JPH07239241A - ディジタル出力をもつｃｍｏｓセンサ - Google Patents
ディジタル出力をもつｃｍｏｓセンサInfo
- Publication number
- JPH07239241A JPH07239241A JP6054750A JP5475094A JPH07239241A JP H07239241 A JPH07239241 A JP H07239241A JP 6054750 A JP6054750 A JP 6054750A JP 5475094 A JP5475094 A JP 5475094A JP H07239241 A JPH07239241 A JP H07239241A
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- JP
- Japan
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- cmos
- sensor
- inverter
- pmos
- nmos
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Abstract
(57)【要約】
【目的】工業生産可能なディジタル出力をもつＣＭＯＳ
センサが得られるようにする。 【構成】ＣＭＯＳセンサ０１，０２の出力電圧を複数の
異なる論理しきい値電圧をもつＣＭＯＳインバータ１１
〜１５，２１〜２５でディジタル値に変換した信号を論
理ゲート３１〜３４で処理する。
センサが得られるようにする。 【構成】ＣＭＯＳセンサ０１，０２の出力電圧を複数の
異なる論理しきい値電圧をもつＣＭＯＳインバータ１１
〜１５，２１〜２５でディジタル値に変換した信号を論
理ゲート３１〜３４で処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はディジタル出力をもつＣ
ＭＯＳセンサに関するものである。
ＭＯＳセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】今日のエレクトロニクスでは、センサ素
子により検出された信号はＡＤ変換してＣＰＵ（コンピ
ュータの中央処理装置）に接続しなければならない。セ
ンサ信号は微弱なアナログ信号である。微弱なアナログ
信号は、線形増幅したあと、ＡＤ変換してディジタル信
号を得る。
子により検出された信号はＡＤ変換してＣＰＵ（コンピ
ュータの中央処理装置）に接続しなければならない。セ
ンサ信号は微弱なアナログ信号である。微弱なアナログ
信号は、線形増幅したあと、ＡＤ変換してディジタル信
号を得る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようにしてセンサ
信号をディジタルに変換する手法は、（１）センサ信号
それ自身が周囲温度の変化とともに変化すること、
（２）線形増幅の増幅率が温度変化すること、（３）Ａ
Ｄ変換の精度が温度変化すること、のため、ワンチップ
に集積化することが困難である。それぞれに温度補償回
路をもうけることにより、実用化が試みられているが、
成功の見通しはない。
信号をディジタルに変換する手法は、（１）センサ信号
それ自身が周囲温度の変化とともに変化すること、
（２）線形増幅の増幅率が温度変化すること、（３）Ａ
Ｄ変換の精度が温度変化すること、のため、ワンチップ
に集積化することが困難である。それぞれに温度補償回
路をもうけることにより、実用化が試みられているが、
成功の見通しはない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の困難を
原理的に取り除き、工業生産可能なディジタル出力をも
つＣＭＯＳセンサに関するものであって、ＣＭＯＳを構
成するＰＭＯＳトランジスタあるいはＮＭＯＳトランジ
スタをセンシング素子としてシリコンウエハ上に配置し
たＣＭＯＳセンサを提供する。そしてまたもう一つの発
明は、ＣＭＯＳインバータを負荷とし、センシング素子
を負荷に並列に接続したことを特徴とするＣＭＯＳセン
