JPH07244824A - シールド型ｍｒヘッド - Google Patents
シールド型ｍｒヘッドInfo
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- JPH07244824A JPH07244824A JP5261394A JP5261394A JPH07244824A JP H07244824 A JPH07244824 A JP H07244824A JP 5261394 A JP5261394 A JP 5261394A JP 5261394 A JP5261394 A JP 5261394A JP H07244824 A JPH07244824 A JP H07244824A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】媒体の摺動による熱雑音の発生を抑制し、低域
周波数信号の記録再生に適し、さらに、製造及び加工が
簡単なシールド型ＭＲヘッドを提供する。 【構成】ＭＲ素子が絶縁層に埋設され、該絶縁層の両側
には磁気シールドが結合されいるシールド型ＭＲヘッド
において、前記ＭＲ素子が、磁気記録再生媒体の摺動す
る前記絶縁層の摺接面から、１〜５μｍ後退して埋設さ
れていることを特徴とする。
周波数信号の記録再生に適し、さらに、製造及び加工が
簡単なシールド型ＭＲヘッドを提供する。 【構成】ＭＲ素子が絶縁層に埋設され、該絶縁層の両側
には磁気シールドが結合されいるシールド型ＭＲヘッド
において、前記ＭＲ素子が、磁気記録再生媒体の摺動す
る前記絶縁層の摺接面から、１〜５μｍ後退して埋設さ
れていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体に信号を
記録、再生する装置におけるＭＲヘッド（磁気抵抗効果
型磁気ヘッド）に関する。
記録、再生する装置におけるＭＲヘッド（磁気抵抗効果
型磁気ヘッド）に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲヘッドは、磁気記録媒体に記録され
た信号磁界に対して、再生時にこの信号磁界の変化を抵
抗値の変化として検出し、外部からセンス電流をＭＲヘ
ッドに供給することにより、抵抗値の変化を出力信号電
圧として取り出している。
た信号磁界に対して、再生時にこの信号磁界の変化を抵
抗値の変化として検出し、外部からセンス電流をＭＲヘ
ッドに供給することにより、抵抗値の変化を出力信号電
圧として取り出している。
【０００３】ＭＲヘッドに用いられているＭＲ素子は、
再生出力が媒体の送り速度に依存せず、誘導型ヘッドに
比べて感度が高く、小型化が可能であるという利点があ
る。一方、媒体との摺動により、熱雑音が発生し、ある
いは、磁気媒体の鉄粉が塵埃としてＭＲヘッドに付着す
ることによって、Ｓ／Ｎ比の劣化を招いていた。
再生出力が媒体の送り速度に依存せず、誘導型ヘッドに
比べて感度が高く、小型化が可能であるという利点があ
る。一方、媒体との摺動により、熱雑音が発生し、ある
いは、磁気媒体の鉄粉が塵埃としてＭＲヘッドに付着す
ることによって、Ｓ／Ｎ比の劣化を招いていた。
【０００４】従来、コンピュータ用外部記憶装置におけ
る磁気テープの再生にＭＲヘッドが用いられている例が
あるが、記録媒体との摺動により発生する熱雑音の帯域
は数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚの範囲であるのに対して、コン
ピュータ用の記録再生信号の周波数は数百ｋＨｚ以上な
ので、熱雑音による影響は無視できた。
る磁気テープの再生にＭＲヘッドが用いられている例が
あるが、記録媒体との摺動により発生する熱雑音の帯域
は数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚの範囲であるのに対して、コン
