JPH07257996A - 金薄膜の形成方法 - Google Patents
金薄膜の形成方法Info
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- JPH07257996A JPH07257996A JP4700794A JP4700794A JPH07257996A JP H07257996 A JPH07257996 A JP H07257996A JP 4700794 A JP4700794 A JP 4700794A JP 4700794 A JP4700794 A JP 4700794A JP H07257996 A JPH07257996 A JP H07257996A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、大粒径の単結晶群または前記単結
晶群よりなる金結晶薄膜を、基板上に形成することがで
きる金薄膜の形成方法を提供する。 【構成】 金錯体溶液中の金錯体を分解処理することで
該溶液中の金を過飽和状態に移行させ、前記溶液中に置
いた基板上に金を析出、成長せしめる金薄膜の形成方法
において、基板をあらかじめ前記溶液の温度又は該温度
付近まで加熱して基板と溶液の温度を同等又は温度差を
小とし、かかる状態で金を基板上に析出、成長せしめる
ことを特徴とする。前記温度差は５０℃以内が好まし
い。
晶群よりなる金結晶薄膜を、基板上に形成することがで
きる金薄膜の形成方法を提供する。 【構成】 金錯体溶液中の金錯体を分解処理することで
該溶液中の金を過飽和状態に移行させ、前記溶液中に置
いた基板上に金を析出、成長せしめる金薄膜の形成方法
において、基板をあらかじめ前記溶液の温度又は該温度
付近まで加熱して基板と溶液の温度を同等又は温度差を
小とし、かかる状態で金を基板上に析出、成長せしめる
ことを特徴とする。前記温度差は５０℃以内が好まし
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金結晶の形成方法に関
し、特に半導体集積回路、光集積回路、磁気回路等の電
子素子、光素子、圧電素子等或は電子放出素子、記録媒
体用電極の作成に適した、平板状金単結晶群または該金
単結晶からなる金薄膜の形成方法に関する。
し、特に半導体集積回路、光集積回路、磁気回路等の電
子素子、光素子、圧電素子等或は電子放出素子、記録媒
体用電極の作成に適した、平板状金単結晶群または該金
単結晶からなる金薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より金薄膜は、リードフレームやＩ
Ｃ等の厚膜分野の配線や電極、ＧａＡｓ半導体の薄膜配
線等に広く用いられてきた。
Ｃ等の厚膜分野の配線や電極、ＧａＡｓ半導体の薄膜配
線等に広く用いられてきた。
【０００３】最近ではＳｉ半導体デバイスの高密度化か
ら、Ａｌ配線のエレクトロ・マイグレーションが深刻な
問題となり、重金属である金が配線材料として有望視さ
れている。特に耐エレクトロ・マイグレーション、耐腐
食性、低抵抗性、耐メルト性等で優れている大粒径の単
結晶群からなる金結晶薄膜を、基板上に形成する事が望
まれていた。
ら、Ａｌ配線のエレクトロ・マイグレーションが深刻な
問題となり、重金属である金が配線材料として有望視さ
れている。特に耐エレクトロ・マイグレーション、耐腐
食性、低抵抗性、耐メルト性等で優れている大粒径の単
結晶群からなる金結晶薄膜を、基板上に形成する事が望
まれていた。
【０００４】従来基板への金結晶薄膜形成方法として、
真空蒸着法、ＣＶＤ法、電解めっき法、無電解めっき法
等が知られていた。
真空蒸着法、ＣＶＤ法、電解めっき法、無電解めっき法
等が知られていた。
【０００５】真空蒸着法は、Ｓｉ、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ、
ＧａＡｓ、サファイア、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ等の基板を５
