明するための断
面図である。図３を参照して、この第１実施例の位相板
１では、溶融石英などからなる基板１ａの裏表面上の直
接光が通過する領域に、基板１ａと同じ光学特性を持つ
ＳＯＧなどからなる位相膜１ｂが形成されている。位相
膜１ｂの表面上にはＣｒX ＯY やＭｏＳｉX ＯY などの
金属酸化膜からなる半透性の遮光膜１ｃが形成されてい
る。位相膜１ｂの厚みは、屈折率と検査に使用する波長
とに依存するが、位相をλ／４進めるか遅らせるだけの
厚みがあればよい。たとえば、屈折率１．５，波長６３
０ｎｍならば、３１５＋６３０ｎ（ｎ＝１，２，３…）
ｎｍである。半透性の遮光膜１ｃは、透過光の強度をた
とえば１／４〜１／９に減衰させるものを用いるのが好
ましい。
【００２８】図４は、本発明の第２実施例による異物・
欠陥検査装置に用いる位相板の構成を示した断面図であ
る。図４を参照して、この第２実施例の異物・欠陥検査
装置に用いる位相板では、基板１ａの裏表面上の直接光
が透過する領域に、位相をλ（波長）／４変化させるた
めの位相膜１ｂのみが形成されている。このように構成
することによっても、コントラストをある程度増大させ
ることができ、透明な位相物体の検出を精度よく行なう
ことができる。
欠陥検査装置に用いる位相板の構成を示した断面図であ
る。図４を参照して、この第２実施例の異物・欠陥検査
装置に用いる位相板では、基板１ａの裏表面上の直接光
が透過する領域に、位相をλ（波長）／４変化させるた
めの位相膜１ｂのみが形成されている。このように構成
することによっても、コントラストをある程度増大させ
ることができ、透明な位相物体の検出を精度よく行なう
ことができる。
【００２９】図５は、本発明の第３実施例による異物・
欠陥検査装置に用いる位相板の構成を示した断面図であ
る。図５を参照して、この第３実施例の異物・欠陥検査
装置に用いる位相板では、基板１ａの裏表面上の回折光
が透過する領域にその回折光の位相をλ／４変化させる
ための位相膜１ｄが形成されている。位相膜１ｄは基板
１ａと同じ光学特性を持つＳＯＧなどによって形成され
ている。この第３実施例の異物・欠陥検査装置に用いら
れる位相板では、直接光の位相は変化させずに回折光の
位相をλ／４進めるか遅らせる構造である。このように
構成することによっても上述した第１実施例および第２
実施例の異物・欠陥検査装置に用いられる位相板と同様
の効果が得られる。すなわち、透明な位相物体を精度よ
く検出することができる。
欠陥検査装置に用いる位相板の構成を示した断面図であ
る。図５を参照して、この第３実施例の異物・欠陥検査
装置に用いる位相板では、基板１ａの裏表面上の回折光
が透過する領域にその回折光の位相をλ／４変化させる
ための位相膜１ｄが形成されている。位相膜１ｄは基板
１ａと同じ光学特性を持つＳＯＧなどによって形成され
ている。この第３実施例の異物・欠陥検査装置に用いら
れる位相板では、直接光の位相は変化させずに回折光の
位相をλ／４進めるか遅らせる構造である。このように
構成することによっても上述した第１実施例および第２
実施例の異物・欠陥検査装置に用いられる位相板と同様
の効果が得られる。すなわち、透明な位相物体を精度よ
く検出することができる。
【００３０】図６は、本発明の第４実施例による異物・
欠陥検査装置に用いられる位相板の構成を示した断面図
である。図６を参照して、この第４実施例の異物・欠陥
検査装置の位相板では、基板１ａの直接光が透過する領
域に凸部を設けることによって、直接光の位相をλ／４
進めるか遅らせるように構成している。このような凸型
形状は、基板１ａをエッチングすることにより容易に形
成可能である。
欠陥検査装置に用いられる位相板の構成を示した断面図
である。図６を参照して、この第４実施例の異物・欠陥
検査装置の位相板では、基板１ａの直接光が透過する領
域に凸部を設けることによって、直接光の位相をλ／４
進めるか遅らせるように構成している。このような凸型
形状は、基板１ａをエッチングすることにより容易に形
成可能である。
【００３１】図７は、本発明の第５実施例による異物・
欠陥検査装置に用いられる位相板の構成を示した断面図
である。図７を参照して、この第５実施例の異物・欠陥
検査装置の位相板では、基板１ａの直接光が透過する領
域に凹部を設けるとともに、その凹部内表面に半透性の
遮光膜１ｃを形成している。透明基板１ａの凹部は直接
光の位相をλ／４変化させる役割を果たし、半透性の遮
光膜１ｃは直接光の振幅強度を減衰させる役割を果た
す。この第５実施例の異物・欠陥検査装置の位相板の形
成方法としては、まず基板１ａの直接光が通過する領域
の裏表面をエッチングする。これにより、凹部を形成す
る。そしてその凹部の表面上にスパッタ法またはＣＶＤ
法を用いて半透性の遮光膜１ｃを形成する。この図７に
示した構造では、エッチングによる凹部表面の表面荒れ
に起因する散乱を遮光膜１ｃで吸収することができると
いう利点がある。
欠陥検査装置に用いられる位相板の構成を示した断面図
である。図７を参照して、この第５実施例の異物・欠陥
検査装置の位相板では、基板１ａの直接光が透過する領
域に凹部を設けるとともに、その凹部内表面に半透性の
遮光膜１ｃを形成している。透明基板１ａの凹部は直接
光の位相をλ／４変化させる役割を果たし、半透性の遮
光膜１ｃは直接光の振幅強度を減衰させる役割を果た
す。この第５実施例の異物・欠陥検査装置の位相板の形
成方法としては、まず基板１ａの直接光が通過する領域
の裏表面をエッチングする。これにより、凹部を形成す
る。そしてその凹部の表面上にスパッタ法またはＣＶＤ
法を用いて半透性の遮光膜１ｃを形成する。この図７に
示した構造では、エッチングによる凹部表面の表面荒れ
に起因する散乱を遮光膜１ｃで吸収することができると
いう利点がある。
【００３２】
【発明の効果】請求項１〜３に記載の異物・欠陥検査装
置によれば、試料を透過した直接光および回折光のうち
のいずれか一方の位相を１／４波長だけ変化させる位相
板を設けることによって、位相差法を用いて位相の変化
量に対応する光強度を検出する際にコントラストを増大
させることができる。これにより、透明な位相物体を高
精度に観測することができる。
置によれば、試料を透過した直接光および回折光のうち
のいずれか一方の位相を１／４波長だけ変化させる位相
板を設けることによって、位相差法を用いて位相の変化
量に対応する光強度を検出する際にコントラストを増大
させることができる。これにより、透明な位相物体を高