サであり、さらにもう一つの発明は、ＣＭＯＳセンサの
出力電圧を複数の異なる論理しきい値電圧をもつＣＭＯ
Ｓインバータでディジタル値に変換することを特徴とす
るディジタル出力をもつＣＭＯＳセンサである。そして
さらにまたもう一つの発明は、ＣＭＯＳセンサの出力電
圧を複数の異なる論理しきい値電圧をもつＣＭＯＳイン
バータでディジタル値に変換した信号を論理ゲートで処
理することを特徴とするディジタル出力をもつＣＭＯＳ
センサである。
原理的に取り除き、工業生産可能なディジタル出力をも
つＣＭＯＳセンサに関するものであって、ＣＭＯＳを構
成するＰＭＯＳトランジスタあるいはＮＭＯＳトランジ
スタをセンシング素子としてシリコンウエハ上に配置し
たＣＭＯＳセンサを提供する。そしてまたもう一つの発
明は、ＣＭＯＳインバータを負荷とし、センシング素子
を負荷に並列に接続したことを特徴とするＣＭＯＳセン
サであり、さらにもう一つの発明は、ＣＭＯＳセンサの
出力電圧を複数の異なる論理しきい値電圧をもつＣＭＯ
Ｓインバータでディジタル値に変換することを特徴とす
るディジタル出力をもつＣＭＯＳセンサである。そして
さらにまたもう一つの発明は、ＣＭＯＳセンサの出力電
圧を複数の異なる論理しきい値電圧をもつＣＭＯＳイン
バータでディジタル値に変換した信号を論理ゲートで処
理することを特徴とするディジタル出力をもつＣＭＯＳ
センサである。
【０００５】ＣＭＯＳインバータはＰＭＯＳプルアップ
トランジスタとＮＭＯＳプルダウントランジスタのしき
い値電圧とチャネルコンダクタンスが等しくなるように
設計される。そのように設計されたＣＭＯＳインバータ
の論理しきい値は、ＰＭＯＳとＮＭＯＳが互いに逆向き
の温度変化をするため、相互に打ち消しあって温度変化
により変動しない。
トランジスタとＮＭＯＳプルダウントランジスタのしき
い値電圧とチャネルコンダクタンスが等しくなるように
設計される。そのように設計されたＣＭＯＳインバータ
の論理しきい値は、ＰＭＯＳとＮＭＯＳが互いに逆向き
の温度変化をするため、相互に打ち消しあって温度変化
により変動しない。
【０００６】本発明において、センサ素子としてＣＭＯ
Ｓを構成するＰＭＯＳまたはＮＭＯＳを利用すること、
ＣＭＯＳを負荷としてセンサ素子を負荷と並列に接続す
ること、さらにＣＭＯＳセンサ出力をディジタル化する
のに複数の論理しきい値の異なるＣＭＯＳインバータを
用いることが原理的に温度変化に影響されないディジタ
ル出力をもつＣＭＯＳセンサの原理である。
Ｓを構成するＰＭＯＳまたはＮＭＯＳを利用すること、
ＣＭＯＳを負荷としてセンサ素子を負荷と並列に接続す
ること、さらにＣＭＯＳセンサ出力をディジタル化する
のに複数の論理しきい値の異なるＣＭＯＳインバータを
用いることが原理的に温度変化に影響されないディジタ
ル出力をもつＣＭＯＳセンサの原理である。
【０００７】（ＣＭＯＳセンサ）ＣＭＯＳセンサを構成
するＰＭＯＳトランジスタあるいはＮＭＯＳトランジス
タを、圧力により歪みを生じるシリコンウエハのダイヤ
フラム上に、または片持ちハリの上に配置すれば、圧力
センサまたは力センサとなる。ＣＭＯＳセンサのダイヤ
フラムに重力を感じる重りをつけておけば、加速度セン
サとなる。ＣＭＯＳインバータを負荷とし、負荷である
ＰＭＯＳあるいはＮＭＯＳに並列にフォトダイオードを
接続すればＣＭＯＳ光センサとなる。
するＰＭＯＳトランジスタあるいはＮＭＯＳトランジス
タを、圧力により歪みを生じるシリコンウエハのダイヤ
フラム上に、または片持ちハリの上に配置すれば、圧力
センサまたは力センサとなる。ＣＭＯＳセンサのダイヤ
フラムに重力を感じる重りをつけておけば、加速度セン
サとなる。ＣＭＯＳインバータを負荷とし、負荷である
ＰＭＯＳあるいはＮＭＯＳに並列にフォトダイオードを
接続すればＣＭＯＳ光センサとなる。
【０００８】
【実施例】本発明の原理と効果を実施例である図１にし
たがって具体的に説明する。ＰＭＯＳ０１とＮＭＯＳ０
２がＣＭＯＳセンサを構成する。それらは、電源と接地
との間に直列に接続され、入力と出力は短路されてい
る。ＰＭＯＳ０１あるいはＮＭＯＳ０２のしきい値電圧
の絶対値とチャネルコンダクタンスが等しいとき、平衡
状態（検出されるべき力などが加えられていない）で出
力電圧は電称電圧の１／２の値となる。検出すべき力が
加えられたとき、このＣＭＯＳセンサの出力は電称電圧
の１／２を基準にして変化する。
たがって具体的に説明する。ＰＭＯＳ０１とＮＭＯＳ０
２がＣＭＯＳセンサを構成する。それらは、電源と接地
との間に直列に接続され、入力と出力は短路されてい
る。ＰＭＯＳ０１あるいはＮＭＯＳ０２のしきい値電圧
の絶対値とチャネルコンダクタンスが等しいとき、平衡
状態（検出されるべき力などが加えられていない）で出
力電圧は電称電圧の１／２の値となる。検出すべき力が
加えられたとき、このＣＭＯＳセンサの出力は電称電圧
の１／２を基準にして変化する。
【０００９】ＰＭＯＳ０１とＮＭＯＳ０２はともに２端
子の負荷となっている。フォトダイオードのような電流
源となる他のセンサ素子をＰＭＯＳ０１またはＮＭＯＳ
０２に並列に接続することによりセンサを構成すること
ができる。出力電圧は電源電圧の１／２を基準に変化す
る。本発明では、両者を含めてＣＭＯＳセンサという。
子の負荷となっている。フォトダイオードのような電流
源となる他のセンサ素子をＰＭＯＳ０１またはＮＭＯＳ
０２に並列に接続することによりセンサを構成すること
ができる。出力電圧は電源電圧の１／２を基準に変化す
る。本発明では、両者を含めてＣＭＯＳセンサという。
【００１０】ＣＭＯＳセンサ０１、０２の出力は、ＣＭ
ＯＳインバータアレイ１１〜１５の入力となる。ＣＭＯ
Ｓインバータ１１〜１５の数は検出すべきデータの範囲
と精度に応じて必要な数だけ配置される。この実施例で
は、５個のディジタル出力４１〜４６を得るために５個
の論理しきい値が順次異なるＣＭＯＳインバータ１１〜
１５がもうけられた例である。ＣＭＯＳインバータは、
構成するＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタ
のしきい値電圧とチャネルコンダクタンスにより、それ
ぞれ固有の論理しきい値電圧をもつ。チャネルコンダク
タンスはチャネルの幅と長さというマスクの寸法により
与えられる。もしＣＭＯＳセンサ０１、０２の出力がＣ
ＭＯＳインバータ１２の論理しきい値電圧より小さい場
合には、ＣＭＯＳインバータ１２の出力は電源電圧に近
い論理“１”またはＨを与える。逆に、もしＣＭＯＳセ
ンサ０１、０２の出力がＣＭＯＳインバータ１２の論理
しきい値電圧より大きい場合には、ＣＭＯＳインバータ
１２の出力は接地電位に近い論理“０”またはＬを与え
る。
ＯＳインバータアレイ１１〜１５の入力となる。ＣＭＯ
Ｓインバータ１１〜１５の数は検出すべきデータの範囲
と精度に応じて必要な数だけ配置される。この実施例で
は、５個のディジタル出力４１〜４６を得るために５個
の論理しきい値が順次異なるＣＭＯＳインバータ１１〜
１５がもうけられた例である。ＣＭＯＳインバータは、
構成するＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタ
のしきい値電圧とチャネルコンダクタンスにより、それ
ぞれ固有の論理しきい値電圧をもつ。チャネルコンダク
タンスはチャネルの幅と長さというマスクの寸法により
与えられる。もしＣＭＯＳセンサ０１、０２の出力がＣ
ＭＯＳインバータ１２の論理しきい値電圧より小さい場
合には、ＣＭＯＳインバータ１２の出力は電源電圧に近
い論理“１”またはＨを与える。逆に、もしＣＭＯＳセ
ンサ０１、０２の出力がＣＭＯＳインバータ１２の論理
しきい値電圧より大きい場合には、ＣＭＯＳインバータ
１２の出力は接地電位に近い論理“０”またはＬを与え
る。
【００１１】ＣＭＯＳインバータアレイ１１〜１５の論
理しきい値は、ＣＭＯＳセンサで検出される電圧範囲に
あわせて、順次違えて設計されている。ＣＭＯＳセンサ
０１、０２のトランジスタの寸法（幅と長さ）はディジ
タル化の基準の論理しきい値を与えるＣＭＯＳインバー
タ（本実施例では１３）のトランジスタの寸法を同じに
設計しておく。ＣＭＯＳセンサの基準電圧とディジタル
化の基準電圧を自動的に一致させるためである。ＣＭＯ
Ｓセンサ０１、０２の出力電圧が、たとえば、ＣＭＯＳ
インバータ１１の論理しきい値電圧とＣＭＯＳインバー
タ１２の論理しきい値電圧との間にあったとすると、Ｃ
ＭＯＳインバータアレイ１１〜１５の出力は｛０，１，
１，１，１｝となる。
理しきい値は、ＣＭＯＳセンサで検出される電圧範囲に
あわせて、順次違えて設計されている。ＣＭＯＳセンサ
０１、０２のトランジスタの寸法（幅と長さ）はディジ
タル化の基準の論理しきい値を与えるＣＭＯＳインバー
タ（本実施例では１３）のトランジスタの寸法を同じに
設計しておく。ＣＭＯＳセンサの基準電圧とディジタル
化の基準電圧を自動的に一致させるためである。ＣＭＯ
Ｓセンサ０１、０２の出力電圧が、たとえば、ＣＭＯＳ
インバータ１１の論理しきい値電圧とＣＭＯＳインバー
タ１２の論理しきい値電圧との間にあったとすると、Ｃ
ＭＯＳインバータアレイ１１〜１５の出力は｛０，１，
１，１，１｝となる。
【００１２】次段のＣＭＯＳインバータアレイ２１〜２
５は、前段のＣＭＯＳインバータアレイ１１〜１５の出
力を反転増幅するための素子で、それぞれの出力は
｛１，０，０，０，０｝となる。このようにして、ＣＭ
ＯＳセンサ０１、０２の出力電圧（アナログ）が論理し
きい値の異なるＣＭＯＳインバータアレイ１１〜１５お
よび２１〜２５によりディジタル化された。ＣＭＯＳイ
ンバータアレイ２１〜２５の出力の“０”と“１”の境
目にセンサ出力が存在する。本実施例では、“０”と
“１”の境目を論理“１”のディジタル出力として取り
出すように、排他的論和３１〜３４をもうけた場合を示
す。最終出力４１〜４６は｛０，１，０，０，０，０｝
となる。出力４２に“１”が立っているということは、
ＣＭＯＳセンサ０１、０２の出力がＣＭＯＳインバータ
１１の論理しきい値電圧とＣＭＯＳインバータ１２の論
理しきい値電圧との間にあることを示している。
５は、前段のＣＭＯＳインバータアレイ１１〜１５の出
力を反転増幅するための素子で、それぞれの出力は
｛１，０，０，０，０｝となる。このようにして、ＣＭ
ＯＳセンサ０１、０２の出力電圧（アナログ）が論理し
きい値の異なるＣＭＯＳインバータアレイ１１〜１５お
よび２１〜２５によりディジタル化された。ＣＭＯＳイ
ンバータアレイ２１〜２５の出力の“０”と“１”の境
目にセンサ出力が存在する。本実施例では、“０”と
“１”の境目を論理“１”のディジタル出力として取り
出すように、排他的論和３１〜３４をもうけた場合を示
す。最終出力４１〜４６は｛０，１，０，０，０，０｝
となる。出力４２に“１”が立っているということは、
ＣＭＯＳセンサ０１、０２の出力がＣＭＯＳインバータ
１１の論理しきい値電圧とＣＭＯＳインバータ１２の論
理しきい値電圧との間にあることを示している。
【００１３】ＣＭＯＳセンサのＰＭＯＳ０１またはＮＭ
ＯＳ０２をシリコンダイヤフラム上におき、その他のＣ
ＭＯＳインバータアレイ等をシリコン基板上にもうけれ
ば、ディジタル出力をもつ圧力センサとなる。ＣＭＯＳ
センサのＰＭＯＳ０１またはＮＭＯＳ０２をシリコン片
持ちハリ上にもうけ、その他のＣＭＯＳインバータアレ
イ等をシリコン基板上にもうければ、人の指先のツメの
役割をするディジタル出力をもつ感覚センサとなる。Ｃ
ＭＯＳのＰＭＯＳ０１またはＮＭＯＳ０２を負荷とし、
フォトダイオードを電流源として並列に接続して光セン
サとすることができる。その出力電圧をＣＭＯＳインバ
ータアレイを用いてディジタル化すれば、ディジタル出
力をもつ光センサが構成できる。
ＯＳ０２をシリコンダイヤフラム上におき、その他のＣ
ＭＯＳインバータアレイ等をシリコン基板上にもうけれ
ば、ディジタル出力をもつ圧力センサとなる。ＣＭＯＳ
センサのＰＭＯＳ０１またはＮＭＯＳ０２をシリコン片
持ちハリ上にもうけ、その他のＣＭＯＳインバータアレ
イ等をシリコン基板上にもうければ、人の指先のツメの
役割をするディジタル出力をもつ感覚センサとなる。Ｃ
ＭＯＳのＰＭＯＳ０１またはＮＭＯＳ０２を負荷とし、
フォトダイオードを電流源として並列に接続して光セン
