JP3914979B2 - 微細構造体の作製方法 - Google Patents
微細構造体の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3914979B2 JP3914979B2 JP2000269293A JP2000269293A JP3914979B2 JP 3914979 B2 JP3914979 B2 JP 3914979B2 JP 2000269293 A JP2000269293 A JP 2000269293A JP 2000269293 A JP2000269293 A JP 2000269293A JP 3914979 B2 JP3914979 B2 JP 3914979B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- quasicrystal
- microstructure
- quasi
- periodic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000013079 quasicrystal Substances 0.000 claims description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000001255 X-ray photoelectron diffraction Methods 0.000 description 8
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910017827 Cu—Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この出願の発明は、微細構造体の作製方法に関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、触媒や光学素子等の新素材の開発に有用で、新規な微細構造体を作製することができる新しい微細構造体の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】
従来より、材料表面にナノ構造体等の微細構造体を作り出す場合には、一般には、単結晶材料を基板として、その表面の周期的構造上に薄膜結晶を成長させ、エッチング等の手法で加工する方法等が利用されていた。
【０００３】
この出願の発明は、以上のような従来技術とは全く異なる観点から考えだされたものであり、触媒や光学素子等の新素材の開発に有用で、新規な微細構造体を作製することができる新しい微細構造体の作製方法を提供することを課題としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
そこで、この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、以下の通りの発明を提供する。
【０００５】
すなわち、まず第1には、この出願の発明は、準周期構造を有する基板の表面上に、１
種または２種以上の金属または半金属を蒸着させて１００〜３００℃の温度範囲に保つことにより、吸着原子による、もしくは吸着原子と前記基板に含まれる原子とによる、対称性を有する微細構造を生成させることを特徴とする微細構造体の作製方法を提供する。
【０００６】
そして第２には、この出願の発明は、上記第１の発明において、基板の表面が、準結晶の準周期構造およびその集合からなることを特徴とする微細構造の作製方法を、第３には、基板の表面が、準結晶もしくは準結晶の近似結晶における局所対称構造からなることを特徴とする微細構造の作製方法を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
この出願の発明は、上記の通りの特徴を持つものであるが、以下にその実施の形態について説明する。
【０００８】
まず、この出願の発明が提供する微細構造体の作製方法は、準周期構造を有する基板の表面上に、１種または２種以上の金属または半金属を蒸着させて１００〜３００℃の温度範囲に保つことにより、吸着原子による、もしくは吸着原子と前記基板に含まれる原子とによる、対称性を有する微細構造を生成させることを特徴としている。
【０００９】
この出願の発明において、準周期構造とは、以下のように定義することができる。
（１）準結晶の準周期構造
（２）欠陥を含むために全体としては完全な準周期ではないが、準周期構造の集合体とみなせるもの
（３）準結晶の近似結晶（結晶ではあるが準結晶に極めて近い構造を持つ物質）が有する構造であって、ひずみを与えられた準周期構造とみなせるもの
このような準周期構造を持つ材料としては、具体的には、Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ系，Ａｌ−Ｃｕ−Ｆｅ系，Ａｌ−Ｐｄ−Ｍｎ系，Ａｌ−Ｐｄ−ＲＥ（ＲＥ：希土類金属）系，Ｚｎ−Ｍｇ−ＲＥ系準結晶等を例示することができるが、もちろんこれに限定されることはない。準周期構造や、そこに含まれる５回あるいは１０回対称構造を材料の創製に積極的に利用することは、全く独創的な試みである。この出願の発明においては、この準周期構造を持つ材料を基板とし、その表面上に、１種あるいは２種以上の元素を吸着させる。吸着させる元素としては、実用性を考慮して、各種の金属や半金属元素から任意に選択することができる。ここでいう半金属とは、Ｓｉ，Ｂ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｆ，Ｔｅ，Ｓｅ等の元素をいう。吸着のための手段としては、例えば、蒸着法を利用すること等が簡便な例として示される。その後、基板を一定の温度に保つことにより、基板上に吸着原子による、もしくは吸着原子と前記基板に含まれる原子とによる、特殊な対称性を有する微細構造を自己組織的に生成させ、成長させる。基板を保持する温度および時間については、基板及び吸着させる元素の種類等によって異なるが、１００〜３００℃程度の温度で数分〜数時間程度保持する。