精度に観測することができる。
【００３３】請求項４〜５に記載の異物・欠陥検査装置
によれば、試料を透過した光の位相を１／４波長だけ変
化させるとともに光の振幅を減衰させるための位相板を
設けることによって、位相差法を用いて位相の変化量に
対応する光強度を検出する際に、コントラストをより増
大させることができる。その結果、より高精度に透明な
位相物体を観測することができる。
によれば、試料を透過した光の位相を１／４波長だけ変
化させるとともに光の振幅を減衰させるための位相板を
設けることによって、位相差法を用いて位相の変化量に
対応する光強度を検出する際に、コントラストをより増
大させることができる。その結果、より高精度に透明な
位相物体を観測することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例による異物・欠陥検査装置
の概略構成を示した断面図である。
の概略構成を示した断面図である。
【図２】透明な位相パターンおよび透明な異物が存在す
る場合の位相パターンと異物との識別方法を説明するた
めの概略図である。
る場合の位相パターンと異物との識別方法を説明するた
めの概略図である。
【図３】図１に示した第１実施例の異物・欠陥検査装置
の位相板の構成を示した断面図である。
の位相板の構成を示した断面図である。
【図４】本発明の第２実施例による異物・欠陥検査装置
に用いる位相板の構成を示した断面図である。
に用いる位相板の構成を示した断面図である。
【図５】本発明の第３実施例による異物・欠陥検査装置
に用いる位相板の構成を示した断面図である。
に用いる位相板の構成を示した断面図である。
【図６】本発明の第４実施例による異物・欠陥検査装置
に用いる位相板の構成を示した断面図である。
に用いる位相板の構成を示した断面図である。
【図７】本発明の第５実施例による異物・欠陥検査装置
に用いる位相板の構成を示した断面図である。
に用いる位相板の構成を示した断面図である。
【図８】従来の異物・欠陥検査装置の構成を示した断面
図である。
図である。
【図９】従来の遮光パターン，透明な位相パターンおよ
び透明な異物を含む試料を検出する場合の問題点を説明
するための概略図である。
び透明な異物を含む試料を検出する場合の問題点を説明
するための概略図である。
１：位相板 １ａ：基板 １ｂ：位相膜 １ｃ：遮光膜 ２：コヒーレント光源 ３：試料 ２３：検出器（ＣＣＤ） なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ 7630−4Ｍ
Claims (5)
- 【請求項１】 位相物体を有する試料の異物・欠陥検査
装置であって、 前記試料に光を照射するための光源と、 前記試料を透過した直接光および回折光のうちのいずれ
か一方の位相を１／４波長だけ変化させるための位相板
と、 前記位相板を透過した光の強度を検出するための光検出
器とを備えた、異物・欠陥検査装置。 - 【請求項２】 前記位相板は、 透明基板と、 前記透明基板の表面上の直接光が透過する領域に形成さ
れ、前記直接光の位相を１／４波長だけ変化させるため
のシフタ部とを含む、請求項１に記載の異物・欠陥検査
装置。 - 【請求項３】 前記位相板は、 透明基板と、 前記透明基板の表面上の回折光が透過する領域に形成さ
れ、前記回折光の位相を１／４波長だけ変化させるため
のシフタ膜とを含む、請求項１に記載の異物・欠陥検査
装置。 - 【請求項４】 位相物体を有する試料の異物・欠陥検査
装置であって、 前記試料に光を照射するための光源と、 前記試料を透過した光の位相を１／４波長だけ変化させ
るとともに前記光の振幅を減衰させるための位相板と、 前記位相板を透過した光の強度を検出するための光検出
器とを備えた、異物・欠陥検査装置。 - 【請求項５】 前記位相板は、 透明基板と、 前記透明基板の表面上の直接光が透過する領域に形成さ
れ、前記直接光の位相を１／４波長だけ変化させるため
のシフタ部と、 前記シフタ部上に形成され、前記直接光の振幅を減衰さ
せるための半透過性の遮光膜とを含む、請求項４に記載
の異物・欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5590894A JPH07260703A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 異物・欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5590894A JPH07260703A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 異物・欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07260703A true JPH07260703A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=13012221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5590894A Pending JPH07260703A (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 異物・欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07260703A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014020870A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Kurabo Ind Ltd | 表面形状検査装置及び表面形状検査方法 |
-
1994
- 1994-03-25 JP JP5590894A patent/JPH07260703A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014020870A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Kurabo Ind Ltd | 表面形状検査装置及び表面形状検査方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020709 |