サとすることができる。その出力電圧をＣＭＯＳインバ
ータアレイを用いてディジタル化すれば、ディジタル出
力をもつ光センサが構成できる。
【００１４】
【発明の効果】ＣＭＯＳを構成するＰＭＯＳ０１または
ＮＭＯＳ０２をセンサとする、あるいはＣＭＯＳを負荷
として他のセンサ素子を並列に接続したＣＭＯＳセンサ
の出力をＣＭＯＳインバータアレイ１１から２４の相互
に異なる論理しきい値を利用しディジタル化を行う本発
明の工業上の利点は、（１）今日のエレクトロニクスを
ささえる汎用ＣＭＯＳ生産技術をそのまま利用できるこ
と、（２）ＣＭＯＳの論理しきい値電圧は、ＰＭＯＳと
ＮＭＯＳの互いに逆向きの温度特性のためつり合いをた
もち、周囲温度の変化に影響されないこと、（３）ＣＭ
ＯＳセンサ０１、０２のトランジスタの寸法と基準とな
るＣＭＯＳインバータ１３の寸法を同じに設計すること
により、基準電圧のずれをなくせること、（４）微弱な
センサ信号を線形増幅することなく、直接ＣＭＯＳイン
バータの互いに異なる論理しきい値電圧を利用して直接
ディジタル信号に変換できること、（５）センサとその
処理回路を共通に設計されたＣＭＯＳインバータと論理
回路のみで構成していること、（６）センサの感度やデ
ィジタル化の精度がマスクの設計寸法のみで決定される
こと、（７）小数のＣＭＯＳインバータでディジタル出
力をもつＣＭＯＳセンサ・セルを可能にし、センサのネ
ットワーク化を容易にしたこと、など、多くの特長を有
する。これまで詳しく説明してきたように、従来困難と
されてきたセンサと信号処理回路のワンチップ化を、Ｃ
ＭＯＳ方式で統一することにより実用化できる見通しを
得た。
ＮＭＯＳ０２をセンサとする、あるいはＣＭＯＳを負荷
として他のセンサ素子を並列に接続したＣＭＯＳセンサ
の出力をＣＭＯＳインバータアレイ１１から２４の相互
に異なる論理しきい値を利用しディジタル化を行う本発
明の工業上の利点は、（１）今日のエレクトロニクスを
ささえる汎用ＣＭＯＳ生産技術をそのまま利用できるこ
と、（２）ＣＭＯＳの論理しきい値電圧は、ＰＭＯＳと
ＮＭＯＳの互いに逆向きの温度特性のためつり合いをた
もち、周囲温度の変化に影響されないこと、（３）ＣＭ
ＯＳセンサ０１、０２のトランジスタの寸法と基準とな
るＣＭＯＳインバータ１３の寸法を同じに設計すること
により、基準電圧のずれをなくせること、（４）微弱な
センサ信号を線形増幅することなく、直接ＣＭＯＳイン
バータの互いに異なる論理しきい値電圧を利用して直接
ディジタル信号に変換できること、（５）センサとその
処理回路を共通に設計されたＣＭＯＳインバータと論理
回路のみで構成していること、（６）センサの感度やデ
ィジタル化の精度がマスクの設計寸法のみで決定される
こと、（７）小数のＣＭＯＳインバータでディジタル出
力をもつＣＭＯＳセンサ・セルを可能にし、センサのネ
ットワーク化を容易にしたこと、など、多くの特長を有
する。これまで詳しく説明してきたように、従来困難と
されてきたセンサと信号処理回路のワンチップ化を、Ｃ
ＭＯＳ方式で統一することにより実用化できる見通しを
得た。
【図１】本発明に係るディジタル出力をもつＣＭＯＳセ
ンサの一実施例を示す説明図である。
ンサの一実施例を示す説明図である。
０１…ＰＭＯＳ ０２…ＮＭＯＳ １１〜１５…ＣＭＯ
Ｓインバータアレイ ２１〜２５…ＣＭＯＳインバータアレイ ３１〜３４…
排他的論和 ４１〜４６…最終出力
Ｓインバータアレイ ２１〜２５…ＣＭＯＳインバータアレイ ３１〜３４…
排他的論和 ４１〜４６…最終出力
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｐ 15/12 Ｈ０１Ｌ 21/8238 27/092
Claims (4)
- 【請求項１】 ＣＭＯＳを構成するＰＭＯＳトランジス
タあるいはＮＭＯＳトランジスタをセンシング素子とし
てシリコンウエハ上に配置したＣＭＯＳセンサ。 - 【請求項２】 ＣＭＯＳインバータを負荷とし、センシ
ング素子を負荷に並列に接続したことを特徴とするＣＭ
ＯＳセンサ。 - 【請求項３】 ＣＭＯＳセンサの出力電圧を複数の異な