ピュータ用の記録再生信号の周波数は数百ｋＨｚ以上な
ので、熱雑音による影響は無視できた。
【０００５】また、ハードディスク装置では、主に媒体
に対して非接触の浮上型ＭＲヘッドが利用されている。
浮上型ＭＲヘッドにおけるノイズ実効値の測定値とし
て、「ＭＲヘッドの再生特性」の研究報告（電子情報通
信学会における磁気記録研究会、１９８５年ー２８）が
開示されている。図１１（Ａ）に同報告書による浮上型
ＭＲヘッドの構成の略断面図を示し、図１１（Ｂ）にＭ
Ｒ素子のみを浮揚面からさらに後退させ、シールドをヨ
ーク型に構成した時のノイズ実効値の測定値を示す。同
報告書によれば、図１１（Ｂ）に示すように、ＭＲ素子
を浮揚面からさらに２０μｍ程度後退させた時にノイズ
実効値が最小になることが確認されている。そして、ヨ
ーク型のＭＲヘッドが、発熱による熱雑音を減少させる
のに有利であると記載されている。
に対して非接触の浮上型ＭＲヘッドが利用されている。
浮上型ＭＲヘッドにおけるノイズ実効値の測定値とし
て、「ＭＲヘッドの再生特性」の研究報告（電子情報通
信学会における磁気記録研究会、１９８５年ー２８）が
開示されている。図１１（Ａ）に同報告書による浮上型
ＭＲヘッドの構成の略断面図を示し、図１１（Ｂ）にＭ
Ｒ素子のみを浮揚面からさらに後退させ、シールドをヨ
ーク型に構成した時のノイズ実効値の測定値を示す。同
報告書によれば、図１１（Ｂ）に示すように、ＭＲ素子
を浮揚面からさらに２０μｍ程度後退させた時にノイズ
実効値が最小になることが確認されている。そして、ヨ
ーク型のＭＲヘッドが、発熱による熱雑音を減少させる
のに有利であると記載されている。
【０００６】また一方、微少な鉄粉の塵埃によって発生
するノイズ対策として、特開昭５５−４７２７号公報が
開示されている。同公報によれば、ＭＲ素子となる強磁
性体薄膜４、バイアス磁界用導体７及び磁気シールド層
２、８の露出面を所定の深さに除去することにより、あ
るいはこの除去部分に絶縁物を埋め込むことにより、強
磁性体薄膜４、バイアス磁界用導体７及び磁気シールド
層２、８が鉄粉により接触し、短絡されることに起因し
て発生するノイズを低減している。
するノイズ対策として、特開昭５５−４７２７号公報が
開示されている。同公報によれば、ＭＲ素子となる強磁
性体薄膜４、バイアス磁界用導体７及び磁気シールド層
２、８の露出面を所定の深さに除去することにより、あ
るいはこの除去部分に絶縁物を埋め込むことにより、強
磁性体薄膜４、バイアス磁界用導体７及び磁気シールド
層２、８が鉄粉により接触し、短絡されることに起因し
て発生するノイズを低減している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の研究報告書にお
いては、媒体と接触するタイプのシールド型ＭＲヘッド
については言及されておらず、また、同研究報告書に示
されるヨーク型のＭＲヘッドでは、磁束を引き込むため
に高透磁率の強磁性体を用いる必要があり製造コストが
上昇し、またヨークにより外形が大きくなり且つ構造が
複雑になる。またそのためウエハープロセスの工数が増
え、製造コストもさらに上昇してしまう。
いては、媒体と接触するタイプのシールド型ＭＲヘッド
については言及されておらず、また、同研究報告書に示
されるヨーク型のＭＲヘッドでは、磁束を引き込むため
に高透磁率の強磁性体を用いる必要があり製造コストが
上昇し、またヨークにより外形が大きくなり且つ構造が
複雑になる。またそのためウエハープロセスの工数が増
え、製造コストもさらに上昇してしまう。
【０００８】そして、上記公報による強磁性体薄膜４、
バイアス磁界用導体７及び磁気シールド層２、８の露出
面を所定の深さ除去するための製造工程は、まず、強磁
性体薄膜４、バイアス磁界用導体７及び磁気シールド層
２、８をエッチングによって所定の深さ除去し、除去し
