JPH07230677A

JPH07230677A - 光学式ディスク再生装置及びその制御回路

Info

Publication number: JPH07230677A
Application number: JP15098594A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Osuga; 央大須賀; Koichi Yamashita; 幸一山下; Ryuichi Yamashita; 隆一山下
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba AVE Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba AVE Co Ltd
Priority date: 1993-12-22
Filing date: 1994-07-01
Publication date: 1995-08-29

Abstract

(57)【要約】【目的】ディスク表面上にキズや汚れがある領域でトラ
ッキング／フォーカス制御用の制御信号を基準電位に保
つことを目的する。【構成】スイッチ用のＮＰＮトランジスタ34及びＰＮＰ
トランジスタ35が設けられ、トランジスタ34のベースと
基準電位Ｖref との間にはアノードをベース側にしてダ
イオード40が、トランジスタの35のベースと基準電位Ｖ
ref との間にはカソードをベース側にしてダイオード41
がそれぞれ接続されている。検出信号の入力時には上記
ダイオード40、41に電流源36、37からの電流が流れ、基
準電位Ｖref を基準にしてそれぞれベース・エミッタ間
順方向バイアス電位だけシフトした電位がトランジスタ
34、35のベースに供給され、両トランジスタ34、35がオ
ン状態になる。検出信号が入力しないときには電流源3
8、39からの電流がトランジスタ35、34のベースに供給
され、両トランジスタ34、35はオフ状態になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は光学式ディスク再生装
置におけるピックアップのトラッキング制御及びフォー
カス制御を行う制御回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】光学式ディスク再生装置、例えばコンパ
クトディスク（ＣＤ）再生装置などでは、サーボ回路を
用いてピックアップの位置制御、すなわちトラッキング
制御やフォーカス制御が行われている。しかし、ディス
ク表面にキズや汚れがあると、トラッキング制御やフォ
ーカス制御を安定に行うことができなくなる恐れがあ
る。そこで、通常、キズや汚れがある領域ではトラッキ
ング／フォーカス制御を行うための制御信号を基準電位
に固定することによって、誤った制御信号に基づくトラ
ッキング／フォーカス制御が行われないようにしてい
る。

【０００３】図１１はこのようなサーボ制御を行う従来
の制御回路の概略的な構成を示している。信号処理回路
81及び82はサーボ制御を行うための信号処理系を構成し
ており、一方の信号処理回路81は例えば演算増幅器や抵
抗等で構成され、図示しないピックアップからの出力信
号を用いてピックアップの位置制御を行うための制御信
号とキズや汚れ等の検出信号を出力する。他方の信号処
理回路82も例えば演算増幅器や抵抗等で構成され、上記
信号処理回路81で得られた制御信号のゲイン調整等を行
って出力する。この信号処理回路82からの出力信号は図
示しないトラッキング用アクチュエータコイルもしくは
フォーカス用アクチュエータコイルに供給され、両コイ
ルが駆動されることによって正しいトラックを追跡する
トラッキング制御や最適な焦点が得られるようなフォー
カス制御が行われる。

【０００４】上記信号処理回路81の出力端と基準電位Ｖ
ref のノードとの間には電位設定用の抵抗83が、信号処
理回路82の入力端と基準電位Ｖref のノードとの間には
電位設定用の抵抗84がそれぞれ接続されており、さらに
両信号処理回路81、82の相互間にはカップリング用のコ
ンデンサ85が接続されている。

【０００５】また、コンパレータ86はディスク表面のキ
ズや汚れを検出するためのものであり、このコンパレー
タ86には上記ピックアップから出力されるキズや汚れを
検出することによって得られる検出信号が入力される。
このコンパレータ86では、２個の抵抗87、88及びコンデ
ンサ89からなる比較用電位発生回路によって発生される
検出信号のほぼ半分のレベルを持つ比較用電位と検出信
号とが比較される。このコンパレータ86の出力はＮＰＮ
トランジスタ90のベースに供給される。このトランジス
タ90のコレクタは上記信号処理回路82の入力ノードに接
続されており、エミッタは基準電位Ｖref のノードに接
続されている。

【０００６】このような構成の制御回路において、信号
処理回路81にはピックアップから図１２の（ａ）に示す
ような制御信号が入力されているとする。そして、ピッ
クアップでディスク表面のキズや汚れが検出されると、
その検出信号として図１２の（ｂ）に示すような“Ｌ”
レベルの信号が信号処理回路81から出力される。この
“Ｌ”レベルの検出信号がコンパレータ86に入力される
ことによって、コンパレータ86からは“Ｈ”レベルの信
号が出力される。すなわち、ディスク表面のキズや汚れ
がある領域ではトランジスタ90がオン状態となり、信号
処理回路82の入力ノードがトランジスタ90を介して基準
電位Ｖref に固定される。これにより、信号処理回路82
からの出力信号レベルも基準電位Ｖref に固定される。

【０００７】しかし、図１２の（ａ）に示すように、信
号処理回路81から出力される制御信号は基準電位Ｖref
を中心にして上下に振れる信号であるため、そのレベル
が基準電位Ｖref よりも低くなったときに、トランジス
タ90は正常なオン状態が保てなくなる。すなわち、信号
処理回路81に入力される制御信号のレベルが基準電位Ｖ
ref よりも低い場合、図１２の（ｃ）に示すように、基
準電位Ｖref よりも低いレベルの波形が信号処理回路82
から出力されてしまう。また、トランジスタ90のコレク
タに加わる制御信号が基準電位Ｖref よりも高いレベル
のとき、トランジスタ90はオン状態になるが、コレクタ
・エミッタ間の飽和電圧ＶCE分が制御信号にオフセット
電圧として現れる。

【０００８】このように、ディスク表面上にキズや汚れ
がある領域で、ピックアップに供給されるトラッキング
／フォーカス制御用の制御信号を基準電位に保つことが
できなくなると、音飛びやノイズ等が発生することにな
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このように従来の制御
回路では、ディスク表面にキズや汚れがある領域でトラ
ッキング／フォーカス制御用の制御信号を基準電位に保
つことができず、これによって種々の問題が引き起こさ
れるという問題がある。

【００１０】従って、この発明の目的は、ディスク表面
上にキズや汚れがある領域でトラッキング／フォーカス
制御用の制御信号を基準電位に保つことができ、これに
よって従来発生していた種々の問題を解消することがで
きる光学式ディスク再生装置の制御回路を提供すること
である。

【００１１】

【課題を解決するための手段】第１の発明の光学式ディ
スク再生装置の制御回路は、光学式ディスク上に記録さ
れた情報を読み取るピックアップからの出力信号を処理
しこのピックアップの位置制御を行うための制御信号を
出力する信号処理系と、上記ディスク上のキズ、汚れを
検出することによって得られる検出信号に応じて上記制
御信号の電位を基準電位に固定させるスイッチ制御回路
とを具備し、上記スイッチ制御回路が、高電位側の電源
電位のノードと上記信号処理系の所定の回路点との間に
コレクタ・エミッタ間が挿入された第１のトランジスタ
と、低電位側の電源電位のノードと上記回路点との間に
コレクタ・エミッタ間が挿入され上記第１のトランジス
タとは逆極性の第２のトランジスタと、上記検出信号が
入力された際に上記第１及び第２のトランジスタの各ベ
ースに対し上記第１及び第２のトランジスタが導通する
ような電位を与える第１の電位発生手段と、上記検出信
号が入力されないときには上記第１及び第２のトランジ
スタの各ベースに対し上記第１及び第２のトランジスタ
が非導通となるような電位を与える第２の電位発生手段
とから構成されることを特徴とする。

【００１２】第２の発明の光学式ディスク再生装置の制
御回路は、光学式ディスク上に記録された情報を読み取
るピックアップからの出力信号を処理しこのピックアッ
プの位置制御を行うための制御信号を出力する信号処理
系と、上記ディスク上のキズ、汚れを検出することによ
って得られる検出信号に応じて上記制御信号の電位を基
準電位に固定させるスイッチ制御回路とを具備し、上記
スイッチ制御回路が、高電位側の電源電位のノードと上
記信号処理系の所定の回路点との間にコレクタ・エミッ
タ間が挿入された第１のトランジスタと、低電位側の電
源電位のノードと上記回路点との間にコレクタ・エミッ
タ間が挿入され上記第１のトランジスタとは逆極性の第
２のトランジスタと、上記検出信号が入力された際に上
記第１及び第２のトランジスタの各ベースに対し上記第
１及び第２のトランジスタが導通するような電位を与え
る電位発生手段とから構成されることを特徴とする。

【００１３】

【作用】第１の発明の光学式ディスク再生装置の制御回
路によれば、スイッチ制御回路に検出信号が入力された
際に、第１及び第２のトランジスタの各ベースに対して
これら第１及び第２のトランジスタが導通するような電
位が与えられることにより第１及び第２のトランジスタ
がオン状態になり、これら第１及び第２のトランジスタ
を介して基準電位が信号処理系の所定の回路点に出力さ
れ、検出信号が入力されないときには第１及び第２のト
ランジスタの各ベースに対してこれら第１及び第２のト
ランジスタが非導通となるような電位が与えられること
により第１及び第２のトランジスタがオフ状態になり、
スイッチ制御回路を介して基準電位が与えられなくな
る。

【００１４】第２の発明の光学式ディスク再生装置の制
御回路によれば、スイッチ制御回路に検出信号が入力さ
れた際に、第１及び第２のトランジスタの各ベースに対
してこれら第１及び第２のトランジスタが導通するよう
な電位が与えられることにより第１及び第２のトランジ
スタがオン状態になり、これら第１及び第２のトランジ
スタを介して基準電位が信号処理系の所定の回路点に出
力される。

【００１５】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。図１はこの発明に係る光学式ディスク再生
装置の制御回路の第１の実施例によるブロック図であ
り、この発明をコンパクトディスク再生装置のトラッキ
ング制御回路に実施した場合である。なお、この制御回
路は他の制御回路、例えばフォーカス制御回路等と共に
集積回路化されている。

【００１６】ピックアップ11はレーザーダイオード、ハ
ーフミラープリズム、対物レンズ、トラッキングコイ
ル、フォーカスコイル、磁石等で構成されている。この
ピックアップ11はディスク上に記録された情報を読み取
ると共に、制御信号を出力する。この信号は、集積回路
の外部端子12を介して信号処理回路13に入力される。こ
の信号処理回路13は信号処理回路14と共にピックアップ
11の出力信号を処理する信号処理系を構成しており、信
号処理回路13及び信号処理回路14はそれぞれ例えば演算
増幅器や抵抗等を用いて構成される。そして、一方の信
号処理回路13はピックアップ11からの出力信号を用いて
ピックアップの位置制御を行うための制御信号とキズや
汚れ等の検出信号を出力する。他方の信号処理回路14は
制御信号のゲイン調整等を行う。

【００１７】上記信号処理回路13から出力される位置制
御のための制御信号の出力ノードと基準電位Ｖref のノ
ードとの間には電位設定用の抵抗15が、信号処理回路14
の入力ノードＮと基準電位Ｖref のノードとの間には電
位設定用の抵抗16がそれぞれ接続されており、さらに両
信号処理回路13、14の入出力ノード相互間にはカップリ
ング用のコンデンサ17が接続されている。

【００１８】上記信号処理回路14から出力される制御信
号は外部端子18を介してコイル駆動用のドライバ回路19
に入力され、このドライバ回路19の出力信号によってト
ラッキング用アクチュエータコイル20が駆動される。

【００１９】また、上記信号処理回路13から出力される
検出信号はスイッチ制御回路21に供給される。このスイ
ッチ制御回路21の出力ノードは上記信号処理回路14の入
力ノードＮに接続されており、スイッチ制御回路21は上
記検出信号が入力した際に基準電位Ｖref を信号処理回
路14の入力ノードに出力する。さらに、この集積回路に
は、上記スイッチ制御回路21と接続された比較用電位を
得るための外部端子22が設けられ、この外部端子22と接
地電位のノードとの間にはコンデンサ23が接続されてい
る。

