JPH07243050A - 無電解めっき装置 - Google Patents

無電解めっき装置

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JPH07243050A
JPH07243050A JP5449194A JP5449194A JPH07243050A JP H07243050 A JPH07243050 A JP H07243050A JP 5449194 A JP5449194 A JP 5449194A JP 5449194 A JP5449194 A JP 5449194A JP H07243050 A JPH07243050 A JP H07243050A
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JP
Japan
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plating
substrate
plated
plating solution
jig
Prior art date
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Withdrawn
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JP5449194A
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English (en)
Inventor
Akira Nakabayashi
明 中林
Sumimasa Isobe
純正 礒部
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Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高度の平面性および高度の平滑性を有するめ
っき面を形成することができる無電解めっき装置を提供
する。 【構成】 めっき槽2に貯留したNi−Pめっき液1中
に、Znで被覆したAl製の基板3を治具4により保持
する。治具4に保持された基板3を、めっき液1中で運
動機構5,6,7,8により、自転および公転させる。
このとき、摺動材9を基板3のめっき面に接触させる。
摺動材9は、基板3に無電解めっきされるNi−Pの硬
さより軟らかく、かつ、基板3としてのハードディスク
の磁気ディスクのめっき面に要求されている平均表面粗
さ(Ra)より小さい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は無電解めっき装置、例え
ばハードディスク装置の磁気ディスクの基板に金属を無
電解めっきするための無電解めっき装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ハードディスク装置は、磁気ディスクに
対し磁気ヘッドによって情報を読み書きするものであ
る。この磁気ディスクは、金属製、ガラス製あるいはセ
ラミックス製の基板の表面に下地処理を施した後、磁性
材料を付着したものである。下地処理の一例として、充
分な加工硬度を有し、耐熱非磁性安定性に優れた無電解
Ni−P(ニッケル・リン)めっきが挙げられる。情報
の読み書きの高速化のため、この基板のめっき面には、
高度の平面性および高度の平滑性が要求されている。具
体的に示すと、このめっき面の平均表面粗さ(Ra)
は、0.005nm以下のものが要求されている。ここ
で、平均表面粗さ(Ra)とは、表面起伏の平均から起
伏曲線までの偏差の絶対値の平均を表したものである。
【0003】このような無電解めっきを行うための装置
としては、従来、めっき槽のNi−Pめっき液中に、治
具で基板を保持し、基板をめっき液中に浸積させたまま
回転させる装置が知られていた。詳しくは、基板が嵌着
された軸状の治具を、歯車状の回転板に支持させ、回転
板をモータにより回転させる構成である。よって、基板
は治具に保持されてその軸線を中心に回転する(基板の
自転)とともに、回転板を回転させてその回転軸を中心
に治具を回転(基板の公転)させることができる。この
結果、従来装置では、Ni−Pめっき液中での基板の浸
積位置によるめっき状態の乱れを平均化しためっき面を
得ようとするものであった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな無電解めっき装置にあっては、めっきの過程で、ノ
ジュールと呼ばれるNi−Pの小突起がめっき面の全体
にわたって発生していた。この小突起の高さは、めっき
膜厚にもよるが、通常4〜5μmにも達している。よっ
て、このめっき面を磁気ディスクに要求されている平均
表面粗さに整面するためには、めっき面を1μm以上研
磨(ポリッシング)する必要があった。しかし、研磨量
が多くなると、研磨面の端部において研磨ダレが生じ、
研磨面の端部が変形し、磁気ディスクの平面度を損ねる
こともあった。
【0005】
【課題解決のための知見】そこで、本発明者は、Ni−
Pの小突起の発生原因を研究したところ、Ni−Pの成
長を促進させる析出核は酸化還元反応の核であり、めっ
き面に強固に付着されてはいない。このため、めっき液
中にて特定の摺動材をめっき面に接触させることによ
り、小突起は除去され得るという知見を得た。すなわ
ち、めっき液中のめっき面は活性化状態にある。この活
性化状態のめっき面に特定の摺動材を接触させると、め
っき面の活性化状態が均一化され、めっき面が平滑に整
面されるという知見を得た。
【0006】
【発明の目的】本発明の目的は、高度の平面性および高
度の平滑性を有するめっき面を形成することができる無
電解めっき装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載した発明
は、めっき液が充填されるめっき槽と、このめっき液中
に被めっき物を保持する治具とを有する無電解めっき装
置において、上記めっき液中の被めっき物のめっき面に
摺接する摺動材を設けた無電解めっき装置である。
【0008】請求項2に記載した発明は、めっき液を貯
留するめっき槽と、このめっき液中に磁気ディスクの基
板を保持する治具と、この磁気ディスクの基板をめっき
液中で運動させる運動機構と、を備えた無電解めっき装
置において、上記めっき液中の磁気ディスクの基板のめ
っき面に接触する摺動材を設け、この摺動材は、その硬
さが上記磁気ディスクの基板に無電解めっきされる金属
の硬さより軟らかく、かつ、その平均表面粗さが1μm
以下である無電解めっき装置を提供するものである。こ
の摺動材の材質は、例えば樹脂、セラミックス、金属を
樹脂コートしたものの何れを用いてもよいが、その硬さ
はめっきされる金属より軟らかく、かつ、摺動材の接触
面の平均表面粗さは1μm以下でなければならない。摺
動材の硬度がこれよりも高いと、めっき面を傷つけるこ
とがあるからである。平均平面粗さが1μmを越える
と、めっき面に高度の平滑性を与えることができない。
【0009】請求項3に記載した発明は、上記運動機構
は、円板に複数の治具を周方向に離間して配設し、この
円板を回転自在に設けた請求項2に記載の無電解めっき
装置である。
【0010】請求項4に記載の発明は、上記複数の治具
のそれぞれが回転自在に設けられた請求項3に記載の無
電解めっき装置である。
【0011】請求項5に記載の発明は、上記摺動材はポ
リエーテルエーテルケトンで形成した請求項2、請求項
3または請求項4のいずれか1項に記載の無電解めっき
装置である。
【0012】
【作用】本発明に係る無電解めっき装置にあっては、め
っきの過程で、めっき液中の被めっき物である磁気ディ
スクの基板のめっき面に摺動材を接触させる。この結
果、めっき面から突出する小突起は除去される。このと
き、めっき面に傷をつけることがない。この結果、小突
起の数密度を小さくすることができ、めっき面に高度の
平面性および高度の平滑性を付与することができる。
【0013】そして、めっき面を磁気ディスクのめっき
面に要求されている平均表面粗さにするため、めっき工
程の後めっき面は研磨されるが、その研磨量も少なくな
る。この結果、研磨面の端部にダレが発生せず、磁気デ
ィスクの変形もなくなる。したがって、ハードディスク
装置の磁気ディスクのめっき面に要求されている平面
性、平滑性を得ることが可能である。
【0014】また、基板は運動機構によりめっき液中で
回転されるため、摺動材への接触も安定して行うことが
でき、めっき面を平滑にすることが容易となる。
【0015】
【実施例】以下、本発明に係る無電解めっき装置の実施
例について、図1〜図5を参照して説明する。図1は本
発明の一実施例に係る無電解めっき装置を示す正面断面
図である。図2はその側面断面図である。図3はそのデ
ィスク支持機構部を示す斜視図である。図4、図5は摺
動材を示す図である。
【0016】これらの図に示すように、この無電解めっ
き装置は、内側にステンレス製のめっき槽2が外側に外
槽10が配されて構成されている。すなわち、めっき槽
2は外槽10に囲まれている。めっき槽2の枠体である
その側壁および底壁と外槽10内壁との間には、所定幅
の隙間12が形成されている。外槽10の底部における
隙間12にはヒータ13が配設されている。めっき槽2
の枠体には図示しない孔が形成され、この孔を介してめ
っき槽2内は隙間12に連通している。めっき槽2およ
び隙間12(外槽2内)にはNi−Pのめっき液1が貯
留されている。ヒータ13で加熱されたNi−Pのめっ
き液がめっき槽2に送り込まれる構成である。
【0017】めっき槽2内のNi−Pのめっき液1は、
めっき槽2から溢れると隙間12に流れ込み、めっき液
の液面1Aは常に一定に保たれている。外槽10の枠体
の内部には保温材11が充填されている。14は濾過器
からのめっき液供給用のパイプであり、めっき槽2に沈
澱した沈澱物は濾過器(図外)で除去され、循環しため
っき液はパイプ14を通してめっき槽2に供給される。
すなわち、めっき液は濾過器を循環して使用されてい
る。
【0018】図1に示すように、このNi−Pのめっき
液1中にはステンレス製の垂直支持板50が垂下され、
この垂直支持板50の一面には互いに噛み合った耐熱塩
化ビニール製の上歯車7、中歯車6、下歯車5がそれぞ
れ回転自在に支持されている。上歯車7はモータ8の出
力軸に減速機等を介して連結されている。なお、垂直支
持板50およびモータ8は、図3に示すように、フック
Fを引っかけることにより、めっき槽2の枠体に取り付
けられている。
【0019】下歯車5の一面には3本の軸状の治具4が
互いに平行に突出して設けられている。3本の治具4は
下歯車5の軸を中心とした円周上に互いに120度離間
して配設されている。これらの治具4には複数の環状溝
がその軸線に沿って並設されており、これらの環状溝に
基板(Znで被覆したAl製のドーナツ状の円板)3が
嵌着されている。すなわち、基板3の中心孔に治具4が
挿通され、各環状溝にて各基板3が固定、保持されてい
るものである。したがって、この治具4は多量の基板3
を一時にめっき液1中に保持することができる。例え
ば、3本の治具4に基板3が12枚づつ保持されてい
る。
【0020】治具4の硬さは基板3にめっきされる金属
の硬さより軟らかい。例えば、治具4の材質はPEEK
(ポリエーテルエーテルケトン)である。このため、保
持した基板3に傷がつくことはない。
【0021】そして、治具4を固定する下歯車5は、上
述したように、中歯車6を介して上歯車7に噛み合って
おり、上歯車7はモータ8の出力軸に連結されている。
よって、モ−タ8を駆動すると、上歯車7、中歯車6を
介して下歯車5が回転する。この下歯車5の回転により
3本の治具4は、下歯車5の軸心を中心にして公転す
る。とともに、治具4は下歯車5に回転自在に支持され
ていることから、その軸線回りに自転することができ
る。この治具4の公転および自転にしたがって、Ni−
Pめっき液1中に浸積した状態で、基板3は自転しなが
ら公転することとなる。なお、下歯車5を回転させずに
基板3を自転させたり、治具4を自転させずに基板3を
公転させることもできる。めっき液1中で基板3を回転
させることにより、そのNi−Pめっき液1のイオン濃
度および温度が均一化される。
【0022】そして、図1では省略してあるが、図4お
よび図5に詳しく示すように、矩形薄板状の摺動材9
が、治具4に保持された各基板3の間にそれぞれ介挿さ
れるよう構成されている。具体的には、中歯車6の中心
軸に取付板15が連設され、治具4の上方で水平に突出
したこの取付板15の下面に、複数の摺動材9が一定間
隔毎に垂下、固定されている。これらの摺動材9の間隔
は上記環状溝の間隔に対応している。また、摺動材9は
上記基板3と平行になるように取付板15の下面に着脱
自在に取り付けられている。よって、治具4が公転する
と、これに保持された基板3も下歯車5の中心軸を中心
として公転運動することとなり、めっき液1中で、その
最上方位置において、摺動材9の表裏両面が基板3のめ
っき面に接触する。この摺動材9としてはめっき液1の
めっき温度で膨張等の変形がないものを使用している。
例えば表に示すようにポリエーテルエーテルケトン、ポ
リテトラフロロエチレン等を使用する。また、その摺動
材9の表裏両面の平均表面粗さは1μm以下のもの、例
えば0.6μm、または、0.8μmとする。
【0023】次に、この無電解めっき装置を用いためっ
き方法を説明する。まず、ディスク加工されたAl製の
基板3を準備する。この基板3としては、その表面を砥
石で仕上げたグラインディング加工品またはダイヤモン
ドバイト旋盤で仕上げたダイヤターン加工品のどちらを
用いてもよいが、この実施例ではグラインダー加工品を
用いた。
【0024】次に、この基板3を治具4に図示のように
装着し、摺動材9が基板3の表面に摺接するように、配
設する。
【0025】次いで、モータ8を駆動する。このとき、
基板3の自転運動および公転運動に応じて、摺動材9が
基板3の全面に均一に摺接することを確認する。この
後、モータ8の回転数を調節して、下歯車5を6回転/
分で回転させる。
【0026】この状態で、基板3に前処理を行う。この
後、めっき槽2にめっき液を貯留して、基板3に膜厚1
0μmの無電解Ni−Pめっきを施す。めっきは、温度
調節器により常時90℃に保持されためっき槽2内で、
90分浸漬し、基板3に10μmの膜厚のめっきを施し
た。
【0027】次に、この基板3のめっき面を微分干渉顕
微鏡で観察する。この結果を表1および図6,図7に示
す。
【0028】
【表1】
【0029】この表1は、摺動材9の材質および平均表
面粗さをそれぞれ変更し、めっきした後の基板3のめっ
き面に発生した小突起の高さ、傷(スクラッチ)の本数
およびめっき面の平均表面粗さ(Ra)を示している。
また、図6は表1の試料1の場合のめっき面を写したも
のであり、図7は比較例として、表1の試料3の場合の
めっき面を写したものである。
【0030】表1および図6,図7から判断すると、試
料1,2は、比較例の試料3,4より小突起の数密度が
小さく、平均表面粗さの小さいめっき面が得られる。こ
れに対し、試料3の場合、摺動材9の平均表面粗さが所
望のめっき面のものより大きい。また、試料4の場合は
摺動材9がめっきされる金属より硬度が高い。これらの
結果、試料3,4のめっき面には傷が発生してしまう。
【0031】さらに、上記表1の試料1の場合、めっき
された基板3のめっき面を、0.2μm研磨すると、研
磨面の平均表面粗さは0.003μmとなる。この平均
表面粗さは、ハードディスクの磁気ディスクのめっき面
に要求される値と同じである。これに対し、上記表1の
試料3,4の場合、1μm以下の研磨では、この平均表
面粗さにすることができなかった。
【0032】
【発明の効果】本発明によれば、めっき面から突出する
小突起の数密度が小さくなり、かつ、めっき面に傷もつ
かない。このため、少ない研磨量で磁気ディスクのめっ
き面に要求されている平均表面粗さにすることができ
る。また、研磨時間が短くなることにより、研磨面の端
部のダレが少なく、ディスクにうねりが生じ難くなり、
高度の平面性および高度の平滑性を得ることが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る無電解めっき装置を示
す正面断面図である。
【図2】本発明の一実施例に係る無電解めっき装置を示
す側面断面図である。
【図3】本発明の一実施例に係る治具および垂直支持板
を示す斜視図である。
【図4】本発明の一実施例に係る摺動材を示す側面断面
図である。
【図5】本発明の一実施例に係る摺動材を示す正面断面
図である。
【図6】本発明の一実施例に係る摺動材を用いた場合の
めっき面の金属組織を示す図面代用写真である。
【図7】比較例の摺動材を用いた場合のめっき面の金属
組織を示す図面代用写真である。
【符号の説明】
1 めっき液 2 めっき槽 3 磁気ディスクの基板 4 治具 5,6,7,8 歯車、モータ(運動機構) 9 摺動材

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 めっき液が充填されるめっき槽と、この
    めっき液中に被めっき物を保持する治具とを有する無電
    解めっき装置において、 上記めっき液中の被めっき物のめっき面に摺接する摺動
    材を設けたことを特徴とする無電解めっき装置。
  2. 【請求項2】 めっき液を貯留するめっき槽と、このめ
    っき液中に磁気ディスクの基板を保持する治具と、この
    磁気ディスクの基板をめっき液中で運動させる運動機構
    と、を備えた無電解めっき装置において、 上記めっき液中の磁気ディスクの基板のめっき面に接触
    する摺動材を設け、 この摺動材は、その硬さが上記磁気ディスクの基板に無
    電解めっきされる金属の硬さより軟らかく、かつ、その
    平均表面粗さが1μm以下であることを特徴とする無電
    解めっき装置。
  3. 【請求項3】 上記運動機構は、円板に複数の治具を周
    方向に離間して配設し、この円板を回転自在に設けた請
    求項2に記載の無電解めっき装置。
  4. 【請求項4】 上記複数の治具のそれぞれが回転自在に
    設けられた請求項3に記載の無電解めっき装置。
  5. 【請求項5】 上記摺動材はポリエーテルエーテルケト
    ンで形成した請求項2、請求項3または請求項4のいず
    れか1項に記載の無電解めっき装置。
JP5449194A 1994-02-28 1994-02-28 無電解めっき装置 Withdrawn JPH07243050A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003038148A1 (en) * 2001-11-02 2003-05-08 Ebara Corporation Plating apparatus and plating method

Cited By (2)

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WO2003038148A1 (en) * 2001-11-02 2003-05-08 Ebara Corporation Plating apparatus and plating method
US7332198B2 (en) 2001-11-02 2008-02-19 Ebara Corporation Plating apparatus and plating method

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