た後に絶縁物を埋め込み、最後にヘッド摺接面を鏡面研
磨しているため、いずれも製造及び加工が複雑化すると
いう欠点を有している。
バイアス磁界用導体７及び磁気シールド層２、８の露出
面を所定の深さ除去するための製造工程は、まず、強磁
性体薄膜４、バイアス磁界用導体７及び磁気シールド層
２、８をエッチングによって所定の深さ除去し、除去し
た後に絶縁物を埋め込み、最後にヘッド摺接面を鏡面研
磨しているため、いずれも製造及び加工が複雑化すると
いう欠点を有している。
【０００９】したがって、本発明は、上記の従来技術の
欠点を有しない新規なＭＲヘッドを提供することを目的
とする。より詳しくは、本発明は、媒体の摺動による熱
雑音の発生を抑制し、低域周波数信号の記録再生に適
し、且つ、製造及び加工が簡単なシールド型ＭＲヘッド
を提供することを課題とする。さらに、本発明は、媒体
の摺動速度に対する雑音の依存性を本質上低減したＭＲ
ヘッドを提供することを課題とする。
欠点を有しない新規なＭＲヘッドを提供することを目的
とする。より詳しくは、本発明は、媒体の摺動による熱
雑音の発生を抑制し、低域周波数信号の記録再生に適
し、且つ、製造及び加工が簡単なシールド型ＭＲヘッド
を提供することを課題とする。さらに、本発明は、媒体
の摺動速度に対する雑音の依存性を本質上低減したＭＲ
ヘッドを提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ＭＲ素子が絶縁層に埋設され、該絶縁層
の両側には磁気シールドが結合されているシールド型Ｍ
Ｒヘッドにおいて、前記ＭＲ素子が、磁気記録再生媒体
の摺動する前記絶縁層の摺接面から、１〜５μｍ後退し
て埋設されていることを特徴とするシールド型ＭＲヘッ
ドを提供する。
に、本発明は、ＭＲ素子が絶縁層に埋設され、該絶縁層
の両側には磁気シールドが結合されているシールド型Ｍ
Ｒヘッドにおいて、前記ＭＲ素子が、磁気記録再生媒体
の摺動する前記絶縁層の摺接面から、１〜５μｍ後退し
て埋設されていることを特徴とするシールド型ＭＲヘッ
ドを提供する。
【００１１】そして、本発明のシールド型ＭＲヘッド
は、前記ＭＲ素子が、２つ平行に配設されているカップ
ル型とすることが好ましく、また、前記シールド型ＭＲ
ヘッドが、カメラのフィルムに形成された磁性体部分に
信号を記録し且つ再生することを特徴とするシールド型
ＭＲヘッドを提供する。
は、前記ＭＲ素子が、２つ平行に配設されているカップ
ル型とすることが好ましく、また、前記シールド型ＭＲ
ヘッドが、カメラのフィルムに形成された磁性体部分に
信号を記録し且つ再生することを特徴とするシールド型
ＭＲヘッドを提供する。
【００１２】さらに、本発明は、前記絶縁層内に、前記
摺接面を研磨するための基準線となるマーカ、前記ＭＲ
素子及び給電線が形成され、該マーカに基づいて前記絶
縁層及び前記磁気シールドの摺接面を同時に研磨するこ
とにより、前記ＭＲ素子が前記摺接面から所定寸法後退
して埋設される構造としたシールド型ＭＲヘッドを提供
する。
摺接面を研磨するための基準線となるマーカ、前記ＭＲ
素子及び給電線が形成され、該マーカに基づいて前記絶
縁層及び前記磁気シールドの摺接面を同時に研磨するこ
とにより、前記ＭＲ素子が前記摺接面から所定寸法後退
して埋設される構造としたシールド型ＭＲヘッドを提供
する。
【００１３】
【作用及び好適な実施の態様】本発明のシールド型ＭＲ
ヘッドにおいては、ＭＲ素子が媒体との摺接面から１〜
５μｍ後退して配設されている。１μｍ後退させること
により高出力及び高Ｓ／Ｎ比の信号を導出でき、５μｍ
が実用上差しつかえない範囲の後退距離である（請求項
１）。これにより、摺動による熱雑音を低減することが
でき、Ｓ／Ｎ比を向上することが可能になると共に、シ
ールド型ＭＲヘッドの利点を最大限に発揮させることが
できる。