００℃〜７００℃程度に加熱した上、通常１０-6Ｔｏｒ
ｒ以下の真空中で、電子ビーム加熱や抵抗加熱により金
を蒸気相にして搬送し、堆積を行う。真空蒸着法によっ
て比較的大きな単結晶を得た例としては、マイカ（雲
母）上に数１０μｍの粒径の金単結晶を形成できた報告
がある。（ＤｅｎｎｉｓＪ．Ｔｒｅｖｏｒ他 Ｐｈｙｓ
ｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ．６
２ Ｎｏ．８） また、熱ＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法により、Ｓｉ上に金の
多結晶薄膜を形成した報告がある。（Ｎ．Ｍｉｓａｗａ
他 第３７回半導体・集積回路技術シンポジウム Ｄｅ
ｃ．７，１９８９） 電解めっき法、無電解めっき法は、装飾用の金薄膜形成
やリードフレームのメッキ等で古くから利用されている
方法であり、予め基板表面に金、銅、ニッケル面を形成
した上、金薄膜を形成する。
ＧａＡｓ、サファイア、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ等の基板を５
００℃〜７００℃程度に加熱した上、通常１０-6Ｔｏｒ
ｒ以下の真空中で、電子ビーム加熱や抵抗加熱により金
を蒸気相にして搬送し、堆積を行う。真空蒸着法によっ
て比較的大きな単結晶を得た例としては、マイカ（雲
母）上に数１０μｍの粒径の金単結晶を形成できた報告
がある。（ＤｅｎｎｉｓＪ．Ｔｒｅｖｏｒ他 Ｐｈｙｓ
ｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ．６
２ Ｎｏ．８） また、熱ＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法により、Ｓｉ上に金の
多結晶薄膜を形成した報告がある。（Ｎ．Ｍｉｓａｗａ
他 第３７回半導体・集積回路技術シンポジウム Ｄｅ
ｃ．７，１９８９） 電解めっき法、無電解めっき法は、装飾用の金薄膜形成
やリードフレームのメッキ等で古くから利用されている
方法であり、予め基板表面に金、銅、ニッケル面を形成
した上、金薄膜を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来方法では、以下のような問題点を有していた。
た従来方法では、以下のような問題点を有していた。
【０００７】真空蒸着法やＣＶＤ法により、マイカ（雲
母）や高配向グラファイトの不活性基板に、数１０μｍ
径の単結晶群からなる金結晶薄膜は形成できるが、Ｓ
ｉ、ＧａＡｓなどの半導体材料上やＳｉＯ2 やＳｉＮや
Ａｌ2 Ｏ3 などの絶縁体上では、サブミクロン径の単結
晶群か多結晶膜に成ってしまう。
母）や高配向グラファイトの不活性基板に、数１０μｍ
径の単結晶群からなる金結晶薄膜は形成できるが、Ｓ
ｉ、ＧａＡｓなどの半導体材料上やＳｉＯ2 やＳｉＮや
Ａｌ2 Ｏ3 などの絶縁体上では、サブミクロン径の単結
晶群か多結晶膜に成ってしまう。
【０００８】更に、真空蒸着法やＣＶＤ法で大粒径単結
晶群からなる金結晶薄膜を形成するには基板温度を高温
にする必要が有るため、高温下に置くことが出来ないデ
バイスには、制約を多く受ける。例えば、Ｓｉ上に金薄
膜を形成する場合、共晶温度３６３℃を越えるとＡｕ−
Ｓｉ合金（共晶）が形成されてしまう為、高温を必要と
する大粒径の単結晶群よりなる金薄膜は作成困難であ
る。
晶群からなる金結晶薄膜を形成するには基板温度を高温
にする必要が有るため、高温下に置くことが出来ないデ
バイスには、制約を多く受ける。例えば、Ｓｉ上に金薄
膜を形成する場合、共晶温度３６３℃を越えるとＡｕ−
Ｓｉ合金（共晶）が形成されてしまう為、高温を必要と
する大粒径の単結晶群よりなる金薄膜は作成困難であ
る。
【０００９】また、電解めっき法や無電解めっき法で
は、多結晶膜となり、そもそも単結晶群は形成できな
い。
は、多結晶膜となり、そもそも単結晶群は形成できな
い。
【００１０】このように、真空蒸着法やＣＶＤ法、各種
めっき法等従来の方法では、基板上に良質の大粒径単結
晶群からなる金結晶薄膜を形成することは極めて困難で
あった。
めっき法等従来の方法では、基板上に良質の大粒径単結
晶群からなる金結晶薄膜を形成することは極めて困難で
あった。
【００１１】金単結晶を形成する方法として、最近、金
錯体溶液中の金錯体を分解処理することで溶液中の金を
過飽和状態に移行せしめ、かかる金を基板上に堆積、成
長せしめて、単結晶金を形成する方法が提案され、たと
えば、特願平０３−１３２１７６に述べられている。か
かる手法においては平均粒径５０μｍ〜１ｍｍ程度の大
きさの金単結晶からなる金薄膜が得られているが、結晶
成長溶液に基板を入れるタイミングによっては核発生が
急激に生じるため微結晶が多量に発生し、粒径の大きな
単結晶が生じにくいことがある。
錯体溶液中の金錯体を分解処理することで溶液中の金を
過飽和状態に移行せしめ、かかる金を基板上に堆積、成
長せしめて、単結晶金を形成する方法が提案され、たと
えば、特願平０３−１３２１７６に述べられている。か
かる手法においては平均粒径５０μｍ〜１ｍｍ程度の大
きさの金単結晶からなる金薄膜が得られているが、結晶
成長溶液に基板を入れるタイミングによっては核発生が
急激に生じるため微結晶が多量に発生し、粒径の大きな
単結晶が生じにくいことがある。
【００１２】本発明の形成方法によれば、平均粒径１ｍ
ｍ以上の金単結晶からなる金薄膜を比較的簡単に再現性
良く基板上に形成することが可能となった。
ｍ以上の金単結晶からなる金薄膜を比較的簡単に再現性
良く基板上に形成することが可能となった。
【００１３】本発明は、耐エレクトロ・マイグレーショ
ン、耐腐食性、低抵抗性、耐メルト性、などに優れてい
る大粒径の単結晶群、または前記単結晶群よりなる高品
質の金結晶薄膜を、基板上に形成することができる金薄
膜の形成方法を提供することを目的としている。
ン、耐腐食性、低抵抗性、耐メルト性、などに優れてい
る大粒径の単結晶群、または前記単結晶群よりなる高品
質の金結晶薄膜を、基板上に形成することができる金薄
膜の形成方法を提供することを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の金薄膜の形成方
法の特徴は、金錯体溶液中の金錯体成分を分解処理する
ことによって、過飽和状態に移行せしめた該溶液中の金
を基板上に析出させるプロセスに於て、該基板をあらか
じめ加熱し、基板温度と溶液温度とを同等又はその差を
小さくすることによって、基板を溶液中に投入した際に
溶液温度の変化を小とし、その結果、溶液の化学平衡状
態が大きく変化することを防ぐことが可能になり、平均
粒径が１ｍｍ以上の金単結晶を安定に成長させることが
可能になったことにある。この時、基板温度と溶液温度
の差は好ましくは５０℃以内、より好ましくは５℃以内
であることが望まれる。上記基板を加熱する方法は基板
をホットプレートやオーブンなどで暖めてもよく、また
温水中で暖めてもよく、その方法はなんら制限するもの
はない。
法の特徴は、金錯体溶液中の金錯体成分を分解処理する
ことによって、過飽和状態に移行せしめた該溶液中の金
を基板上に析出させるプロセスに於て、該基板をあらか
じめ加熱し、基板温度と溶液温度とを同等又はその差を
小さくすることによって、基板を溶液中に投入した際に
溶液温度の変化を小とし、その結果、溶液の化学平衡状
態が大きく変化することを防ぐことが可能になり、平均
粒径が１ｍｍ以上の金単結晶を安定に成長させることが
可能になったことにある。この時、基板温度と溶液温度
の差は好ましくは５０℃以内、より好ましくは５℃以内
であることが望まれる。上記基板を加熱する方法は基板
をホットプレートやオーブンなどで暖めてもよく、また
温水中で暖めてもよく、その方法はなんら制限するもの
はない。
【００１５】ここで、本発明の理解を助ける為、金錯体
