JPH07254768A - 回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板の厚みに左右されることなく直接静電潜
像に現像剤を現像し、転写工程によるパターンの乱れを
なくし、かつ高速のパターン形成を行う。 【構成】 絶縁性基板上の所望の部分に導電性粒子を供
給し、電路パターンを形成する回路基板の製造方法にお
いて、画像信号に応じて荷電粒子を制御電極により誘導
し、前記絶縁性基板表面上に前記パターンに相当する荷
電粒子像を形成する工程を具備する回路基板の製造方
法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は回路基板、特に半導体素
子やチップ部品などを搭載する微細な導体パターンを備
えた基板において、静電転写方式を用いて導体パターン
を形成した回路基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、プリント基板の電路形成方法とし
て、全面銅張り積層板の銅張り面にフォトレジストにて
電路パターンを形成し、電路パターン以外の銅張り層を
エッチングにて除去して電路を形成する方法が一般に用
いられていた。しかしながら、このような方法では、フ
ォトレジストの塗布あるいは、剥離などの工程が必要で
あり、工程が複雑になる欠点があった。また、エッチン
グにより除去された銅が無駄になる上、エッチング工程
における廃液処理の公害対策も必要となる問題点があっ
た。また、他の方法として、基板の表面に無電解銅浴薄
膜層を全面にわたって形成し、シルクスクリーン印刷等
によって電路パターン以外の部分に絶縁材より成るマス
ク塗料を被着し、電気銅メッキにて電路パターン部に所
定厚さの銅メッキを施して電路を形成する方法があっ
た。しかしながら、このような方法においても、マスク
塗料の塗布、剥離工程が必要であり、工程が複雑化する
上、しかも高価で製作が煩わしいシルクスクリーン印刷
用原版が必要であるという問題があった。

【０００３】このような状況を鑑みて提案されたマスク
を必要としないプリント基板の電路形成方法として、特
開昭５８−５７７８３に記載の方法がある。すなわち、
セレン薄膜の様な光導電性の表面に電路パターンの静電
潜像を光ビームなどを用いて形成し、静電潜像にパラジ
ウムのような無電解銅浴に対して活性な物質よりなるト
ナーを被着させてトナーパターンを形成し、上記トナー
パターンをプリプレグ層を有する基板に転写し、基板に
転写されたトナーパターン上に無電解銅浴にて所定厚さ
の銅メッキを施した後に、プリプレグ層を硬化するプリ
ント基板の電路パターン形成方法である。この方法は、
従来のように、フォトレジストを用いるプロセス特有の
塗布・剥離などの工程を必要とせず、エッチングなどの
工程がなくなるため、廃液処理施設などの公害対策も不
要となり、省資源、脱公害化が図れる。

【０００４】しかし、この方法においては、光導電性の
表面の静電潜像に被着されたトナーパターンをプリプレ
グ層へ転写する方法を取っているため、基板上にはプリ
プレグ層を設けることが望ましく、層の均一な塗布など
が必要である。また、近年の高密度実装基板では、積層
基板が要求されており、電路パターンの積層化等の場合
は、プリプレグ層をその都度塗布する必要があるため、
多層基板の作成には不向きであった。また、プリプレグ
層を塗布できないセラミック焼結基板のグリーンシート
などの電路パターン形成には適応できない等の問題があ
った。さらには、基板との密着性、プリプレグ層に使用
する樹脂の塗料化に用いられる溶媒の種類などから、基
板として利用できる材料が限定されるなどの問題があっ
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、基板上
に、形成した無電解銅浴に対して活性な物質からなるト
ナーを吸着させ、これに銅メッキを行うことにより電路
パターンを形成する方法においては、使用する装置に、
パターンの静電潜像を形成する光導電性表面層が設けら
れるため、この装置にさらに遮光手段を設ける必要があ
り、さらに、基板表面にトナーを受容するためのプリプ
レグ層を設ける必要があるために使用可能な回路基板材
料が限定され、また、原版を用いてスクリーン印刷する
ことにより電路パターンを形成する方法の場合には、マ
スク塗料の塗布、剥離工程が必要であり、工程が複雑化
し、さらにこのマスク自体が高価で製作が煩わしいなど
の問題があった。

【０００６】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、従来の回路基板の電路形成方法の問題点であ
った電路パターンの原版となる高価で製作の煩わしいマ
スクが不要で、回路パターンかつ、製造装置に特別な付
帯設備を必要とせず、さらには、回路基板に使用する基
板材料、および厚さ等に依存することなく電路パターン
を形成することが可能な回路基板の製造方法を提供する
ことを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の回路基板の製造
方法は、絶縁性基板上の所望の部分に導電性粒子を供給
し、電路パターンを形成する回路基板の製造方法におい
て、画像信号に応じて荷電粒子を制御電極により誘導
し、前記絶縁性基板表面上に前記パターンに相当する荷
電粒子像を形成する工程を具備することを特徴とする。

【０００８】荷電粒子としては、イオン発生源からのイ
オン、あるいは帯電された現像剤を用いることができ
る。

【０００９】荷電粒子がイオンである場合には、得られ
る荷電粒子像は、静電潜像を形成する。例えばイオン発
生源からのイオンを形成すべき画像パターンに対応した
画像信号に応じて制御する複数の貫通孔からなる制御電
極を用いて、イオンの通過量を制御し、絶縁性基板上に
直接静電潜像を形成することができる。

【００１０】得られた静電潜像を、現像工程に供するこ
とにより、絶縁性基板上に現像剤像を形成することがで
き、このとき現像剤として導電性粒子を用いることで電
路パターンが現像される。

【００１１】静電潜像はまた、絶縁性基板上ではなく中
間転写体上に形成することができる。この場合、中間転
写体上の静電潜像を現像工程に供することにより、この
中間転写体上に現像剤像を形成し、これを基板上に転写
することにより、基板上に現像剤像を形成することがで
きる。なお、この場合の中間転写体は、少なくとも像を
担持する面が絶縁性であり、その反対面に導電手段が設
けられているもので、感光体を用いる必要はない。

【００１２】また、荷電粒子が現像剤である場合には、
荷電粒子像は、現像剤像を形成する。たとえば現像剤担
持体上の帯電された現像剤にパルス電圧を印加して現像
剤を飛翔させ、飛翔した現像剤を貫通孔を有する制御電
極を用いて制御し、基板上に直接現像剤像を形成するこ
とができる。

【００１３】

【作用】本発明によれば、光導電性基材からなる静電潜
像保持体を必要としないので、静電潜像形成及び荷電粒
子の現像工程においても従来のように遮光する必要がな
い。このため、製造装置に特別な付帯設備を設ける必要
がない。また、光導電性基板は、光劣化、コロナイオン
による劣化などがあり、定期的な交換が必要であるが、
本発明の場合には、光導電性基板が不要なため、このよ
うなメンテナンスが不要となり、装置のランニングコス
トが低減できる。

【００１４】また、本発明によれば静電潜像あるいは現
像剤像を直接基板上に形成することが可能となる。この
場合、従来の静電潜像保持体上に形成された荷電粒子像
を基板に転写する工程が省略されるため、転写によるピ
ンホール、エッジの乱れ等の荷電粒子像の劣化がない。
また、静電潜像保持体を省略できるので装置を大幅に小
形化できる。

【００１５】回転ミラーでレーザービームを走査し、画
像データ信号に基づいて感光体上に静電潜像を形成する
従来の電子写真プロセスでは、回転ミラーの回転速度
は、画像密度、プロセススピードより決定され、回転ミ
ラーの面数、回転速度にも限界があり、高速のパターン
描画は、小形で安価な装置では実現できない問題があっ
たが、本発明はこの問題も解決し得る。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。

【００１７】図１は、本発明による回路基板の製造方法
の概略を示す構成図である。この装置では、まず絶縁性
基板１の移動方向に対して最も上流に位置する場所に表
面を一様に負極性に帯電するイオン発生器２を配置し、
絶縁性基板表面を−６００Ｖに一様に帯電する。

【００１８】次に、低電圧駆動が可能なイオン流制御ヘ
ッド３を用い、各記録ドット毎に制御された正極性のイ
オン流によって、絶縁性基板１表面に、反転した静電潜
像を形成する。その後負極性を有する接触現像を用い、
−３００Ｖの現像バイアス電圧で反転現像を行い荷電粒
子像を絶縁性基板１表面に形成する。この荷電粒子像は
ヒートローラ１１ａ，１１ｂにより絶縁性基板１上に定
着され固定される。このようなイオン流制御ヘッドを用
いる方法は、レーザープリンタのような回転光学系を使
用していないため、任意の信号に対応できること、接触
現像により現像される画像濃度は、主に、絶縁性基板表
面電位に依存し、絶縁性基板の移動速度に依存しないこ
と、転写工程が不要であるなどの利点がある。

【００１９】次に、本発明の回路基板の製造方法の要部
である基板上に静電潜像を形成するためのイオン発生及
びイオン流制御ヘッドについて図２を用いて概要を説明
する。以下の説明では絶縁性基板表面は負極性のイオン
で予備帯電され、その後イオン流制御ヘッドでイオンを
照射し、静電潜像を形成する場合を考える。図２（ａ）
に示すように、イオン流制御ヘッドは、セラミック基板
２０上に形成された厚さ数μｍ（２〜３μｍ）の誘導電
極２１と厚さ数１０μｍ（〜２０μｍ）程度の誘電層２
２、更に厚さ１０μｍ（〜１８μｍ）程度のイオン発生
電極、イオン発生電極と同電位の遮蔽電極（イオン発生
電極と遮蔽電極の間のスリット幅は約４０μｍ）とから
構成されるイオン発生器と、絶縁性基板の両面に形成さ
れた第１の制御電極２７と第２の制御電極２８とから構
成され、多数のイオン貫通孔が配設された制御基板３０
とを、スペーサ部材３１を介してこのイオン発生器２５
と制御基板３０を適当な距離（１００〜５００μｍ）だ
け離して、接着・一体化することで、イオン流制御ヘッ
ドが構成される。

【００２０】電路パターンなどが形成される回路基板１
は、導電性ベルトなどで搬送される絶縁性の基板かある
いは、裏面に導電性材料を設けた基板材料が使用され
る。ここで、図２（ａ）に示す基板材料１は、導電性基
板３２と絶縁性基板３３によって構成され、基板裏面に
配設される導電性材料は基準電極となっている。また、
第２制御電極２８は、導電性基板３２と同電位である。
第１制御電極２７は、非記録時には、第２制御電極２８
と同電位、記録時には第２制御電極２８に対して正の制
御電圧が印加されるように電気的なスイッチ素子３５で
制御される。また、スイッチ素子３５は、図２（ｂ）に
示されるような構成の画像信号回路に接続されており、
この画像信号回路から画像信号が送られる。

【００２１】イオン発生電極２３と遮蔽電極２４とは、
非記録時には第１制御電極２７に対して負のバイアス電
圧が、記録時には第１制御電極２７に対して正のバイア
ス電圧が与えられるように、電気的なスイッチ素子で制
御される。

【００２２】更に、誘導電極２１とイオン発生電極２３
及び遮蔽電極２４との間には記録時には交流電圧３９が
与えられるように、電気的なスイッチング回路４０で制
御される。誘電層２２は放電により周辺部４１の物性が
変わりやすいので、このように静電潜像形成時のみ交流
電圧を印加すると放電回数が最小限で済み、イオン発生
器のイオン発生効率の劣化を制御できる。

【００２３】このような記録装置で画点を記録する場合
には、図２に示すように、第１制御電極２７には制御電
圧、イオン発生電極２３と遮蔽電極２４には第１制御電
極２７に対して正のバイアス電圧、そしてイオン発生電
極２３及び遮蔽電極２４と誘導電極との間には交流電圧
が印加されている。誘電層２２を挟んでイオン発生電極
２３及び遮蔽電極２４と誘導電極２１との間に交流電圧
を印加することによって、これらの電極の周辺部４１で
コロナ放電が起こり、これによってイオンが発生する。
つまり、誘電層で絶縁された電極間の交流電圧を大きく
すると、周辺部４１の気体分子の電離が盛んに起こる。
すなわち、空気中には常に微量のイオンが存在している
が電界が大きくなるとこれらのイオンは加速されて、気
体分子と衝突しこれを電離する。この電離作用がある程
度以上大きくなると気体の絶縁性が失われてしまい放電
が起こる。この放電により周辺部の誘電体表面が荷電し
ていくため、やがて放電は止まる。

【００２４】一方逆の電界が作用したときにも同様なこ
とが起こる。今度は、誘電体表面が上記とは逆の極性の
イオンで荷電される。この繰り返しによって、周辺部に
は正負のイオンが発生する。発生するイオンの密度は、
交流電圧の大きさ、周波数に依存するが、従来のコロナ
チャージャとは比較できないほどの高密度のイオン電流
が発生する。本発明では、交流電源の電圧としては１〜
３ＫＶｐｐ、周波数は〜５０ＫＨｚとする。

【００２５】ここで第１制御電極には制御電圧として約
６０Ｖ、イオン発生電極２３には正のバイアス電圧とし
て約２４０Ｖが印加されているので、これらの電極間に
形成される電界Ｅ１によって正極性のイオンだけが第１
制御電極２７の側に移動する。次に、第１制御電極２７
と第２制御電極２８の間に加えられている約６０Ｖの制
御電圧によって形成される電界Ｅ２によって、この正極
性のイオンが多数のイオン貫通用の孔を通過することが
可能となる。更に予め負極性のイオン発生器によって絶
縁性基板表面が約−６００Ｖに一様に帯電されているの
で、この負極性のイオンによって形成される電界Ｅ３に
よって、イオン貫通用の孔を通過した正極性のイオン
は、絶縁性基板の方向に加速される。このようにして絶
縁性基板の表面に到達した正極性のイオンにより、静電
潜像が形成される。画点を記録しないときは、正極性の
イオンがイオン貫通孔を通過しないように画像信号回路
から送られる画像信号によってスイッチ素子の接点を２
側に切り替えて、第１制御電極２７と第２制御電極２８
を同電位にし電界をゼロに設定する。このようにするこ
とで、正極性のイオンの通過が遮断される。このように
イオン流の制御は、第１制御電極２７、第２制御電極２
８の間に印加される電圧をスイッチ素子３５でゼロと制
御電圧の間で切り替えることによって行われる。

【００２６】また、画点を記録しない場合には、第１制
御電極２７と第２制御電極２８を同電位にしておくだけ
では、微量ではあるがエネルギーの高いイオンがイオン
貫通用の孔を通過することがある。これを防ぐために、
画点を記録しないときには第２制御電極２８のほうが第
１制御電極２７より電位が高くなるように、第２制御電
極２８に５〜２０Ｖ程度の正極性の電位を与えておくと
良い。

【００２７】以上の様に絶縁性基板３３上に形成された
静電潜像を現像する現像装置として、接触一成分現像装
置１０を用いた。現像器１０において、１０ａはトナー
供給ローラ、１０ｂは、層規制ブレード、１０ｃは、現
像ローラ、１０ｄは、現像剤である。

【００２８】本実施例では、トナー供給ローラ１０ａ
は、導電化ポリウレタン多孔体から成るローラであり、
層規制ブレード１０ｂは、シリコーンゴムの成形体、現
像ローラ１０ｃは、導電性弾性を有するウレタンゴムロ
ーラの表面に導電性ウレタン塗料をディプ法により塗布
した２層構造のローラである。現像剤１０ｄとしては、
図６に示すように、ポリエステル樹脂１００を結着剤と
して用い、これに帯電極性が負極性となるように、カー
ボン、帯電制御剤等を内添したものを平均粒径１１μｍ
に粉砕、分級し、さらに、シリカを外添し、この表面
に、塩化パラジュームの溶液にてパラジューム微粒子１
０１を析出させたものを用いた。前記現像剤１０ｄを現
像器１０にて絶縁性基板３３上に形成された静電潜像を
現像し、電路パターンとなる現像剤像を熱ロール定着器
１１ａ，１１ｂにより絶縁性基板３３上に定着した。さ
らに、この絶縁性基板３３上の電路パターンの抵抗を低
減するため、基板をＣｕの無電解メッキ浴に浸漬し、Ｃ
ｕの金属層５が５μｍの厚さとなる様にメッキを析出さ
せた。形成された導体はパターン幅が５０μｍで、１６
０℃２時間のアニール工程を経た後のシート抵抗は３ｍ
Ω／□、導体の密着強度は引っ張り強度試験で５０ＭＰ
ａ以上であり、良好な導体パターンが得られた。

【００２９】図３は、本発明に係る回路基板の製造方法
の第２の実施例を説明する概略図である。図３におい
て、５０は絶縁性基板、５１は現像装置、５２は中間転
写体、５３はイオン流ヘッド、５４は、イオン流制御ヘ
ッド、５５はクリーニング装置、５６は転写ローラであ
る。

【００３０】本実施例が第１の実施例と異なるところ
は、中間転写体５２を設け、中間転写体上に形成された
現像剤を転写ローラにより、電界を加えて絶縁性基板上
に現像剤像を形成することである。中間転写体は、ポリ
エステルなどの絶縁性フィルムをアルミ製ドラム上に張
り付けた構造であり、絶縁製樹脂塗料を塗布した構造な
どでも良い。転写ローラは、導電性、弾性を有するポリ
ウレタン多孔体を用い、所定の電界が加わるよう、電圧
を印加した。このように構成された装置にて、前記実施
例と同様に、現像剤を絶縁性基板上に画像データに基づ
いて、電路パターンを現像剤として形成し、定着工程に
て、絶縁性基板上に固定し、さらに、この絶縁性基板３
３上の電路パターンの抵抗を低減するため、基板をＣｕ
の無電解メッキ浴に浸漬し、Ｃｕの金属層５が５μｍの
厚さとなる様にメッキを析出させた。形成された導体は
パターン幅が５０μｍで、１６０℃２時間のアニール工
程を経た後のシート抵抗は３ｍΩ／□、導体の密着強度
は引っ張り強度試験で５０ＭＰａ以上であり、良好な導
体パターンが得られた。

【００３１】図４は、本発明に係る回路基板の製造方法
の第３の実施例を説明する概略図である。図４におい
て、６０は絶縁性基板、６１は現像装置、６２は中間転
写体、６３はイオン流ヘッド、６４は、イオン流制御ヘ
ッド、６６は転写ローラである。本実施例が第２の実施
例と異なるところは、クリーニング装置を省略したこと
にある。中間転写体のクリーニング装置は、中間転写体
上に残留する転写残りの現像剤の除去にあり、転写効率
が極めて良好な場合には、クリーニング装置は不要にな
る。また、少量の現像剤が中間転写体上に残留する場合
は、現像装置に現像バイアス電位を適当に選ぶことで、
転写されなかった現像剤は、非画像部の場合、現像ロー
ラによって現像器に回収される。

【００３２】本実施例では、現像ローラに−５７０Ｖの
電圧を印加し、クリーニング装置を省略した。前記実施
例と同様に、現像剤を絶縁性基板上に画像データに基づ
いて、電路パターンを現像剤として形成し、定着工程に
て、絶縁性基板上に固定し、更に、この絶縁性基板３３
上の電路パターンの抵抗を低減するため、基板をＣｕの
無電解メッキ浴に浸漬し、Ｃｕの金属層５が５μｍの厚
さとなる様にメッキを析出させた。形成された導体はパ
ターン幅が５０μｍで、１６０℃２時間のアニール工程
を経た後のシート抵抗は３ｍΩ／□、導体の密着強度は
引っ張り強度試験で５０ＭＰａ以上であり、良好な導体
パターンが得られた。この時、非画像部にわずかに飛散
した現像剤により、絶縁性の低下が問題になるが、導体
パターン間の絶縁抵抗は１０¹⁵Ωであり、回路動作上問
題ないレベルであった。

【００３３】図５は本発明の実施例４に係わる集積化回
路基板の製造工程を模式的に示した図である。以下に詳
細を述べる。

【００３４】図５に示す様に、集積化回路基板の製造装
置は、絶縁性基板の搬送装置、現像装置、イオン発生ヘ
ッド、イオン流制御ヘッド、定着器から構成され、それ
ぞれの目的に合わせて、絶縁体（誘電体）、導体、抵抗
体、磁性体等を含有する現像剤を現像、積層して集積化
回路を形成する。同図で、７０は絶縁性基板、７１ａ，
７１ｂ，７１ｃは、現像器、７２ａ，７２ｂ，７２ｃは
イオン発生ヘッド、７３ａ，７３ｂ，７３ｃはイオン流
制御ヘッド、７４ａ，７４ｂは熱ロール定着である。本
実施例では、導体、絶縁体、導体のサンドイッチ構造を
有するキャパシタの製造プロセスを、図５を用いて説明
する。

【００３５】現像装置７１ａ，７１ｃはそれぞれ導体を
形成するための現像装置である。現像剤は、導電性微粒
子を含有する現像剤、もしくは図７（ａ）に示すよう
な、金属コア１１０を熱可塑性樹脂１１１などでコート
したものを用いる。また、現像装置７１ｂはキャパシタ
の誘電体層を形成するための現像装置である。現像剤と
しては、図７（ｂ）に示すようなコア１１０に誘電体材
料を用い、その外側を熱可塑性樹脂１１２で被覆した絶
縁性現像剤を用いる。

【００３６】本実施例では、導体用現像剤には、コア粒
子としてＡｇ粉末（直径１０μｍ程度、アスペクト比ａ
／ｂ＝５（最長方向の長さをａ、最小方向の長さをｂ）
のフレーク状）２２を用い、表面にポリエステル樹脂２
１を被覆する。ポリエステル樹脂には現像剤構造とし
て、静電転写パターンを形成するために現像剤の帯電量
を制御するため、あるいはパターン形成の確認を容易と
するため、電荷制御剤やカーボン粒子を混合してもよ
い。本樹脂の被覆にはそのように調整した平均粒径１μ
ｍ以下の樹脂粉末と金属コア粒子を重量比で１００：１
０に混合し、高速にて回転するローター中にて常温で混
合、融合させる。高速回転時の温度上昇にもより金属コ
ア粒子の表面に約１μｍのポリエステル樹脂被膜が形成
される。このポリエステル樹脂被覆現像剤は通常の現像
剤とほぼ同様のプロセスで転写、定着が可能であった。
また、誘電体用現像剤としては、軟化点が、前記導体用
現像剤の被覆に用いられたポリエステル樹脂よりも２０
℃程度高い樹脂に帯電制御剤を加え現像剤とした。

【００３７】誘電体用現像剤としては、メラミン樹脂や
ベンゾグアナミン樹脂の有機物微粒子或いはガラス、シ
リカの無機物微粒子や金属酸化物、金属窒化物の微粒子
にポリエステル樹脂やテフロン樹脂などの熱可塑性樹脂
をコートしたもの、或いはポリイミド樹脂やエポキシ樹
脂、ポリフェニレンエチレン樹脂などの熱硬化性樹脂を
コートし半硬化状態にしたものが挙げられる。トナー形
成はいずれも針状、板状、柱状などアスペクト比が２以
上のものである。また、２液混合のエポキシ樹脂を硬化
剤と主剤を別々にマイクロカプセル化し、定着時に硬化
反応を起こしてエポキシ樹脂の絶縁層を得ても良い。以
上のような現像剤をそれぞれの現像装置にて、絶縁性基
板上に、イオン発生ヘッド、イオン流制御ヘッドによ
り、キャパシタの形状に対応して画像信号を制御し、形
成された静電潜像を現像し、現像剤像を熱ロール定着器
にて固定することでキャパシタが形成できる。本実施例
では、キャパシタの製造プロセスについて説明したが、
現像剤を適宜変更することで、抵抗体、インダクタ等を
形成することも可能である。抵抗体トナーに関して例え
ば、ＮｉＣｒ合金の金属粉に接着用樹脂をコーティング
したものを用い、さらに高抵抗化を計る場合には、Ｔ
ａ，Ｎｂ，Ｃｒなどの金属粉をコーティングした接着用
樹脂にシリカの微粒子を均一に分散させたものを用いて
も良い。

【００３８】図８ないし１０は、本発明の実施例５に係
る集積回路基板の製造方法を示す模式図である。以下に
詳細を述べる。図８では、現像器８０を用いて、回路基
板上に形成する導体、誘導体、抵抗体などの構成要素に
対応した現像剤を現像剤担持体８１の表面に均一に薄層
を形成し、制御電極８３によって、基板材料８５上に電
路パターンに対応した電気信号に従って現像剤によるパ
ターンを形成するものである。続いて、図９を用いてそ
の詳細を説明する。図９において、現像剤８２は、現像
剤担持体表面に現像剤供給ローラ（図示せず）、層規制
ブレート（図示せず）などにより帯電、薄層化され、搬
送される。制御電極８３は、現像剤担持体側に形成され
た加速電極８３ａとその反対側に形成された個別電極８
３ｂから構成され、図１０（ａ）に示す貫通孔８４を通
して現像剤担持体上の現像剤の飛翔を制御する。現像剤
の飛翔は、図１０（ｂ）に示すような画像信号回路に接
続された個別電極用電源８７と、加速電極制御用電源８
６とによりパルス電圧を印加し、加速電極によって現像
剤担持体上の現像剤をスモーク状に舞い上げ、更に基板
方向に大きな電界を誘起するように、個別電極に電圧を
印加することにより行われる。

【００３９】回路基板としては、絶縁性基板の背面に導
電性基板を形成したものと、絶縁性基板のみの構成で、
プラテンなどの背面電極を設ける構成がある。本実施例
では、絶縁性基板の背面に導電性基板を接合した構成の
回路基板を用いた場合の集積化回路基板の製造方法を示
す。従って、回路基板８５は、導電性基板８５ｂ上に、
絶縁性基板８５ａを接合した構成となっており、より具
体的には、３５μｍの厚みの銅箔に厚さ１００μｍのポ
リイミドシートを接着した構造を採用した。

【００４０】以上のように構成された回路基板製造装置
により導体を形成したところ、導体としての特性は、前
記実施例と同様に、十分な性能が得られた。本実施例で
は導体の形成方法のみを示したが、前記実施例４に示す
ように、多重に現像剤を形成することが可能である。

【００４１】また、本発明においては、各実施例を拡大
し、これら形成装置を適宜組み合わせることにより、連
続的に絶縁体、導体、抵抗体、コンデンサ、インダクタ
の各回路要素膜を所望の領域に形成、積層し、最終的に
集積化回路基板を得ることが可能になる。

【００４２】なお、上述の実施例においては、荷電粒子
の制御を大気中で行なったが、荷電粒子を液体好ましく
は絶縁性の液体中に分散させて制御を行なうことも可能
である。

【００４３】

【発明の効果】本発明によれば、高価で製作の煩わしい
マスクが不要で、かつ光導電性基材などの静電潜像保持
体を必要とせず、静電潜像形成、現像工程あるいは現像
剤像の形成工程においても、従来のような遮光手段を必
要としない。このことから、装置に特別な付帯設備を省
き、製造装置を小形化することができる。また、光導電
性基板は、光劣化、コロナイオンによる劣化などがあ
り、定期的な交換が必要であるが、本発明の場合には、
光導電性基材が不要なため、このようなメンテナンスが
不要となり、装置のランニングコストが低減できる。ま
た、基板の材質や厚さに関係なく優れた画像が得られ
る。さらに、本発明によれば、回転ミラーでレーザービ
ームを走査し、画像データ信号に基づいて感光体上に静
電潜像を形成する従来の電子写真プロセスでは、回転ミ
ラーの回転速度は、画素密度、プロセススピードより決
定され、回転ミラーの面数、回転速度にも限界があり、
高速のパターン描画は、小形で安価な装置では実現でき
ないと言う従来技術の問題を回避できる。

【００４４】また、荷電粒子像を直接基板上に形成し、
転写工程を省くことも可能であるため、静電潜像保持体
上に形成された荷電粒子像を基板に転写する工程が省略
されるため、転写によるピンホール、エッジの乱れ等の
荷電粒子像の劣化を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る回路基板の製造方法の第１の例
を説明するための概略図。

【図２】 本発明に係る回路基板の製造方法の第１の例
の要部を説明するための概略図。

【図３】 本発明に係る回路基板の製造方法の第２の例
を説明するための概略図。

【図４】 本発明に係る第１の回路基板の製造方法の第
３の例を説明する概略図。

【図５】 本発明に係る第１の回路基板の製造方法の第
４の例を説明する断面図。

【図６】 本発明に係る回路基板の製造方法に用いられ
る現像剤の一例の構造を説明する断面図。

【図７】 本発明に係る回路基板の製造方法に用いられ
る現像剤の他の一例の構造を説明する断面図。

【図８】 本発明に係る回路基板の製造方法の第５の例
を説明する概略図。

【図９】 本発明に係る回路基板の製造方法の第５の例
を説明する概略図。

【図１０】 本発明に係る回路基板の製造方法の第５の
例を説明するための概略図。

【符号の説明】

１，５０，６０，７０…絶縁性基板 ２，５３，６３，７２ａ，７２ｂ，７２ｃ…イオン発生
ヘッド ３，５４，６４，７３ａ，７３ｂ，７３ｃ…イオン流制
御ヘッド １０，５１，６１，７１ａ，７１ｂ，７１ｃ…現像器

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性基板上の所望の部分に導電性粒子
   を供給し、電路パターンを形成する回路基板の製造方法
   において、画像信号に応じて荷電粒子を制御電極により
   誘導し、前記絶縁性基板表面上に前記パターンに相当す
   る荷電粒子像を形成する工程を具備することを特徴とす
   る回路基板の製造方法。