ヘッドにおいては、ＭＲ素子が媒体との摺接面から１〜
５μｍ後退して配設されている。１μｍ後退させること
により高出力及び高Ｓ／Ｎ比の信号を導出でき、５μｍ
が実用上差しつかえない範囲の後退距離である（請求項
１）。これにより、摺動による熱雑音を低減することが
でき、Ｓ／Ｎ比を向上することが可能になると共に、シ
ールド型ＭＲヘッドの利点を最大限に発揮させることが
できる。
【００１４】そして、ＭＲ素子を２つ平行に配設したカ
ップル型にすることにより、同相ノイズを除去でき、さ
らにＳ／Ｎ比を向上させることが可能となる（請求項
２）。
ップル型にすることにより、同相ノイズを除去でき、さ
らにＳ／Ｎ比を向上させることが可能となる（請求項
２）。
【００１５】また、このシールド型ＭＲヘッドをカメラ
に用いることは、低速で送られるカメラのフィルムから
磁気信号を読み出すのに適している（請求項３）。さら
に、カメラフィルムの巻き上げ速度は、巻き上げ位置
（初期と末期）によっても異なり、バッテリーの充電状
態によっても異なるが、摺動速度に対するノイズの依存
性を本発明では実質的に低減したので、この意味でもカ
メラフィルム用に適している。また、カメラの現像ラボ
では高速で摺動させて読み取る方式の装置にかける場合
があり、この場合にも適合できる利点がある。
に用いることは、低速で送られるカメラのフィルムから
磁気信号を読み出すのに適している（請求項３）。さら
に、カメラフィルムの巻き上げ速度は、巻き上げ位置
（初期と末期）によっても異なり、バッテリーの充電状
態によっても異なるが、摺動速度に対するノイズの依存
性を本発明では実質的に低減したので、この意味でもカ
メラフィルム用に適している。また、カメラの現像ラボ
では高速で摺動させて読み取る方式の装置にかける場合
があり、この場合にも適合できる利点がある。
【００１６】さらに、絶縁層内に形成されたマーカに基
づいて、絶縁層及び磁気シールドの摺接面を同時に研磨
することによってＭＲ素子の後退距離が設定される構造
であるため、製造工程を単純化することができる（請求
項４）。
づいて、絶縁層及び磁気シールドの摺接面を同時に研磨
することによってＭＲ素子の後退距離が設定される構造
であるため、製造工程を単純化することができる（請求
項４）。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１８】図１は、本発明の第１の実施例のおけるカ
ップル型且つシールド型のＭＲヘッドの構成を示す拡大
断面図である。図２は、図１に係るＭＲヘッドの構成を
示す説明図である。２つのＭＲ素子１、１’が互いに平
行に配設され、ＭＲ素子１、１’の一端にパット２を介
して直流又は交流電圧が供給され、他端はパット２を介
してＧＮＤ電位に接続されている。ＭＲ素子１、１’及
びパット２は絶縁層３に包まれ、絶縁層３は例えばＳｉ
Ｏ2から形成されている。
ップル型且つシールド型のＭＲヘッドの構成を示す拡大
断面図である。図２は、図１に係るＭＲヘッドの構成を
示す説明図である。２つのＭＲ素子１、１’が互いに平
行に配設され、ＭＲ素子１、１’の一端にパット２を介
して直流又は交流電圧が供給され、他端はパット２を介
してＧＮＤ電位に接続されている。ＭＲ素子１、１’及
びパット２は絶縁層３に包まれ、絶縁層３は例えばＳｉ
Ｏ2から形成されている。
【００１９】絶縁層３の両側には、磁気シールドとして
例えば高透磁率の軟磁性材料、例えばソフトフェライト
部材４、４’が配設されている。絶縁層３とフェライト
部材４、４’の露出面はフィルム状ないしテープ状の磁
気媒体と摺接し、ＭＲ素子１、１’は摺接面７から１〜
５μｍ後退して配されている。
例えば高透磁率の軟磁性材料、例えばソフトフェライト
部材４、４’が配設されている。絶縁層３とフェライト
部材４、４’の露出面はフィルム状ないしテープ状の磁
気媒体と摺接し、ＭＲ素子１、１’は摺接面７から１〜
