JPH07234310A

JPH07234310A - 回折格子の製造方法および光波長変換素子の製造方法

Info

Publication number: JPH07234310A
Application number: JP2393494A
Authority: JP
Inventors: Hisako Hara; 比佐子原; Kazuhisa Yamamoto; 和久山本; Kiminori Mizuuchi; 公典水内
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1994-02-22
Filing date: 1994-02-22
Publication date: 1995-09-05

Abstract

(57)【要約】【目的】光学基板の裏面反射をなくし、均一性の高い
回折格子をレジスト上に形成する。【構成】光学結晶基板１１上にＴａ膜１２を形成し、
前記Ｔａ膜１２上にレジスト１３を塗布して、通常のフ
ォトリソグラフィにより回折格子形成部分１４をパタ−
ニングする。その後レジストパタ−ンをドライエッチン
グでＴａ膜上に転写する。再びレジストを塗布し、干渉
露光法により露光を行うと、光学基板１１裏面からの反
射光を防ぎ、回折格子形成部分１４に深く、均一な回折
格子ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光情報処理分野、あるい
は光応用計測制御分野に使用する回折格子の製造方法お
よび光波長変換素子の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、回折格子は結合器、偏向器、分波
器、反射器、波長フィルタ、モ−ド変換器等、種々の受
動素子として広く用いられ、また光波制御用の機能素子
にも応用できる事から、光集積回路構成上の最も重要な
要素の一つである。

【０００３】以下に従来の回折格子の製造方法について
説明する。図８は従来の回折格子の製造方法の工程を示
すものである。

【０００４】同図（ａ）で、光学基板８１にレジスト８
２をスピンナ−で０．２μｍの厚さに塗布する。ここで
用いたレジストはシプレ−社製のＡＺ１４００である。
次に９０℃で、２０分間プリベ−クした後、同図（ｂ）
でＨｅ−Ｃｄレ−ザ−８３（λ＝４４１．６ｎｍ）を用
いた干渉露光により、露光する。（露光量５０ｍＪ／ｃ
ｍ²、θ＝３３．５゜）次に現像液（ＡＺデベロッパ
−：水＝１：１）で２０秒間現像し、純水で１分間リン
スした後ポストベ−クを９０℃で、２５分間行うと、同
図（ｃ）となり、レジスト上に回折格子８２ａが出来上
がる。大きさとして、２ｍｍ×２ｍｍの範囲で回折効率
１０％±１％であった。

【０００５】図９は従来の光波長変換素子の製造工程で
の素子の断面図を示すものである。同図（ａ）では、非
線形光学結晶であるＬｉＴａＯ₃９１にスパッタリング
法により、Ｔａ膜９２を３０ｎｍ形成する。同図（ｂ）
では、Ｔａ膜上にフォトレジスト９３を塗布した後、通
常のフォトリソグラフィ法により、レジスト上にパタ−
ンを形成する。次に同図（ｃ）ではＣＦ₄雰囲気中でド
ライエッチングでＴａにレジストのパタ−ンを転写す
る。同図（ｄ）では、２６０℃のピロリン酸中で２０分
間熱処理しプロトン交換層９４を形成する。同図（ｅ）
では、５４０℃で、３０秒間アニ−ルし、分極反転層９
５を形成する。次に同図（ｆ）では、分極反転層を形成
したＬｉＴａＯ₃にスパッタリング法により、Ｔａ膜を
３０ｎｍ形成する。同図（ｇ）では、Ｔａ膜上にフォト
レジストを塗布した後、通常のフォトリソグラフィによ
り、分極反転層に直交するようにレジスト上に導波路パ
タ−ンを形成する。同図（ｈ）では、ＣＦ₄雰囲気中で
ドライエッチングにより、Ｔａ上に導波路パタ−ンを転
写する。同図（ｉ）では、２６０℃のピロリン酸中で、
１４分間熱処理を行い、プロトン交換層を形成する。同
図（ｊ）では４２０℃で、６０秒間アニ−ルを行い導波
路９６が形成される。その後（ｋ）〜（ｎ）までは前記
従来の回折格子の製造方法で導波路パタ−ンに回折格子
を形成し、その上にＴａ₂Ｏ₅９８をスパッタすると、光
波長変換素子ができあがる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、図１０に示すように光学基板１０１の裏
面反射１０４（ここで言う裏面１０１ａとは、光学基板
に光が入射する側と反対側の面）が起こるので、レジス
ト１０２の上の干渉縞にムラができ、深く、均一な干渉
縞が形成されないという問題点を有していた。

