JPH07231798A - 反応キュベットの流体移送部を加熱する装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、ポリメラーゼ連鎖反応などを用い
て特定のＤＮＡ配列を複製するための反応キュベットを
処理する装置に有用な、加熱装置と、反応キュベットの
弾性の流体移送室にこれを圧迫しながら接触する伝熱面
を有する加熱アセンブリを提供することを目的とする。 【構成】 本発明の加熱アセンブリにおいては、伝熱面
は検出室を効率的に加熱できるよう、この検出室を収め
ることができる大きさの区画された通路を有する。しか
し、この検出室を通過する流体の流れは、加熱の間この
通路によって妨げられることはない。さらに、伝熱面
は、検出の模様を装置を透視して観察できるよう、透明
な材料からつくられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特定の核酸配列の増幅
と検出を行う反応キュベットを処理する装置に係り、特
に反応キュベットの流体移送室に接触してこれを加熱す
る加熱アセンブリの取付けに関する。

【０００２】

【従来の技術】欧州特許出願第０／３８１，５０１号な
どによって知られる、自蔵式の反応キュベットは、ＤＮ
Ａ配列のような特定の核酸の増幅を、ポリメラーゼ連鎖
反応（Polymerase Chain Reaction ；以下「ＰＣＲ」と
いう）によって行う。この反応キュベットは、試料を所
定の範囲内で導入できるよう自蔵式にするもので、増
幅、洗浄および検出をそれぞれ行うための反応室、試薬
室および検出室を有する。反応キュベットの各室は、好
ましくは壁が薄く、曲げやすくて好ましくは透明な材料
からつくるのがよい。典型的な反応キュベットの検出室
には、制御手段やその他の検出手段が曲げやすく透明な
室の中もしくはこれに付け加えられて収められる。

【０００３】複製した核酸（例えばＤＮＡ）の検出を含
む増幅の過程を効率的に行うためには、検出室を、キュ
ベットの他の室とともに加熱することが重要である。伝
導などを利用した効率的な加熱のためには、加熱要素を
反応キュベットに直に、やや圧迫しながら配置すること
が必要である。しかし、流体が検出室の内部にある検出
制御装置に触れることができるよう、検出室への流体の
出入りを圧迫するわけにはいかない。また検出室は、廃
棄物収集等のため、隣接する室に流体を流し出せなくて
はならない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】したがって、上述のよ
うな反応キュベットの流体移送室に接触してこれを効率
的に加熱でき、かつ流体がこの流体移送室を通って流れ
ることができるような加熱アセンブリをつくり出す必要
があった。

【０００５】

【課題を解決するための手段および作用】本発明は、上
述の課題を、流体移送室に接触してこの流体移送室を加
熱する第１の加熱要素であって、熱源と、前記流体移送
室を収納する大きさの通路を区画する手段によって特徴
づけられる伝熱面を有する第１の加熱要素を有し、前述
の通路区画手段は流体の流れを制限することなく前記加
熱要素を反応キュベットと密接な接触状態におくことを
可能にし、反応キュベットは支持手段によって支持され
るアセンブリを提供することによって解決する。

【０００６】本発明のもう一つの様相によれば、内部に
空間を有する本体と、この本体に開閉可能に取り付けら
れるカバーと、前記本体の内部に収められて反応キュベ
ットを支持する支持具と、弾性材料からつくられる少な
くとも一個の流体移送室を有する前記反応キュベットに
接触してこの反応キュベットを加熱する第１の加熱要素
であって、この第１の加熱要素が反応キュベットに接触
している間に流体を通過させるよう前記反応キュベット
の流体移送室を収納する大きさの通路を区画する手段を
有することを特徴とする第１の加熱要素を備える装置が
開示される。

【０００７】本発明の処理装置の利点は、流体のキュベ
ット検出室への出入りを確保しながら、キュベット検出
室の効率的な加熱を促進するよう検出室が伝熱面と密接
に伝熱的な接触ができるようにするため、核酸増幅に有
用な反応キュベットを処理装置内に設けることができる
ということである。

【０００８】本発明による加熱アセンブリを備えた処理
装置のもう一つの利点は、反応の結果を、処理装置を開
放し、また処理の増幅ないし検出の過程を妨害する必要
なしに観察できるということである。