５μｍ後退して配されている。
【００２０】図３は、シールド型ＭＲヘッドを有してい
る磁気ヘッドを示す斜視図であり、図４は、図３のＡ−
Ａ線断面図である。一対のフェライト部材４、４’の間
にはギャップ層５が設けられ、ギャップ層５の中にＭＲ
素子１、１’及び絶縁層３が配設されている。
る磁気ヘッドを示す斜視図であり、図４は、図３のＡ−
Ａ線断面図である。一対のフェライト部材４、４’の間
にはギャップ層５が設けられ、ギャップ層５の中にＭＲ
素子１、１’及び絶縁層３が配設されている。
【００２１】一方のフェライト部材４には記録用コイル
６が巻かれ、コイル６の通電に応じてフェライト部材４
に記録用磁束が生じる。フェライト部材４、４’はケー
ス８に保持され、ＭＲ素子１、１’及び記録用コイル６
には信号線及び給電線として用いられるフレキシブル基
板９が接続されている。
６が巻かれ、コイル６の通電に応じてフェライト部材４
に記録用磁束が生じる。フェライト部材４、４’はケー
ス８に保持され、ＭＲ素子１、１’及び記録用コイル６
には信号線及び給電線として用いられるフレキシブル基
板９が接続されている。
【００２２】次に、本発明における動作について説明す
る。
る。
【００２３】図１及び図２において、フェライト部材
４、４’及び絶縁層３の摺接面７に媒体を摺動させ、フ
ェライト部材４、４’の間のギャップ層５に磁界を発生
させることによって媒体に信号が記録される。
４、４’及び絶縁層３の摺接面７に媒体を摺動させ、フ
ェライト部材４、４’の間のギャップ層５に磁界を発生
させることによって媒体に信号が記録される。
【００２４】再生は次のように行なわれる。まず、互い
に平行して配設されている２つのＭＲ素子１、１’の一
方のＭＲ素子１に直流又は交流のバイアス電流を流して
磁界を発生させ、他方のＭＲ素子１’にバイアス磁界を
与えておく。これは、最大出力が得られるよう又直線性
のよりよい点で作動するようにするためである。媒体が
摺接面７を摺動することにより、バイアス磁界が与えら
れているＭＲ素子１’が媒体から外部磁界を受け、ＭＲ
素子１’の抵抗値がこの外部磁界に応じて変化する。抵
抗値の変化はＭＲ素子１’に通電しているセンス電流に
より電圧値に変換され、再生出力電圧が得られる。
に平行して配設されている２つのＭＲ素子１、１’の一
方のＭＲ素子１に直流又は交流のバイアス電流を流して
磁界を発生させ、他方のＭＲ素子１’にバイアス磁界を
与えておく。これは、最大出力が得られるよう又直線性
のよりよい点で作動するようにするためである。媒体が
摺接面７を摺動することにより、バイアス磁界が与えら
れているＭＲ素子１’が媒体から外部磁界を受け、ＭＲ
素子１’の抵抗値がこの外部磁界に応じて変化する。抵
抗値の変化はＭＲ素子１’に通電しているセンス電流に
より電圧値に変換され、再生出力電圧が得られる。
【００２５】一般的に、ＭＲ素子１、１’には電流が流
されることによりジュール熱が発生し、媒体との摺動に
よる熱の変動に起因して抵抗値が変化し熱雑音が発生す
るが、本発明においては、ＭＲ素子１、１’を媒体との
摺接面７から所定の寸法後退させて配設しているため、
熱の変動を抑制することができ、熱雑音及びＭＲ素子
１、１’の機械的歪みによる雑音を低減することができ
る。
されることによりジュール熱が発生し、媒体との摺動に
よる熱の変動に起因して抵抗値が変化し熱雑音が発生す
るが、本発明においては、ＭＲ素子１、１’を媒体との
摺接面７から所定の寸法後退させて配設しているため、
熱の変動を抑制することができ、熱雑音及びＭＲ素子
１、１’の機械的歪みによる雑音を低減することができ
る。
【００２６】図８及び図９は、本発明におけるカップル
型且つシールド型ＭＲヘッドの特性を示すグラフであ
る。後退量が２μｍの時に出力電圧は最大約０.９ｍＶ
あり、Ｓ／Ｎ比は最大約４７ｄＢである。後退量が３.
