JPH07249578A - 有機金属気相成長方法 - Google Patents
有機金属気相成長方法Info
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- JPH07249578A JPH07249578A JP3819494A JP3819494A JPH07249578A JP H07249578 A JPH07249578 A JP H07249578A JP 3819494 A JP3819494 A JP 3819494A JP 3819494 A JP3819494 A JP 3819494A JP H07249578 A JPH07249578 A JP H07249578A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】本発明は残留酸素濃度の低い化合物半導体層を
製作することを目的とする。 【構成】ＭＯＣＶＤ法により薄膜成長させる際に、異な
る金属元素からなる有機金属化合物から構成される二量
体構造の有機金属原料を用いる。 【効果】気相中で安定なダイマー構造を形成しない有機
金属原料も、それと異なる金属元素を含み気相中で安定
なダイマー構造を形成している有機金属原料とは安定な
ダイマー構造を形成するため、成長層の残留酸素濃度の
低く、高品質の化合物半導体装置を再現性良く製作する
ことができる。
製作することを目的とする。 【構成】ＭＯＣＶＤ法により薄膜成長させる際に、異な
る金属元素からなる有機金属化合物から構成される二量
体構造の有機金属原料を用いる。 【効果】気相中で安定なダイマー構造を形成しない有機
金属原料も、それと異なる金属元素を含み気相中で安定
なダイマー構造を形成している有機金属原料とは安定な
ダイマー構造を形成するため、成長層の残留酸素濃度の
低く、高品質の化合物半導体装置を再現性良く製作する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機金属気相成長方法に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体層の成長方法は、有機金属
気相成長方法に代表されるように最近急激に技術的に進
歩した。上記成長方法に於いて、例えばＧａを含む層を
成長させる際、従来は有機金属原料としてＧａ（ＣＨ
3 ）3 （ＴＭＧ）やＧａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 （ＴＥＧ）が用
いられてきた。これらＧａを含んでいる有機金属化合物
は通常ダイマー状態が不安定で分解しやすく、モノマー
に分解した状態で利用される。同様なことは、Ａｌ（Ｃ
Ｈ3 ）3 （ＴＭＡ）を用いてＡｌを含む層を成長させる
際にもいえる。
気相成長方法に代表されるように最近急激に技術的に進
歩した。上記成長方法に於いて、例えばＧａを含む層を
成長させる際、従来は有機金属原料としてＧａ（ＣＨ
3 ）3 （ＴＭＧ）やＧａ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 （ＴＥＧ）が用
いられてきた。これらＧａを含んでいる有機金属化合物
は通常ダイマー状態が不安定で分解しやすく、モノマー
に分解した状態で利用される。同様なことは、Ａｌ（Ｃ
Ｈ3 ）3 （ＴＭＡ）を用いてＡｌを含む層を成長させる
際にもいえる。
【０００３】しかし、一般に、このモノマー状態の有機
金属化合物は酸素原子による影響を受けやすく、金属原
子と炭素原子の結合の間に酸素原子が入り込みやすい。
すると、金属原子と酸素原子の結合が切れないまま成長
膜中に取り込まれ、酸素原子による汚染が起こりやす
い。薄膜中の酸素原子は深いドナー準位をつくり発光効
率を下げるなど、素子特性の向上を妨げ、問題となって