溶液中の金錯体を分解処理することにより、基板に平板
状金単結晶群からなる金薄膜を形成する形成過程の説明
をする。
溶液中の金錯体を分解処理することにより、基板に平板
状金単結晶群からなる金薄膜を形成する形成過程の説明
をする。
【００１６】まず蒸留水にヨウ化カリウム及びヨウ素を
投入してヨウ素水溶液を形成した後金を投入し攪拌溶解
させ、［ＡｕＩ4 ］- を含有する金錯体溶液を形成す
る。このとき溶液中には、金錯体の他、Ｉ3 -、Ｋ+ が存
在するものと考えられる。
投入してヨウ素水溶液を形成した後金を投入し攪拌溶解
させ、［ＡｕＩ4 ］- を含有する金錯体溶液を形成す
る。このとき溶液中には、金錯体の他、Ｉ3 -、Ｋ+ が存
在するものと考えられる。
【００１７】次いで、溶液を３０〜２００℃に昇温し、
ヨウ素成分の揮発を促進させる。
ヨウ素成分の揮発を促進させる。
【００１８】溶液系内では、Ｉ3 -の状態で存在するヨウ
素成分の揮発による、溶液系内の平衡状態の維持の為の
［ＡｕＩ4 ］- 分解が進行し、金が過飽和の状態とな
る。一方、基板はホットプレートあるいは蒸留水中で溶
液温度とほぼ同じになるようにあらかじめ加熱してお
く。
素成分の揮発による、溶液系内の平衡状態の維持の為の
［ＡｕＩ4 ］- 分解が進行し、金が過飽和の状態とな
る。一方、基板はホットプレートあるいは蒸留水中で溶
液温度とほぼ同じになるようにあらかじめ加熱してお
く。
【００１９】金が過飽和状態になったところで、あらか
じめ加熱してある基板を溶液中に速やかに投入すると基
板上に金が核として析出し、結晶核となる。その後、新
たな結晶核発生と結晶核成長が平行して進行する。この
時核は自己整合的に単結晶成長する。その後、成長を続
けることで、各々の平板状金単結晶同志の衝突により、
単結晶群からなる金結晶薄膜が形成される。
じめ加熱してある基板を溶液中に速やかに投入すると基
板上に金が核として析出し、結晶核となる。その後、新
たな結晶核発生と結晶核成長が平行して進行する。この
時核は自己整合的に単結晶成長する。その後、成長を続
けることで、各々の平板状金単結晶同志の衝突により、
単結晶群からなる金結晶薄膜が形成される。
【００２０】ヨウ素水溶液はヨウ化カリウム以外のヨウ
化化合物、たとえばヨウ化アンモニウムなどを溶解して
も良く、その方法は限定されない。また水溶液ではな
く、アルコール溶液あるいはアルコールと水の混合溶液
を用いてもよい。また金を溶解させる替わりに、適当な
金化合物、たとえばＡｕＩ、ＡｕＩ3 などを用いてもよ
く、要は溶液中に［ＡｕＩ4 ］- が十分に存在すればよ
い。さらに金錯体も、［ＡｕＩ4 ］- に限定されるもの
ではなく、［ＡｕＩ2 ］- 、［ＡｕＣｌ4 ］- 、［Ａｕ
（ＣＮ）2 ］- 、［Ａｕ（ＣＮ）3 ］- などを用いても
良い。
化化合物、たとえばヨウ化アンモニウムなどを溶解して
も良く、その方法は限定されない。また水溶液ではな
く、アルコール溶液あるいはアルコールと水の混合溶液
を用いてもよい。また金を溶解させる替わりに、適当な
金化合物、たとえばＡｕＩ、ＡｕＩ3 などを用いてもよ
く、要は溶液中に［ＡｕＩ4 ］- が十分に存在すればよ
い。さらに金錯体も、［ＡｕＩ4 ］- に限定されるもの
ではなく、［ＡｕＩ2 ］- 、［ＡｕＣｌ4 ］- 、［Ａｕ
（ＣＮ）2 ］- 、［Ａｕ（ＣＮ）3 ］- などを用いても
良い。
【００２１】金錯体の分解処理手段としては、加熱によ
る揮発や、還元剤を用いる方法等がある。還元剤として
は例えば、ハイドロキノン、ピロガロール、パイロカテ
キン、グクシン、メトールハイドロキノン、アミドー
ル、メトール、亜硫酸ソーダ、チオ硫酸ナトリウム、水
酸化ナトリウム等、溶液中で還元作用を有する各種の物
質が用いられる。
る揮発や、還元剤を用いる方法等がある。還元剤として
は例えば、ハイドロキノン、ピロガロール、パイロカテ
キン、グクシン、メトールハイドロキノン、アミドー
ル、メトール、亜硫酸ソーダ、チオ硫酸ナトリウム、水
酸化ナトリウム等、溶液中で還元作用を有する各種の物