５μｍの時には出力電圧は最大約０.４５ｍＶあり、Ｓ
／Ｎ比は最大約４４ｄＢである。後退量が４μｍの時に
は出力電圧は最大約０.３ｍＶになり、Ｓ／Ｎ比は最大
約４１ｄＢとなる。なお、ＭＲ素子を後退させない時の
Ｓ／Ｎ比は２０数ｄＢであった。
型且つシールド型ＭＲヘッドの特性を示すグラフであ
る。後退量が２μｍの時に出力電圧は最大約０.９ｍＶ
あり、Ｓ／Ｎ比は最大約４７ｄＢである。後退量が３.
５μｍの時には出力電圧は最大約０.４５ｍＶあり、Ｓ
／Ｎ比は最大約４４ｄＢである。後退量が４μｍの時に
は出力電圧は最大約０.３ｍＶになり、Ｓ／Ｎ比は最大
約４１ｄＢとなる。なお、ＭＲ素子を後退させない時の
Ｓ／Ｎ比は２０数ｄＢであった。
【００２７】グラフには２〜４μｍの値のみ示している
が、記録媒体に記録された磁気信号を読み出すには１〜
５μｍ後退していても実用上差しつかえない。また、特
に、高Ｓ／Ｎ比の信号を得て信号増幅回路を簡略化する
ためには、出力電圧及びＳ／Ｎ比の高い１〜３μｍが適
している。
が、記録媒体に記録された磁気信号を読み出すには１〜
５μｍ後退していても実用上差しつかえない。また、特
に、高Ｓ／Ｎ比の信号を得て信号増幅回路を簡略化する
ためには、出力電圧及びＳ／Ｎ比の高い１〜３μｍが適
している。
【００２８】本発明におけるシールド型ＭＲヘッドの製
造方法は次のようになる。ＭＲ素子１、１’、パッド２
及びディプスマーカを絶縁層３の基板上に真空蒸着又は
スパッタにより形成し、そして、この絶縁層３をフェラ
イト部材４に埋め込み、最後にディプスマーカに基づい
て、ＭＲ素子１、１’が摺接面７から数μｍ後退して配
設されるよう絶縁層３及びフェライト部材４を研磨して
いる。ディプスマーカは、研磨の工程によって削られて
消滅するように形成してもよいし、またディプスマーカ
のところまで研磨するように形成することもできる。こ
のように、本発明におけるシールド型ＭＲヘッドは簡単
な製造及び加工によりＭＲ素子１、１’を摺接面７から
数μｍ後退させることができる。
造方法は次のようになる。ＭＲ素子１、１’、パッド２
及びディプスマーカを絶縁層３の基板上に真空蒸着又は
スパッタにより形成し、そして、この絶縁層３をフェラ
イト部材４に埋め込み、最後にディプスマーカに基づい
て、ＭＲ素子１、１’が摺接面７から数μｍ後退して配
設されるよう絶縁層３及びフェライト部材４を研磨して
いる。ディプスマーカは、研磨の工程によって削られて
消滅するように形成してもよいし、またディプスマーカ
のところまで研磨するように形成することもできる。こ
のように、本発明におけるシールド型ＭＲヘッドは簡単
な製造及び加工によりＭＲ素子１、１’を摺接面７から
数μｍ後退させることができる。
【００２９】図５、図６は、本発明における第２の実施
例であり、ＭＲ素子１をバイアス線１０と共に形成した
非カップル型のシールド型ＭＲヘッドの構成を示す断面
図と説明図である。第１実施例と同一の要素には同一の
参照番号を付す。図５、図６において、ＭＲ素子１及び
バイアス線１０のそれぞれの中央部と両端部からパット
２を導出し、中央部をＧＮＤ電位にして両端部から直流
電圧を印加している。
例であり、ＭＲ素子１をバイアス線１０と共に形成した
非カップル型のシールド型ＭＲヘッドの構成を示す断面
図と説明図である。第１実施例と同一の要素には同一の
参照番号を付す。図５、図６において、ＭＲ素子１及び
バイアス線１０のそれぞれの中央部と両端部からパット
２を導出し、中央部をＧＮＤ電位にして両端部から直流
電圧を印加している。
【００３０】バイアス線１０によりＭＲ素子１にバイア
ス磁界が加わり、第１の実施例と同様に、媒体の摺動に
よってＭＲ素子１が外部磁界を受けＭＲ素子１の抵抗値
が変化し、出力電圧が取り出される。図１及び図２と同
様にＭＲ素子１は摺接面７から１〜５μｍ後退して配さ
れているので、熱雑音及び機会的歪みを低減することが
できる。
ス磁界が加わり、第１の実施例と同様に、媒体の摺動に
よってＭＲ素子１が外部磁界を受けＭＲ素子１の抵抗値
が変化し、出力電圧が取り出される。図１及び図２と同
様にＭＲ素子１は摺接面７から１〜５μｍ後退して配さ
れているので、熱雑音及び機会的歪みを低減することが
できる。
【００３１】図１０は、本発明における非カップル型の
シールド型ＭＲヘッドの特性を示すグラフである。後退
量が２μｍの時にＳ／Ｎ比は最大約４２ｄＢあり、後退
量が４μｍの時にはＳ／Ｎ比は最大約３４ｄＢである。