いる。
金属化合物は酸素原子による影響を受けやすく、金属原
子と炭素原子の結合の間に酸素原子が入り込みやすい。
すると、金属原子と酸素原子の結合が切れないまま成長
膜中に取り込まれ、酸素原子による汚染が起こりやす
い。薄膜中の酸素原子は深いドナー準位をつくり発光効
率を下げるなど、素子特性の向上を妨げ、問題となって
いる。
【０００４】このように、気相中にモノマー状態又はモ
ノマーに分解しやすい状態で存在する有機金属化合物を
用いて薄膜を成長させる際、上記問題はデバイス製作上
極めて困った問題となって残っている。
ノマーに分解しやすい状態で存在する有機金属化合物を
用いて薄膜を成長させる際、上記問題はデバイス製作上
極めて困った問題となって残っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上述べてきたよう
に、従来の有機金属気相成長法は気相中にモノマー状態
で存在する有機金属化合物を用いて薄膜を成長させる
際、成長層への酸素原子の取り込みが問題となり、高性
能のデバイスが作製できないという問題があった。
に、従来の有機金属気相成長法は気相中にモノマー状態
で存在する有機金属化合物を用いて薄膜を成長させる
際、成長層への酸素原子の取り込みが問題となり、高性
能のデバイスが作製できないという問題があった。
【０００６】本発明は上記事情を鑑みなされたもので、
気相中ではモノマー状態で存在する、すなわち安定なダ
イマー構造を形成しない有機金属化合物を用いて薄膜を
成長させる際にも成長層の残留酸素濃度の低い化合物半
導体層を形成できる有機金属気相成長方法を提供するこ
とを目的とする。
気相中ではモノマー状態で存在する、すなわち安定なダ
イマー構造を形成しない有機金属化合物を用いて薄膜を
成長させる際にも成長層の残留酸素濃度の低い化合物半
導体層を形成できる有機金属気相成長方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するために本発明は、少なくとも第１の金属元素及び第
２の金属元素から構成される化合物半導体層を有機金属
原料を用いて気相成長させる有機金属気相成長方法にお
いて、前記有機金属原料が、前記第１の金属元素の有機
金属化合物と前記第２の金属元素の有機金属化合物から
構成される二量体構造の有機金属原料（以下、ダイマー
構造と称する）であることを特徴とする有機金属気相成
長方法（以下、ＭＯＣＶＤと称する）を提供するもので
ある。
するために本発明は、少なくとも第１の金属元素及び第
２の金属元素から構成される化合物半導体層を有機金属
原料を用いて気相成長させる有機金属気相成長方法にお
いて、前記有機金属原料が、前記第１の金属元素の有機
金属化合物と前記第２の金属元素の有機金属化合物から
構成される二量体構造の有機金属原料（以下、ダイマー
構造と称する）であることを特徴とする有機金属気相成
長方法（以下、ＭＯＣＶＤと称する）を提供するもので
ある。
【０００８】この種のダイマー構造の原料が比較的安定
であり、化合物半導体の成長基板上に輸送する過程にお
いても分解せずダイマー構造のまま成長表面での反応に
寄与することを確認した。従って、前者有機金属分子が
気相中にモノマー状態で存在する場合と比べて酸素原子
による汚染が少い膜を成長できた。
であり、化合物半導体の成長基板上に輸送する過程にお
いても分解せずダイマー構造のまま成長表面での反応に
寄与することを確認した。従って、前者有機金属分子が
気相中にモノマー状態で存在する場合と比べて酸素原子
による汚染が少い膜を成長できた。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明を実施例に沿って詳細に説明
する。図１は、本発明の実施例に用いられるＭＯＣＶＤ
装置を示す図である。図において、管状の反応容器１１
