JPH07221038A - 熱処理炉 - Google Patents
熱処理炉Info
- Publication number
- JPH07221038A JPH07221038A JP1248494A JP1248494A JPH07221038A JP H07221038 A JPH07221038 A JP H07221038A JP 1248494 A JP1248494 A JP 1248494A JP 1248494 A JP1248494 A JP 1248494A JP H07221038 A JPH07221038 A JP H07221038A
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- JP
- Japan
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- tube
- heavy metal
- heater core
- silicon carbide
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 炭化珪素のチューブの内面にＣＶＤ法で形成
したＳｉＣ膜をコーティングすることで重金属汚染を防
止する。 【構成】 ＣＶＤ法で形成した１００μｍ前後の厚さの
ＳｉＣ膜で内面をコートしたチューブ１を用いること
で、重金属汚染を低減する。従来のチューブ１でウエハ
の処理を行ったのに比べてこのチューブ１の場合、鉄、
銅の汚染量ともに１／１０以下に抑えることができる。
したＳｉＣ膜をコーティングすることで重金属汚染を防
止する。 【構成】 ＣＶＤ法で形成した１００μｍ前後の厚さの
ＳｉＣ膜で内面をコートしたチューブ１を用いること
で、重金属汚染を低減する。従来のチューブ１でウエハ
の処理を行ったのに比べてこのチューブ１の場合、鉄、
銅の汚染量ともに１／１０以下に抑えることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱処理炉に関するもので
ある。
ある。
【０００２】
【従来の技術】図４に従来技術のチューブを示す。チュ
ーブ１はガス導入口２とウエハ投入口３とで構成されて
いる。チューブ１は炭化珪素でできており、円筒形状を
している。６インチ系ウエハ用のチューブ１の場合、直
径が２３０ｍｍ、全長が２６００ｍｍである。ガス導入
口２はチューブ１の一端が細く絞られた形状になってい
る。その太さは２３０ｍｍから４０ｍｍに絞られてい
る。絞られた先には４０ｍｍ、長さ５０ｍｍの円筒の管
が溶接されている。
ーブ１はガス導入口２とウエハ投入口３とで構成されて
いる。チューブ１は炭化珪素でできており、円筒形状を
している。６インチ系ウエハ用のチューブ１の場合、直
径が２３０ｍｍ、全長が２６００ｍｍである。ガス導入
口２はチューブ１の一端が細く絞られた形状になってい
る。その太さは２３０ｍｍから４０ｍｍに絞られてい
る。絞られた先には４０ｍｍ、長さ５０ｍｍの円筒の管
が溶接されている。
【０００３】ウエハ投入口３はガス導入口２と反対側に
ある。形状は２３０ｍｍの円筒である。
ある。形状は２３０ｍｍの円筒である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のチューブ１
では、銅、鉄、ニッケルなどはシリコンなど半導体材料
に拡散すると、バンドギャップの深い所に、活性準位を
形成する。このような深い活性準位は少数キャリアの有
効な再結合中心となる。そのため少数キャリアライフタ
イムが短くなる。このためこの方法によって形成された
半導体デバイスは、その動作速度が遅くなる。
では、銅、鉄、ニッケルなどはシリコンなど半導体材料
に拡散すると、バンドギャップの深い所に、活性準位を
形成する。このような深い活性準位は少数キャリアの有
効な再結合中心となる。そのため少数キャリアライフタ
イムが短くなる。このためこの方法によって形成された
半導体デバイスは、その動作速度が遅くなる。
【０００５】その活性準位の発生は、拡散条件や炉周囲
の雰囲気に支配される。このためウエハに導入される重
金属の種類やその導入量、さらには導入される領域は一
定ではない。従来のチューブ１ではウエハに導入される
重金属を制御することができない。
の雰囲気に支配される。このためウエハに導入される重
金属の種類やその導入量、さらには導入される領域は一
定ではない。従来のチューブ１ではウエハに導入される
重金属を制御することができない。
【０００６】たとえば、重金属が酸化膜の形成時に取り
込まれると、酸化膜の耐圧不良の原因となり、製品歩留
まりが下がる。また、ダイナミック・ランダム・アクセ
ス・メモリ（ＤＲＡＭ）を例にとると、電荷を貯めるメ
モリ素子に重金属が拡散すると、周期的に結合したシリ
コン原子間に重金属元素が入り、結晶構造を乱して、結
晶欠陥が発生する。そのため、ポーズタイム（電荷保持
時間）が短くなり、製品歩留まりが悪くなる。ＰＮ接合
部分に重金属が拡散して活性準位を形成すると、通常は
Ｐ型領域からＮ型領域にしか電流が流れないのに対し
て、Ｎ型領域からＰ型領域にもリーク電流が流れて、整
流特性を損なう。整流素子が整流特性を失うことによ
り、半導体装置の特性が劣化してしまう。
込まれると、酸化膜の耐圧不良の原因となり、製品歩留
まりが下がる。また、ダイナミック・ランダム・アクセ
ス・メモリ（ＤＲＡＭ）を例にとると、電荷を貯めるメ
モリ素子に重金属が拡散すると、周期的に結合したシリ
コン原子間に重金属元素が入り、結晶構造を乱して、結
晶欠陥が発生する。そのため、ポーズタイム（電荷保持
時間）が短くなり、製品歩留まりが悪くなる。ＰＮ接合
部分に重金属が拡散して活性準位を形成すると、通常は
Ｐ型領域からＮ型領域にしか電流が流れないのに対し
て、Ｎ型領域からＰ型領域にもリーク電流が流れて、整
流特性を損なう。整流素子が整流特性を失うことによ
り、半導体装置の特性が劣化してしまう。
【０００７】本発明の目的は、重金属汚染を起こさない
半導体製造装置を提供するものである。
半導体製造装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の熱処理炉は、ヒーターコアと、前記ヒータ
ーコアに取り付けられた内面を炭化珪素の化学気相成長
法を用いてコートをしてある炭化珪素焼結体のチューブ
と、前記ヒーターコアの発熱体であるカンタル線で構成
されている。
めに本発明の熱処理炉は、ヒーターコアと、前記ヒータ
ーコアに取り付けられた内面を炭化珪素の化学気相成長
法を用いてコートをしてある炭化珪素焼結体のチューブ
と、前記ヒーターコアの発熱体であるカンタル線で構成
されている。
【０００９】
【作用】本発明によれば、カンタル線から発生した重金
属元素がチューブ内部まで熱拡散しないようにできるの
で、ウエハが重金属汚染にさらされることがない。その
結果、製品歩留まりを向上させることができる。
属元素がチューブ内部まで熱拡散しないようにできるの
で、ウエハが重金属汚染にさらされることがない。その
結果、製品歩留まりを向上させることができる。
【００１０】
【実施例】図１に実施例のチューブ１を示す。チューブ
１はガス導入口２とウエハ投入口３とで構成されてい
る。チューブ１は炭化珪素でできており、円筒形状をし
ている。６インチ系ウエハ用のチューブ１の場合、直径
が２３０ｍｍ、全長が２６００ｍｍである。ガス導入口
２はチューブ１の一端が細く絞られた形状になってい
る。その太さは２３０ｍｍから４０ｍｍに絞られてい
る。絞られた先には４０ｍｍ、長さ５０ｍｍの円筒の管
が溶接されている。
１はガス導入口２とウエハ投入口３とで構成されてい
る。チューブ１は炭化珪素でできており、円筒形状をし
ている。６インチ系ウエハ用のチューブ１の場合、直径
が２３０ｍｍ、全長が２６００ｍｍである。ガス導入口
２はチューブ１の一端が細く絞られた形状になってい
る。その太さは２３０ｍｍから４０ｍｍに絞られてい
る。絞られた先には４０ｍｍ、長さ５０ｍｍの円筒の管
が溶接されている。
【００１１】ウエハ投入口３はガス導入口２と反対側に
ある。形状は２３０ｍｍの円筒である。またチューブ１
内面にＣＶＤ法で形成したＳｉＣ膜が１００μｍ前後コ
ーティングしてある。
ある。形状は２３０ｍｍの円筒である。またチューブ１
内面にＣＶＤ法で形成したＳｉＣ膜が１００μｍ前後コ
ーティングしてある。
【００１２】ヒーターコア４は円筒形をしており、中に
チューブ１を挿入、装着できるようになっている。ヒー
ターコア４の発熱体はカンタル線５である。またカンタ
ル線５をヒーターコア４に固定するのにエレメントセパ
レーター６（図２参照）を用いている。
チューブ１を挿入、装着できるようになっている。ヒー
ターコア４の発熱体はカンタル線５である。またカンタ
ル線５をヒーターコア４に固定するのにエレメントセパ
レーター６（図２参照）を用いている。
【００１３】実施例の構成と従来の構成との相違点は、
チューブ１内面にＣＶＤ法で形成したＳｉＣ膜が１００
μｍ前後コーティングされていることである。
チューブ１内面にＣＶＤ法で形成したＳｉＣ膜が１００
μｍ前後コーティングされていることである。
【００１４】次に、重金属が半導体の特性を劣化させる
メカニズムについて簡単に述べる。シリコンなどの半導
体材料に銅、鉄、ニッケル等が拡散すると、シリコンの
バンドギャップの深い所に活性準位が形成される。この
活性準位は少数キャリアの有効な再結合中心となる。そ
のため、少数キャリアのライフタイムが短くなる。ライ
フタイムが短くなると、半導体デバイスの動作速度が遅
くなる。また、このような重金属による活性準位の発生
は重金属の汚染量やその元素の影響を強く受ける。
メカニズムについて簡単に述べる。シリコンなどの半導
体材料に銅、鉄、ニッケル等が拡散すると、シリコンの
バンドギャップの深い所に活性準位が形成される。この
活性準位は少数キャリアの有効な再結合中心となる。そ
のため、少数キャリアのライフタイムが短くなる。ライ
フタイムが短くなると、半導体デバイスの動作速度が遅
くなる。また、このような重金属による活性準位の発生
は重金属の汚染量やその元素の影響を強く受ける。
【００１５】重金属汚染量および元素は熱処理条件たと
えば熱処理温度、熱処理時間によって異なる。
えば熱処理温度、熱処理時間によって異なる。
【００１６】そのため、ウエハに導入される重金属元素
の種類やその汚染量、さらには汚染されるウエハ上の領
域は定まらない。そのためウエハに形成された半導体素
子の電気特性にばらつきが生じ、最終的に製品歩留まり
が安定しない。
の種類やその汚染量、さらには汚染されるウエハ上の領
域は定まらない。そのためウエハに形成された半導体素
子の電気特性にばらつきが生じ、最終的に製品歩留まり
が安定しない。
【００１７】このようにウエハに導入される重金属汚染
量やその元素を各処理毎には正確に把握することができ
ない。
量やその元素を各処理毎には正確に把握することができ
ない。
【００１８】たとえば、酸化膜形成時に前述したような
メカニズムで重金属がウエハに取り込まれると、酸化膜
の耐圧不良の原因となり、製品歩留まりを下げる。
メカニズムで重金属がウエハに取り込まれると、酸化膜
の耐圧不良の原因となり、製品歩留まりを下げる。
【００１９】次にウエハをメモリ素子とするＤＲＡＭに
ついて述べる。ＤＲＡＭは、メモリ素子に電荷（少数キ
ャリア）が蓄積されているかどうかによって、情報を判
断している。電荷を貯めるメモリ素子が形成されている
ウエハに重金属が拡散すると、バンドギャップ中に活性
準位が形成される。この活性準位は少数キャリアの有効
な再結合中心となる。このため、情報を保持すべき少数
キャリアが消滅する。つまり、重金属で汚染された素子
は正確に情報を保持することができない。このように、
ＤＲＡＭとしての情報を保持する機能を失っている。こ
のため、ＤＲＡＭに電荷が保持されている時間であるポ
ーズタイムが低下する。この結果、ＤＲＡＭの製品歩留
まりが下がる。さらに、ＤＲＡＭが微細化されると、１
ビットあたりのメモリセル容量が小さくなるため、重金
属の汚染によって、メモリセル容量が減少する。このよ
うに少数キャリアの消滅が無視できない。このため、小
数キャリアの消滅を促す重金属によるウエハの汚染が問
題となる。
ついて述べる。ＤＲＡＭは、メモリ素子に電荷（少数キ
ャリア）が蓄積されているかどうかによって、情報を判
断している。電荷を貯めるメモリ素子が形成されている
ウエハに重金属が拡散すると、バンドギャップ中に活性
準位が形成される。この活性準位は少数キャリアの有効
な再結合中心となる。このため、情報を保持すべき少数
キャリアが消滅する。つまり、重金属で汚染された素子
は正確に情報を保持することができない。このように、
ＤＲＡＭとしての情報を保持する機能を失っている。こ
のため、ＤＲＡＭに電荷が保持されている時間であるポ
ーズタイムが低下する。この結果、ＤＲＡＭの製品歩留
まりが下がる。さらに、ＤＲＡＭが微細化されると、１
ビットあたりのメモリセル容量が小さくなるため、重金
属の汚染によって、メモリセル容量が減少する。このよ
うに少数キャリアの消滅が無視できない。このため、小
数キャリアの消滅を促す重金属によるウエハの汚染が問
題となる。
【００２０】整流素子のＰＮ接合部分に重金属が拡散す
ると、ＰＮ接合の空乏層に活性準位が形成される。この
ため、ＰＮ接合部分のリーク電流が増加する。すなわち
通常はＰ型領域からＮ型領域にしか電流が流れないのに
対して、Ｎ型領域からＰ型領域へもリーク電流が流れ
る。このように整流素子が整流特性を失うことで所望の
特性を得ることができない。
ると、ＰＮ接合の空乏層に活性準位が形成される。この
ため、ＰＮ接合部分のリーク電流が増加する。すなわち
通常はＰ型領域からＮ型領域にしか電流が流れないのに
対して、Ｎ型領域からＰ型領域へもリーク電流が流れ
る。このように整流素子が整流特性を失うことで所望の
特性を得ることができない。
【００２１】次にチューブ１とカンタル線５の拡大図で
ある図２を用いて従来のチューブ１における重金属元素
の発生源と汚染するメカニズムについて説明する。
ある図２を用いて従来のチューブ１における重金属元素
の発生源と汚染するメカニズムについて説明する。
【００２２】カンタル線５から半導体素子の特性を劣化
させる重金属、たとえば銅、鉄、ニッケルなどが発生す
る。通常ドライブイン処理ではカンタル線５は１１００
℃以上の温度で用いられる。この１１００℃以上のカン
タル線５から重金属元素の塵６が発塵し、重金属元素が
チューブ１の外面に付着して、炭化珪素８内を熱拡散す
る。チューブ１は炭化珪素８の単結晶ではなく焼結体で
ある。また炭化珪素８の焼結体に対して重量比で２０％
のシリコン７が含浸されている。したがって、炭化珪素
８のチューブ１の重金属拡散速度は、炭化珪素８の拡散
係数で決定されるのではなく、シリコン７の拡散係数で
決定されることを見い出した。そのため、１１００℃以
上の温度で使用した場合、数時間後には、重金属元素が
チューブ１の外面から内面に拡散してウエハに到達する
ことになる。
させる重金属、たとえば銅、鉄、ニッケルなどが発生す
る。通常ドライブイン処理ではカンタル線５は１１００
℃以上の温度で用いられる。この１１００℃以上のカン
タル線５から重金属元素の塵６が発塵し、重金属元素が
チューブ１の外面に付着して、炭化珪素８内を熱拡散す
る。チューブ１は炭化珪素８の単結晶ではなく焼結体で
ある。また炭化珪素８の焼結体に対して重量比で２０％
のシリコン７が含浸されている。したがって、炭化珪素
８のチューブ１の重金属拡散速度は、炭化珪素８の拡散
係数で決定されるのではなく、シリコン７の拡散係数で
決定されることを見い出した。そのため、１１００℃以
上の温度で使用した場合、数時間後には、重金属元素が
チューブ１の外面から内面に拡散してウエハに到達する
ことになる。
【００２３】高温長時間処理のドライブインの場合、ウ
エハは重金属元素の汚染を受けやすく、ドライブイン処
理後のＬＯＣＯＳ工程でストレスの集中しやすいＬＯＣ
ＯＳエッジ部分に重金属元素が析出し、リーク電流発生
の要因となる。
エハは重金属元素の汚染を受けやすく、ドライブイン処
理後のＬＯＣＯＳ工程でストレスの集中しやすいＬＯＣ
ＯＳエッジ部分に重金属元素が析出し、リーク電流発生
の要因となる。
【００２４】次に図３に従来技術と本実施例のチューブ
１を用いたときの処理バッチ数とライフタイムの関係を
示す。縦軸はライフタイムをログ（ｌｏｇ）スケール
で、横軸はメンテナンスからの経過時間を処理バッチ数
で示してある。
１を用いたときの処理バッチ数とライフタイムの関係を
示す。縦軸はライフタイムをログ（ｌｏｇ）スケール
で、横軸はメンテナンスからの経過時間を処理バッチ数
で示してある。
【００２５】ここで再度ライフタイムが短いときの物理
的意味について述べる。シリコン７に重金属が拡散する
とバンドギャップ内に少数キャリアの有効な再結合中心
が形成される。このため少数キャリアのライフタイムが
短くなる。
的意味について述べる。シリコン７に重金属が拡散する
とバンドギャップ内に少数キャリアの有効な再結合中心
が形成される。このため少数キャリアのライフタイムが
短くなる。
【００２６】従来のチューブ１の場合、メンテナンス直
後は、ライフタイムが長く重金属汚染が少ない。しかし
バッチ処理を行うと、すぐにライフタイムが低下し、汚
染が進んでいることがわかる。本発明のチューブ１の場
合、メンテナンス直後およびバッチ処理を行った後のラ
イフタイムは徐々に低下している。しかし、その低下す
る割合は従来のものと比較して十分小さい。また、低下
したライフタイムは従来より十分に長いことがわかる。
後は、ライフタイムが長く重金属汚染が少ない。しかし
バッチ処理を行うと、すぐにライフタイムが低下し、汚
染が進んでいることがわかる。本発明のチューブ１の場
合、メンテナンス直後およびバッチ処理を行った後のラ
イフタイムは徐々に低下している。しかし、その低下す
る割合は従来のものと比較して十分小さい。また、低下
したライフタイムは従来より十分に長いことがわかる。
【００２７】また、ＣＶＤ法を用いて形成したＳｉＣ膜
は均一な膜ではなく、所々ピンホールが存在する。その
ため、カンタル線５から熱拡散してくる重金属汚染を、
ＣＶＤ法で形成したＳｉＣ膜で１００％防止することが
できない。そのため、メンテナンス後１０日前後でライ
フタイムが多少低下する。
は均一な膜ではなく、所々ピンホールが存在する。その
ため、カンタル線５から熱拡散してくる重金属汚染を、
ＣＶＤ法で形成したＳｉＣ膜で１００％防止することが
できない。そのため、メンテナンス後１０日前後でライ
フタイムが多少低下する。
【００２８】しかし、従来技術のチューブ１の表面積に
比べて本実施例のチューブ１のピンホールの面積は十分
小さいため、ＣＶＤを用いたＳｉＣ膜の重金属汚染防止
効果は１００％でないものの有効であると言える。ま
た、従来のチューブ１でウエハの処理を行った場合、鉄
や銅の汚染量は約１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以上である
のに対し、本実施例のチューブ１では鉄、銅共約１０10
ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度の１／１０以下に抑えることが
できる。
比べて本実施例のチューブ１のピンホールの面積は十分
小さいため、ＣＶＤを用いたＳｉＣ膜の重金属汚染防止
効果は１００％でないものの有効であると言える。ま
た、従来のチューブ１でウエハの処理を行った場合、鉄
や銅の汚染量は約１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以上である
のに対し、本実施例のチューブ１では鉄、銅共約１０10
ａｔｏｍｓ／ｃｍ2程度の１／１０以下に抑えることが
できる。
【００２９】また、本実施例のチューブの大きさは６イ
ンチとしたが、他の大きさでも同様の効果があることは
言うまでもない。
ンチとしたが、他の大きさでも同様の効果があることは
言うまでもない。
【００３０】
【発明の効果】本発明のチューブの内面にはＣＶＤ法を
用いたＳｉＣ膜がコーティングされている。そのため従
来技術に比べて鉄、銅の汚染量を１／１０以下に抑える
ことができる。よって製品歩留まりを向上させることが
でき、また製品コストの低減ができる。
用いたＳｉＣ膜がコーティングされている。そのため従
来技術に比べて鉄、銅の汚染量を１／１０以下に抑える
ことができる。よって製品歩留まりを向上させることが
でき、また製品コストの低減ができる。
【図１】本発明の熱処理炉の一実施例の横断面図
【図２】本発明の熱処理炉の一実施例の拡大図
【図３】ライフタイムの経時変化を説明する図
【図４】従来技術の熱処理炉を説明する横断面図
１ チューブ ２ ガス導入口 ３ ウエハ投入口 ４ ヒーターチャンバー ５ カンタル線 ６ 塵 ７ シリコン ８ 炭化珪素
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 21/324 Ｄ
Claims (1)
- 【請求項１】 ヒーターコアと、前記ヒーターコアに取
り付けられた内面を炭化珪素の化学気相成長法を用いて
コートをしてある炭化珪素焼結体のチューブと、前記ヒ
ーターコアの発熱体であるカンタル線で構成されたこと
を特徴とする熱処理炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248494A JPH07221038A (ja) | 1994-02-04 | 1994-02-04 | 熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1248494A JPH07221038A (ja) | 1994-02-04 | 1994-02-04 | 熱処理炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221038A true JPH07221038A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=11806679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1248494A Pending JPH07221038A (ja) | 1994-02-04 | 1994-02-04 | 熱処理炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07221038A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0927777A1 (en) * | 1997-12-26 | 1999-07-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor crystal, and method and apparatus of production |
| WO2001098556A3 (en) * | 2000-06-16 | 2002-05-23 | Applied Materials Inc | Temperature controlled gas feedthrough |
| US6572700B2 (en) | 1997-12-26 | 2003-06-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor crystal, and method and apparatus of production thereof |
| WO2007035304A1 (en) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Cree, Inc. | Methods of forming sic mosfets with high inversion layer mobility |
| US9984894B2 (en) | 2011-08-03 | 2018-05-29 | Cree, Inc. | Forming SiC MOSFETs with high channel mobility by treating the oxide interface with cesium ions |
-
1994
- 1994-02-04 JP JP1248494A patent/JPH07221038A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6780244B2 (en) | 1997-12-26 | 2004-08-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing a semiconductor crystal |
| US6866714B2 (en) | 1997-12-26 | 2005-03-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Large size semiconductor crystal with low dislocation density |
| EP1895025A2 (en) | 1997-12-26 | 2008-03-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor crystal, and method and apparatus of production |
| EP1895025A3 (en) * | 1997-12-26 | 2008-05-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor crystal, and method and apparatus of production |
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| US7727904B2 (en) | 2005-09-16 | 2010-06-01 | Cree, Inc. | Methods of forming SiC MOSFETs with high inversion layer mobility |
| US8536066B2 (en) | 2005-09-16 | 2013-09-17 | Cree, Inc. | Methods of forming SiC MOSFETs with high inversion layer mobility |
| US9984894B2 (en) | 2011-08-03 | 2018-05-29 | Cree, Inc. | Forming SiC MOSFETs with high channel mobility by treating the oxide interface with cesium ions |
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