【００１０】
これによって基板上に生成される結晶は、基板の準周期構造の影響を受けて、必ず特殊な対称性を持った微細構造とされる。また、基板の準周期構造に存在する特殊な対称性にしたがって特定の方向に配向される。たとえば、準結晶には、正２０面体構造を持つものには局所的に５回対称構造が、１０角形構造を持つものには局所的に１０回対称構造が存在するため、これらを基板とする場合には、それぞれ、７２°（＝３６０°／５回），３６°（＝３６０°／１０回）といった、周期表面上では存在し得ない角度だけ異なった方位を持つ微細構造のみが生成されることになる。さらに、準結晶やその近似結晶の表面における局所的な５回あるいは１０回対称構造は、周期表面上では存在し得ない構造の形成の促進をもする。
【００１１】
より具体的に説明するために、Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶の準周期表面の構造を模式的に図１に示した。図１において、○はＡｌ原子を、●はＮｉまたはＣｏ原子を示している。
【００１２】
Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶は２次元結晶として知られ、図１のような準周期構造からなる面が周期的に積層しているのが特徴である。この面には、準周期構造に特有な５回対称性を持った構造が局所的に見られ、何らかの規則で配列しているようにもみえるが、決して周期的ではない。また、この５角形は上下反転した構造をも有するため、平均として１０回の対称性を持っていることになる。
【００１３】
このようなＡｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶面上に、吸着原子を成長させる様子を模式的に図２に示した。この場合、ｂｃｃ構造の（１１０）面に平行に成長する結晶を示している。図２において、×は吸着原子を示している。
【００１４】
Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準周期層に吸着された原子は、図に示したように、結晶の格子と基板の原子の並びがほぼ一致する場所、すなわち、格子整合領域を中心として結晶化する。しかも、基板が有する準周期構造ゆえに、成長する結晶面内の方位は、３６°ずつ異なる１０通りの方に限定される。このような核形成の中心は基板表面上に無数にあるため、微細構造は無数に形成される。すなわち、特殊な対称性を有するナノメーターサイズの微細な結晶構造が形成されるのである。
【００１５】
これにより、これまで得られなかった元素あるいは元素同士の組み合わせによる微細構造体や新規な材料の創製が可能となる。また、たとえば、成長する結晶面内で組成が連続的に変化する微細構造を作ることなども可能となる。これは、触媒や光学素子の組成を最適化する等のコンビナトリアルケミストリーの手法をナノサイズレベルで適用可能とするものである。
【００１６】
以下、添付した図面に沿って実施例を示し、この発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。
【００１７】
【実施例】
(実施例１)
２次元準結晶であるＡｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶の準周期表面を基板とし、その表面上にＡｕを厚さ０．２ｎｍに蒸着した後、１００〜３００℃で数分間保持する熱処理を施した。その結果、蒸着したＡｕと基板に含まれるＡｌとが相互拡散し、金属間化合物であるＡｕＡｌ2の微細構造からなる薄膜が自己組織的に生成されたことが確認された。
【００１８】
得られたＡｕＡｌ2薄膜のＸ線光電子回折（ＸＰＤ）像を図３に示した。図３（ａ）（ｂ）より、ＡｕＡｌ2薄膜における微細構造は、その成長場所によって、基板であるＡｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶の局所的１０回対称性に従い、３６°ずつ異なる１０通りの方位を持つことが確認された。
（実施例２）
３次元準結晶であるＡｌ−Ｐｄ−Ｍｎ準結晶の準周期表面を基板とし、その表面上にＡｕを厚さ０．２ｎｍに蒸着した後、１００〜３００℃で数分間保持する熱処理を施した。その結果、蒸着したＡｕと基板に含まれるＡｌとが相互拡散し、金属間化合物であるＡｕ-Ａｌ合金の微細構造からなる薄膜が自己組織的に生成されたことが確認された。
【００１９】
得られたＡｕ-Ａｌ合金薄膜のＸ線光電子回折（ＸＰＤ）像を図４に示した。図４（ａ）（ｂ）は結晶が示すことのない鋭い５回対称回折斑点を与えており、ＡｕＡｌ2薄膜における微細構造は、基板であるＡｌ−Ｐｄ−Ｍｎ準結晶と同じ２０面体対称性を持つものであることが確認された。また、このＡｕＡｌ2薄膜により、バルクでは存在しない新規な物質が創製された。
【００２０】
もちろん、この発明は以上の例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることは言うまでもない。
【００２１】
【発明の効果】
以上詳しく説明した通り、この発明によって、触媒や光学素子等の新素材の開発に有用で、新しい微細構造体を作製することができる新規な微細構造体の作製方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶の平面構造を模式的に示した図である。