【００２０】上記スイッチ制御回路21は、上記検出信号
を外部端子22の比較用電位と比較し、その比較結果に基
づいて基準電位Ｖref を前記信号処理回路14の入力ノー
ドＮに出力するものであり、このスイッチ制御回路21の
具体的な構成を図２に示す。

【００２１】図２において、前記検出信号はコンパレー
タ31の非反転入力ノード（＋）に供給される。また、コ
ンパレータ31の反転入力ノード（−）は上記外部端子22
に接続されている。コンパレータ31の非反転入力ノード
と反転入力ノードとの間には抵抗32が接続され、反転入
力ノードと接地電位のノードとの間には抵抗33が接続さ
れている。すなわち、検出信号のレベルが２個の抵抗3
2、33によって抵抗分割され、例えば半分のレベルを有
する比較用電位が形成され、コンデンサ23によって保持
される。そして、検出信号がコンパレータ31によって上
記比較用電位と比較される。

【００２２】また、電源電位ＶCCのノードにはスイッチ
用のＮＰＮトランジスタ34のコレクタが接続され、接地
電位のノードにはスイッチ用のＰＮＰトランジスタ35の
コレクタが接続されている。上記両トランジスタ34、35
のエミッタは共通に接続され、この共通エミッタは前記
信号処理回路14の入力ノードＮに接続されている。

【００２３】また、このスイッチ制御回路21には４個の
電流源36、37、38、39と２個のダイオード素子40、41が
設けられている。上記電流源36と37はそれぞれ、前記コ
ンパレータ31の非反転出力ノードの信号で動作が制御さ
れ、一方の電流源36は電源電位ＶCCのノードとトランジ
スタ34のベースとの間に接続され、他方の電流源37はト
ランジスタ35のベースと接地電位のノードとの間に接続
されている。上記電流源38と39はそれぞれ、前記コンパ
レータ31の反転出力ノードの信号で動作が制御され、一
方の電流源38は電源電位ＶCCのノードとトランジスタ35
のベースとの間に接続され、他方の電流源39はトランジ
スタ34のベースと接地電位のノードとの間に接続されて
いる。

【００２４】上記ダイオード素子40、41はそれぞれアノ
ードとカソードを有し、ダイオード素子40のアノード側
はトランジスタ34のベースに、カソードは基準電位Ｖre
f のノードにそれぞれ接続され、ダイオード素子41のア
ノード側は基準電位Ｖref のノードに、カソード側はト
ランジスタ35のベースにそれぞれ接続されている。な
お、上記両ダイオード素子40、41としてそれぞれ通常の
ＰＮ接合ダイオード等を用いてもよいが、ダイオード素
子40として、コレクタ・ベースが接続され、上記スイッ
チ用のトランジスタ34と素子面積が等しくされたＮＰＮ
トランジスタを用いることが好ましく、ダイオード素子
41として、コレクタ・ベースが接続され、上記スイッチ
用のトランジスタ35と素子面積が等しくされたＰＮＰト
ランジスタを用いることが好ましい。なぜならば、各ダ
イオード素子40、41の順方向降下電圧ＶF をトランジス
タ34、35のベース・エミッタ間電圧ＶBEと一致させるこ
とが好ましいからである。

【００２５】このような構成でなるトラッキング制御回
路の概略的な動作は次の通りである。すなわち、ディス
ク表面上にキズ、汚れが存在せず、検出信号が出力され
ないときは、ピックアップ11から出力される制御信号を
用いて両信号処理回路13、14でトラッキング制御のため
の制御信号が形成され、ドライバ回路19を経てコイル20
に供給されることにより、正規のトラックを追跡するよ
うにピックアップ11の位置が自動制御される。

【００２６】一方、ディスク表面上にキズ、汚れがあ
り、この領域がピックアップ11によって読み取られる
と、信号処理回路13から検出信号が出力される。この検
出信号が入力すると、スイッチ制御回路21は基準電位Ｖ
ref を出力し、信号処理回路14の入力ノードＮが信号処
理回路13の出力信号レベルに依存せずにＶref に固定さ
れる。この結果、信号処理回路14から出力される制御信
号のレベルもＶref に固定される。

【００２７】次に、図２のスイッチ制御回路の動作を図
３の波形図を用いて説明する。なお、図３の（ａ）は信
号処理回路13に入力されるトラッキング制御のための入
力制御信号の波形を、同（ｂ）はスイッチ制御回路21に
入力される検出信号とこれによって形成される比較用電
位の波形をそれぞれ示し、同（ｃ）は信号処理回路14か
ら出力される出力制御信号の波形を示している。

【００２８】ディスク表面上にキズ、汚れがなく、検出
信号が“Ｈ”レベルにされている場合、２個の抵抗32、
33によってこの検出信号の“Ｈ”レベルの半分のレベル
を持つ比較用電位が形成され（図中の一点鎖線で示して
いる）、両レベルがコンパレータ31で比較される。この
場合、検出信号のレベルが比較用電位よりも高いので、
コンパレータ31の非反転出力ノードからの出力信号が
“Ｈ”レベル、反転出力ノードからの出力信号が“Ｌ”
レベルとなる。このとき、“Ｌ”レベルになっている反
転出力ノードの出力信号で制御される電流源38と電流源
39がそれぞれ動作状態になる。そして、電流源38の電流
によってトランジスタ35のベース電位はほぼＶccに設定
され、このトランジスタ35はオフ状態になる。また、電
流源39の電流によってトランジスタ34のベース電位はほ
ぼ接地電位に設定され、このトランジスタ34もオフ状態
になる。すなわち、この場合にはスイッチ制御回路21か
ら基準電位Ｖref は出力されず、図３中のキズ（汚れも
含む）なし領域１及びキズなし領域２ではそれぞれ入力
制御信号に対応した出力制御信号が得られ、正常なトラ
ッキング制御が行われる。

【００２９】一方、ディスク表面上にキズ、汚れがあ
り、検出信号が“Ｌ”レベルになると、検出信号のレベ
ルが比較用電位よりも低くなり、コンパレータ31の非反
転出力ノードの出力信号は“Ｌ”レベルに、反転出力ノ
ードの出力信号は“Ｈ”レベルに反転する。このとき、
“Ｌ”レベルになっている非反転出力ノードからの出力
信号で制御される電流源36と37がそれぞれ動作状態にな
る。このとき、電流源36の電流がダイオード素子40を通
って基準電位Ｖref のノードに流れ、また、電流源37の
電流が基準電位Ｖref からダイオード素子41を通って接
地電位に流れる。

【００３０】このような電流が流れているとき、スイッ
チ用のＮＰＮトランジスタ34のベース電位は、基準電位
Ｖref に対してダイオード素子の順方向降下電圧ＶF だ
け高いものとなる。従って、このトランジスタ34はオン
状態となり、そのコレクタ電位すなわち信号処理回路14
の入力ノードＮの電位は、（Ｖref ＋ＶF ）からトラン
ジスタ34のベース・エミッタ間順方向バイアス電位ＶBE
（＝ＶF ）だけ下がったＶref に設定される。他方のス
イッチ用のＰＮＰトランジスタ35のベース電位は、基準
電位Ｖref に対してダイオード素子の順方向降下電圧Ｖ
F だけ低いものとなる。従って、このトランジスタ35も
オン状態となり、そのコレクタ電位すなわち信号処理回
路14の入力ノードＮの電位は、（Ｖref −ＶF ）からト
ランジスタ35のベース・エミッタ間順方向バイアス電位
ＶBE（＝ＶF ）だけ上昇したＶref に設定される。すな
わち、スイッチ制御回路21から信号処理回路14の入力ノ
ードＮに基準電位Ｖref が出力されることになる。ま
た、検出信号が“Ｌ”レベルになっているとき、外部端
子22に得られる比較用電位は、コンデンサ23が接続され
ていることにより、順次低下していく。

【００３１】このように、キズあり領域では、検出信号
に応じてスイッチ制御回路21内のトランジスタ34、35が
オン状態にされることにより、信号処理回路14の入力ノ
ードＮの電位が基準電位Ｖref に固定される。このと
き、図１中のピックアップ11はキズなし領域１における
位置をそのまま維持する。このため、従来のような音飛
びの発生が防止される。

【００３２】この実施例回路では、ディスク表面上にギ
ズ、汚れがない領域のときに、トランジスタ35のベース
電位がほぼＶccに設定され、トランジスタ34のベース電
位がほぼ接地電位に設定されるため、信号処理回路14の
入力ノードＮの電位が基準電位Ｖref に対して２ＶBE以
上高い電位、もしくは２ＶBE以上低い電位になる場合で
あっても、両トランジスタ34、35がオンするすることは
ない。従って、この実施例回路では信号処理回路14の入
力ノードＮにおける信号の振幅を十分に広い範囲で許容
することができる。

【００３３】なお、上記実施例ではこの発明をトラッキ
ング制御に実施したが、フォーカス制御にも実施するこ
とができ、この場合には信号処理回路13にフォーカス制
御の機能を持たせれば良い。

【００３４】図４は上記図２に示したスイッチ制御回路
21のさらに詳細な構成を示している。前記コンパレータ
31はレベル比較用の４個のＮＰＮトランジスタ51、52、
53、54と、３個の電流源55、56、57及び２個の負荷用の
ＮＰＮトランジスタ58、59とから構成されている。

【００３５】また、前記電流源37は、上記負荷用のＮＰ
Ｎトランジスタ58とベースが共通に接続されたＮＰＮト
ランジスタ37Ａによって構成されている。前記電流源36
は、上記負荷用のＮＰＮトランジスタ58とベースが共通
に接続されたＮＰＮトランジスタ36Ａと、このトランジ
スタ36Ａのコレクタ電流が供給されるＰＮＰトランジス
タ36Ｂ及びこのトランジスタ36Ｂとベースが共通に接続
されたＰＮＰトランジスタ36Ｃで構成されている。前記
電流源39は、上記負荷用のＮＰＮトランジスタ59とベー
スが共通に接続されたＮＰＮトランジスタ39Ａによって
構成されている。前記電流源38は、上記負荷用のＮＰＮ
トランジスタ59とベースが共通に接続されたＮＰＮトラ
ンジスタ38Ａと、このトランジスタ38Ａのコレクタ電流
が供給されるＰＮＰトランジスタ38Ｂ及びこのトランジ
スタ38Ｂとベースが共通に接続されたＰＮＰトランジス
タ38Ｃで構成されている。

【００３６】また、前記ダイオード素子40はベース・コ
レクタ間が短絡され、前記トランジスタ34と素子面積が
等しくされたＮＰＮトランジスタ40Ａで構成され、前記
ダイオード素子41はベース・コレクタ間が短絡され、前
記トランジスタ35と素子面積が等しくされたＰＮＰトラ
ンジスタ41Ａで構成されている。

【００３７】図５はこの発明の第２の実施例によるスイ
ッチ制御回路21の詳細な構成を示している。この実施例
回路が前記図２のものと異なる点は、前記電流源38と前
記トランジスタ35のベースとの間にインピーダンス素子
42を、前記電流源39と前記トランジスタ34のベースとの
間にインピーダンス素子43をそれぞれ挿入するようにし
たものである。