【０００７】またこのような不均一な回折格子を導波路
上に設けて光波長変換素子として機能させようとしても
波長がロックせず、安定に第２次高調波を得ることがで
きなかった。

【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、新たな工夫を加えることにより、深く、均一な、干
渉縞をレジスト上に形成し、さらに前記回折格子を使っ
た光波長変換素子を作製する方法を提供することを目的
とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の回折格子の製造方法および光波長変換素子
の製造方法は、レジストを塗布する前、または後で、光
学基板上に、回折格子形成部分を除いて反射体を設ける
こと、もしくは、光学基板の裏面に反射防止膜を形成す
るという工程を有している。

【００１０】

【作用】本発明は上記の方法により、回折格子形成部分
以外に反射体をもうけると、図１１に示すように回折格
子形成部分１１６以外の入射光１１４は光学基板１１１
中に入ることなく、つまり、光学基板の裏面１１１ａま
で到達せず、回折格子形成部分には、光学基板裏面から
の反射光１１５を受けない。また、ｘ／２ｄ＝ｔａｎ
θ″を満たすθ″より大きな角度で入射しないと反射光
が回折格子形成部分に返ってくる。ここで、レ−ザ−光
を遮断する方法として吸収体ではなく、反射体を用いた
のは、吸収体だと、完全にレ−ザ−光を遮断できず、光
が基板にもれるおそれがあるためである。反射体だと、
完全にレ−ザ−光を反射するため基板にレ−ザ光がもれ
ることはない。

【００１１】また、本発明の回折格子の製造方法によれ
ば、光学基板裏面の反射光と、反射防止膜裏面の反射光
の反射率を等しくし、反射防止膜の膜厚を１／４波長と
することで、二つの反射光が、互いに打ち消しあうた
め、裏面からの反射光を防ぐことができる。

【００１２】以上のように、本発明によれば、光学基板
裏面からの反射光を防ぐため、レジスト上に深く、均一
な干渉縞を形成することができ、また、前記回折格子を
用いて光波長変換素子を作製することができる。

【００１３】

【実施例】

（実施例１）以下本発明の実施例１について、図面を参
照しながら説明する。図１は本発明の実施例１を示す回
折格子の製造方法における素子の断面図である。

【００１４】まず図１（ａ）において、光学基板である
ガラス１１上に反射体であるＴａ膜１２をスパッタリン
グ法により３０ｎｍスパッタする。ここでＴａを反射体
として用いたのは、反射率も高く、ドライエッチングが
しやすいためである。次に（ｂ）ではレジスト１３を
０．７μｍ（ＡＺ１４００）の厚さにスピンナ−で塗布
する。９０℃で２０分間プリベ−クした後、（ｃ）では
通常のフォトリソグラフィにより、回折格子形成部分１
４のパタ−ニングを行う。その後現像液（ＡＺデベロッ
パ−：水＝１：１）で３分間現像した後、純水で１分間
リンスする。その後９０℃で２５分間ポストベ−クを行
う。

【００１５】次に（ｄ）では、ＣＦ₄ 雰囲気中でドライ
エッチングを行い、レジストパタ−ンをＴａ膜上に転写
する。次に（ｅ）では、レジスト（ＡＺ１４００）を
０．２μｍの厚さに塗布する。（ｆ）では干渉露光法に
より露光を行う（露光量：５０ｍＪ／ｃｍ²）。

【００１６】ここで、グレ−ティングの周期を０．４μ
ｍ、Ｈｅ−Ｃｄレ−ザの波長を４４１．６ｎｍとすると
干渉露光の入射角とグレ−ティング周期とレ−ザ−の波
長の関係式２ｄｓｉｎθ＝λより、θ＝３３．５°とな
る。干渉露光の厚みを光学基板の厚みを０．５ｍｍと
し、光学基板外部を空気とすると、屈折率は１．０、レ
ジストの屈折率は１．４、ガラスの屈折率を１．４５と
するとｘ／２ｄ＝ｔａｎθ″より、回折格子長は０．４
ｍｍとなる。次に現像液（ＡＺデベロッパ−：水＝
１：１）で１０秒間現像し、その後純水で１分間リンス
する。その後９０℃で２５分間ポストベ−クを行うと
（ｇ）のように回折格子１３ａが出来上がる。

【００１７】このようにして、回折格子形成部分に反射
体であるＴａ膜を設けることで、光学基板裏面からの反
射光を防ぎ、回折格子形成部分のみ、深く、均一な干渉
縞をレジスト上に形成することができた。このようにし
てできた回折格子は２ｍｍ×２ｍｍの範囲で、回折効率
１０％±１％を達成した。この方法では、導波路上に部
分的に回折格子を設ける場合に応用できる。

【００１８】（実施例２）以下本発明の実施例２につい
て図面を参照しながら説明する。図２は本発明の実施例
２を示す回折格子の製造方法における素子の断面図であ
る。

【００１９】まず図２（ａ）において、光学基板である
ガラス２１上にスピンナ−で０．２μｍの厚さにレジス
ト２２を塗布する。ここで用いたレジストはシプレ−社
製のＡＺ１４００である。９０℃で２０分間プリベ−ク
後、（ｂ）ではレジスト上に回折格子形成部分２３を除
いてＣｒマスク２４を密着させ、干渉露光法により、露
光を行う。（露光量５０ｍＪ／ｃｍ²）マスクとして、
Ｃｒを用いたのは、反射率が高く、レ−ザ−光を遮断す
るのと、また加工がしやすいためである。ここでも、実
施例１同様、グレ−ティング周期０．４μｍの場合、回
折格子形成部分は０．４ｍｍとなる。次に（ｃ）では現
像液（ＡＺデベロッパ−：水＝１：１）で１０秒間現像
を行い、純水で１分間リンスする。その後９０℃で２５
分間ポストベ−クを行うと、レジスト上に回折格子が２
２ａできあがる。

【００２０】このようにして、本実施例においても、回
折格子形成部分以外にレジストの上からＣｒマスクを密
着させることによって、回折格子形成部分以外からの入
射光を遮断し、回折格子形成部分における光学基板裏面
からの反射光を防ぐことができ、レジスト上に深く、均
一な干渉縞を形成することができる。

【００２１】（実施例３）以下本発明の実施例３につい
て図面を参照しながら説明する。図３は本発明の実施例
３を示す光波長変換素子の製造方法における素子の断面
図である。

【００２２】同図（ａ）では、ＬｉＴａＯ₃３１にスパ
ッタリング法によりＴａ膜３２を３０ｎｍ形成する。
（ｂ）ではＴａ膜上にフォトレジスト３３を塗布した
後、通常のフォトリソグラフィ法により、レジスト上に
パタ−ンを形成する。次に（ｃ）では、ＣＦ₄雰囲気中
でドライエッチングによりＴａにレジストのパタ−ンを
転写する。（ｄ）では２６０℃のピロリン酸中で２０分
間熱処理し，プロトン交換層３４を形成する。（ｅ）で
は、５４０℃で、３０秒間アニ−ルし、分極反転層３５
を形成する（周期４μｍ，深さ２μｍ）。

【００２３】次に（ｆ）では、分極反転層を形成したＬ
ｉＴａＯ₃にスパッタリング法により、Ｔａ膜を３０ｎ
ｍ形成する。同図（ｇ）では、Ｔａ膜上にフォトレジス
トを塗布した後、通常のフォトリソグラフィにより、分
極反転層に直交するようにレジスト上に導波路パタ−ン
を形成する。同図（ｈ）では、ＣＦ₄雰囲気中でドライ
エッチングにより、Ｔａ上に導波路パタ−ンを転写す
る。同図（ｉ）では、２６０℃のピロリン酸中で、１４
分間熱処理を行い、プロトン交換層を形成する。同図
（ｊ）では４２０℃で、６０秒間アニ−ルを行い導波路
３６が形成される。その後実施例１の方法で、導波路に
直交するように回折格子３３ａを形成し、Ｔａ₂Ｏ₅３８
をスパッタすると光波長変換素子ができあがる。このよ
うにしてできた光波長変換素子は、素子長１０ｍｍ、波
長８７０ｎｍ、変換効率２００％／Ｗである。また、回
折格子が不均一な場合に生じる反射スペクトルのピ−ク
割れもなくなり、波長が安定にロックした。（反射波長
幅０．２ｎｍ）以上のように本実施例によれば、導波路
上に均一な回折格子を設けることで、安定な波長ロック
が得られ、光波長変換素子として、有利になる。