【図２】Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶面上に吸着原子が成長する様子を例示した模式図である。
【図３】実施例において得られたＡｕＡｌ2薄膜のＸ線光電子回折（ＸＰＤ）像を例示した模式図である。
【図４】実施例において得られたＡｕ-Ａｌ合金薄膜のＸ線光電子回折（ＸＰＤ）像を例示した模式図である。
【発明の属する技術分野】
この出願の発明は、微細構造体の作製方法に関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、触媒や光学素子等の新素材の開発に有用で、新規な微細構造体を作製することができる新しい微細構造体の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】
従来より、材料表面にナノ構造体等の微細構造体を作り出す場合には、一般には、単結晶材料を基板として、その表面の周期的構造上に薄膜結晶を成長させ、エッチング等の手法で加工する方法等が利用されていた。
【０００３】
この出願の発明は、以上のような従来技術とは全く異なる観点から考えだされたものであり、触媒や光学素子等の新素材の開発に有用で、新規な微細構造体を作製することができる新しい微細構造体の作製方法を提供することを課題としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
そこで、この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、以下の通りの発明を提供する。
【０００５】
すなわち、まず第1には、この出願の発明は、準周期構造を有する基板の表面上に、１
種または２種以上の金属または半金属を蒸着させて１００〜３００℃の温度範囲に保つことにより、吸着原子による、もしくは吸着原子と前記基板に含まれる原子とによる、対称性を有する微細構造を生成させることを特徴とする微細構造体の作製方法を提供する。
【０００６】
そして第２には、この出願の発明は、上記第１の発明において、基板の表面が、準結晶の準周期構造およびその集合からなることを特徴とする微細構造の作製方法を、第３には、基板の表面が、準結晶もしくは準結晶の近似結晶における局所対称構造からなることを特徴とする微細構造の作製方法を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
この出願の発明は、上記の通りの特徴を持つものであるが、以下にその実施の形態について説明する。
【０００８】
まず、この出願の発明が提供する微細構造体の作製方法は、準周期構造を有する基板の表面上に、１種または２種以上の金属または半金属を蒸着させて１００〜３００℃の温度範囲に保つことにより、吸着原子による、もしくは吸着原子と前記基板に含まれる原子とによる、対称性を有する微細構造を生成させることを特徴としている。
【０００９】
この出願の発明において、準周期構造とは、以下のように定義することができる。
（１）準結晶の準周期構造
（２）欠陥を含むために全体としては完全な準周期ではないが、準周期構造の集合体とみなせるもの
（３）準結晶の近似結晶（結晶ではあるが準結晶に極めて近い構造を持つ物質）が有する構造であって、ひずみを与えられた準周期構造とみなせるもの
このような準周期構造を持つ材料としては、具体的には、Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ系，Ａｌ−Ｃｕ−Ｆｅ系，Ａｌ−Ｐｄ−Ｍｎ系，Ａｌ−Ｐｄ−ＲＥ（ＲＥ：希土類金属）系，Ｚｎ−Ｍｇ−ＲＥ系準結晶等を例示することができるが、もちろんこれに限定されることはない。準周期構造や、そこに含まれる５回あるいは１０回対称構造を材料の創製に積極的に利用することは、全く独創的な試みである。この出願の発明においては、この準周期構造を持つ材料を基板とし、その表面上に、１種あるいは２種以上の元素を吸着させる。吸着させる元素としては、実用性を考慮して、各種の金属や半金属元素から任意に選択することができる。ここでいう半金属とは、Ｓｉ，Ｂ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｆ，Ｔｅ，Ｓｅ等の元素をいう。吸着のための手段としては、例えば、蒸着法を利用すること等が簡便な例として示される。その後、基板を一定の温度に保つことにより、基板上に吸着原子による、もしくは吸着原子と前記基板に含まれる原子とによる、特殊な対称性を有する微細構造を自己組織的に生成させ、成長させる。基板を保持する温度および時間については、基板及び吸着させる元素の種類等によって異なるが、１００〜３００℃程度の温度で数分〜数時間程度保持する。
【００１０】
これによって基板上に生成される結晶は、基板の準周期構造の影響を受けて、必ず特殊な対称性を持った微細構造とされる。また、基板の準周期構造に存在する特殊な対称性にしたがって特定の方向に配向される。たとえば、準結晶には、正２０面体構造を持つものには局所的に５回対称構造が、１０角形構造を持つものには局所的に１０回対称構造が存在するため、これらを基板とする場合には、それぞれ、７２°（＝３６０°／５回），３６°（＝３６０°／１０回）といった、周期表面上では存在し得ない角度だけ異なった方位を持つ微細構造のみが生成されることになる。さらに、準結晶やその近似結晶の表面における局所的な５回あるいは１０回対称構造は、周期表面上では存在し得ない構造の形成の促進をもする。
【００１１】
より具体的に説明するために、Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶の準周期表面の構造を模式的に図１に示した。図１において、○はＡｌ原子を、●はＮｉまたはＣｏ原子を示している。
【００１２】
Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶は２次元結晶として知られ、図１のような準周期構造からなる面が周期的に積層しているのが特徴である。この面には、準周期構造に特有な５回対称性を持った構造が局所的に見られ、何らかの規則で配列しているようにもみえるが、決して周期的ではない。また、この５角形は上下反転した構造をも有するため、平均として１０回の対称性を持っていることになる。
【００１３】
このようなＡｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶面上に、吸着原子を成長させる様子を模式的に図２に示した。この場合、ｂｃｃ構造の（１１０）面に平行に成長する結晶を示している。図２において、×は吸着原子を示している。
【００１４】
Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準周期層に吸着された原子は、図に示したように、結晶の格子と基板の原子の並びがほぼ一致する場所、すなわち、格子整合領域を中心として結晶化する。しかも、基板が有する準周期構造ゆえに、成長する結晶面内の方位は、３６°ずつ異なる１０通りの方に限定される。このような核形成の中心は基板表面上に無数にあるため、微細構造は無数に形成される。すなわち、特殊な対称性を有するナノメーターサイズの微細な結晶構造が形成されるのである。
【００１５】
これにより、これまで得られなかった元素あるいは元素同士の組み合わせによる微細構造体や新規な材料の創製が可能となる。また、たとえば、成長する結晶面内で組成が連続的に変化する微細構造を作ることなども可能となる。これは、触媒や光学素子の組成を最適化する等のコンビナトリアルケミストリーの手法をナノサイズレベルで適用可能とするものである。
【００１６】
以下、添付した図面に沿って実施例を示し、この発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。
【００１７】
【実施例】
(実施例１)
２次元準結晶であるＡｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶の準周期表面を基板とし、その表面上にＡｕを厚さ０．２ｎｍに蒸着した後、１００〜３００℃で数分間保持する熱処理を施した。その結果、蒸着したＡｕと基板に含まれるＡｌとが相互拡散し、金属間化合物であるＡｕＡｌ2の微細構造からなる薄膜が自己組織的に生成されたことが確認された。
【００１８】
得られたＡｕＡｌ2薄膜のＸ線光電子回折（ＸＰＤ）像を図３に示した。図３（ａ）（ｂ）より、ＡｕＡｌ2薄膜における微細構造は、その成長場所によって、基板であるＡｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶の局所的１０回対称性に従い、３６°ずつ異なる１０通りの方位を持つことが確認された。
（実施例２）
３次元準結晶であるＡｌ−Ｐｄ−Ｍｎ準結晶の準周期表面を基板とし、その表面上にＡｕを厚さ０．２ｎｍに蒸着した後、１００〜３００℃で数分間保持する熱処理を施した。その結果、蒸着したＡｕと基板に含まれるＡｌとが相互拡散し、金属間化合物であるＡｕ-Ａｌ合金の微細構造からなる薄膜が自己組織的に生成されたことが確認された。
【００１９】
得られたＡｕ-Ａｌ合金薄膜のＸ線光電子回折（ＸＰＤ）像を図４に示した。図４（ａ）（ｂ）は結晶が示すことのない鋭い５回対称回折斑点を与えており、ＡｕＡｌ2薄膜における微細構造は、基板であるＡｌ−Ｐｄ−Ｍｎ準結晶と同じ２０面体対称性を持つものであることが確認された。また、このＡｕＡｌ2薄膜により、バルクでは存在しない新規な物質が創製された。
【００２０】
もちろん、この発明は以上の例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることは言うまでもない。
【００２１】
【発明の効果】
以上詳しく説明した通り、この発明によって、触媒や光学素子等の新素材の開発に有用で、新しい微細構造体を作製することができる新規な微細構造体の作製方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶の平面構造を模式的に示した図である。
【図２】Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ準結晶面上に吸着原子が成長する様子を例示した模式図である。
【図３】実施例において得られたＡｕＡｌ2薄膜のＸ線光電子回折（ＸＰＤ）像を例示した模式図である。
【図４】実施例において得られたＡｕ-Ａｌ合金薄膜のＸ線光電子回折（ＸＰＤ）像を例示した模式図である。
Claims (3)
- 準周期構造を有する基板の表面上に、１種または２種以上の金属または
半金属を蒸着させて１００〜３００℃の温度範囲に保つことにより、吸着原子による、もしくは吸着原子と前記基板に含まれる原子とによる、対称性を有する微細構造を生成させることを特徴とする微細構造体の作製方法。 - 基板の表面が、準結晶の準周期構造およびその集合からなることを特徴とする請求項１記載の微細構造体の作製方法。
- 基板の表面が、準結晶もしくは準結晶の近似結晶における局所対称構造からなることを特徴とする請求項１または２記載の微細構造体の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000269293A JP3914979B2 (ja) | 2000-09-05 | 2000-09-05 | 微細構造体の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000269293A JP3914979B2 (ja) | 2000-09-05 | 2000-09-05 | 微細構造体の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002069666A JP2002069666A (ja) | 2002-03-08 |