る論理しきい値電圧をもつＣＭＯＳインバータでディジ
タル値に変換することを特徴とするディジタル出力をも
つＣＭＯＳセンサ。 - 【請求項４】 ＣＭＯＳセンサの出力電圧を複数の異な
る論理しきい値電圧をもつＣＭＯＳインバータでディジ
タル値に変換した信号を論理ゲートで処理することを特
徴とするディジタル出力をもつＣＭＯＳセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6054750A JPH07239241A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | ディジタル出力をもつｃｍｏｓセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6054750A JPH07239241A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | ディジタル出力をもつｃｍｏｓセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07239241A true JPH07239241A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12979453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6054750A Pending JPH07239241A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | ディジタル出力をもつｃｍｏｓセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07239241A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686786B2 (en) * | 1997-05-30 | 2004-02-03 | Micron Technology, Inc. | Voltage generator stability indicator circuit |
| US9089055B2 (en) | 2012-09-11 | 2015-07-21 | Seiko Epson Corporation | Electronic device, method of manufacturing the same, and oscillator |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP6054750A patent/JPH07239241A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686786B2 (en) * | 1997-05-30 | 2004-02-03 | Micron Technology, Inc. | Voltage generator stability indicator circuit |
| US6696867B2 (en) | 1997-05-30 | 2004-02-24 | Micron Technology, Inc. | Voltage generator with stability indicator circuit |
| US6710630B2 (en) | 1997-05-30 | 2004-03-23 | Micron Technology, Inc. | 256 Meg dynamic random access memory |
| US9089055B2 (en) | 2012-09-11 | 2015-07-21 | Seiko Epson Corporation | Electronic device, method of manufacturing the same, and oscillator |
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