【００２４】（実施例４）
以下本発明の実施例４について図面を参照しながら説
明する。図４は本発明の実施例４を示す光波長変換素子
の製造方法における素子の断面図である。同図（ａ）〜
（ｅ）までの分極反転層の形成方法、（ｆ）〜（ｊ）ま
での導波路の形成方法は実施例３と同様である。その後
（ｋ）〜（ｍ）までは、導波路に直交するように、実施
例２と同様の方法で回折格子４３ａを形成し、Ｔａ₂Ｏ₅
４７をスパッタすると、光波長変換素子が形成される。

【００２５】以上のように本実施例によっても、実施例
３と同様に均一性の高い回折格子を設けたことで、グレ
−ティング長２ｍｍで反射スペクトルの波長幅が０．２
ｎｍと、安定な波長ロックが得られる、光波長変換素子
を作製することができる。

【００２６】（実施例５）以下本発明の実施例５につい
て図面を参照しながら説明する。図５は本発明の実施例
５を示す回折格子の製造方法における素子の断面図であ
る。同図（ａ）においては、光学基板５１であるガラス
にスピンナ−でフォトレジスト５２を０．２μｍの厚さ
に塗布する。９０℃で２０分間プリベ−クした後、
（ｂ）では、光学基板の裏面に反射防止膜５３である、
塩化ビニリデン樹脂（屈折率１．６０〜１．６３）を６
９ｎｍの厚さに塗布する。反射防止膜の原理は、図６に
示してある。光学基板裏面６１ａと反射防止膜裏面６２
ａの反射率Ｒ₁、Ｒ₂ を等しくし、反射防止膜の膜厚を
１／４波長とすることで、反射光６１ｂと６２ｂが互い
に打ち消し合い、光学基板裏面からの反射を防ぐ。光学
基板６１、反射防止膜６２、レジスト６３、の屈折率を
それぞれｎ₁、ｎ₂、ｎ₃、レジストへの入射角をそれぞ
れθ₁、反射防止膜の膜厚をｌとすると式（１）、式
（２）、式（３）、式（４）、式（５）、式（６）、式
（７）のような関係式が得られる。

【００２７】スネルの法則により、ｓｉｎθ₁＝ｎ₃ｓｉｎθ₂ 式（１）ｎ₃ ｓｉｎθ₂＝ｎ₁ｓｉｎθ₃ 式（２）ｎ₁ｓｉｎθ₃＝ｎ₂ｓｉｎθ₄ 式（３）ｎ₂ｓｉｎθ₄＝ｓｉｎθ₅ 式（４）Ｒ₁＝−ｔａｎ（θ₃−θ₄）／ｔａｎ（θ₃＋θ₄）式（５）Ｒ₂＝−ｔａｎ（θ₄−θ₅）／ｔａｎ（θ₄＋θ₅）式（６）ｎ₂ ｌ′＝λ／４（ただし、ｌ′＝ｌ／ｃｏｓθ₄）式（７）ｎ₁＝２．２、ｎ₂＝１．６、ｎ₃＝１．４、干渉露光に
おける、周期０．４μｍの場合の入射角θ₁（２ｄｓｉ
ｎθ₁＝λ ｄ：グレ−ティング周期、λ：光源の波
長）を３３．５゜とすると、式（１）〜式（７）より、
Ｒ₁＝１８．１％、Ｒ₂＝１８．１％、また、ｌ＝０．０
６９μｍとなる。次に（ｃ）では干渉露光法により、露
光する。（露光量５０ｍＪ／ｃｍ²）次に（ｄ）では
現像液（ＡＺデベロッパ−：水＝１：１）で１０秒間現
像し、純水で１分間リンスする。その後９０℃で２５分
間ポストベ−クを行うと、回折格子５２ａが出来上が
る。このようにして、深さ０．２μｍ、周期０．４μｍ
の回折格子が出来上がる。大きさとして、２ｍｍ×２ｍ
ｍの範囲で１０％±１％の均一な効率が得られた。

【００２８】以上のように本実施例においても、光学基
板の裏面に反射防止膜を形成することにより、光学基板
裏面からの反射光を防ぎ、レジスト上に深く、均一な回
折格子を形成することが出来る。

【００２９】（実施例６）以下本発明の実施例６につい
て図面を参照しながら説明する。図７は本発明の実施例
６を示す光波長変換素子の製造方法における素子の断面
図である。

【００３０】同図（ａ）〜（ｅ）までの分極反転層の形
成方法、（ｆ）〜（ｊ）までの導波路の形成方法は、実
施例３と同様である。その後実施例５と同様の方法で回
折格子７３ａを形成し、前記回折格子上にＴａ₂Ｏ₅ ７
８をスパッタすると、光波長変換素子が出来上がる。こ
のようにしてできた光波長変換素子は、波長８７０ｎ
ｍ、素子長１０ｍｍ、グレ−ティング長２ｍｍにおい
て、変換効率２００％／Ｗ、反射波長幅０．２ｎｍであ
る。

【００３１】以上のように本実施例においては、非線形
光学結晶裏面に反射防止膜を設ける事によって非線形光
学結晶基板からの反射光を防ぎ、レジスト上に深く、均
一な干渉縞を導波路上に形成するため、安定な波長ロッ
クが得られ、光波長変換素子として、有利になる。

【００３２】なお、反射体として、Ｔａを用いたが、そ
の他Ａｌ、Ａｕなどの金属でも同様の効果を発する。

【００３３】なお、マスクとして、Ｃｒを用いたが、そ
の他Ｔａでも同様の効果を発する。なお、非線形光学結
晶として、ＬｉＴａＯ₃ を用いたが、屈折率がほぼ同じ
であるＬｉＮｂＯ₃ でも同様の効果を発する。

【００３４】

【発明の効果】以上のように、本発明は、回折格子形成
部分以外に反射体または吸収体を設けること、または、
光学基板の裏面に反射防止膜を設けることにより、光学
基板裏面からの反射光を防ぎ、レジスト上に、深く、均
一な干渉縞を設けることができる。さらに前記回折格子
を導波路上に設けることで、安定なグレ−ティングフィ
−ドバックが実現する、光波長変換素子を作製すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における回折格子の製造
方法における素子の断面図

【図２】本発明の第２の実施例における回折格子の製造
方法における素子の断面図

【図３】本発明の第３の実施例における光波長変換素子
の製造方法における素子の断面図

【図４】本発明の第４の実施例における光波長変換素子
の製造方法における素子の断面図

【図５】本発明の第５の実施例における光波長変換素子
の製造方法における素子の断面図

【図６】反射防止膜の原理を示す図

【図７】本発明の第６の実施例における光波長変換素子
の製造方法における素子の断面図

【図８】従来の回折格子の製造方法における素子の断面
図

【図９】従来の光波長変換素子の製造方法における素子
の断面図

【図１０】従来の課題を示す図

【図１１】本発明の作用を示す図

【符号の説明】

１１光学基板１２Ｔａ膜１３レジスト１３ａ回折格子１４回折格子形成部分２１光学基板２２レジスト２２ａ回折格子２３回折格子形成部分２４Ｃｒマスク３１ＬｉＴａＯ₃ ３２Ｔａ膜３３レジスト３３ａ回折格子３４プロトン交換層３５分極反転層３６導波路３７回折格子形成部分３８Ｔａ₂Ｏ₅ ４１ＬｉＴａＯ₃ ４２Ｔａ膜４３レジスト４３ａ回折格子４４プロトン交換層４５分極反転層４６導波路４７Ｔａ₂Ｏ₅ ５１光学基板５２レジスト５２ａ回折格子５３反射防止膜６１光学基板６１ａ光学基板の裏面６１ｂ光学基板裏面の反射光６２反射防止膜６２ａ反射防止膜の裏面６２ｂ反射防止膜裏面の反射光７１ＬｉＴａＯ₃ ７２Ｔａ膜７３レジスト７３ａ回折格子７４プロトン交換層７５分極反転層７６導波路７７反射防止膜７８Ｔａ₂Ｏ₅ ８１光学基板８２レジスト８２ａ回折格子８３Ｈｅ−Ｃｄレ−ザ− ９１ＬｉＴａＯ₃ ９２Ｔａ膜９３レジスト９３ａ回折格子９４プロトン交換層９５分極反転層９６導波路９７Ｈｅ−Ｃｄレ−ザ９８Ｔａ₂Ｏ₅ １０１光学基板１０１ａ光学基板の裏面１０２レジスト１０３入射光１０４裏面の反射１１１光学基板１１１ａ光学基板の裏面１１２反射体１１３レジスト１１４入射光１１５裏面の反射１１６回折格子形成部分