【０００９】本発明は他にも利点があるが、それらは添
付の図面を参照した以下の好ましい態様の説明において
明らかになるであろう。

【００１０】

【実施例】以下に本発明の好ましい態様を説明する。

【００１１】本明細書で使用する「上方」、「下方」、
「下部」、「垂直」、「水平」、「底部」などの語は、
本発明の装置が通常の使用位置に置かれたときの部品の
方位を示すものである。

【００１２】図１には、複数の反応キュベット６０を使
ったＰＣＲ（ポリメラーゼ連鎖反応）技術によりＤＮＡ
の複製をする処理装置２０を示す。この装置は、カバー
３０、複数の反応キュベット６０を支持する可動支持プ
レート４０、ならびに支持プレート４０により支持され
た各反応キュベット６０の流体移送部を加熱する上部加
熱アセンブリ１４０と下部加熱アセンブリ１７０を具備
する。

【００１３】処理装置２０、特に加熱アセンブリ１４
０，１７０の機能を詳しく説明する前に、典型的なＰＣ
Ｒ反応キュベット６０の構造と働きを理解しておくこと
が重要である。反応キュベット６０の特別な構造を図２
に示す。キュベット６０は、反応室６２と隣接する貯蔵
室６４，６６，６８を備える自蔵式の小袋である。入口
手段７０，７２は、試料と増幅促進用の試薬を反応室６
２に添加するのに用いる。ただし、試薬は予め反応室６
２の中に入れておくこともできる。反応キュベットのす
べての室は、網状構造をなして順次検出室８４に連なる
流路７４，７６，７８，８０によって互いに連絡され
る。なかでも、流路８０は、検出室８４の一方の側から
廃棄物室８６に延びる。

【００１４】前に述べたように、反応キュベット６０は
全体が自蔵式で、二つの肉薄のプラスチックシート８８
と９０の各側端を互いに熱封着することによって形成さ
れる。このキュベット製造方法の詳細は、欧州特許出願
公開第0/550,090 号に記載されている。

【００１５】拡散の増幅は、一般的に、試料を、入口手
段７０，７２を介して反応室６２に導入することによっ
て行われる。この反応室６２には、試薬も後に添加され
るか、あるいは予め注入されている。これら入口手段７
０，７２は、ついで恒久的に封止され、キュベットを自
蔵式のものにする。典型的には、入れ愚痴手段は、試料
を導入した後熱封着される。一方、反応室６２の熱サイ
クルと組み合わされる試薬は、ＤＮＡや他の核酸鎖を変
性させ、続く複製によって核酸を増幅させる。ところ
で、一旦反応室６２内で所望の量の核酸材料が生成され
ると、反応室６２の内容物を流路７４に沿って検出室８
４まで押し出すため、外部から圧力が加えられる。つづ
いて、特別の操作手順に則って、隣接する貯蔵室６４，
６６，６８に外圧が加えられ、洗浄液と検出試薬が各貯
蔵室から流路７６，７８および８０を通り抜けて検出室
８４へ送られる。検出室８４は、増幅された核酸を室内
での検出のため固定する手段を予め納めている。過剰の
液体は、検出医ＳＴＵ８４から隣接する廃棄物室８６へ
押し出される。このようにして、試料を導入するときは
別としても、検出を含むすべての処理が、キュベット６
０を開放する必要なく行うことができ、実験室の環境を
汚染するおそれのあるエーロゾルの問題も起こらない。
検出を含むキュベット６０の処理の詳細は、欧州特許出
願公開第0/381,501 号に記載されている。

【００１６】つぎに、処理装置２０の機能を、図３ない
し図５を参照して説明する。カバー３０は、処理装置２
０の本体２２に、図５の矢印３２で示すように開閉可能
に取付けられ、キュベット６０を出し入れする際、オペ
レータは処理装置２０の内部に手を伸ばすことができ
る。好ましくは、カバー３０は軽量で、しかもオペレー
タが内部を透視できるよう透明な材料からつくるのがよ
い。図示の態様においては、カバー３０と本体２２はポ
リカーボネートからつくるが、他の従来から構造材料と
して知られる、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタ
ン、ポリオレフィン、ポリアセタール、フェノール−ホ
ルムアルデヒド樹脂なども用いることができる。

【００１７】処理装置の内部には、少なくとも一個のＰ
ＣＲ用小袋、あるいは上述の型のキュベット６０を納め
ることのできる大きさの支持プレート４０が設置され
る。図示の態様においては、支持プレート４０は、その
上面に複数個の反応キュベット６０を支持できる大きさ
である。この際、複数個のキュベット６０は、一般に平
行に配列され、互いに等間隔に離隔される。そして、ま
ずカバー３０が閉じた状態にあっては、支持プレート４
０は、第１の傾斜位置Ａにある。すなわち、図示のよう
に、カバー３０が閉じているときは、支持プレート４０
は水平から約１９°傾いている（図３参照）。位置Ａの
傾斜角は、本発明の処理装置の操作にとって重要なもの
ではないが、キュベット６０の出し入れを容易に行うた
めには、以下に詳しく述べるようなものにするのが好ま
しい。

【００１８】支持プレート４０は、支持プレート４０の
下に位置する回転可能なカムシャフト５２とこのカムシ
ャフトから延びる複数のカム面５４を含むカム手段によ
り、カバー３０に移動可能に取り付けられる。カムシャ
フト５２は、一端は処理装置２０の側面に沿って延びる
可動下部リンケージ５６に連結される。下部リンケージ
５６はピン止めされるか、またはカバー３０の側面の一
つに接続される上部リンケージ５９まで延びる回動アー
ム５８に取り付けられる。ベアリングのセット（図示せ
ず）により、カムシャフト５２の滑らかな、繰り返し可
能な回転が可能になる。

【００１９】カム手段５０の作用は、図３ないし５によ
ってもみることができる。図５に矢印３２で示すように
カバー３０が開くと、カムシャフト５２は反時計周りに
回転する。その結果、カム面５４（図４）は支持プレー
ト４０の底部に係合し、支持プレート４０をほぼ水平な
位置Ｂに再配置する。この位置Ｂだと、図２ですでに述
べたように、キュベット６０の装填が容易になる。同様
に、カバー３０が閉じると、カムシャフト５２は方向を
変えて、支持プレート４０を最初の位置Ａ（図３）に戻
す。好ましい態様においては、カバー３０を開けたと
き、これに圧縮ばね（図示せず）を取り付け、カバー３
０を閉じたときにカム面５４を均一に揃えるようにする
ことができる。

【００２０】処理装置２０にはまた、矢印３４で示すよ
うに、支持プレートの上面４０に係合できる並進可能な
ローラアーム２８を取り付けられる。ローラアーム２８
は、マイクロプロセッサ（図示せず）のような制御手段
によって案内され、またサーボモータとベルト機構（図
示せず）によって駆動され、ローラアーム２８の底面か
ら延びて装填された複数個のキュベットの反応室６２と
貯蔵室６４，６６，６８を順次圧迫していく一連の引き
込み可能なローラ２９によってキュベット６０（図２）
に係合する。

【００２１】図から分るように、ローラアーム２８は、
支持プレート４０が位置Ａ（図３）にあるときは、この
上面４２に沿って自由に移動することができるが、図５
に示すように支持プレート４０が位置Ｂにあるときにキ
ュベットが装填されると、支持プレート４０に係合する
ことはできなくなる。

【００２２】図１および図６においては、反応キュベッ
ト６０検出室８４と流路８０に係合するよう、上部検出
室ヒータアセンブリ１４０と下部検出室ヒータアセンブ
リ１７０が設けられる。

【００２３】上部ヒータアセンブリ１４０は、薄くて電
気抵抗の大きい部材である第１の加熱要素１４２を具備
する。この第１の加熱要素１４２は、アルミニウムあう
いは他の熱伝導性の支持体の一面に接着される。加熱要
素１４２は、好ましくは、図６のように整列させたと
き、反応キュベット６０の検出室８４を収納できる大き
さで支持体１４４に設けられる貫通孔１５０を取り囲む
ような配置にするのがよい。貫通孔１５０は、透明なカ
バー３０と共働して、加熱処理を妨害することなく、検
出室８４の目視を可能にする。

【００２４】支持体１４４は熱伝導性であるため、熱
は、内部の側壁１５２と下面１４８を伝わる。これによ
り、接触によって反応キュベット６０を加熱する上部ヒ
ータアセンブリの第１の伝熱面が区画される。

【００２５】下面１４８にはさらに、好ましくは検出室
８４のどちらの側にある流路８０を収めることができる
チャネルもしくは通路１５４が区画される。通路１５４
は、伝熱面１４８（貫通孔１５０を除く）を横切って延
び、凹部を形成する。このため、支持体１４４によって
加えられる下方への圧縮力は、下面１４８の凹部以外の
残りの部分を通じてキュベット６０の表面領域に達する
が、検出室８４と流路８０を含む液体移送部にはこの力
は加わらない。

【００２６】再度図６において、検出室８４の近傍で、
反応キュベットの下面に接触するため、第２のあるいは
下部ヒータアセンブリが設置される。下部ヒータアセン
ブリ１７０は、ガラスあるいは好ましくはサファイアの
ような他の透明部材１７４の外面に接着される電気抵抗
の大きな部材である第２の加熱要素１７２を備える。保
持具１７６は、ガラス部材１７４と第２の加熱要素１７
２を保持穴１７８において保持する。保持穴１７８は、
ガラス部材１７４がすっぽりと収まり、好ましくはガラ
ス部材１７４の外面が保持具１７６の外縁と同じ高さと
なるような大きさにする。

【００２７】圧縮ばね１８２の対を、保持具１７６の底
面と処理装置２０の固定溶接物２６の間に設ける。この
溶接物２６は、支持プレート４０（図７）の下方に位置
し、処理装置２０の内部に拡がる。圧縮ばね１８２は、
ショルダーねじ１８６を介して支持される。図３と図５
に示すように、支持プレート４０が位置Ａから位置Ｂに
移動するときでも、下部ヒータアセンブリ１７０はその
場に留まる。

【００２８】薄手の第２の加熱要素１７２は、上部ヒー
タアセンブリ１４０におけるのと同じような外縁形状を
有し、検出室８４に合う大きさのガラス部材１７４は、
支持中央にある貫通部あるいはウィンドー１８０の周り
を取り囲む。同様のウィンドー（図示せず）は、検出室
８４の機械的な手段（図示せず）による光学的な観察を
可能にするため、保持部１７６の底面に沿っても設けら
れる。

【００２９】図示の態様においては、処理装置２０には
一連の第２のヒータアセンブリ１７０が設けられる。電
気抵抗の大きなコイル等の加熱要素１４２と１７２に必
要な熱源は、図示はしていないが、よく知られている。

【００３０】さて、図７と図８においては、互いにまた
処理装置の他の部分と組み合わされた上部ヒータアセン
ブリと下部ヒータアセンブリの詳細を示す。支持プレー
ト４０の上面４２に隣りには跳ね上げプレート１４６が
設けられ、上部ヒータアセンブリ１４０、すなわち支持
体１４４と第１の加熱要素１４２がねじ付きのファスナ
が挿入される取付け穴１４７（図６）を介して取り付け
られる。跳ね上げプレート１４６は、支持プレート１４
６に係合する回し機構１５６により開もしくは閉の状態
を選択できる。ねじりばね（図示せず）は、回し機構１
５６が係合状態にないとき、支持プレート１４６を開の
状態に保つ。跳ね上げプレート１４６には、このプレー
ト１４６が閉状態のとき（図７）、先の貫通孔１５０
（図６）と一致する開口部１５６が設けられる。

【００３１】下部ヒータアセンブリに話を移すと、保持
具１７６は、図７と８に示すように固定溶接物２６に取
り付けられる保持プレート１８４の内部にゆるく収めら
れる。

【００３２】支持プレート４６を貫通して設けられる一
連の開口４６は、等間隔で平行に離隔され、支持プレー
ト４０が位置Ｂから最初の傾斜位置Ａに移動するとき、
それぞれが第２のヒータアセンブリ１７０を収めること
のできる大きさに形成される。そして、下部ヒータアセ
ンブリは、支持プレート４０が位置Ａに復帰したとき開
口４６に収まるよう、固定溶接物２６を含む下部ヒータ
アセンブリ１７０全体が傾けられる。好ましい方位にお
いては、支持プレート４０が位置Ａにあるときは、保持
プレート１８４の外面１８８と支持プレートの上面４２
は互いに同一高さにあり、一方保持具１７６は、上面４
２よりやや高い位置まで延びる。そして保持プレート１
８４を含む下部ヒータアセンブリ全体は、その後、保持
具１７６の底面と溶接物２６をそれぞれを押圧するばね
１８２の弾性によって軸１９０（図７）に沿って移動す
る保持具１７６を除いて剛性になる。

【００３３】図１ないし図９において、処理装置のカバ
ー３０が開いたときは、支持プレート４０は、カバー３
０とカム手段５０の間に連結されている関係上、カムシ
ャフト５２が回転してカム面５４を支持プレート４０の
底面と接触させるため、最初の傾斜位置Ａからほぼ水平
な装填位置Ｂまで移動する。前述のように、ローラアー
ム２８は、支持プレート４０が位置Ｂにいる間は、係合
することができない。

【００３４】複数個の反応キュベットは、ついで支持プ
レート４０の上面４２上に区画されたスロット（図示せ
ず）に装填される。このとき各キュベット４０の室は、
それぞれ上方もしくは反対に上面４２側を向いて配置さ
れる。跳ね上げプレート１４６は、好ましくは、図８に
示すように、装填の間は閉じられている。キュベット６
０は、上部ヒータアセンブリ１４２がこれらキュベット
と接触するまでの間、上面４２上でゆるく保持される。
各キュベットは、装填の間は、支持プレート４０が位置
Ｂに移行するとき下部ヒータアセンブリ１７０との整列
を保つため、各反応室８４の下面が開口４６と一致する
よう整列させられる。

【００３５】上部ヒータアセンブリ１４０は、検出室８
４が開口１５０の中に収まり、また検出室８４のどちら
かの側にある流路８０が通路１５４の中に収まるよう、
支持プレート４０を下方に回し下げることにより検出室
８４と接触させられる。各跳ね上げプレート１４６は、
回し機構１５６の係合により下面１４８をキュベット６
０への伝熱が可能な接触状態に効果的に配置する、通常
は定位置でロック状態におかれる。

【００３６】一旦反応キュベット６０が支持プレート４
０上に載置され、上部ヒータアセンブリ１４０が上述の
ような位置におかれると、処理装置のカバー３０は、図
７に示すように閉じられ、支持プレート４０と反応キュ
ベット６０はまず最初の位置Ａに配置される。この位置
Ａにおいては、固定溶接物２６に隣接する支持プレート
４０は、下部ヒータアセンブリ１７０の位置まで下が
る。保持具１７６の上面は好ましくは支持プレートの上
面４２の上方まで延びるため、各反応キュベット６０
は、その厚みの分だけ、ばね１８２を働かせ、上部およ
び下部ヒータアセンブリ１４０，１７０を、反応キュベ
ットを圧迫する密接な伝熱接触状態におく。しかし、上
述のように、流路８０に対して十分な空隙を確保した通
路１５４（図９）は、検出室８４への流体の出入りを妨
げることはなく、他方上部および下部ヒータアセンブリ
１４０，１７０（図６）とキュベット６０の間には、十
分な伝熱接触が達成される。

【００３７】もっとも好ましくは、通路１５４の表面２
００は、表面２００が室８０に生じる膨脹の程度を抑え
るように働くよう、ウィンドー１８０の表面からは離隔
して配置される。その結果、室８０において予想される
圧力の範囲内では、予期された程度の流量と膨脹が得ら
れる。さらに、室８０の縁部２０２における流量特性は
均一になる。通路１５４の面２００とウィンドー１８０
の外面の間の距離ｈは０．３mm程度であると都合がよ
い。

【００３８】図６に示した上部ヒータアセンブリ１４０
と下部ヒータアセンブリ１７０は、それぞれ図１０に示
した、支持プレート４０と跳ね上げプレート１４６にそ
れぞれ設けた凹部に位置する下部抑止プレート２１０と
上部抑止プレーＴ２２０によって取り替えることもでき
る。プレート２１０と２２０はともに、両プレート２１
０と２２０に挟まれる検出室８４がすでに述べたように
透視できるよう、ガラスやサファイアのような熱伝導性
の透明な材料からつくられる。加熱要素（図示せず）
は、各抑止プレート２１０と２２０に公知の方法で接着
される。

【００３９】支持プレート４０は、下部抑止プレート２
１０を収める凹部が、下部抑止プレート２１０の頂面２
１２と上部抑止プレート２２０の底面２２の間に所定の
間隔ｈ₁ を保つよう、研磨にかけられる。壁の厚さが
０．１mmのキュベットの場合、この距離ｈ₁ は０．３mm
であると特に都合がよい。

【００４０】さて操作についてであるが、キュベット６
０が図示の装置に導入され、流体が検出室８４に導入さ
れると、プレート２１０と２２０は、最終的に室の膨脹
を抑止する前に、約０．１mmの膨脹は許容する。このた
め、流体は比較的一定した流量で室を通過することがで
きる。プレート１４６と４０は、回し機構１５６によっ
て圧迫接触状態に保たれ、プレート２１０，２２０の伝
熱面と検出室８４の間には密接な伝熱接触が確保され
る。こうして、ばね装填機構を必要とすることなく、キ
ュベット６０の適切な加熱と十分な流量の両方が達成さ
れる。

【００４１】間隔ｈは、キュベットに収められる流体の
量と粘度、キュベットの壁の厚さと曲がりやすさその他
の要因に大きく依存して変化することは容易に理解でき
るであろう。

【００４２】図２の室８４のいずれかのドットにおける
色の変化は、公知の反射計（図示せず）によって観察す
ることができる。

【００４３】さらに、開口４６のおかげで、検出室８４
は、カバー３０を開けたり、増幅過程を妨害しなくても
透視することができる。

【００４４】以上本発明を好ましい態様に則して説明し
てきたが、本発明の範囲内で変形例・修正例も生み出す
ことができるであろう。

【００４５】本発明の具体的な実施態様は以下の通りで
ある。 １）前記アセンブリは、前記第１の加熱要素が反応キュ
ベットに係合している間、前記流体移送室を透視できる
手段をさらに備える請求項１記載のアセンブリ。 ２）前記第１の加熱要素は、透明な材料から製造される
請求項１記載のアセンブリ。 ３）前記アセンブリはさらに熱源と伝熱面を有する第２
の加熱要素を備え、前記支持具によって支持された反応
キュベットは前記第１の加熱要素の伝熱面とこの第２の
加熱要素の伝熱面の間に置かれ、このアセンブリはま
た、前記二つの加熱要素の少なくとも一つを前記反応キ
ュベットと係合させ、また係合状態から離すよう移動さ
せる手段を備える請求項１記載のアセンブリ。 ４）前記アセンブリはさらに、前記加熱要素が前記反応
キュベットと接触するよう、これら加熱要素を弾性的に
押圧する手段を備える上記実施態様３）記載のアセンブ
リ。 ５）前記第２の加熱要素は、透明な材料から製造される
上記実施態様３）記載のアセンブリ。

【００４６】６）前記第１の加熱要素はさらに、この加
熱要素を貫通して延び、また前記流体移送室を収納する
大きさの開口部を区画する手段を備える請求項１記載の
アセンブリ。 ７）前記第１の加熱要素は、前記伝熱面を前記反応キュ
ベットと接触させ、またこの接触状態から離すよう移動
させるため、前記支持具に移動可能に連結される請求項
１記載のアセンブリ。 ８）前記固定通路は、流体圧力が存在するとき、前記流
体移送室を圧迫してこの流体移送室の膨脹を制限する大
きさである請求項１記載のアセンブリ。 ９）前記装置はさらに、前記第１の加熱要素が反応キュ
ベットに係合している間、前記流体移送室を透視できる
手段をさらに備える請求項２記載の装置。 １０）前記第１の加熱要素は、透明な材料から製造され
る上記実施態様９）記載の装置。 １１）前記第１の加熱要素は、前記流体移送室を透視で
きる開口を区画する手段をさらに備える上記実施態様
９）記載の装置。