質が用いられる。
【００２２】以上のように本発明によれば、基板上に、
面内方向に結晶方位の揃った平板状金単結晶群、及びこ
の金単結晶群よりなる金薄膜を大面積にわたって作成す
ることができる。
面内方向に結晶方位の揃った平板状金単結晶群、及びこ
の金単結晶群よりなる金薄膜を大面積にわたって作成す
ることができる。
【００２３】
【実施例】以下に、本発明を実施例を用いて詳細に説明
する。
する。
【００２４】実施例１ 図１を用いて、本実施例を述べる。図１は実施例１の作
成方法の説明図である。
成方法の説明図である。
【００２５】蒸留水５００ｍｌにヨウ化カリウム４０ｇ
及びヨウ素６ｇを投入して攪拌溶解させた。この溶液に
金を２ｇ投入して攪拌溶解させた。溶解後、この溶液か
ら１００ｍｌ分取して反応容器にいれ、ここにさらに蒸
留水を１００ｍｌ加えて攪拌し結晶成長用溶液１とし
た。かかる結晶成長用溶液１を約９０℃に加熱した
（ａ）図。
及びヨウ素６ｇを投入して攪拌溶解させた。この溶液に
金を２ｇ投入して攪拌溶解させた。溶解後、この溶液か
ら１００ｍｌ分取して反応容器にいれ、ここにさらに蒸
留水を１００ｍｌ加えて攪拌し結晶成長用溶液１とし
た。かかる結晶成長用溶液１を約９０℃に加熱した
（ａ）図。
【００２６】一方、基板としてＳｉウエハ３をもちい、
２００ｍｌの蒸留水２中にかかる基板を投入し、約９０
℃に加熱した（ｂ）図。結晶成長用溶液１および、基板
加熱用蒸留水２が共に約９０℃達したところで基板３を
取り出し、すみやかに結晶成長用溶液１に投入し温度を
保ったまま放置した（ｃ）図。
２００ｍｌの蒸留水２中にかかる基板を投入し、約９０
℃に加熱した（ｂ）図。結晶成長用溶液１および、基板
加熱用蒸留水２が共に約９０℃達したところで基板３を
取り出し、すみやかに結晶成長用溶液１に投入し温度を
保ったまま放置した（ｃ）図。
【００２７】１時間後に基板を取り出したところ基板上
に平板状金単結晶群４が形成されて（ｄ）図、平均粒径
が約１．５ｍｍの平板状単結晶からなる金薄膜５が形成
されていた（ｅ）図。また、基板上には平板状金単結晶
以外の微結晶は見受けられなかった。この平板状金単結
晶基板に垂直方向には（１１１）面を有し、膜の厚さは
５μｍであった。
に平板状金単結晶群４が形成されて（ｄ）図、平均粒径
が約１．５ｍｍの平板状単結晶からなる金薄膜５が形成
されていた（ｅ）図。また、基板上には平板状金単結晶
以外の微結晶は見受けられなかった。この平板状金単結
晶基板に垂直方向には（１１１）面を有し、膜の厚さは
５μｍであった。
【００２８】実施例２ 実施例１と同様の結晶成長用溶液を約１５０℃に加熱
し、基板（Ｓｉウエハ）はホットプレート上で約１２０
℃に加熱し、実施例１と同様にして加熱した結晶成長用
溶液中に同じく加熱した基板を速やかに投入し、温度を
保ったまま、約１時間結晶成長させた。
し、基板（Ｓｉウエハ）はホットプレート上で約１２０
℃に加熱し、実施例１と同様にして加熱した結晶成長用
溶液中に同じく加熱した基板を速やかに投入し、温度を
保ったまま、約１時間結晶成長させた。
【００２９】その後、基板を取り出したところ基板上に
平板状金単結晶群が形成されて、平均粒径が約１．８ｍ
ｍの平板状単結晶からなる金薄膜が形成されていた。ま
た、基板上には平板状金単結晶以外の微結晶は見受けら
れなかった。この平板状金単結晶基板に垂直方向には
（１１１）面を有し、膜の厚さは１０μｍであった。
平板状金単結晶群が形成されて、平均粒径が約１．８ｍ
ｍの平板状単結晶からなる金薄膜が形成されていた。ま
た、基板上には平板状金単結晶以外の微結晶は見受けら
れなかった。この平板状金単結晶基板に垂直方向には
（１１１）面を有し、膜の厚さは１０μｍであった。
【００３０】実施例３ 実施例１と同様に結晶成長溶液を用意し、１２０℃に加
熱した。基板にはＳｉウエハにかえてガラス基板（コー
ニング社製〓７０５９）とし、ホットプレート上で約１
２０℃に加熱し、実施例１と同様にして加熱した結晶成
長用溶液中に加熱した基板を速やかに投入し、温度を保
ったまま、約１時間結晶成長させた。
熱した。基板にはＳｉウエハにかえてガラス基板（コー
ニング社製〓７０５９）とし、ホットプレート上で約１
２０℃に加熱し、実施例１と同様にして加熱した結晶成
長用溶液中に加熱した基板を速やかに投入し、温度を保
ったまま、約１時間結晶成長させた。
【００３１】その後、基板を取り出したところ基板上に
平板状金単結晶群が形成されて、平均粒径が約１．８ｍ
ｍの平板状金単結晶からなる金薄膜が形成されていた。
また、基板上には平板状金単結晶以外の微結晶は見受け
られなかった。この平板状金単結晶基板に垂直方向には
（１１１）面を有し、膜の厚さは５μｍであった。
平板状金単結晶群が形成されて、平均粒径が約１．８ｍ
ｍの平板状金単結晶からなる金薄膜が形成されていた。
また、基板上には平板状金単結晶以外の微結晶は見受け
られなかった。この平板状金単結晶基板に垂直方向には
（１１１）面を有し、膜の厚さは５μｍであった。
【００３２】実施例４ 基板をＳｉウエハとし、かかる基板上に従来公知のフォ
トリソグラフィー法により直径１μｍのドット状のパタ
ーンをネガ型レジスト（商標名ＲＤ−２０００Ｎ）を用
いて形成したのち、真空蒸着法により、Ｃｒ膜を３ｎｍ
の厚さで堆積し、引き続きＡｕ膜を５０ｎｍの厚さで堆
積した。その後、リフトオフによってレジストを剥離
し、基板上にＡｕ膜のドット状のパターンを形成した。
この時、ドットの間隔は１．５ｍｍとした。
トリソグラフィー法により直径１μｍのドット状のパタ
ーンをネガ型レジスト（商標名ＲＤ−２０００Ｎ）を用
いて形成したのち、真空蒸着法により、Ｃｒ膜を３ｎｍ
の厚さで堆積し、引き続きＡｕ膜を５０ｎｍの厚さで堆
積した。その後、リフトオフによってレジストを剥離
し、基板上にＡｕ膜のドット状のパターンを形成した。
この時、ドットの間隔は１．５ｍｍとした。
【００３３】かかる基板をホットプレート上で約１２０
℃に加熱した。一方、実施例１と同様に、結晶成長用溶
液を約１２０℃に加熱した。結晶成長用溶液および、基
板が共に約１２０℃達したところで基板をすみやかに結
晶成長用溶液に投入し温度を保ったまま放置した。
℃に加熱した。一方、実施例１と同様に、結晶成長用溶
液を約１２０℃に加熱した。結晶成長用溶液および、基
板が共に約１２０℃達したところで基板をすみやかに結
晶成長用溶液に投入し温度を保ったまま放置した。
【００３４】１時間後に基板を取り出したところ基板上
に平板状金単結晶群が形成されて、平均粒径が約１．５
ｍｍの平板状金単結晶からなる金薄膜５が形成されてい
た。また、基板上には平板状金単結晶以外の微結晶は見
受けられなかった。この平板状金単結晶基板に垂直方向
には（１１１）面を有し、膜の厚さは１０μｍであっ
た。
に平板状金単結晶群が形成されて、平均粒径が約１．５
ｍｍの平板状金単結晶からなる金薄膜５が形成されてい
た。また、基板上には平板状金単結晶以外の微結晶は見
受けられなかった。この平板状金単結晶基板に垂直方向
には（１１１）面を有し、膜の厚さは１０μｍであっ
た。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明の金薄膜の形成方法
は、基板をあらかじめ加熱して、金錯体溶液の温度と基
板温度とを同等又はその差を小さくするので、溶液中へ
基板投入する際に溶液温度を変化させることがないか又
は極めて少なくなり、金錯体溶液の化学平衡状態に影響
を与えることなく金の析出、成長を行なって、基板上に
大面積にわたって平板状金単結晶群またはこの金単結晶
からなる金薄膜を形成する効果がある。
は、基板をあらかじめ加熱して、金錯体溶液の温度と基
板温度とを同等又はその差を小さくするので、溶液中へ
基板投入する際に溶液温度を変化させることがないか又
は極めて少なくなり、金錯体溶液の化学平衡状態に影響
を与えることなく金の析出、成長を行なって、基板上に
大面積にわたって平板状金単結晶群またはこの金単結晶
からなる金薄膜を形成する効果がある。
【図１】本発明の実施例１の金薄膜の形成方法の概略を
示す説明図である。
示す説明図である。
１ 結晶成長溶液 ２ 蒸留水 ３ 基板 ４ 平板状金単結晶群 ５ 平板状金単結晶群からなる金薄膜
Claims (3)
- 【請求項１】 金錯体溶液中の金錯体を分解処理するこ
とで該溶液中の金を過飽和状態に移行させ、前記溶液中
に置いた基板上に金を析出、成長せしめて、金薄膜を形
成する金薄膜の形成方法に於て、前記基板をあらかじめ
前記溶液の温度又は該温度付近まで加熱して、該基板温
度と前記溶液温度とを同等又は温度差を小とし、かかる
状態で金を前記基板上に析出、成長せしめることを特徴
とする金薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 基板温度と溶液温度との温度差を５０℃
以内の状態で金を前記基板上に析出、成長せしめること
を特徴とする請求項１記載の金薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 基板温度と溶液温度との温度差を５℃以
内の状態で金を前記基板上に析出、成長せしめることを
特徴とする請求項１記載の金薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4700794A JPH07257996A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 金薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4700794A JPH07257996A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 金薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07257996A true JPH07257996A (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=12763119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4700794A Pending JPH07257996A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 金薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07257996A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001342573A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Ebara Corp | 無電解めっき方法及び装置 |
| JP2018180168A (ja) * | 2017-04-07 | 2018-11-15 | ホヤ レンズ タイランド リミテッドＨＯＹＡ Ｌｅｎｓ Ｔｈａｉｌａｎｄ Ｌｔｄ | 処理パターンが形成された光学部材の製造方法 |
-
1994
- 1994-03-17 JP JP4700794A patent/JPH07257996A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001342573A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Ebara Corp | 無電解めっき方法及び装置 |
| JP2018180168A (ja) * | 2017-04-07 | 2018-11-15 | ホヤ レンズ タイランド リミテッドＨＯＹＡ Ｌｅｎｓ Ｔｈａｉｌａｎｄ Ｌｔｄ | 処理パターンが形成された光学部材の製造方法 |
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