| JP3914979B2 true JP3914979B2 (ja) | 2007-05-16 |
Family
ID=18755931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000269293A Expired - Lifetime JP3914979B2 (ja) | 2000-09-05 | 2000-09-05 | 微細構造体の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3914979B2 (ja) |
-
2000
- 2000-09-05 JP JP2000269293A patent/JP3914979B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002069666A (ja) | 2002-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Den Broeder et al. | A comparison of the magnetic anisotropy of [001] and [111] oriented Co/Pd Multilayers | |
| JP2011102231A (ja) | 触媒合金を利用したグラフェンの製造方法 | |
| JP2020015977A (ja) | 原子層遷移金属ダイカルコゲナイドの直接パターン化成長方法 | |
| Hsu et al. | Nanostructures of Sn and their enhanced, shape‐dependent superconducting properties | |
| Liu et al. | The effect of temperature on Bi2Se3 nanostructures synthesized via chemical vapor deposition | |
| JPH07166380A (ja) | ダイヤモンド基体の整形方法 | |
| JP3914979B2 (ja) | 微細構造体の作製方法 | |
| JP4621899B2 (ja) | 磁気媒体 | |
| KR100422333B1 (ko) | 단결정 거대 입자로 구성된 금속 박막 제조 방법 및 그 금속 박막 | |
| CN101684568B (zh) | 外延成长方法 | |
| JP2021109358A (ja) | ナノワイヤ付きフィルム及びナノワイヤの製造方法 | |
| CN109652770B (zh) | 一种利用半导体基体来调控气相沉积金属薄膜织构的方法 | |
| WO2005022565A1 (ja) | ナノ粒子デバイス及びナノ粒子デバイスの製造方法 | |
| JPH02143510A (ja) | Ｆｅ―Ｃｏ系磁性膜の製造法 | |
| US20060280945A1 (en) | Method of synthesising a crystalline material and material thus obtained | |
| Yase et al. | Initial stage of epitaxial growth mechanism of cadmium arachidate prepared by physical vapour deposition on various substrates | |
| JP2003289005A (ja) | 高配向磁性薄膜の製造方法 | |
| JP3598360B2 (ja) | 磁性細線の製造方法 | |
| US5132247A (en) | Quantum effective device and process for its production | |
| Smerdon | The various modes of growth of metals on quasicrystals | |
| US20070161259A1 (en) | Two Dimensional Nanostructure Fabrication Method and Two Dimensional Nanostructure Fabricated Therefrom | |
| Suzuki et al. | Metal nanowhiskers synthesized by high-temperature glancing angle deposition | |
| JP2000150384A (ja) | 半導体微粒子集合体の製造方法およびそれを適用した半導体微粒子集合体 | |
| JPS61201693A (ja) | ダイヤモンドの製造方法 | |
| JP3559333B2 (ja) | 磁性多層膜およびその製造方法ならびに光磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040210 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040412 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070109 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3914979 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |