JPH07224383A - インジウム−スズ酸化物膜の高抵抗化方法 - Google Patents
インジウム−スズ酸化物膜の高抵抗化方法Info
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- JPH07224383A JPH07224383A JP8597394A JP8597394A JPH07224383A JP H07224383 A JPH07224383 A JP H07224383A JP 8597394 A JP8597394 A JP 8597394A JP 8597394 A JP8597394 A JP 8597394A JP H07224383 A JPH07224383 A JP H07224383A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高抵抗な、しかも均一性に優れたＩＴＯ膜をよ
り効率的に成膜することができる成膜方法を提供する。 【構成】酸素の含有する雰囲気下で、ＩＴＯ成膜を２０
０℃以上の温度にて加熱処理する方法。 【効果】特にタッチパネル用途に最適な、均一性に優れ
た２００Ω／□〜３０００Ω／□、リニアリティ値±２
％以内のＩＴＯ膜を得ることができる。
り効率的に成膜することができる成膜方法を提供する。 【構成】酸素の含有する雰囲気下で、ＩＴＯ成膜を２０
０℃以上の温度にて加熱処理する方法。 【効果】特にタッチパネル用途に最適な、均一性に優れ
た２００Ω／□〜３０００Ω／□、リニアリティ値±２
％以内のＩＴＯ膜を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインジウム−スズ酸化物
膜（以下、ＩＴＯと略す）の成膜方法に関するものであ
り、特にタッチパネルの透明電極として用いられるＩＴ
Ｏ膜の高抵抗で均一性に優れた成膜方法に関する。
膜（以下、ＩＴＯと略す）の成膜方法に関するものであ
り、特にタッチパネルの透明電極として用いられるＩＴ
Ｏ膜の高抵抗で均一性に優れた成膜方法に関する。
【０００２】ＩＴＯ膜は透明導電膜であり、ガラス基板
上に成膜したＩＴＯガラスは、例えば、液晶ディスプレ
イ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、面発熱
体、タッチパネルの電極等に広く使用されている。この
様に広い分野で使用されると、使用目的によってＩＴＯ
膜の抵抗値は種々のものが要求される。すなわち、フラ
ットパネルディスプレイ用のＩＴＯ膜では低抵抗のもの
が要求されるが、タッチパネル用のＩＴＯ膜では逆に高
抵抗の膜が要求される。抵抗値をコントロールする方法
の中で最も普通に行われる方法は膜厚を変えることであ
った。
上に成膜したＩＴＯガラスは、例えば、液晶ディスプレ
イ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、面発熱
体、タッチパネルの電極等に広く使用されている。この
様に広い分野で使用されると、使用目的によってＩＴＯ
膜の抵抗値は種々のものが要求される。すなわち、フラ
ットパネルディスプレイ用のＩＴＯ膜では低抵抗のもの
が要求されるが、タッチパネル用のＩＴＯ膜では逆に高
抵抗の膜が要求される。抵抗値をコントロールする方法
の中で最も普通に行われる方法は膜厚を変えることであ
った。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記のように膜厚を変
化させて抵抗値をコントロールすると、当然可視光透過
率が変化する。 シート抵抗＝比抵抗／膜厚 高抵抗ＩＴＯを得ようとする場合は膜厚を薄くする必要
があるが、通常の製法で成膜すると、２００〜３０００
Ω／□のシート抵抗の膜を得るためには１０Å〜１００
Åの膜厚にする必要があるが、この場合は膜厚を均一に
コントロールするのは難しく、面内の抵抗値の均一性は
悪くなる傾向にある。また、可視光透過率を所定の値に
しようとすると、膜厚が決定され、その膜厚で所定の抵
抗値の膜とするためには比抵抗をコントロールすること
が必要であった。
化させて抵抗値をコントロールすると、当然可視光透過
率が変化する。 シート抵抗＝比抵抗／膜厚 高抵抗ＩＴＯを得ようとする場合は膜厚を薄くする必要
があるが、通常の製法で成膜すると、２００〜３０００
Ω／□のシート抵抗の膜を得るためには１０Å〜１００
Åの膜厚にする必要があるが、この場合は膜厚を均一に
コントロールするのは難しく、面内の抵抗値の均一性は
悪くなる傾向にある。また、可視光透過率を所定の値に
しようとすると、膜厚が決定され、その膜厚で所定の抵
抗値の膜とするためには比抵抗をコントロールすること
が必要であった。
【０００４】ＩＴＯ膜が導電性を発現するメカニズム
は、酸化インジウム結晶中の微量の酸素欠陥と、Ｉｎ−
Ｏ結晶格子にＳｎが置換して生じる電子がキャリアとな
り、それが、電界中で移動することによる。従って、比
抵抗（ρ）はキャリア密度（ｎ）と移動度（μ）によっ
て決定され、次式が成り立つ。 ρ＝６．２４×１０18／（ｎ×μ） ・・・・・（１） ここで、ρ：Ωcm，ｎ：ｃｍ-3，μ：ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅ
ｃ である。
は、酸化インジウム結晶中の微量の酸素欠陥と、Ｉｎ−
Ｏ結晶格子にＳｎが置換して生じる電子がキャリアとな
り、それが、電界中で移動することによる。従って、比
抵抗（ρ）はキャリア密度（ｎ）と移動度（μ）によっ
て決定され、次式が成り立つ。 ρ＝６．２４×１０18／（ｎ×μ） ・・・・・（１） ここで、ρ：Ωcm，ｎ：ｃｍ-3，μ：ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅ
ｃ である。
【０００５】ＩＴＯ膜の場合、通常３００Å以上の膜厚
では１００Ω／□以下のシート抵抗の膜となり、キャリ
ア密度として１０20〜１０21、移動度として２０〜５
０、比抵抗は１×１０-4〜３×１０-4の値をとる。先に
述べたタッチパネル用のＩＴＯ膜の抵抗値は２００〜３
０００Ω／□程度のものが要求され、この場合、膜厚を
考慮すると、均一性に優れた膜を得るためには比抵抗値
は５×１０-4以上が必要とされるが、この範囲での比抵
抗のコントロールは困難であった。
では１００Ω／□以下のシート抵抗の膜となり、キャリ
ア密度として１０20〜１０21、移動度として２０〜５
０、比抵抗は１×１０-4〜３×１０-4の値をとる。先に
述べたタッチパネル用のＩＴＯ膜の抵抗値は２００〜３
０００Ω／□程度のものが要求され、この場合、膜厚を
考慮すると、均一性に優れた膜を得るためには比抵抗値
は５×１０-4以上が必要とされるが、この範囲での比抵
抗のコントロールは困難であった。
【０００６】また、最近開発されて市場の伸びが期待さ
れるペン入力タッチパネル用導電膜は、位置の認識精度
が高くなくてはならないことから、抵抗値の均一性優れ
た膜であることが要求される。抵抗値の均一性を評価す
る方法として、リニアリティ試験がある。これの方法は
透明導電膜の向かい合った２辺に銀ペースト等で低抵抗
の電極を作成し、両端の電極間の長さをＬ、印加電圧を
Ｖとする。透明導電膜の任意の点について、マイナス側
の電極からの距離をｌ、マイナス側の電極とその点の電
位差をｖとすると、（ｌ／Ｌ─ｖ／Ｖ）×１００の値を
リニアリティ（％）と定義する。リニアリティ値は位置
と電位のずれを定義する量であり、文字や図形を認識す
る目的で製作されるタッチパネルでは、通常、リニアリ
ティ値が±２％以内の透明導電膜が要求される。
れるペン入力タッチパネル用導電膜は、位置の認識精度
が高くなくてはならないことから、抵抗値の均一性優れ
た膜であることが要求される。抵抗値の均一性を評価す
る方法として、リニアリティ試験がある。これの方法は
透明導電膜の向かい合った２辺に銀ペースト等で低抵抗
の電極を作成し、両端の電極間の長さをＬ、印加電圧を
Ｖとする。透明導電膜の任意の点について、マイナス側
の電極からの距離をｌ、マイナス側の電極とその点の電
位差をｖとすると、（ｌ／Ｌ─ｖ／Ｖ）×１００の値を
リニアリティ（％）と定義する。リニアリティ値は位置
と電位のずれを定義する量であり、文字や図形を認識す
る目的で製作されるタッチパネルでは、通常、リニアリ
ティ値が±２％以内の透明導電膜が要求される。
【０００７】本発明は、前述の実情からみてなされたも
ので、シート抵抗値が２００〜３０００Ω／□であっ
て、かつ、リニアリティ値が±２％以内の均一性に優れ
たＩＴＯ膜を成膜する方法を提供することを目的とす
る。
ので、シート抵抗値が２００〜３０００Ω／□であっ
て、かつ、リニアリティ値が±２％以内の均一性に優れ
たＩＴＯ膜を成膜する方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らはＩＴＯ膜を
高抵抗化する方法について鋭意検討した結果、酸素を含
有する雰囲気中でＩＴＯ膜を２００℃以上の温度にて加
熱処理することで、高抵抗の均一性に優れたＩＴＯ膜が
得られることを見出し、本発明を完成した。
高抵抗化する方法について鋭意検討した結果、酸素を含
有する雰囲気中でＩＴＯ膜を２００℃以上の温度にて加
熱処理することで、高抵抗の均一性に優れたＩＴＯ膜が
得られることを見出し、本発明を完成した。
【０００９】本発明は、インジウム−スズ酸化物膜を、
酸素を含有する雰囲気中で２００℃以上の温度にて加熱
処理することを特徴とするインジウム−スズ酸化物膜の
高抵抗化方法である。
酸素を含有する雰囲気中で２００℃以上の温度にて加熱
処理することを特徴とするインジウム−スズ酸化物膜の
高抵抗化方法である。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。比抵抗を
コントロールする方法は二通りあって、一つは（１）式
のキャリア密度をコントロールする方法と、もう一つは
移動度をコントロールする方法である。キャリア密度を
コントロールする方法としては酸素欠陥量を変化させる
方法と、スズドープ量を変化する方法がある。酸素欠陥
量は、雰囲気、温度によって変化し、次式に示すような
可逆的な反応が起こる。 Ｉｎ2 Ｏ3-X ＋Ｘ／２ Ｏ2 →Ｉｎ2 Ｏ3 （２） Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｘ／２ Ｏ2 →Ｉｎ2 Ｏ3-X （３）
コントロールする方法は二通りあって、一つは（１）式
のキャリア密度をコントロールする方法と、もう一つは
移動度をコントロールする方法である。キャリア密度を
コントロールする方法としては酸素欠陥量を変化させる
方法と、スズドープ量を変化する方法がある。酸素欠陥
量は、雰囲気、温度によって変化し、次式に示すような
可逆的な反応が起こる。 Ｉｎ2 Ｏ3-X ＋Ｘ／２ Ｏ2 →Ｉｎ2 Ｏ3 （２） Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｘ／２ Ｏ2 →Ｉｎ2 Ｏ3-X （３）
【００１１】この反応は高温で酸素を含む雰囲気では酸
素欠陥量（Ｘ）が減少し、キャリア密度が減少するため
に高抵抗化するが（２）、逆に高温、還元雰囲気又は非
酸化性雰囲気ではＩｎ2 Ｏ3 中の酸素が引き抜かれ、酸
素欠陥（Ｘ）を生じ（３）、キャリア密度の増加によ
り、低抵抗化する。
素欠陥量（Ｘ）が減少し、キャリア密度が減少するため
に高抵抗化するが（２）、逆に高温、還元雰囲気又は非
酸化性雰囲気ではＩｎ2 Ｏ3 中の酸素が引き抜かれ、酸
素欠陥（Ｘ）を生じ（３）、キャリア密度の増加によ
り、低抵抗化する。
【００１２】ＳｎをＩｎ2 Ｏ3 にドープするとＩｎに置
換したＳｎ一個から一つのキャリア（ｅ- ) が生成する
ので、Ｓｎドープ量を変えることでキャリア密度をコン
トロールすることが可能である。通常、Ｉｎに対して３
重量％位まではドープ量が増えるにつれ、ｎも増加する
が、それ以上増やしてもほぼ一定の値となる。
換したＳｎ一個から一つのキャリア（ｅ- ) が生成する
ので、Ｓｎドープ量を変えることでキャリア密度をコン
トロールすることが可能である。通常、Ｉｎに対して３
重量％位まではドープ量が増えるにつれ、ｎも増加する
が、それ以上増やしてもほぼ一定の値となる。
【００１３】移動度（μ）はキャリア（電子又は正孔）
の動き易さに対応しており、主として、ＩＴＯ結晶性に
依存する量である。即ち、結晶性が良好であって、不純
物が少なければキャリアの移動度は高い値となるが、結
晶性が悪く、結晶欠陥、転位、結晶粒界が多いとキャリ
アがトラップされてしまうために低い値となる。また、
不純物はキャリアの移動を阻害する大きな要因であり、
通常微量の添加で移動度に大きな影響を与える。
の動き易さに対応しており、主として、ＩＴＯ結晶性に
依存する量である。即ち、結晶性が良好であって、不純
物が少なければキャリアの移動度は高い値となるが、結
晶性が悪く、結晶欠陥、転位、結晶粒界が多いとキャリ
アがトラップされてしまうために低い値となる。また、
不純物はキャリアの移動を阻害する大きな要因であり、
通常微量の添加で移動度に大きな影響を与える。
【００１４】高抵抗のＩＴＯ膜を得るために種々検討し
たところ、２００〜３０００Ω／□、リニアリティ値±
２％以内の均一性の良好なＩＴＯ膜を得る方法として、
酸素欠陥量をコントロールする方法を見出した。即ち、
均一性を良くするには１００Å以上の膜厚が必要であ
り、通常一般に行われている成膜法でＩＴＯ膜を成膜す
ると１５０Ω／□以下の膜となり、高抵抗の膜は得られ
ない。即ち、この膜は酸素欠陥量（Ｘ）が大きい膜であ
るので、Ｘを小さくすることによりキャリア密度を下
げ、その結果高抵抗化する方法である。
たところ、２００〜３０００Ω／□、リニアリティ値±
２％以内の均一性の良好なＩＴＯ膜を得る方法として、
酸素欠陥量をコントロールする方法を見出した。即ち、
均一性を良くするには１００Å以上の膜厚が必要であ
り、通常一般に行われている成膜法でＩＴＯ膜を成膜す
ると１５０Ω／□以下の膜となり、高抵抗の膜は得られ
ない。即ち、この膜は酸素欠陥量（Ｘ）が大きい膜であ
るので、Ｘを小さくすることによりキャリア密度を下
げ、その結果高抵抗化する方法である。
【００１５】通常のＩＴＯの成膜条件は、低抵抗の膜が
得られる条件が採用され、その場合のＳｎドープ量は２
〜１０重量％である。この膜のＳｎドープによって生成
されるキャリア密度は約２×１０20個／ｃｍ3 と見積も
られ、移動度を３０ｃｍ2 ／Vs、比抵抗 2.5×１０-4Ω
ｃｍと仮定すると、総キャリア密度は 8.3×１０20個／
ｃｍ3 と計算される。即ち、酸素欠陥によるキャリア密
度は約６×１０20個／ｃｍ3 となりＳｎによるキャリア
の３倍存在する。
得られる条件が採用され、その場合のＳｎドープ量は２
〜１０重量％である。この膜のＳｎドープによって生成
されるキャリア密度は約２×１０20個／ｃｍ3 と見積も
られ、移動度を３０ｃｍ2 ／Vs、比抵抗 2.5×１０-4Ω
ｃｍと仮定すると、総キャリア密度は 8.3×１０20個／
ｃｍ3 と計算される。即ち、酸素欠陥によるキャリア密
度は約６×１０20個／ｃｍ3 となりＳｎによるキャリア
の３倍存在する。
【００１６】従って、理論上酸素欠陥量をコントロール
することにより、キャリア密度は２×１０20〜８×１０
20個／ｃｍ3 まで変化させることが可能で、比抵抗は
２．５×１０-4〜１．０×１０-3Ωｃｍの範囲でコント
ロールできることになる。これは、初期抵抗の４倍の抵
抗値まで高抵抗化できるということであり、Ｓｎドープ
量をコントロールすることによる抵抗変化に比べ広範囲
である。
することにより、キャリア密度は２×１０20〜８×１０
20個／ｃｍ3 まで変化させることが可能で、比抵抗は
２．５×１０-4〜１．０×１０-3Ωｃｍの範囲でコント
ロールできることになる。これは、初期抵抗の４倍の抵
抗値まで高抵抗化できるということであり、Ｓｎドープ
量をコントロールすることによる抵抗変化に比べ広範囲
である。
【００１７】更に、高抵抗を目的としてＳｎドープ量を
少なくすれば、Ｓｎドープによるキャリア密度を、０．
８×１０20個／ｃｍ3 迄小さくすることが出来、この場
合、酸素欠陥量を本方法での処理によってコントロール
することで、初期抵抗の１０倍程度迄高抵抗化すること
が可能である。
少なくすれば、Ｓｎドープによるキャリア密度を、０．
８×１０20個／ｃｍ3 迄小さくすることが出来、この場
合、酸素欠陥量を本方法での処理によってコントロール
することで、初期抵抗の１０倍程度迄高抵抗化すること
が可能である。
【００１８】酸素欠陥量をコントロールする方法とし
て、空気中での加熱処理条件について検討した結果、酸
素欠陥量を減少する要因は、加熱温度と、処理時間であ
り、温度が高いほど、時間が長いほど高抵抗化する傾向
を示し、５００℃で３０分の加熱処理によって、抵抗値
はほぼ飽和した。即ち、この条件で処理すれば酸素欠陥
量は０になる（Ｘ＝０）と考えられた。
て、空気中での加熱処理条件について検討した結果、酸
素欠陥量を減少する要因は、加熱温度と、処理時間であ
り、温度が高いほど、時間が長いほど高抵抗化する傾向
を示し、５００℃で３０分の加熱処理によって、抵抗値
はほぼ飽和した。即ち、この条件で処理すれば酸素欠陥
量は０になる（Ｘ＝０）と考えられた。
【００１９】そこで、処理時間を３０分間の一定条件で
加熱温度と抵抗値の関係を求めたところ、２００℃まで
は、抵抗上昇が殆どなく、２００℃〜３５０℃の範囲で
ほぼ直線的に抵抗値は増加し、３５０℃では初期値の２
〜３倍の値となり、それ以上の温度では抵抗増加率は緩
やかになり、５００℃で一定値となる。この時の抵抗値
は初期値の３〜４倍の値である。従って、所定の抵抗値
を得るためには、この関係を用いて、所定の初期抵抗値
と、それに合った加熱処理条件を適宜選択すればよいこ
とになる。
加熱温度と抵抗値の関係を求めたところ、２００℃まで
は、抵抗上昇が殆どなく、２００℃〜３５０℃の範囲で
ほぼ直線的に抵抗値は増加し、３５０℃では初期値の２
〜３倍の値となり、それ以上の温度では抵抗増加率は緩
やかになり、５００℃で一定値となる。この時の抵抗値
は初期値の３〜４倍の値である。従って、所定の抵抗値
を得るためには、この関係を用いて、所定の初期抵抗値
と、それに合った加熱処理条件を適宜選択すればよいこ
とになる。
【００２０】ＩＴＯ膜を成膜する方法としては、一般に
知られている方法を採用することができ、例えば、スパ
ッター法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング
法、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル法等で成
膜した後、酸素を含有する雰囲気中で２００℃以上の温
度で一定時間加熱処理することで、均一性に優れた高抵
抗ＩＴＯ膜を得ることができる。特に、成膜直後の抵抗
値が５０Ω／□以上の膜ではタッチパネル用ＩＴＯ膜と
して最適な、シート抵抗値２００〜３０００Ω／□、リ
ニアリティ値±２％以内の均一性に優れた高抵抗ＩＴＯ
膜を得ることができる。
知られている方法を採用することができ、例えば、スパ
ッター法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング
法、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、パイロゾル法等で成
膜した後、酸素を含有する雰囲気中で２００℃以上の温
度で一定時間加熱処理することで、均一性に優れた高抵
抗ＩＴＯ膜を得ることができる。特に、成膜直後の抵抗
値が５０Ω／□以上の膜ではタッチパネル用ＩＴＯ膜と
して最適な、シート抵抗値２００〜３０００Ω／□、リ
ニアリティ値±２％以内の均一性に優れた高抵抗ＩＴＯ
膜を得ることができる。
【００２１】また、ＩＴＯ成膜条件が２００℃以上の場
合、本発明を応用して、成膜直後に成膜室内に酸素含有
ガスを導入することにより、容易に高抵抗ＩＴＯ膜とす
ることができ、実用上メリットの多い方法である。
合、本発明を応用して、成膜直後に成膜室内に酸素含有
ガスを導入することにより、容易に高抵抗ＩＴＯ膜とす
ることができ、実用上メリットの多い方法である。
【００２２】本方法によって得られる膜のシート抵抗
は、変動係数（標準偏差／平均値）１０％以内であり、
リニアリティ値±２％以内の均一性に優れた膜が得られ
る。
は、変動係数（標準偏差／平均値）１０％以内であり、
リニアリティ値±２％以内の均一性に優れた膜が得られ
る。
【００２３】通常の方法で得られるＩＴＯ膜は、２００
〜３０００Ω／□の抵抗の膜を得るためには、極端に膜
厚を薄くしなければならず、このため均一性の悪い膜し
か得られなかった。
〜３０００Ω／□の抵抗の膜を得るためには、極端に膜
厚を薄くしなければならず、このため均一性の悪い膜し
か得られなかった。
【００２４】本発明はＩＴＯ膜を酸素の含有する雰囲気
下で２００℃以上の温度で加熱処理する方法であり、簡
単に均一性の良好な高抵抗の膜を得ることができる。
下で２００℃以上の温度で加熱処理する方法であり、簡
単に均一性の良好な高抵抗の膜を得ることができる。
【００２５】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。 実施例１ Ｉｎに対して８重量％Ｓｎを含有するＩｎ2 Ｏ3 焼結体
をターゲットとして用い、スパッター成膜を行った。ス
パッター条件は、ＲＦスパッター装置を用い、ガラス基
板上に成膜した。ガラス基板は厚さ１ｍｍで３０ｃｍ角
のソーダライムガラス上に８００ÅのＳｉＯ 2 膜がコー
トされたものを用いた。ＲＦ出力２００Ｗ，圧力０．５
Ｐａ、ガス組成はＡｒ：Ｏ2 ＝９８：２、基板温度＝３
００℃、成膜時間４分で行った。得られたＩＴＯ膜の膜
厚は２００Å、シート抵抗は１４０Ω／□であった。こ
の膜を熱風循環式の乾燥機にて空気中で、３３０℃×３
０分加熱処理を行ったところ、シート抵抗４００Ω／
□、面内ばらつき±２０Ω／□、リニアリティ値±０．
９％以内の良好な膜を得た。
明する。ただし、本発明はこれらに何ら限定されるもの
ではない。 実施例１ Ｉｎに対して８重量％Ｓｎを含有するＩｎ2 Ｏ3 焼結体
をターゲットとして用い、スパッター成膜を行った。ス
パッター条件は、ＲＦスパッター装置を用い、ガラス基
板上に成膜した。ガラス基板は厚さ１ｍｍで３０ｃｍ角
のソーダライムガラス上に８００ÅのＳｉＯ 2 膜がコー
トされたものを用いた。ＲＦ出力２００Ｗ，圧力０．５
Ｐａ、ガス組成はＡｒ：Ｏ2 ＝９８：２、基板温度＝３
００℃、成膜時間４分で行った。得られたＩＴＯ膜の膜
厚は２００Å、シート抵抗は１４０Ω／□であった。こ
の膜を熱風循環式の乾燥機にて空気中で、３３０℃×３
０分加熱処理を行ったところ、シート抵抗４００Ω／
□、面内ばらつき±２０Ω／□、リニアリティ値±０．
９％以内の良好な膜を得た。
【００２６】実施例２ 実施例１と全く同じ条件でＩＴＯ成膜した後、成膜室内
に空気を導入し大気圧とし、３００℃の温度で１時間保
持して取り出した。この膜は、シート抵抗３８０Ω／
□、面内ばらつき±２５Ω／□、リニアリティ値±１．
２％以内の良好な膜であった。
に空気を導入し大気圧とし、３００℃の温度で１時間保
持して取り出した。この膜は、シート抵抗３８０Ω／
□、面内ばらつき±２５Ω／□、リニアリティ値±１．
２％以内の良好な膜であった。
【００２７】実施例３ Ｉｎに対して１重量％Ｓｎを含有するＩｎ2 Ｏ3 焼結体
をターゲットとして用い、スパッター成膜を行った。ス
パッター条件は、ＲＦスパッター装置を用い、ガラス基
板上に成膜した。ガラス基板は厚さ１ｍｍで３０ｃｍ角
のソーダライムガラス上に８００ÅのＳｉＯ2 膜がコー
トされたものを用いた。ＲＦ出力２００Ｗ，圧力０．５
Ｐａ、ガス組成はＡｒ：Ｏ2 ＝９８：２、基板温度＝３
００℃、成膜時間３分で行い、空気を導入して冷却し
た。得られたＩＴＯ膜の膜厚は１５０Å、シート抵抗は
１３５０Ω／□、面内ばらつき±６８Ω／□、リニアリ
ティ値±１．０％以内の良好な膜を得た。
をターゲットとして用い、スパッター成膜を行った。ス
パッター条件は、ＲＦスパッター装置を用い、ガラス基
板上に成膜した。ガラス基板は厚さ１ｍｍで３０ｃｍ角
のソーダライムガラス上に８００ÅのＳｉＯ2 膜がコー
トされたものを用いた。ＲＦ出力２００Ｗ，圧力０．５
Ｐａ、ガス組成はＡｒ：Ｏ2 ＝９８：２、基板温度＝３
００℃、成膜時間３分で行い、空気を導入して冷却し
た。得られたＩＴＯ膜の膜厚は１５０Å、シート抵抗は
１３５０Ω／□、面内ばらつき±６８Ω／□、リニアリ
ティ値±１．０％以内の良好な膜を得た。
【００２８】なお、上記において、成膜後窒素雰囲気下
で冷却した場合、得られたＩＴＯ膜の膜厚は１５０Å、
シート抵抗は６２０Ω／□、面内ばらつき±２５Ω／
□、リニアリティ値は±０．９％以内であった。
で冷却した場合、得られたＩＴＯ膜の膜厚は１５０Å、
シート抵抗は６２０Ω／□、面内ばらつき±２５Ω／
□、リニアリティ値は±０．９％以内であった。
【００２９】実施例４ 超音波霧化による常圧ＣＶＤ法（パイロゾル成膜法）に
よりＩＴＯ膜を成膜するに際し、インジウム原料として
ＩｎＣｌ3 のメチルアルコール溶液を用いた。濃度は
０．１５ｍｏｌ／ｌで、ドープ用錫原料として、ＳｎＣ
ｌ4 をＩｎに対して５重量％添加した溶液を調製した。
基板には厚さ１ｍｍで３０ｃｍ角のソーダライムガラス
上に１０００ÅのＳｉＯ2 膜がコートされたものを用い
た。パイロゾル成膜装置に基板をセットし４５０℃に加
熱し、超音波により２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入
して２分間成膜したのち、窒素雰囲気下で冷却した。得
られたＩＴＯ膜は、膜厚２２０Å、シート抵抗１５０Ω
／□、比抵抗３．３×１０-4Ωｃｍであった。この膜を
熱風循環式の乾燥機にて空気中で、４００℃×３０分加
熱処理を行ったところ、シート抵抗４６０Ω／□、面内
ばらつき±３０Ω／□、リニアリティ値±１．３％以内
の良好な膜であった。
よりＩＴＯ膜を成膜するに際し、インジウム原料として
ＩｎＣｌ3 のメチルアルコール溶液を用いた。濃度は
０．１５ｍｏｌ／ｌで、ドープ用錫原料として、ＳｎＣ
ｌ4 をＩｎに対して５重量％添加した溶液を調製した。
基板には厚さ１ｍｍで３０ｃｍ角のソーダライムガラス
上に１０００ÅのＳｉＯ2 膜がコートされたものを用い
た。パイロゾル成膜装置に基板をセットし４５０℃に加
熱し、超音波により２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入
して２分間成膜したのち、窒素雰囲気下で冷却した。得
られたＩＴＯ膜は、膜厚２２０Å、シート抵抗１５０Ω
／□、比抵抗３．３×１０-4Ωｃｍであった。この膜を
熱風循環式の乾燥機にて空気中で、４００℃×３０分加
熱処理を行ったところ、シート抵抗４６０Ω／□、面内
ばらつき±３０Ω／□、リニアリティ値±１．３％以内
の良好な膜であった。
【００３０】実施例５ 実施例４においてＳｎを１５重量％添加した溶液を調製
し、実施例４と同様の条件で成膜を行った。成膜終了後
４５０℃×３０分空気中で加熱処理を行ったところ、膜
厚２３５Å、シート抵抗５１０Ω／□、比抵抗１．２×
１０-3ΩｃｍのＩＴＯ膜が得られた。シート抵抗の均一
性は±３０Ω／□、リニアリティ値±１．２％以内であ
った。
し、実施例４と同様の条件で成膜を行った。成膜終了後
４５０℃×３０分空気中で加熱処理を行ったところ、膜
厚２３５Å、シート抵抗５１０Ω／□、比抵抗１．２×
１０-3ΩｃｍのＩＴＯ膜が得られた。シート抵抗の均一
性は±３０Ω／□、リニアリティ値±１．２％以内であ
った。
【００３１】実施例６ 実施例４においてＳｎを０．５重量％添加した溶液を調
製し、成膜時間を１．５分とした以外は実施例４と同様
の条件で成膜を行ったのち、空気を導入しながら冷却を
行った。得られたＩＴＯ膜は、膜厚１６０Å、シート抵
抗１５５０Ω／□、比抵抗２．４８×１０-3Ωｃｍ、シ
ート抵抗の均一性は±１０９Ω／□、リニアリティ値±
１．１％以内であった。
製し、成膜時間を１．５分とした以外は実施例４と同様
の条件で成膜を行ったのち、空気を導入しながら冷却を
行った。得られたＩＴＯ膜は、膜厚１６０Å、シート抵
抗１５５０Ω／□、比抵抗２．４８×１０-3Ωｃｍ、シ
ート抵抗の均一性は±１０９Ω／□、リニアリティ値±
１．１％以内であった。
【００３２】なお、上記において、成膜後窒素雰囲気下
で冷却した場合、得られたＩＴＯ膜の膜厚は１６０Å、
シート抵抗８２０Ω／□、比抵抗１．３１×１０-3Ωｃ
ｍ、シート抵抗の均一性は±４１Ω／□、リニアリティ
値±１．０％以内であった。
で冷却した場合、得られたＩＴＯ膜の膜厚は１６０Å、
シート抵抗８２０Ω／□、比抵抗１．３１×１０-3Ωｃ
ｍ、シート抵抗の均一性は±４１Ω／□、リニアリティ
値±１．０％以内であった。
【００３３】実施例７ 実施例６と同様の条件で成膜を行ったのち、Ｎ2 ／Ｏ2
＝１：１の雰囲気下で冷却を行った。得られたＩＴＯ膜
は、膜厚１６０Å、シート抵抗２２００Ω／□、比抵抗
３．５２×１０-3Ωｃｍ、シート抵抗の均一性は±１７
６Ω／□、リニアリティ値±１．５％以内であった。
＝１：１の雰囲気下で冷却を行った。得られたＩＴＯ膜
は、膜厚１６０Å、シート抵抗２２００Ω／□、比抵抗
３．５２×１０-3Ωｃｍ、シート抵抗の均一性は±１７
６Ω／□、リニアリティ値±１．５％以内であった。
【００３４】実施例８ 実施例６においてＳｎを１５重量％添加した溶液を調製
し、実施例６と同様の条件で成膜を行ったのち、空気を
導入しながら冷却を行った。得られたＩＴＯ膜は、膜厚
１５０Å、シート抵抗１７５０Ω／□、比抵抗２．６２
×１０-3Ωｃｍ、シート抵抗の均一性は±１０５Ω／
□、リニアリティ値±１．４％以内であった。
し、実施例６と同様の条件で成膜を行ったのち、空気を
導入しながら冷却を行った。得られたＩＴＯ膜は、膜厚
１５０Å、シート抵抗１７５０Ω／□、比抵抗２．６２
×１０-3Ωｃｍ、シート抵抗の均一性は±１０５Ω／
□、リニアリティ値±１．４％以内であった。
【００３５】なお、上記において、成膜後窒素雰囲気下
で冷却した場合、得られたＩＴＯ膜は、膜厚１５０Å、
シート抵抗９２０Ω／□、比抵抗１．３８×１０-3Ωｃ
ｍ、シート抵抗の均一性は±４６Ω／□、リニアリティ
値±１．０％以内であった。
で冷却した場合、得られたＩＴＯ膜は、膜厚１５０Å、
シート抵抗９２０Ω／□、比抵抗１．３８×１０-3Ωｃ
ｍ、シート抵抗の均一性は±４６Ω／□、リニアリティ
値±１．０％以内であった。
【００３６】実施例９ 実施例８と同様の条件で成膜を行ったのち、Ｎ2 ／Ｏ2
＝１：１の雰囲気下で冷却を行った。得られたＩＴＯ膜
は、膜厚１５０Å、シート抵抗２４００Ω／□、比抵抗
３．６×１０-3Ωｃｍ、シート抵抗の均一性は±１８０
Ω／□、リニアリティ値±１．４％以内であった。
＝１：１の雰囲気下で冷却を行った。得られたＩＴＯ膜
は、膜厚１５０Å、シート抵抗２４００Ω／□、比抵抗
３．６×１０-3Ωｃｍ、シート抵抗の均一性は±１８０
Ω／□、リニアリティ値±１．４％以内であった。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、酸素の含有する雰囲気
下で、２００℃以上の温度で加熱処理をすることで均一
性に優れた高抵抗化したＩＴＯ膜を得ることができる。
特に初期のシート抵抗が５０Ω／□以上のＩＴＯ膜にお
いては、タッチパネル用途に最適な２００〜３０００Ω
／□のシート抵抗、リニアリティ値±２％以内のＩＴＯ
膜を得ることが可能である。また、本処理を成膜直後に
連続して行うことで、作業の簡略化ができるため、実用
的にも優れた方法である。
下で、２００℃以上の温度で加熱処理をすることで均一
性に優れた高抵抗化したＩＴＯ膜を得ることができる。
特に初期のシート抵抗が５０Ω／□以上のＩＴＯ膜にお
いては、タッチパネル用途に最適な２００〜３０００Ω
／□のシート抵抗、リニアリティ値±２％以内のＩＴＯ
膜を得ることが可能である。また、本処理を成膜直後に
連続して行うことで、作業の簡略化ができるため、実用
的にも優れた方法である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀬田 康弘 千葉県市原市五井南海岸12−54 日本曹達 株式会社機能製品研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】インジウム−スズ酸化物膜を、酸素を含有
する雰囲気中で２００℃以上の温度にて加熱処理するこ
とを特徴とするインジウム−スズ酸化物膜の成膜方法。 - 【請求項２】インジウム−スズ酸化物膜の成膜に引き続
いて加熱処理することを特徴とする請求項１に記載のイ
ンジウム−スズ酸化物膜の成膜方法。 - 【請求項３】インジウム−スズ酸化物膜のシート抵抗値
が２００Ω／□〜３０００Ω／□、リニアリティ値が±
２％以内である請求項１及び２に記載のインジウム−ス
ズ酸化物膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08597394A JP4079457B2 (ja) | 1993-12-14 | 1994-03-31 | インジウム−スズ酸化物膜の高抵抗化方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34247693 | 1993-12-14 | ||
| JP5-342476 | 1993-12-14 | ||
| JP08597394A JP4079457B2 (ja) | 1993-12-14 | 1994-03-31 | インジウム−スズ酸化物膜の高抵抗化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07224383A true JPH07224383A (ja) | 1995-08-22 |
| JP4079457B2 JP4079457B2 (ja) | 2008-04-23 |
Family
ID=26426985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08597394A Expired - Fee Related JP4079457B2 (ja) | 1993-12-14 | 1994-03-31 | インジウム−スズ酸化物膜の高抵抗化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4079457B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6329044B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-12-11 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent conductive film and method of making the film |
| WO2003008658A1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | Nikko Materials Company, Limited | Ito sintered body sputtering target for forming high-resistance film and its manufacturing method |
| KR100434528B1 (ko) * | 1997-11-28 | 2004-09-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출표시소자의양극판제조방법 |
| JP2011504293A (ja) * | 2007-11-02 | 2011-02-03 | エージーシー フラット グラス ノース アメリカ，インコーポレイテッド | 薄膜光起電性適用向けの透明導電性酸化膜、及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP08597394A patent/JP4079457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100434528B1 (ko) * | 1997-11-28 | 2004-09-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출표시소자의양극판제조방법 |
| US6329044B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-12-11 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent conductive film and method of making the film |
| WO2003008658A1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | Nikko Materials Company, Limited | Ito sintered body sputtering target for forming high-resistance film and its manufacturing method |
| JP2011504293A (ja) * | 2007-11-02 | 2011-02-03 | エージーシー フラット グラス ノース アメリカ，インコーポレイテッド | 薄膜光起電性適用向けの透明導電性酸化膜、及びその製造方法 |
| US9181124B2 (en) | 2007-11-02 | 2015-11-10 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Transparent conductive oxide coating for thin film photovoltaic applications and methods of making the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4079457B2 (ja) | 2008-04-23 |
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