JPH07216331A - 2部材間の接着化合物、該接着化合物の製法および該接着化合物を有する電力用半導体−冷却体組合せ物 - Google Patents

2部材間の接着化合物、該接着化合物の製法および該接着化合物を有する電力用半導体−冷却体組合せ物

Info

Publication number
JPH07216331A
JPH07216331A JP7006620A JP662095A JPH07216331A JP H07216331 A JPH07216331 A JP H07216331A JP 7006620 A JP7006620 A JP 7006620A JP 662095 A JP662095 A JP 662095A JP H07216331 A JPH07216331 A JP H07216331A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
powder
underlayer
adhesive compound
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7006620A
Other languages
English (en)
Inventor
Karl-Heinz Ideler
イーデラー カール−ハインツ
Dieter Dlugosch
ドルゴッシュ ディーター
Winfried Arz
アルツ ヴィンフリート
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPH07216331A publication Critical patent/JPH07216331A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/002Inhomogeneous material in general
    • H01B3/006Other inhomogeneous material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/40Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01076Osmium [Os]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y10T428/256Heavy metal or aluminum or compound thereof
    • Y10T428/257Iron oxide or aluminum oxide
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y10T428/259Silicic material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高い絶縁耐性ならびに高い機械的信頼性をよ
り高い使用温度の場合にも示す、2部材間の接着化合
物、該接着化合物の製法および該接着化合物を有する電
力用半導体−冷却体組合せ物。 【構成】 少なくとも1つの部材表面上に、未充填の接
着剤からなる電気絶縁性下地層が塗布されており、少な
くとも1つの部材表面上に、電気絶縁性であるが良好に
熱伝導する粉末で充填された接着剤が塗布されており、
かつ、粉末の最大粒子が下地層を突き破り、かつ接着化
合物の厚さは本質的に、該粒子の大きさに相応する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱伝導性、電気絶縁性
接着化合物ならびに該接着化合物の製法および該接着化
合物の使用に関する。
【0002】この種の接着化合物は、例えばパワーエレ
クトロニクスに必要とされる。従って、電力用半導体と
冷却体との接着によって、製造技術的に大きな利点が得
られるが、しかしながら、この接着によって、各電力用
半導体の使用電圧および電力損失に応じて、接着化合物
の電気絶縁耐性および熱伝導性に対して高い要求が課せ
られる。さらに接着箇所は、より高い使用温度の場合に
も機械的信頼性を示さなければならない。
【0003】
【従来の技術】電気部材の接着方法は、種々の印刷物か
ら公知である。従って、例えばドイツ連邦共和国特許出
願公開第3318729号明細書には、半導体部材を、
絶縁層を有する冷却体上に電気絶縁的に取り付けた装置
が記載されており、この場合、冷却体と、部材の電気接
続との間に、酸化アルミニウム繊維および電気絶縁接着
剤からなる積層物が配置されている。この場合には接着
剤として、Al23−セラミック粉末を含有する無機接
着剤は、使用することができる。
【0004】米国特許第4307147号明細書に相応
するドイツ連邦共和国特許出願公開第3032744号
明細書には、特にエレクトロニクス部材のための高い熱
伝導性を有する電気絶縁ベースが記載されており、この
場合、金属板の上に、金属酸化物粒子が分散された絶縁
フィルムが施与されている。この装置は、僅かな絶縁耐
性しか示さない。
【0005】米国特許第4689250号明細書に相応
する欧州特許出願公開第0182280号明細書には、
粉末材料を製造するための、プラスチックと架橋された
金属粉末を基礎とする充填材が記載されており、この場
合、できるだけ密に充填された状態で、架橋によって得
られたプラスチック被覆を有する金属粒子が存在してい
る。従って、熱導出を同時に伴う電気絶縁が可能になっ
ている。
【0006】ドイツ連邦共和国特許第1213500号
明細書から、トランジスタ又は他の部材のためのベース
としての、充填材を含有する、良好に熱伝導する絶縁フ
ィルムが公知であり、この場合、充填材粒子は、スペー
サとしても使用される。
【0007】国際特許出願 WO 89/11723に
相応するドイツ連邦共和国特許出願公開第381740
0号明細書の場合には、部材の絶縁のために、基礎材料
に、少なくとも1種の良好に熱伝導する充填材の高い含
量および、多くの少なくとも近似値的に等しい大きさの
分量からなる固体添加剤の含量が混合されている、熱伝
導性かつ電気絶縁性である接着剤が提案されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
で公知の絶縁材料の中で、殊により高い電圧範囲内およ
び電力損失範囲内の、パワーエレクトロニクスの場合の
接着化合物に課されている要求を満足させるものはな
い。従って本発明の課題は、高い絶縁耐性ならびに高い
機械的信頼性をより高い使用温度の場合にも示す、接着
化合物および該接着化合物の製法を開発することであ
る。さらに接着化合物は、有利な方法で使用される。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題は、請求項1記
載の接着化合物ないしは請求項8記載のこの種の接着化
合物の製法および請求項12記載の該接着化合物を有す
る電力用半導体−冷却体組合せ物によって解決される。
本発明の有利な形態は、サブクレームに記載されてい
る。
【0010】次に、本発明の実施例を図1および2につ
き詳説する。この場合には、図1は、冷却管上に接着さ
れた半導体部材の装置を示しており、図2は、図1のD
の範囲内の接着化合物の著しく拡大した断面を示してい
る。
【0011】
【実施例】図示された実施例の場合には、電力用半導体
3は、水冷却装置1によって冷却され、この水冷却装置
は、本質的に長方形の断面を有する管からなる。電力用
半導体3の損失熱は、小板2によって水冷却装置1に導
出される。この場合には、接着化合物が小板2と水冷却
装置1の間に記載されており、この接着化合物は、良好
に絶縁されていなければならず、それというのも小板2
に使用電圧がかかっているからである。
【0012】冷却管1については、少なくともその接着
箇所の範囲内を前処理し、殊にその表面を平滑化し、そ
れというのも、表面の荒さが過大である場合に、尖端が
接着層中に突出せずかつ絶縁耐性が悪化しないためにで
ある。引き続き、少なくとも接着箇所にか又は、便宜
上、管の表面全体に下地層4を塗布する。この場合に
は、管の表面全体を該下地層で被覆することは、冷却管
1全体が、隣接する充電部から保護されるという利点を
有する。
【0013】下地層4は、エポキシ樹脂によって得ら
れ、このエポキシ樹脂の粘度は正確に計量されたチキソ
トロープ剤の添加によって調整される。この場合には、
この混合物の粘稠度は、前処理された表面層から突出す
る最も高い尖端をも完全に包み込む程度の状態でなけれ
ばならない。この下地層の密閉性は、例えば破壊試験(U
eberschlagpruefung)で検査することができる。この種
の層ただ1層では、表面の尖端の全てを包み込むのに不
十分である場合には、低い粘度の2層を塗布することも
できる。この選択は、次の2つの利点を有する:即ち、
一つには、稀薄溶液状接着層中に比較的小さな気泡が僅
かに残留していること、かつさらに、2個の気泡が直接
重なり、ひいては該層の絶縁能が損なわれることはあり
えないことである。気泡を回避するために、処理行程中
に数回の排気過程を、例えばチキソトロープ剤の添加
後、エポキシ樹脂への硬化剤成分の添加後ならびに冷却
管への下地層の塗布後に実施することができる。
【0014】下地層の塗布後に、該層を炉中でほぼ硬化
する。従って下地層は、引き続いての接着過程の際にな
おもたらされる可能性のある損傷および障害に対して鈍
感である。他方では下地層は、より硬い粒子が押しつけ
る力によって下地層4中に圧入することができる程度の
柔軟性を維持している。下地層4の未充填の接着物質が
不良な熱伝導性を示すため、該下地層は、できるだけ薄
く維持される。他方では下地層4は、該下地層がなお塗
布すべき付加的な接着剤層なしでもその装置に要求され
る十分な絶縁耐性を示す程度に寸法決定することができ
る。接着すべき材料表面の平均荒さRz=15〜25μ
mおよび所望される絶縁耐性2.5KVの場合には、通
常、下地層4の膜厚40〜50μmは十分である。
【0015】引き続き、熱伝導層としての第2の接着層
5を塗布する。この層は同様に、基本成分(樹脂および
硬化剤)が下地層の場合と同じであるエポキシ樹脂から
なる。しかしながら、該層の場合にはセラミック粉末、
この場合には酸化アルミニウムの混入によって接着剤の
熱伝導率は、本質的に改善される。下地層の未充填の接
着剤が、典型的に熱伝導率0.3W/mKを有する一方
で、充填された接着剤5は、熱伝導率1.3W/mKを
有している。
【0016】酸化アルミニウム粉末で充填された接着剤
5を直接第2の部材、即ち小板2に計量して塗布する。
引き続き、充填された接着剤5が塗布された小板2を冷
却管の予定された位置に押しつける。
【0017】接着過程の特殊性は、接着化合物の膜厚が
本質的に酸化アルミニウム粉末の粒径によって決定され
ることにある。極度に硬質である酸化アルミニウムが極
めて高い圧力下でもほとんど変形しないため、この場合
には存在する薄い接着層の場合には常に、最も大きな粒
子が、接着すべき部材間の間隔を定義する。該酸化アル
ミニウム粉末中に存在する、より小さな粒子は、大きな
粒子間の空隙を埋める。例えば、120μmまでの粒径
を有する酸化アルミニウム粉末は、使用することができ
る。
【0018】高い押しつけ力のために、酸化アルミニウ
ム粒子6aは、なお比較的軟らかい下地層4中に圧入さ
れ、かつ従って部材1の表面に十分に直接接触してい
る。従って、セラミック粒子によって、部材1と2の間
の良好な熱の流れが得られる。部材が押し合わされる際
に、酸化アルミニウム粉末の粒径によって予定された間
隔に、自然に調整される。
【0019】接着化合物は、最後に炉中で硬化させても
よい。
【0020】上記技術を用いて、高い絶縁耐性ならびに
良好な熱伝導性を達成することができる。仕上過程もま
た、比較的簡単でありかつ問題ない。耐熱性は、酸化ア
ルミニウム粉末の粒径の選択によって比較的正確に調整
することができ、この場合、粒径の増大に伴って当然の
ことながら絶縁耐性は弱まるが、しかし熱伝導率は、あ
る一定の粒径から増大する。しかしながら、充填された
接着剤は、不完全にしか排気することができず、かつ従
って、空気の包接が絶縁耐性を減少させる危険がある。
従って、有利に、完全な絶縁耐性は、未充填の接着剤か
らなる、より良好に排気可能な下地層4によって既に保
証されており、その一方では、充填された接着剤5によ
って良好な熱導出が得られる。上記の性質のために、こ
の接着は、使用電圧および電力損失が高い電力用半導体
の場合にも適当である。
【図面の簡単な説明】
【図1】冷却管上に接着された半導体部材の装置を示す
図である。
【図2】図1のDの範囲内の接着化合物の断面の拡大図
である。
【符号の説明】
1 冷却体、 2 小板、 1a,2a 部材表面、
3 電力用半導体、4 下地層、 5 接着剤、 6
粉末、 6a 粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴィンフリート アルツ ドイツ連邦共和国 ブルクタン ブルクタ ンナーシュトラーセ 13

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2部材(1、2)間の接着化合物におい
    て、 a)少なくとも1つの部材表面(1a)上に、未充填の
    接着剤からなる電気絶縁性下地層(4)が塗布されてお
    り、 b)少なくとも1つの部材表面(2a)又は下地層
    (4)上に、電気絶縁されているがしかし熱を良好に伝
    導する粉末が添加されている電気絶縁性接着剤(5)が
    塗布されており、 c)粉末(6)の粒子(6a)が下地層(4)を突き破
    り、かつ接着化合物の厚さは、最も大きな粒子(6a)
    の大きさに本質的に相応することを特徴とする接着化合
    物。
  2. 【請求項2】 下地層(4)および接着剤(5)がエポ
    キシ樹脂である、請求項1記載の接着化合物。
  3. 【請求項3】 粉末(6)がセラミック粉末である、請
    求項1又は2記載の接着化合物。
  4. 【請求項4】 粉末(6)がAl23粉末である、請求
    項3記載の接着化合物。
  5. 【請求項5】 粉末(6)の粒径が120μmまでであ
    る、請求項1から4までのいずれか1項に記載の接着化
    合物。
  6. 【請求項6】 下地層の厚さが40〜50μmである、
    請求項1から5までのいずれか1項に記載の接着化合
    物。
  7. 【請求項7】 専ら下地層(4)が、接着化合物に必要
    とされる絶縁耐性を有している、請求項1から6までの
    いずれか1項に記載の接着化合物。
  8. 【請求項8】 2部材(1、2)間の接着化合物を製造
    する方法において、 a)少なくとも1つの部材表面(1a)上に、下地層
    (4)として、部材表面(1a)から突出している全て
    の尖端を包み込む未充填の接着剤を塗布し、 b)未充填の接着剤(4)を、該接着剤を相応する圧力
    でなお粒子が突き破ることができる程度に予備硬化さ
    せ、 c)該下地層(4)又は被覆されていない部材表面(2
    a)上に、電気絶縁されているがしかし熱を良好に伝導
    する粉末(6)が添加されている電気絶縁性接着剤
    (5)を塗布し、 d)2部材(1、2)を、粉末(6)の粒子(6a)が
    下地層(4)中に入り込みかつ接着化合物の厚さが最も
    大きな粒子(6a)の直径に本質的に相応する程度に押
    しつけ、 e)接着化合物全体を硬化させることを特徴とする接着
    化合物の製法。
  9. 【請求項9】 下地層(4)が2つの薄い層から構成さ
    れている、請求項8記載の方法。
  10. 【請求項10】 段階a)の際に接着剤の粘度をチキソ
    トロープ剤の添加によって適度に調整する、請求項8記
    載の方法。
  11. 【請求項11】 それぞれの接着剤塗布後に排気過程を
    実施する、請求項8から10までのいずれか1項に記載
    の方法。
  12. 【請求項12】 電力用半導体−冷却体組合せ物におい
    て、電力用半導体(3)と冷却体(1)との接着のため
    に、請求項1から8までのいずれか1項に記載の接着化
    合物を有していることを特徴とする、電力用半導体−冷
    却体組合せ物。
JP7006620A 1994-01-20 1995-01-19 2部材間の接着化合物、該接着化合物の製法および該接着化合物を有する電力用半導体−冷却体組合せ物 Pending JPH07216331A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4401608.5 1994-01-20
DE4401608A DE4401608C1 (de) 1994-01-20 1994-01-20 Thermisch leitende, elektrisch isolierende Klebeverbindung, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07216331A true JPH07216331A (ja) 1995-08-15

Family

ID=6508332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7006620A Pending JPH07216331A (ja) 1994-01-20 1995-01-19 2部材間の接着化合物、該接着化合物の製法および該接着化合物を有する電力用半導体−冷却体組合せ物

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5695872A (ja)
JP (1) JPH07216331A (ja)
DE (1) DE4401608C1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014033092A (ja) * 2012-08-03 2014-02-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4085536B2 (ja) * 1998-11-09 2008-05-14 株式会社日本自動車部品総合研究所 電気機器およびその製造方法並びに圧接型半導体装置
DE10140328B4 (de) * 2001-08-16 2006-02-02 Siemens Ag Kühlanordnung zur Kühlung elektronischer Bauelemente
DE10335155B4 (de) 2003-07-31 2006-11-30 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer Anordnung eines elektrischen Bauelements auf einem Substrat
US7550097B2 (en) * 2003-09-03 2009-06-23 Momentive Performance Materials, Inc. Thermal conductive material utilizing electrically conductive nanoparticles
US20060185836A1 (en) * 2005-02-24 2006-08-24 Scott Garner Thermally coupled surfaces having controlled minimum clearance

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1213500B (de) * 1961-09-28 1966-03-31 Philips Patentverwaltung Waerme gut leitende Isolierfolie mit Fuellstoff
JPS5635494A (en) * 1979-08-30 1981-04-08 Showa Denko Kk High heat transfer electric insulating substrate
DE3318729A1 (de) * 1983-05-21 1984-11-22 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Anordnung zur elektrischen isolation eines halbleiterbauelementes
US4689250A (en) * 1984-11-16 1987-08-25 Siemens Aktiengesellschaft Cross-linked polymer coated metal particle filler compositions
DE3817400A1 (de) * 1988-05-21 1989-11-30 Bosch Gmbh Robert Waermeleitender, elektrisch isolierender kleber
DE3939628A1 (de) * 1989-11-30 1991-06-06 Siemens Ag Verfahren zur befestigung von bauelementen und integrierten halbleiterschaltungen auf schichtschaltungen
DE3939627A1 (de) * 1989-11-30 1991-06-06 Siemens Ag Verfahren zur befestigung von schichtschaltungen auf unterlagen
DE69229262T2 (de) * 1992-03-16 2000-01-20 Raytheon Co., Lexington Wärmetransferklebstoff
US5445308A (en) * 1993-03-29 1995-08-29 Nelson; Richard D. Thermally conductive connection with matrix material and randomly dispersed filler containing liquid metal
US5328087A (en) * 1993-03-29 1994-07-12 Microelectronics And Computer Technology Corporation Thermally and electrically conductive adhesive material and method of bonding with same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014033092A (ja) * 2012-08-03 2014-02-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE4401608C1 (de) 1995-07-27
US5695872A (en) 1997-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4471837A (en) Graphite heat-sink mountings
US5290624A (en) Heat-conductive adhesive films, laminates with heat-conductive adhesive layers and the use thereof
JP4089636B2 (ja) 熱伝導性樹脂シートの製造方法およびパワーモジュールの製造方法
EP2819158B1 (en) Thermally conductive dielectric interface
JP3559137B2 (ja) 熱伝導性接着剤組成物及び該組成物を用いた熱伝導性接着フィルム
JP4258984B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH10242606A (ja) 金属ベース基板
JP3792327B2 (ja) 熱伝導性接着剤組成物及び該組成物を用いた熱伝導性接着フィルム
JP2010010599A (ja) 熱拡散シート
JP2001203313A (ja) 熱伝導基板およびその製造方法
WO2003068840A1 (fr) Durcisseur latent, procede de production et adhesif contenant un durcisseur latent
FR2480488A1 (fr) Liant thermiquement conducteur et isolant electriquement pour composants electriques et electroniques, et son procede de fabrication
WO2016125650A1 (ja) 金属ベース回路基板及びその製造方法
JPH07216331A (ja) 2部材間の接着化合物、該接着化合物の製法および該接着化合物を有する電力用半導体−冷却体組合せ物
JP2003051573A (ja) パワーモジュールとその製造方法
JPH09302313A (ja) 接着剤付き金属箔、接着シート及び多層配線板
JP5509461B2 (ja) パワー半導体装置およびその製造方法
JP3746915B2 (ja) 高熱伝導性組成物
JP5274007B2 (ja) 熱伝導性樹脂シートおよびこれを用いたパワーモジュール
CN207699509U (zh) 一种复合导热绝缘胶膜
JP4029278B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2001214075A (ja) 高熱伝導性シート用組成物、高熱伝導性シート、高熱伝導性シートの製造方法および高熱伝導性シートを用いた放熱構造
JP2013120814A (ja) 放熱構造体
JP2002093969A (ja) 異方性伝熱シートおよびその製造方法
JP3807355B2 (ja) 電子・電気機器部品圧着接合用熱伝導性ゴム部材

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040317