【００３８】この実施例では、ディスク表面上にキズ、
汚れがない領域のときに、トランジスタ35のベース電位
はＶccよりもインピーダンス素子42における電圧降下分
だけ低い値にされ、その分だけトランジスタ35のベース
・エミッタ間逆耐圧を向上させることができる。同様
に、ディスク表面上にキズ、汚れがない領域のときに、
トランジスタ34のベース電位は接地電位よりもインピー
ダンス素子43における電圧降下分だけ高い値にされ、そ
の分だけトランジスタ34のベース・エミッタ間逆耐圧を
向上させることができる。なお、上記インピーダンス素
子42、43として例えばダイオードや抵抗等を使用するこ
とができ、ダイオードを使用した場合にインピーダンス
素子42としてはアノード側を電流源38に、カソード側を
トランジスタ35のベースに接続すれば良く、インピーダ
ンス素子43としてはカソード側を電流源39に、アノード
側をトランジスタ34のベースに接続すれば良い。

【００３９】図６はこの発明の第３の実施例によるスイ
ッチ制御回路21の詳細な構成を示している。この実施例
回路が前記図２のものと異なる点は、前記トランジスタ
34、35をオフさせるために２個のダイオード素子44、45
を追加するようにしたものである。上記ダイオード素子
44のカソード側はトランジスタ34のベースに、アノード
側は基準電位Ｖref のノードにそれぞれ接続され、ダイ
オード素子45のアノード側はトランジスタ35のベース
に、カソード側は基準電位Ｖref のノードにそれぞれ接
続されている。なお、この場合にも、上記２個のダイオ
ード素子44、45としてそれぞれ通常のＰＮ接合ダイオー
ド等を用いてもよいが、ダイオード素子44としてはコレ
クタ・ベースが接続され、上記スイッチ用のトランジス
タ34と素子面積が等しくされたＮＰＮトランジスタを用
いることが好ましく、他方、ダイオード素子45としては
コレクタ・ベースが接続され、上記スイッチ用のトラン
ジスタ35と素子面積が等しくされたＰＮＰトランジスタ
を用いることが好ましい。

【００４０】この実施例回路において、ディスク表面上
にキズ、汚れがある場合の動作は前記図２の実施例回路
と同様であるため説明は省略する。従って、ディスク表
面上にキズ、汚れがなく、検出信号が“Ｈ”レベルにさ
れている場合の動作のみを以下に説明する。検出信号が
“Ｈ”レベルのときは検出信号の“Ｈ”レベルの半分の
レベルを持つ比較用電位が形成され、両レベルがコンパ
レータ31で比較される。このとき、コンパレータ31の非
反転出力ノードからの出力信号が“Ｈ”レベル、反転出
力ノードからの出力信号が“Ｌ”レベルとなり、“Ｌ”
レベルとなる反転出力ノードの出力信号で制御される電
流源38と電流源39がそれぞれ動作状態になる。電流源38
の電流がダイオード素子45を介して基準電位Ｖref のノ
ードに流れることにより、トランジスタ35のベース電位
は基準電位Ｖref に対してダイオード素子45の順方向降
下電圧ＶF （トランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖ
BEと等しい）だけ高いものとなり、このトランジスタ35
はオフ状態になる。また、基準電位Ｖref のノードから
ダイオード素子44を介して電流源39の電流が流れること
により、トランジスタ34のベース電位は基準電位Ｖref
に対してダイオード素子44の順方向降下電圧ＶF だけ低
いものとなり、このトランジスタ34もオフ状態になる。
この場合にはスイッチ制御回路21から基準電位Ｖref は
出力されず、前記図３中のキズ（汚れも含む）なし領域
１及びキズなし領域２しそれぞれ入力制御信号に対応し
た出力信号が得られ、正常なトラッキング制御が行われ
る。

【００４１】図７は上記図６に示した実施例回路内のス
イッチ制御回路21の詳細な構成を示している。ここで
は、前記図４と異なる箇所のみについて説明する。すな
わち、上記ダイオード素子44はベース・コレクタ間が短
絡され、前記トランジスタ34と素子面積が等しくされた
ＮＰＮトランジスタ44Ａで構成され、前記ダイオード素
子45はベース・コレクタ間が短絡され、前記トランジス
タ35と素子面積が等しくされたＰＮＰトランジスタ45Ａ
で構成されている。

【００４２】この実施例の場合にも、信号処理回路13と
してトラッキング制御機能を有するものの代わりにフォ
ーカス制御機能を有するものを使用して、フォーカス制
御のための制御回路に実施することができる。

【００４３】図８はこの発明の第４の実施例による光学
式ディスク再生装置の制御回路のブロック図を示してい
る。この実施例回路では、前記図１の実施例回路とは異
なるスイッチ制御回路24が設けられている。このスイッ
チ制御回路24は前記信号処理回路13から出力されるキズ
や汚れ等の検出信号を直接用いて、すなわち前記のよう
にこの検出信号から前記のような比較用電位を形成する
ことなく、基準電位ＶREF の出力制御を行うように構成
されている。

【００４４】図９は上記図８の実施例回路中のスイッチ
制御回路24の具体的な構成を示している。高電位側の電
源電位ＶCCのノードには３個のＰＮＰトランジスタ61、
62、63の各エミッタが接続されている。上記トランジス
タ61、62、63の各ベースは共通に接続されており、かつ
トランジスタ62のベース・コレクタ間が接続され、この
ベース・コレクタ接続点と検出信号の入力端との間には
入力電流設定用の抵抗64が接続されている。すなわち、
これら３個のトランジスタ61、62、63と抵抗64とはトラ
ンジスタ62を入力トランジスタ、トランジスタ62、63を
出力トランジスタとする第１のカレントミラー回路ＣＭ
１を構成している。

【００４５】低電位側の電源電位、すなわち接地電位の
ノードには２個のＮＰＮトランジスタ65、66の各エミッ
タが接続されている。上記両トランジスタ65、66の各ベ
ースは共通に接続されており、かつトランジスタ65のベ
ース・コレクタ間が接続され、このベース・コレクタ接
続点は上記トランジスタ63のコレクタに接続されてい
る。すなわち、上記両トランジスタ65、66はトランジス
タ65を入力トランジスタ、トランジスタ66を出力トラン
ジスタとする第２のカレントミラー回路ＣＭ２を構成し
ている。

【００４６】前記信号処理回路14の入力ノードＮにはス
イッチ用のＮＰＮトランジスタ67及びＰＮＰトランジス
タ68の各コレクタが共通に接続されている。上記両トラ
ンジスタ67、68の各エミッタは前記基準電位Ｖref のノ
ードに接続されている。上記トランジスタ67のベースに
はＮＰＮトランジスタ69のベース及びコレクタが接続さ
れ、このトランジスタ69のエミッタは上記電位Ｖref の
ノードに接続されている。上記トランジスタ68のベース
にはＰＮＰトランジスタ70のベース及びコレクタが接続
され、このトランジスタ70のエミッタは上記電位Ｖref
のノードに接続されている。そして、上記トランジスタ
69のベース・コレクタ接続点には上記第１のカレントミ
ラー回路ＣＭ１内のトランジスタ61のコレクタが接続さ
れ、トランジスタ70のベース・コレクタ接続点には上記
第２のカレントミラー回路ＣＭ２内のトランジスタ66の
コレクタが接続されている。

【００４７】すなわち、上記トランジスタ69はダイオー
ド素子として作用し、トランジスタ61にコレクタ電流が
流れることによって、トランジスタ67のベース・エミッ
タ間に順方向バイアス電位を与える。同様に、上記トラ
ンジスタ70はダイオード素子として作用し、トランジス
タ63にコレクタ電流が流れ、この電流が入力する第２の
カレントミラー回路ＣＭ２内のトランジスタ65、66にそ
れぞれコレクタ電流が流れることによって、トランジス
タ68のベース・エミッタ間に順方向バイアス電位を与え
る。

【００４８】次に、このような構成の制御回路の動作を
図１０の波形図を参照して説明する。まず、ディスク表
面上にキズ、汚れがなく、検出信号が“Ｈ”レベルにさ
れている場合、第１のカレントミラー回路ＣＭ１内のト
ランジスタ62にはコレクタが電流が流れず、ＣＭ１内の
他のトランジスタ61、63にもコレクタが電流が流れな
い。従って、ダイオード接続されたトランジスタ69のベ
ース・エミッタ（アノード・カソード）間には順方向バ
イアス電位が発生せず、スイッチ用のＮＰＮトランジス
タ67はオフ状態になっている。

【００４９】また、第２のカレントミラー回路ＣＭ２内
のトランジスタ65にもコレクタが電流が流れず、ＣＭ２
内の他のトランジスタ66にもコレクタが電流が流れな
い。従って、ダイオード接続されたトランジスタ70のベ
ース・エミッタ（アノード・カソード）間には順方向バ
イアス電位が発生せず、スイッチ用のＰＮＰトランジス
タ68はオフ状態になっている。この場合にはスイッチ制
御回路24から基準電位は出力されず、図１０中のキズ
（汚れも含む）なし領域１及びキズなし領域２ではそれ
ぞれ入力制御信号に対応した出力制御信号が得られ、正
常なトラッキング制御が行われる。

【００５０】一方、ディスク表面上にキズ、汚れがあ
り、検出信号が“Ｌ”レベルになると、第１のカレント
ミラー回路ＣＭ１内のトランジスタ62にコレクタが電流
が流れ、これに伴ってトランジスタ61、63にもコレクタ
電流が流れる。また、上記トランジスタ63にコレクタ電
流が流れることによって第２のカレントミラー回路ＣＭ
２内のトランジスタ65、66にもコレクタ電流が流れる。

【００５１】トランジスタ61にコレクタ電流が流れるこ
とにより、ダイオード接続されたトランジスタ69のベー
ス・エミッタ間に順方向バイアス電位ＶBEが発生し、こ
の電位がスイッチ用のＮＰＮトランジスタ67のベース・
エミッタ間に供給され、このトランジスタ67がオン状態
になる。また、第２のカレントミラー回路ＣＭ２内のト
ランジスタ66にコレクタ電流が流れることにより、ダイ
オード接続されたトランジスタ70のエミッタ・ベース間
に順方向バイアス電位ＶBEが発生し、この電位がスイッ
チ用のＰＮＰトランジスタ68のベース・エミッタ間に供
給され、このトランジスタ68がオン状態になる。トラン
ジスタ67、68がオン状態になることによって、基準電位
Ｖref が信号処理回路24の入力ノードＮに供給される。
従って、キズなし領域１とキズなし領域２の間のキズあ
り領域では、検出信号に応じてスイッチ制御回路24内の
トランジスタ67、68がオン状態にされ、信号処理回路14
の入力ノードＮの電位は、図１９に示すようにＶref を
中心にしてトランジスタ67、68のコレクタ・エミッタ間
飽和電圧ＶCE分だけのみ変化するような値に抑えられ
る。すなわち、信号処理回路24から出力される制御信号
の電位はほぼＶref に固定される。このとき、図８中の
ピックアップ11はキズなし領域１における位置をそのま
ま維持するため、従来のような音飛びの発生が防止され
る。

【００５２】この実施例の場合にも、信号処理回路13と
してトラッキング制御機能を有するものの代わりにフォ
ーカス制御機能を有するものを使用して、フォーカス制
御のための制御回路に実施することができる。

【００５３】なお、この発明は上記各実施例に限定され
るものではなく種々の変形が可能であることはいうまで
もない。例えば上記各実施例ではこの発明をコンパクト
ディスク再生装置のトラッキング制御回路もしくはフォ
カス制御回路に実施した場合を説明したが、その他の光
学式ディスク再生装置に同様に実施することができる。
また、トラッキング制御回路もしくはフォカス制御回路
のいずれか一方のみではなく両方に実施することができ
ることはもちろんである。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
ディスク表面上にキズや汚れがある領域でトラッキング
／フォーカス制御用の制御信号を基準電位に保つことが
でき、これによって従来発生していた種々の問題を解消
することができる光学式ディスク再生装置の制御回路を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る光学式ディスク再生装置の制御
回路の第１の実施例によるブロック図。

【図２】図１の実施例回路中のスイッチ制御回路の具体
的な構成を示す回路図。

【図３】図２のスイッチ制御回路の動作を説明するため
の波形図。

【図４】図２のスイッチ制御回路のさらに詳細な構成を
示す回路図。

【図５】この発明の第２の実施例によるスイッチ制御回
路の詳細な構成を示す回路図。

【図６】この発明の第３の実施例によるスイッチ制御回
路の詳細な構成を示す回路図。

【図７】図６のスイッチ制御回路のさらに詳細な構成を
示す回路図。

【図８】この発明の第４の実施例による光学式ディスク
再生装置の制御回路のブロック図。

【図９】図８の実施例回路中のスイッチ制御回路の具体
的な構成を示す回路図。

【図１０】図９のスイッチ制御回路の動作を説明するた
めの波形図。

【図１１】従来の制御回路の概略的な構成を示すブロッ
ク図。

【図１２】図１１の従来回路の動作を説明するための波
形図。

【符号の説明】

11…ピックアップ、12，18，22…外部端子、21，24…ス
イッチ制御回路、23…コンデンサ、13，14…信号処理回
路、15，16…抵抗、17…コンデンサ、19…ドライバ回
路、20…トラッキング用アクチュエータコイル、31…コ
ンパレータ、32，33…抵抗、34，67…スイッチ用のＮＰ
Ｎトランジスタ、35，68…スイッチ用のＰＮＰトランジ
スタ、36，37，38，39…電流源、40，41，44，45…ダイ
オード素子、42，43…インピーダンス素子、61，62，6
3，70…ＰＮＰトランジスタ、65，66，69…ＮＰＮトラ
ンジスタ、ＣＭ１，ＣＭ２…カレントミラー回路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０３Ｋ 17/00 Ｄ 9184−5Ｊ (72)発明者山下隆一東京都港区新橋３丁目３番９号東芝エー・ブイ・イー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光学式ディスク上に記録された情報を読
み取るピックアップからの出力信号を処理しこのピック
アップの位置制御を行うための制御信号を出力する信号
処理系と、上記ディスク上のキズ、汚れを検出すること
によって得られる検出信号に応じて上記制御信号の電位
を基準電位に固定させるスイッチ制御回路とを具備し、
上記スイッチ制御回路が、高電位側の電源電位のノード
と上記信号処理系の所定の回路点との間にコレクタ・エ
ミッタ間が挿入された第１のトランジスタと、低電位側
の電源電位のノードと上記回路点との間にコレクタ・エ
ミッタ間が挿入され上記第１のトランジスタとは逆極性
の第２のトランジスタと、上記検出信号が入力された際
に上記第１及び第２のトランジスタの各ベースに対し上
記第１及び第２のトランジスタが導通するような電位を
与える第１の電位発生手段と、上記検出信号が入力され
ないときには上記第１及び第２のトランジスタの各ベー
スに対し上記第１及び第２のトランジスタが非導通とな
るような電位を与える第２の電位発生手段とから構成さ
れることを特徴とする光学式ディスク再生装置の制御回
路。
【請求項２】前記第１のトランジスタがＮＰＮ型のト
ランジスタであり、前記第２のトランジスタがＰＮＰ型
のトランジスタであり、前記第１の電位発生手段が前記
第１のトランジスタのベースにアノード側が接続され前
記基準電位のノードにカソード側が接続された第１のダ
イオード素子及び前記検出信号が入力された際にこの第
１のダイオード素子に順方向電流を供給する第１の電流
源及び前記第２のトランジスタのベースにカソード側が
接続され前記基準電位のノードにアノード側が接続され
た第２のダイオード素子及び前記検出信号が入力された
際にこの第２のダイオード素子に順方向電流を供給する
第２の電流源で構成され、前記第２の電位発生手段が前
記高電位側の電源電位のノードと前記第２のトランジス
タのベースとの間に挿入され前記検出信号が入力されな
いときに動作する第３の電流源及び前記第１のトランジ
スタのベースと前記低電位側の電源電位のノードとの間
に挿入され前記検出信号が入力されないときに動作する
第４の電流源とから構成されていることを特徴とする請
求項１に記載の光学式ディスク再生装置の制御回路。
【請求項３】前記第１及び第２のダイオード素子がダ
イオード接続されたトランジスタで構成されている請求
項２に記載の光学式ディスク再生装置の制御回路。
【請求項４】前記第１のトランジスタがＮＰＮ型のト
ランジスタであり、前記第２のトランジスタがＰＮＰ型
のトランジスタであり、前記第１の電位発生手段が前記
第１のトランジスタのベースにアノード側が接続され前
記基準電位のノードにカソード側が接続された第１のダ
イオード素子及び前記検出信号が入力された際にこの第
１のダイオード素子に順方向電流を供給する第１の電流
源及び前記第２のトランジスタのベースにカソード側が
接続され前記基準電位のノードにアノード側が接続され
た第２のダイオード素子及び前記検出信号が入力された
際にこの第２のダイオード素子に順方向電流を供給する
第２の電流源で構成され、前記第２の電位発生手段が一
端が前記高電位側の電源電位のノードに接続され前記検
出信号が入力されないときに動作する第３の電流源及び
この第３の電流源の他端と前記第２のトランジスタのベ
ースとの間に挿入された第１のインピーダンス素子及び
一端が前記低電位側の電源電位のノードに接続され前記
検出信号が入力されないときに動作する第４の電流源及
びこの第４の電流源の他端と前記第１のトランジスタの
ベースとの間に挿入された第２のインピーダンス素子と
から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の
光学式ディスク再生装置の制御回路。
【請求項５】前記第１及び第２のダイオード素子がダ
イオード接続されたトランジスタで構成されていること
を特徴とする請求項４に記載の光学式ディスク再生装置
の制御回路。
【請求項６】前記第１のインピーダンス素子がアノー