【００４７】１２）前記支持具は第１の位置から第２の
位置へ移動することができ、また前記カバーが開いてい
るときに前記支持具が前記第１の位置から第２の位置へ
移動するよう、適当な手段によって前記カバーに連結さ
れる請求項２記載の装置。 １３）前記装置は熱源と、接触によって前記反応キュベ
ットを加熱する伝熱面を有する第２の加熱要素を備える
請求項２記載の装置。 １４）前記支持具が前記第２の位置から第１の位置へ移
動する際、前記第２の加熱要素を収納する大きさの開口
部を区画する手段を有する上記実施態様１２）記載の装
置。 １５）前記装置はさらに、前記支持具が前記第２の位置
から第１の位置に移動する際、前記第２の加熱要素が前
記反応キュベットを圧迫しながら接触するよう、前記第
２の加熱要素を弾性的に押圧する手段を備える上記実施
態様１３）記載の装置。 １６）前記第２の加熱要素は透明な材料から製造される
上記実施態様１３）記載の装置。 １７）前記装置はさらに、前記第１の加熱要素を前記反
応キュベットの一部と接触させ、またこの接触状態から
離すよう移動させる手段を備え、この手段は前記支持具
に連結される上記実施態様１２）記載の装置。 １８）前記装置はさらに、前記流体移送室に存在する少
なくとも一種の物質を検出する手段を備える上記実施態
様９）記載の装置。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
核酸増幅に有用な反応キュベットを処理装置内に設ける
ことができるため、検出室が伝熱面と密接に伝熱的な接
触ができ、キュベット検出室の効率的な加熱を促進しな
がら、流体のキュベット検出室への出入りを確保でき
る。また、本発明によれば、反応の結果を、処理装置を
開放し、また処理の増幅ないし検出の過程を妨害するこ
となしに観察できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一態様に係る処理装置の正面斜視図。

【図２】図１の処理装置に収められる反応キュベットの
平面図。

【図３】図１の処理装置のカバーと装置内部に設けられ
た支持プレートの関係を示す一部切欠側面断面図。

【図４】図３に示した処理装置の部分平面図。

【図５】図３および図４に示した処理装置の一部切欠側
面断面図。

【図６】図２の反応装置と本発明による上部および下部
加熱アセンブリの一部との関係を示す拡散分解図。

【図７】処理装置のカバーが閉じた状態における図６の
加熱アセンブリの係合の様子を示す図１の処理装置の部
分側面断面図。

【図８】処理装置のカバーを開いた後における二つの加
熱アセンブリの係合の様子を示す図７の処理装置の部分
側面断面図。

【図９】図７の処理装置のＩＸで示した箇所の拡大断面
図。

【図１０】反応キュベットの室に係合してこの室を加熱
する本発明の他の態様に係る処理装置の部分側面断面
図。

【符号の説明】

２０ 処理装置 ２２ 本体 ３０ カバー ４０ 可動支持部レート ６０ 反応キュベット ８４ 検出室 １４０ 上部ヒータアセンブリ １４２ 第１の加熱要素 １４４ 伝熱支持体 １５４ 通路 １７０ 下部ヒータアセンブリ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クレイグ・エイ・カプリオ アメリカ合衆国、14616 ニューヨーク州、 ロチェスター、スターリング・スクウェア ー ６ (72)発明者 マイケル・アール・バン・デール・ガッグ アメリカ合衆国、14625 ニューヨーク州、 ロチェスター、ウエストフィールド・コモ ンズ 49 (72)発明者 チャールズ・シー・ヒンクリー アメリカ合衆国、95409 カリフォルニア 州、サンタ・ロサ、ミッション・ブールバ ード 431 (72)発明者 ジョン・ビー・ケメリ アメリカ合衆国、14580 ニューヨーク州、 ウェブスター、ジョイレーン・ドライブ 922

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反応キュベットの流体移送部を加熱する
   アセンブリであって、 熱源と伝熱面を有する第１の加熱要素と、 少なくとも一個の弾性の流体移送室を有する反応キュベ
   ットを支持する支持具と、 前記伝熱面を、前記支持具によって支持された反応キュ
   ベットの一部と密接に接触させ、またこの接触から離す
   よう移動させる手段を備え、 前記伝熱面はさらに、前記第１の加熱要素が反応キュベ
   ットに係合している間に流体を通過・移送する前記少な
   くとも一個の流体移送室を収納するため所定の大きさに
   形成された固定通路を区画する手段を具備するアセンブ
   リ。
2. 【請求項２】 処理装置であって、 内部に空間を有する本体と、 この本体に開閉可能に取り付けられるカバーと、 前記本体の内部に収められる少なくとも一個の弾性の流
   体移送室を有する反応キュベットを支持する支持具と、 熱源と、前記反応キュベットに接触してこの反応キュベ
   ットを加熱することができる第１の伝熱面を有する第１
   の加熱要素であって、この第１の加熱要素が反応キュベ
   ットに係合している間に流体を通過・移送する前記流体
   移送室を収納するため所定の大きさに形成された固定通
   路を区画する手段を有する第１の加熱要素と、 前記第１の加熱要素が前記支持具によって支持された反
   応キュベットと密接に接触するよう、この加熱要素を移
   動させる手段を備える装置。