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光学基板上に回折格子を製造する方法にお
いて、前記光学基板上に回折格子形成部分（回折格子長
ｘ）を除いて、使用されるレ−ザ−光を遮断する物質に
より膜を形成する工程と、前記膜上にレジストを塗布す
る工程と、前記レジストを露光した後、現像する工程と
を含むことを特徴とする回折格子の製造方法。
【請求項２】膜が反射体であることを特徴とする請求項
１記載の回折格子の製造方法。
【請求項３】光学基板上に回折格子を製造する方法にお
いて、前記光学基板上にレジストを塗布する工程と、回
折格子形成部分（回折格子長ｘ）を除いてマスクを密着
する工程と、干渉露光によって露光した後、現像する工
程とを含むことを特徴とする回折格子の製造方法。
【請求項４】マスクがＣｒであることを特徴とする請求
項３記載の回折格子の製造方法。
【請求項５】光学基板の膜厚をｄ、回折格子長をｘ、入
射角（入射角とは、レジスト外部から、レジストに入射
するレ−ザ光と光学基板上に引いた垂線のなす角）を
θ、レジスト中での屈折角（屈折角とはレジスト中を進
むレ−ザ光と、光学基板に引いた垂線とのなす角）を
θ′、基板での屈折角（屈折角とは光学基板中を進むレ
−ザ光と光学基板に引いた垂線とのなす角）をθ″、光
学基板外部、レジスト、基板の屈折率をそれぞれｎ₁、
ｎ₂、ｎ₃とすると、ｎ₁ｓｉｎθ＝ｎ₂ｓｉｎθ′、ｎ₂
ｓｉｎθ′＝ｎ₃ｓｉｎθ″、ｘ／２ｄ＝ｔａｎθ″を
満たすことを特徴とする請求項１または３記載の回折格
子の製造方法。
【請求項６】非線形光学結晶に導波路を形成する工程
と、前記非線形光学結晶上に、回折格子形成部分（回折
格子長ｘ）を除いて、レ−ザ−光を遮断する物質により
膜を形成する工程と、干渉露光によって、露光した後、
現像する工程とを含むことを特徴とする、光波長変換素
子の製造方法。
【請求項７】膜が反射体であることを特徴とする請求項
６記載の光波長変換素子の製造方法。
【請求項８】非線形光学結晶に導波路を形成する工程
と、前記非線形光学結晶上にレジストを塗布する工程
と、回折格子形成部分（回折格子長ｘ）を除いてマスク
を密着する工程と、干渉露光によって露光し、現像する
工程とを含むことを特徴とする、光波長変換素子の製造
方法。
【請求項９】マスクがＣｒであることを特徴とする請求
項８記載の光波長変換素子の製造方法。
【請求項１０】非線形光学結晶の膜厚をｄ、回折格子長
をｘ、入射角（ここで言う入射角とは、レジスト外部か
ら、レジストに入射するレ−ザ光と非線形光学結晶に引
いた垂線のなす角のこと）をθ、レジスト中での屈折角
（ここで言う屈折角とはレジスト中を進むレ−ザ光と、
非線形光学結晶に引いた垂線とのなす角のこと）を
θ′、基板での屈折角（ここで言う屈折角とは非線形光
学結晶中を進むレ−ザ光と光学基板に引いた垂線とのな
す角のこと）をθ″、非線形光学結晶外部、レジスト、
基板の屈折率をそれぞれｎ₁、ｎ₂、ｎ₃とすると、ｎ₁ｓ
ｉｎθ＝ｎ₂ｓｉｎθ′、ｎ₂ｓｉｎθ′＝ｎ₃ｓｉｎ
θ″、ｘ／２ｄ＝ｔａｎθ″を満たすことを特徴とする
請求項６または８記載の光波長変換素子の製造方法。
【請求項１１】光学基板上にレジストを塗布する工程
と、前記光学結晶基板の裏面に反射防止膜を形成する工
程と、干渉露光によって露光した後、現像する工程とを
含むことを特徴とする回折格子の製造方法。
【請求項１２】非線形光学結晶に導波路を形成する工程
と、前記非線形光学結晶上にレジストを塗布する工程
と、前記非線形光学結晶の裏面に反射防止膜を形成する
工程と、干渉露光によって露光した後、現像する工程と
を含むことを特徴とする光波長変換素子の製造方法。