内に回転軸１２に支持されたグラファイト製サセプタ１
３が設置され、サセプタ１３上には単結晶ＧａＡｓ基板
１４が置かれている。サセプタ１３は高周波コイル１５
によって加熱され、基板１４を適当な温度に保持する。
キャリアガスはガスライン１８に供給されると共に、マ
スフローコントローラ２１、２２を介して恒温槽３１、
３２により所定の温度に保たれた有機金属原料を収容し
ているバブラー３５、３６にそれぞれ供給される。前記
バブラー３５、３６を通過したキャリアガスは、前記ガ
スライン１８を流れるキャリアガスと混合され、前記反
応容器１１の上部に設けられたガス導入口１６を介して
反応容器１１内に導入される。前記反応容器１１内のガ
スは、油回転ポンプ２０が連結されたガス排気管１７を
通して排気される。また、ガスライン１８にはＶ族原料
ガスがマスフローコントローラ２５を介して供給され
る。尚、図中１９はガスの供給・停止を切り替えるバル
ブである。
する。図１は、本発明の実施例に用いられるＭＯＣＶＤ
装置を示す図である。図において、管状の反応容器１１
内に回転軸１２に支持されたグラファイト製サセプタ１
３が設置され、サセプタ１３上には単結晶ＧａＡｓ基板
１４が置かれている。サセプタ１３は高周波コイル１５
によって加熱され、基板１４を適当な温度に保持する。
キャリアガスはガスライン１８に供給されると共に、マ
スフローコントローラ２１、２２を介して恒温槽３１、
３２により所定の温度に保たれた有機金属原料を収容し
ているバブラー３５、３６にそれぞれ供給される。前記
バブラー３５、３６を通過したキャリアガスは、前記ガ
スライン１８を流れるキャリアガスと混合され、前記反
応容器１１の上部に設けられたガス導入口１６を介して
反応容器１１内に導入される。前記反応容器１１内のガ
スは、油回転ポンプ２０が連結されたガス排気管１７を
通して排気される。また、ガスライン１８にはＶ族原料
ガスがマスフローコントローラ２５を介して供給され
る。尚、図中１９はガスの供給・停止を切り替えるバル
ブである。
【００１０】ここから先は、有機金属原料として、III
族原料にジメチルアルミニウムハイドライド（ＡｌＨ
（ＣＨ3 ）2 、ＤＭＡＨ）、及びＤＭＡＨとジメチルガ
リウムハイドライド（ＧａＨ（ＣＨ3 ）2 、ＤＭＧＨ）
が予めダイマーを形成した原料（以下、（ＤＭＡＨ）
（ＤＭＧＨ）と略す）を用い、またＶ族原料ガスとして
アルシンガス（ＡｓＨ3 ）をそれぞれ用いてＡｌＧａＡ
ｓ層を成長させる場合について説明する。
族原料にジメチルアルミニウムハイドライド（ＡｌＨ
（ＣＨ3 ）2 、ＤＭＡＨ）、及びＤＭＡＨとジメチルガ
リウムハイドライド（ＧａＨ（ＣＨ3 ）2 、ＤＭＧＨ）
が予めダイマーを形成した原料（以下、（ＤＭＡＨ）
（ＤＭＧＨ）と略す）を用い、またＶ族原料ガスとして
アルシンガス（ＡｓＨ3 ）をそれぞれ用いてＡｌＧａＡ
ｓ層を成長させる場合について説明する。
【００１１】ＤＭＡＨと（ＤＭＡＨ）（ＤＭＧＨ）は前
記バブラー３５、３６にそれぞれ収容されている。ここ
で、ＤＭＡＨはダイマーを形成している。また、ＤＭＡ
ＨとＤＭＧＨが予めダイマーを形成した状態の原料と
は、具体的には（ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 ）（ＧａＨ（ＣＨ
3 ）2 ）というダイマーを形成している原料のことを意
味している。通常、ＤＭＡＨはダイマーを形成している
が、ＤＭＧＨはモノマー状態で存在する。そのため、単
にＤＭＡＨとＤＭＧＨを混合したものでは、ＤＭＡＨダ
イマーとＤＭＧＨモノマーが混在する状態になってしま
う。しかしながら、ここではＤＭＧＨのほとんど全てが
ＤＭＡＨとダイマーを形成している状態になるように両
者を意図的に混合した原料を用いている。従って、ここ
で用いている有機金属化合物は、前記反応容器１１内に
導入される時点でともにダイマーを形成していることに
なる。このことは、上記各恒温槽３５、３６の後、前記
反応容器１１の上部に設けられたガス導入口１６の直前
にガスの質量分析器を設置することによって確認するこ
とができる。ここで使用したダイマーの一般式は、図２
で表される。ここで、Ｒ１〜Ｒ６はアルキル基またはＨ
であり、Ａ、Ｂは金属原子ここではIII 族金属原子であ
る。この実施例ではＲ１，Ｒ２，Ｒ５，Ｒ６がメチル基
であり、Ｒ３，Ｒ４はＨであり、またＡ，ＢはＡｌとＧ
ａである。
記バブラー３５、３６にそれぞれ収容されている。ここ
で、ＤＭＡＨはダイマーを形成している。また、ＤＭＡ
ＨとＤＭＧＨが予めダイマーを形成した状態の原料と
は、具体的には（ＡｌＨ（ＣＨ3 ）2 ）（ＧａＨ（ＣＨ
3 ）2 ）というダイマーを形成している原料のことを意
味している。通常、ＤＭＡＨはダイマーを形成している
が、ＤＭＧＨはモノマー状態で存在する。そのため、単
にＤＭＡＨとＤＭＧＨを混合したものでは、ＤＭＡＨダ
イマーとＤＭＧＨモノマーが混在する状態になってしま
う。しかしながら、ここではＤＭＧＨのほとんど全てが
ＤＭＡＨとダイマーを形成している状態になるように両
者を意図的に混合した原料を用いている。従って、ここ
で用いている有機金属化合物は、前記反応容器１１内に
導入される時点でともにダイマーを形成していることに
なる。このことは、上記各恒温槽３５、３６の後、前記
反応容器１１の上部に設けられたガス導入口１６の直前
にガスの質量分析器を設置することによって確認するこ
とができる。ここで使用したダイマーの一般式は、図２
で表される。ここで、Ｒ１〜Ｒ６はアルキル基またはＨ
であり、Ａ、Ｂは金属原子ここではIII 族金属原子であ
る。この実施例ではＲ１，Ｒ２，Ｒ５，Ｒ６がメチル基
であり、Ｒ３，Ｒ４はＨであり、またＡ，ＢはＡｌとＧ
ａである。
【００１２】このように構成された装置において、（Ｄ
ＭＡＨ）2 、（ＤＭＡＨ）（ＤＭＧＨ）の蒸気とＡｓＨ
3ガスが混合されたキャリアガスを前記反応容器１１内
に導入すると、基板１４上で熱分解が生じ、ＡｌＧａＡ
ｓ層が成長する。この時、ＡｌＧａＡｓ層のＡｌとＧａ
の比を所望の組成比にするには、（ＤＭＡＨ）2 と（Ｄ
ＭＡＨ）（ＤＭＧＨ）のモル比、つまりは各々のガス流
量比を調整してやれば良い。例えば、（ＤＭＡＨ）2 と
（ＤＭＡＨ）（ＤＭＧＨ）のモル比を１：１にすればＡ
ｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓ層が、また０：１にすればＡｌ0.5
Ｇａ0.5 Ａｓ層を成長させることができる。但し、ここ
で述べた原料を用いる場合にはＧａの方がＡｌより少い
組成のＡｌＧａＡｓ層を成長させるのに適している。
ＭＡＨ）2 、（ＤＭＡＨ）（ＤＭＧＨ）の蒸気とＡｓＨ
3ガスが混合されたキャリアガスを前記反応容器１１内
に導入すると、基板１４上で熱分解が生じ、ＡｌＧａＡ
ｓ層が成長する。この時、ＡｌＧａＡｓ層のＡｌとＧａ
の比を所望の組成比にするには、（ＤＭＡＨ）2 と（Ｄ
ＭＡＨ）（ＤＭＧＨ）のモル比、つまりは各々のガス流
量比を調整してやれば良い。例えば、（ＤＭＡＨ）2 と
（ＤＭＡＨ）（ＤＭＧＨ）のモル比を１：１にすればＡ
ｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓ層が、また０：１にすればＡｌ0.5
Ｇａ0.5 Ａｓ層を成長させることができる。但し、ここ
で述べた原料を用いる場合にはＧａの方がＡｌより少い
組成のＡｌＧａＡｓ層を成長させるのに適している。
【００１３】本実施例の方法を用いて、ＧａＡｓ基板上
に、基板温度６５０℃、反応容器内の圧力９ｋＰａで、
Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓ層を２５００ｎｍ厚成長させた。
その薄膜の残留酸素濃度をＳＩＭＳで測定した結果を図
３に示す。図３中の下のラインが本実施例の方法を用い
て成長させた薄膜中の測定結果である。上のラインは、
原料ガスとしてダイマーの（ＤＭＡＨ）2 とモノマーの
ＤＭＧＨを用いた従来法で成長させた時の同じ組成比の
薄膜を測定結果である。図３の測定結果から分かるよう
に、本実施例の方法を用いた方は従来法と比べて、薄膜
中の残留酸素濃度が２×１０17ｃｍ-3から３×１０16ｃ
ｍ-3まで一桁近く低くなっている。すなわち、本方法を
用いて成長させたＡｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓ層は薄膜中の残
留酸素原子が低く、高品質、高純度な成長層を再現性良
く得られた。
に、基板温度６５０℃、反応容器内の圧力９ｋＰａで、
Ａｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓ層を２５００ｎｍ厚成長させた。
その薄膜の残留酸素濃度をＳＩＭＳで測定した結果を図
３に示す。図３中の下のラインが本実施例の方法を用い
て成長させた薄膜中の測定結果である。上のラインは、
原料ガスとしてダイマーの（ＤＭＡＨ）2 とモノマーの
ＤＭＧＨを用いた従来法で成長させた時の同じ組成比の
薄膜を測定結果である。図３の測定結果から分かるよう
に、本実施例の方法を用いた方は従来法と比べて、薄膜
中の残留酸素濃度が２×１０17ｃｍ-3から３×１０16ｃ
ｍ-3まで一桁近く低くなっている。すなわち、本方法を
用いて成長させたＡｌ0.75Ｇａ0.25Ａｓ層は薄膜中の残
留酸素原子が低く、高品質、高純度な成長層を再現性良
く得られた。
【００１４】従って、気相中で安定なダイマー構造を形
成しない有機金属原料も異なった金属元素の有機原料と
ダイマー構造を形成するため、薄膜を成長させる際にも
成長層の残留酸素濃度の低い化合物半導体装置を製作す
ることが可能となる。
成しない有機金属原料も異なった金属元素の有機原料と
ダイマー構造を形成するため、薄膜を成長させる際にも
成長層の残留酸素濃度の低い化合物半導体装置を製作す
ることが可能となる。
【００１５】更に、この発明によれば、モノマー状態で
存在する有機金属分子が原料ガス中に存在しないため、
一般に結晶成長の再現性や品質の低下の原因となるＶ族
原料の分子とのアダクトが作られない。従って、再現性
良く高品質の化合物半導体装置を製作することが可能と
なる。
存在する有機金属分子が原料ガス中に存在しないため、
一般に結晶成長の再現性や品質の低下の原因となるＶ族
原料の分子とのアダクトが作られない。従って、再現性
良く高品質の化合物半導体装置を製作することが可能と
なる。
【００１６】以上述べたように、本発明によれば、ＭＯ
ＣＶＤ法により２種類以上の金属元素から構成される化
合物半導体の混晶層を薄膜成長させる際に、異なる金属
元素を含む有機金属化合物から構成される二量体（ダイ
マー）構造の有機原料を用いることにより、気相中で安
定なダイマー構造を形成しない有機金属原料も、それと
異なる金属元素を含み気相中で安定なダイマー構造を形
成している有機金属原料とダイマー構造を形成するた
め、成長層の残留酸素濃度の低い化合物半導体装置を製
作することができる。 （実施例２）以下の実施例が、実施例１と異なる点は、
成長させる化合物半導体層とこの化合物半導体層を成長
させるのに使用するダイマーが異なる点である。その他
は実施例１で使用した図１の装置を用い、キャリアガス
等の他に使用したガスも同様のものを使用したので詳し
い説明は省略する。
ＣＶＤ法により２種類以上の金属元素から構成される化
合物半導体の混晶層を薄膜成長させる際に、異なる金属
元素を含む有機金属化合物から構成される二量体（ダイ
マー）構造の有機原料を用いることにより、気相中で安
定なダイマー構造を形成しない有機金属原料も、それと
異なる金属元素を含み気相中で安定なダイマー構造を形
成している有機金属原料とダイマー構造を形成するた
め、成長層の残留酸素濃度の低い化合物半導体装置を製
作することができる。 （実施例２）以下の実施例が、実施例１と異なる点は、
成長させる化合物半導体層とこの化合物半導体層を成長
させるのに使用するダイマーが異なる点である。その他
は実施例１で使用した図１の装置を用い、キャリアガス
等の他に使用したガスも同様のものを使用したので詳し
い説明は省略する。
【００１７】まず、ＡｌＧａＰ層を成長させた。この場
合も有機金属原料のダイマーとしては（ＤＭＡＨ）（Ｄ
ＭＧＨ）を用いると共に、ＡｓＨ3 の代わりにＰＨ3 を
流してやることで、実施例１と同様な残留酸素濃度の低
いＡｌＧａＰ層を形成することができる。 （実施例３）ＡｌＩｎＡｓ層を成長させる場合は、異な
る金属を含むダイマー状の有機金属原料として（ＤＭＡ
Ｈ）（ＤＭＧＨ）の代わりにＤＭＡＨとジメチルインジ
ウムハイドライド（ＤＭＩＨ）のダイマー（（ＤＭＡ
Ｈ）（ＤＭＩＨ））を用いればよい。この材料系の場合
は、（ＤＭＡＨ）2 と同時に（ＤＭＩＨ）2 も用いるこ
とが可能である。こうすると、実施例１と同様な残留酸
素濃度の低いＡｌＩｎＡｓ層を形成することができるこ
とに加えてＩｎの方がＡｌより多い組成の薄膜も少い組
成の薄膜も成長させることが可能である。 （実施例４）ＩｎＧａＡｓ層を成長させる場合は原料と
して、ＤＭＡＨダイマーの代わりに、ＤＭＩＨダイマー
と、（ＤＭＩＨ）（ＤＭＧＨ）ダイマーを用いる。本実
施例では、形成条件をＧａＡｓ基板上の基板温度５８５
℃、反応容器内の圧力１０ｋＰａと変えて、Ｉｎ0.75Ｇ
ａ0.25Ａｓ層を２００ｎｍ成長させた場合も、従来法で
は３×１０17ｃｍ-3あった残留酸素濃度が４×１０16ｃ
ｍ-3に低くなった。 （実施例５）４元系として例えばＩｎＡｌＧａＡｓ層を
成長させる場合は図１の成長装置に（ＤＭＩＨ）2 また
は（ＤＭＩＨ）（ＤＭＧＨ）ダイマー用の恒温槽と配管
を余分に増やし、これらの原料を使用する。この場合に
も、実施例１と同様な残留酸素濃度の低いＩｎＡｌＧａ
Ａｓ層を形成することができる。
合も有機金属原料のダイマーとしては（ＤＭＡＨ）（Ｄ
ＭＧＨ）を用いると共に、ＡｓＨ3 の代わりにＰＨ3 を
流してやることで、実施例１と同様な残留酸素濃度の低
いＡｌＧａＰ層を形成することができる。 （実施例３）ＡｌＩｎＡｓ層を成長させる場合は、異な
る金属を含むダイマー状の有機金属原料として（ＤＭＡ
Ｈ）（ＤＭＧＨ）の代わりにＤＭＡＨとジメチルインジ
ウムハイドライド（ＤＭＩＨ）のダイマー（（ＤＭＡ
Ｈ）（ＤＭＩＨ））を用いればよい。この材料系の場合
は、（ＤＭＡＨ）2 と同時に（ＤＭＩＨ）2 も用いるこ
とが可能である。こうすると、実施例１と同様な残留酸
素濃度の低いＡｌＩｎＡｓ層を形成することができるこ
とに加えてＩｎの方がＡｌより多い組成の薄膜も少い組
成の薄膜も成長させることが可能である。 （実施例４）ＩｎＧａＡｓ層を成長させる場合は原料と
して、ＤＭＡＨダイマーの代わりに、ＤＭＩＨダイマー
と、（ＤＭＩＨ）（ＤＭＧＨ）ダイマーを用いる。本実
施例では、形成条件をＧａＡｓ基板上の基板温度５８５
℃、反応容器内の圧力１０ｋＰａと変えて、Ｉｎ0.75Ｇ
ａ0.25Ａｓ層を２００ｎｍ成長させた場合も、従来法で
は３×１０17ｃｍ-3あった残留酸素濃度が４×１０16ｃ
ｍ-3に低くなった。 （実施例５）４元系として例えばＩｎＡｌＧａＡｓ層を
成長させる場合は図１の成長装置に（ＤＭＩＨ）2 また
は（ＤＭＩＨ）（ＤＭＧＨ）ダイマー用の恒温槽と配管
を余分に増やし、これらの原料を使用する。この場合に
も、実施例１と同様な残留酸素濃度の低いＩｎＡｌＧａ
Ａｓ層を形成することができる。
【００１８】尚、以上の説明では、ＡｌやＧａ等の金属
原子に結合しているアルキル基はメチル基であったが、
もちろんエチル基やプロピル基等の他のアルキル基又は
Ｈであってもまったく構わない。また、ＡｌやＧａ等の
金属原子に結合しているアルキル基の全てが同じである
必要はなく、全てが異なっていても、一部が同じであっ
ても構わない。更に、各金属原子と結合するアルキル基
又はＨの数が異なっていても構わない。本発明は上記実
施例に限定されるものではなく、その主旨を逸脱しない
範囲で種々変形して実施することができる。
原子に結合しているアルキル基はメチル基であったが、
もちろんエチル基やプロピル基等の他のアルキル基又は
Ｈであってもまったく構わない。また、ＡｌやＧａ等の
金属原子に結合しているアルキル基の全てが同じである
必要はなく、全てが異なっていても、一部が同じであっ
ても構わない。更に、各金属原子と結合するアルキル基
又はＨの数が異なっていても構わない。本発明は上記実
施例に限定されるものではなく、その主旨を逸脱しない
範囲で種々変形して実施することができる。
【００１９】
【発明の効果】上記構成によって、一部にモノマー状態
の有機金属原料を使用する従来法と比較して残留酸素濃
度の低い化合物半導体層の形成が可能な有機金属気相成
長法を提供することができる。
の有機金属原料を使用する従来法と比較して残留酸素濃
度の低い化合物半導体層の形成が可能な有機金属気相成
長法を提供することができる。
【図１】本発明の実施例１に使用する装置の断面図
【図２】本発明の実施例１を説明する図
【図３】本発明の実施例１の効果を説明する図
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも第１の金属元素及び第２の金属
元素から構成される化合物半導体層を有機金属原料を用
いて気相成長させる有機金属気相成長方法において、前
記有機金属原料が、前記第１の金属元素の有機金属化合
物と前記第２の金属元素の有機金属化合物から構成され
る二量体構造の有機金属原料であることを特徴とする有
機金属気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3819494A JPH07249578A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 有機金属気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3819494A JPH07249578A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 有機金属気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249578A true JPH07249578A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=12518557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3819494A Pending JPH07249578A (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 有機金属気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249578A (ja) |
-
1994
- 1994-03-09 JP JP3819494A patent/JPH07249578A/ja active Pending
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