ド側が前記第３の電流源の他端に接続されカソード側が
前記第２のトランジスタのベースに接続された第３のダ
イオード素子で構成され、前記第２のインピーダンス素
子がカソード側が前記第４の電流源の他端に接続されア
ノード側が前記第１のトランジスタのベースに接続され
た第４のダイオード素子で構成されていることを特徴と
する請求項４に記載の光学式ディスク再生装置の制御回
路。
【請求項７】前記第１のトランジスタがＮＰＮ型のト
ランジスタであり、前記第２のトランジスタがＰＮＰ型
のトランジスタであり、前記第１の電位発生手段が前記
第１のトランジスタのベースにアノード側が接続され前
記基準電位のノードにカソード側が接続された第１のダ
イオード素子及び前記検出信号が入力された際にこの第
１のダイオード素子に順方向電流を供給する第１の電流
源及び前記第２のトランジスタのベースにカソード側が
接続され前記基準電位のノードにアノード側が接続され
た第２のダイオード素子及び前記検出信号が入力された
際にこの第２のダイオード素子に順方向電流を供給する
第２の電流源で構成され、前記第２の電位発生手段が前
記第１のトランジスタのベースにカソード側が接続され
前記基準電位のノードにアノード側が接続された第３の
ダイオード素子及び前記検出信号が入力されないときに
この第３のダイオード素子に順方向電流を供給する第３
の電流源及び前記第２のトランジスタのベースにアノー
ド側が接続され前記基準電位のノードにカソード側が接
続された第４のダイオード素子及び前記検出信号が入力
されないときにこの第４のダイオード素子に順方向電流
を供給する第４の電流源とから構成されていることを特
徴とする請求項１に記載の光学式ディスク再生装置の制
御回路。
【請求項８】前記第１、第２、第３及び第４のダイオ
ード素子がダイオード接続されたトランジスタで構成さ
れている請求項７に記載の光学式ディスク再生装置の制
御回路。
【請求項９】光学式ディスク上に記録された情報を読
み取るピックアップからの出力信号を処理しこのピック
アップの位置制御を行うための制御信号を出力する信号
処理系と、上記ディスク上のキズ、汚れを検出すること
によって得られる検出信号に応じて上記制御信号の電位
を基準電位に固定させるスイッチ制御回路とを具備し、
上記スイッチ制御回路が、高電位側の電源電位のノード
と上記信号処理系の所定の回路点との間にコレクタ・エ
ミッタ間が挿入された第１のトランジスタと、低電位側
の電源電位のノードと上記回路点との間にコレクタ・エ
ミッタ間が挿入され上記第１のトランジスタとは逆極性
の第２のトランジスタと、上記検出信号が入力された際
に上記第１及び第２のトランジスタの各ベースに対し上
記第１及び第２のトランジスタが導通するような電位を
与える電位発生手段とから構成されることを特徴とする
光学式ディスク再生装置の制御回路。
【請求項１０】前記第１のトランジスタがＮＰＮ型の
トランジスタであり、前記第２のトランジスタがＰＮＰ
型のトランジスタであることを特徴とする請求項９に記
載の光学式ディスク再生装置の制御回路。
【請求項１１】前記電位発生手段が、前記第１のトラ
ンジスタのベースと前記基準電位のノードとの間に順方
向に挿入された第１のダイオード素子及び前記検出信号
が入力された際にこの第１のダイオード素子に順方向電
流を供給する第１の電流供給手段及び前記基準電位のノ
ードと前記第２のトランジスタのベースとの間に順方向
に挿入された第２のダイオード素子及び前記検出信号が
入力された際にこの第２のダイオード素子に順方向電流
を供給する第２の電流供給手段とから構成されることを
特徴とする請求項９に記載の光学式ディスク再生装置の
制御回路。
【請求項１２】前記第１及び第２のダイオード素子が
それぞれダイオード接続されたトランジスタで構成され
ている請求項１１に記載の光学式ディスク再生装置の制
御回路。
【請求項１３】光学式ディスク上に記録された情報を
読み取るピックアップと、このピックアップからの出力
信号を処理しこのピックアップの位置制御を行うための
制御信号を出力する信号処理系と、上記ディスク上のキ
ズ、汚れを検出することによって得られる検出信号に応
じて上記制御信号の電位を基準電位に固定させるスイッ
チ制御回路とを具備し、上記スイッチ制御回路が、高電
位側の電源電位のノードと上記信号処理系の所定の回路
点との間にコレクタ・エミッタ間が挿入された第１のト
ランジスタと、低電位側の電源電位のノードと上記回路
点との間にコレクタ・エミッタ間が挿入され上記第１の
トランジスタとは逆極性の第２のトランジスタと、上記
検出信号が入力された際に上記第１及び第２のトランジ
スタの各ベースに対し上記第１及び第２のトランジスタ
が導通するような電位を与える第１の電位発生手段と、
上記検出信号が入力されないときには上記第１及び第２
のトランジスタの各ベースに対し上記第１及び第２のト
ランジスタが非導通となるような電位を与える第２の電
位発生手段とから構成されることを特徴とする光学式デ
ィスク再生装置。
【請求項１４】光学式ディスク上に記録された情報を
読み取るピックアップと、このピックアップからの出力
信号を処理しこのピックアップの位置制御を行うための
制御信号を出力する信号処理系と、上記ディスク上のキ
ズ、汚れを検出することによって得られる検出信号に応
じて上記制御信号の電位を基準電位に固定させるスイッ
チ制御回路とを具備し、上記スイッチ制御回路が、高電
位側の電源電位のノードと上記信号処理系の所定の回路
点との間にコレクタ・エミッタ間が挿入された第１のト
ランジスタと、低電位側の電源電位のノードと上記回路
点との間にコレクタ・エミッタ間が挿入され上記第１の
トランジスタとは逆極性の第２のトランジスタと、上記
検出信号が入力された際に上記第１及び第２のトランジ
スタの各ベースに対し上記第１及び第２のトランジスタ
が導通するような電位を与える電位発生手段とから構成
されることを特徴とする光学式ディスク再生装置。