素子の長さの短い分、また同相ノイズを完全に除去でき
ない分Ｓ／Ｎ比が低い値となっている。
シールド型ＭＲヘッドの特性を示すグラフである。後退
量が２μｍの時にＳ／Ｎ比は最大約４２ｄＢあり、後退
量が４μｍの時にはＳ／Ｎ比は最大約３４ｄＢである。
素子の長さの短い分、また同相ノイズを完全に除去でき
ない分Ｓ／Ｎ比が低い値となっている。
【００３２】図７は、本発明のシールド型ＭＲヘッドが
備えられたカメラあるいはスライド映写機を示すブロッ
ク図である。ＭＲヘッドは、媒体速度に依存せずに高再
生出力が得られるため、カメラフィルムのコマ送り時の
再生信号検出に適している。同図では、フィルム１３に
２トラック分の磁性体が形成され、ＭＲヘッド１１によ
り、日付、場所等のデータが記録再生される。
備えられたカメラあるいはスライド映写機を示すブロッ
ク図である。ＭＲヘッドは、媒体速度に依存せずに高再
生出力が得られるため、カメラフィルムのコマ送り時の
再生信号検出に適している。同図では、フィルム１３に
２トラック分の磁性体が形成され、ＭＲヘッド１１によ
り、日付、場所等のデータが記録再生される。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のシールド
型ＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子が媒体との摺接面か
ら１〜５μｍ後退して配設されていることにより、摺動
時に発生する熱及び機械的歪みによる雑音を低減するこ
とができ、低周波信号の記録再生においてＳ／Ｎ比を向
上させることが可能となる（請求項１）。
型ＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子が媒体との摺接面か
ら１〜５μｍ後退して配設されていることにより、摺動
時に発生する熱及び機械的歪みによる雑音を低減するこ
とができ、低周波信号の記録再生においてＳ／Ｎ比を向
上させることが可能となる（請求項１）。
【００３４】そして、ＭＲ素子をカップル型にすること
により、同相ノイズを除去でき、さらにＳ／Ｎ比を向上
させることが可能となる（請求項２）。また、このシー
ルド型ＭＲヘッドをカメラに用いることにより、カメラ
フィルムの送り速度に依存することなくカメラフィルム
に形成された磁気媒体から信号を読み出すことができ、
さらに、誘導型ヘッドを用いることと比較してカメラの
小型化を達成することができる（請求項３）。
により、同相ノイズを除去でき、さらにＳ／Ｎ比を向上
させることが可能となる（請求項２）。また、このシー
ルド型ＭＲヘッドをカメラに用いることにより、カメラ
フィルムの送り速度に依存することなくカメラフィルム
に形成された磁気媒体から信号を読み出すことができ、
さらに、誘導型ヘッドを用いることと比較してカメラの
小型化を達成することができる（請求項３）。
【００３５】また、摺接面を研磨することによりＭＲ素
子の後退距離が設定される構造であるので、製造工程が
単純化されるという利点を有する（請求項４）。さら
に、ＭＲ素子の腐食を防止することができ、信頼性が向
上するという効果を有する。
子の後退距離が設定される構造であるので、製造工程が
単純化されるという利点を有する（請求項４）。さら
に、ＭＲ素子の腐食を防止することができ、信頼性が向
上するという効果を有する。
【図１】本発明の第１実施例における、カップル型のシ
ールド型ＭＲヘッドの構成を示す断面図である。
ールド型ＭＲヘッドの構成を示す断面図である。
【図２】図１のカップル型のシールド型ＭＲヘッドの構
成を示す説明図である。
成を示す説明図である。
【図３】シールド型ＭＲヘッドの斜視図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】本発明の第２実施例における、非カップル型の
シールド型ＭＲヘッドの構成を示す断面図である。
シールド型ＭＲヘッドの構成を示す断面図である。
【図６】図５の非カップル型のシールド型ＭＲヘッドの
構成を示す説明図である。
構成を示す説明図である。
【図７】本発明のシールド型ＭＲヘッドが備えられてい
る装置のブロック図である。
る装置のブロック図である。
【図８】本発明におけるカップル型のシールド型ＭＲヘ
ッドの出力電圧特性を示すグラフである。
ッドの出力電圧特性を示すグラフである。
【図９】本発明におけるカップル型のシールド型ＭＲヘ
ッドのＳ／Ｎ比特性を示すグラフである。
ッドのＳ／Ｎ比特性を示すグラフである。
【図１０】本発明における非カップル型のシールド型Ｍ
ＲヘッドのＳ／Ｎ比特性を示すグラフである。
ＲヘッドのＳ／Ｎ比特性を示すグラフである。
【図１１】（Ａ）は、従来例による浮上型ＭＲヘッドの
構成を示す略断面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＭＲ素
子を浮揚面から後退させ、シールドをヨーク形状にした
時のノイズ実効値の測定値を示すグラフである。
構成を示す略断面図である。（Ｂ）は、（Ａ）のＭＲ素
子を浮揚面から後退させ、シールドをヨーク形状にした
時のノイズ実効値の測定値を示すグラフである。
１、１’ＭＲ素子 ２ パット ３ 絶縁層 ４、４’フェライト部材（磁気シールド） ７ 摺接面 １０ バイアス線
Claims (4)
- 【請求項１】ＭＲ素子が絶縁層に埋設され、該絶縁層の
両側には磁気シールドが結合されているシールド型ＭＲ
ヘッドにおいて、 前記ＭＲ素子が、磁気記録再生媒体の摺動する前記絶縁
層の摺接面から、１〜５μｍ後退して埋設されているこ
とを特徴とするシールド型ＭＲヘッド。 - 【請求項２】前記ＭＲ素子が、２つ平行に配設されてい
るカップル型であることを特徴とする請求項１記載のシ
ールド型ＭＲヘッド。 - 【請求項３】前記シールド型ＭＲヘッドが、カメラのフ
ィルムに形成された磁性体部分に信号を記録し且つ再生
することを特徴とする請求項１又は２に記載のシールド
型ＭＲヘッド。 - 【請求項４】前記絶縁層内に、前記摺接面を研磨するた
めの基準線となるマーカ、前記ＭＲ素子及び給電線が形
成され、該マーカに基づいて前記絶縁層及び前記磁気シ
ールドの摺接面を同時に研磨することにより、前記ＭＲ
素子が前記摺接面から前記所定寸法後退して埋設される
構造であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１
項に記載のシールド型ＭＲヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5261394A JPH07244824A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | シールド型ｍｒヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5261394A JPH07244824A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | シールド型ｍｒヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07244824A true JPH07244824A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12919656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5261394A Withdrawn JPH07244824A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | シールド型ｍｒヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07244824A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013062002A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Toshiba Corp | スピントルク発振素子再生ヘッド及び磁気記録再生装置 |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP5261394A patent/JPH07244824A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013062002A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Toshiba Corp | スピントルク発振素子再生ヘッド及び磁気記録再生装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |