JPH0721460B2 - 基板検査装置及びその方法 - Google Patents
基板検査装置及びその方法Info
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- JPH0721460B2 JPH0721460B2 JP19435892A JP19435892A JPH0721460B2 JP H0721460 B2 JPH0721460 B2 JP H0721460B2 JP 19435892 A JP19435892 A JP 19435892A JP 19435892 A JP19435892 A JP 19435892A JP H0721460 B2 JPH0721460 B2 JP H0721460B2
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- inspection apparatus
- phase plate
- inspecting
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/06—Means for illuminating specimens
- G02B21/08—Condensers
- G02B21/14—Condensers affording illumination for phase-contrast observation
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の検査のための検
査装置及びその方法に関する。
査装置及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】様々な産業において、特別な保護、光
学、磁気又は電気的特性をもった層を供給するために、
コーティング及び付着技術が利用されている。層の上下
及び層中の様々な種類の欠陥を検知及び視覚化させるに
は、検査方法及び適切な検査装置が必要である。
学、磁気又は電気的特性をもった層を供給するために、
コーティング及び付着技術が利用されている。層の上下
及び層中の様々な種類の欠陥を検知及び視覚化させるに
は、検査方法及び適切な検査装置が必要である。
【０００３】ＤＥ ３８ １９ ６０４ Ａ１に開示された
発明は、対象物のフェーズ・コントラスト画像を作り出
す方法を開示する。従来の顕微鏡で使用されるZernicke
の周知のフェーズ・コントラスト方法と違って、この方
法は、特に顕微鏡でのスキャン用に開発された。
発明は、対象物のフェーズ・コントラスト画像を作り出
す方法を開示する。従来の顕微鏡で使用されるZernicke
の周知のフェーズ・コントラスト方法と違って、この方
法は、特に顕微鏡でのスキャン用に開発された。
【０００４】欠陥の可視性を改良する他の可能性は、１
９７７年刊行のＩＢＭテクニカル・ディスクロージャ・
ブルテンＶｏｌ．１９（IBM Technical DisclosureBull
etin、Vol.19、No.10、March 1977、p.3963）で述べら
れいる。ストレスを加えることによって、異なるバック
グラウンドの輝度が、より明確な欠陥の画像を得るため
に、クリスタルの欠陥部に与えられる。ここでは、バッ
クグラウンド及び放射輝度の関数としてコントラストが
どのように変化するかを知ることによって、転置の歪み
フィールドを数量化させるために４分の１波長板が使用
される。
９７７年刊行のＩＢＭテクニカル・ディスクロージャ・
ブルテンＶｏｌ．１９（IBM Technical DisclosureBull
etin、Vol.19、No.10、March 1977、p.3963）で述べら
れいる。ストレスを加えることによって、異なるバック
グラウンドの輝度が、より明確な欠陥の画像を得るため
に、クリスタルの欠陥部に与えられる。ここでは、バッ
クグラウンド及び放射輝度の関数としてコントラストが
どのように変化するかを知ることによって、転置の歪み
フィールドを数量化させるために４分の１波長板が使用
される。
【０００５】１９８５年刊行のＩＢＭテクニカル・ディ
スクロージャ・ブルテンＶｏｌ．２７(IBM Technical D
isclosure Bulletin、 Vol.27、No.12、May 1985、p.69
99)には、半導体ウェーハ上の微粒子の汚染物質及び金
属被覆の欠陥に対する自動欠陥検査システムが記載され
ている。このシステムは、事象検知のための低レベル及
び高レベルの倍率機能付きの自動ロード及び移動手段
と、検知された事象の分類及びその記録手段とを持って
いる。
スクロージャ・ブルテンＶｏｌ．２７(IBM Technical D
isclosure Bulletin、 Vol.27、No.12、May 1985、p.69
99)には、半導体ウェーハ上の微粒子の汚染物質及び金
属被覆の欠陥に対する自動欠陥検査システムが記載され
ている。このシステムは、事象検知のための低レベル及
び高レベルの倍率機能付きの自動ロード及び移動手段
と、検知された事象の分類及びその記録手段とを持って
いる。
【０００６】これらの全ての方法は、走査型顕微鏡のよ
うな特別の装置、又は検査される基板にストレスを加え
るような特別な前処理を必要とする。これらのほとんど
は、金属被覆欠陥のような特定の種類の欠陥だけを検知
する。
うな特別の装置、又は検査される基板にストレスを加え
るような特別な前処理を必要とする。これらのほとんど
は、金属被覆欠陥のような特定の種類の欠陥だけを検知
する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、異な
る種類の欠陥を簡単に検知及び視覚化できる、基板検査
装置とその方法を提供することにある。
る種類の欠陥を簡単に検知及び視覚化できる、基板検査
装置とその方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】基板の検査のための検査
装置は、検査される基板に直接に面するフェーズ・プレ
ートを有する。フェーズ・プレートは、照射ビームとそ
のリターン・ビームの両方がフェーズ・プレートを通る
ようにビーム通路に配置され、かつ欠陥を検知できるよ
うに調整可能である。ビーム通路のフェーズ・プレート
を調節することによって基板の欠陥を検知し、視覚化す
ることができる。
装置は、検査される基板に直接に面するフェーズ・プレ
ートを有する。フェーズ・プレートは、照射ビームとそ
のリターン・ビームの両方がフェーズ・プレートを通る
ようにビーム通路に配置され、かつ欠陥を検知できるよ
うに調整可能である。ビーム通路のフェーズ・プレート
を調節することによって基板の欠陥を検知し、視覚化す
ることができる。
【０００９】本発明によってもたらされる利点は、主
に、検査装置が基板の前処理なしで様々な種類の欠陥を
検知できることにある。これらの異なる種類の欠陥に
は、非常に薄い媒体の残留層又は小さい粒子、及び好ま
しくない形状等がある。これらの欠陥の検知は、その下
部層と比較してほとんど同じ屈折率であっても可能であ
る。
に、検査装置が基板の前処理なしで様々な種類の欠陥を
検知できることにある。これらの異なる種類の欠陥に
は、非常に薄い媒体の残留層又は小さい粒子、及び好ま
しくない形状等がある。これらの欠陥の検知は、その下
部層と比較してほとんど同じ屈折率であっても可能であ
る。
【００１０】本発明の検査装置又は方法での検出可能な
欠陥の他の種類は、薄い透過膜中の不純物、或いはスト
レスによる小さい傷又はひびのようなコーティング面の
損傷である。
欠陥の他の種類は、薄い透過膜中の不純物、或いはスト
レスによる小さい傷又はひびのようなコーティング面の
損傷である。
【００１１】本発明の他の特徴は、検査装置が製造工程
のツールに統合化できることである。これにより製造工
程中で処理直後に基板を検査できる。又、例えばロー
ド、アンロード及び移動等の基板の追加の処理を行わな
くてもよい。このことは、基板の汚染及び損傷を減少さ
せることになる。なぜなら、基板の検査は、製造工程の
ツールにおけるクリーンルーム環境内で行えるので、オ
ペレータの接触から保護できるからである。
のツールに統合化できることである。これにより製造工
程中で処理直後に基板を検査できる。又、例えばロー
ド、アンロード及び移動等の基板の追加の処理を行わな
くてもよい。このことは、基板の汚染及び損傷を減少さ
せることになる。なぜなら、基板の検査は、製造工程の
ツールにおけるクリーンルーム環境内で行えるので、オ
ペレータの接触から保護できるからである。
【００１２】特にクリーンルーム製造域での連続プロセ
スの流れを妨げないインライン検査の装置は、交換が簡
単で、様々な製造工程のツールの工程の結果を調べるの
に用いられている。
スの流れを妨げないインライン検査の装置は、交換が簡
単で、様々な製造工程のツールの工程の結果を調べるの
に用いられている。
【００１３】
【実施例】図１の断面図は、検査装置の好ましい一実施
例である単一の筒型顕微鏡を示す。顕微鏡ボディの重要
な構成要素は、ズーム式対物レンズ機構１、ズーム式接
眼レンズ機構２及びフェーズ・プレート３である。ズー
ム式対物レンズ機構１及びズーム式接眼レンズ機構２の
両方は、キーボードによって別々に制御可能である。こ
れらは、挿入された光学カプラー４によって接続され
る。ズーム式対物レンズ機構１及びズーム式接眼レンズ
機構２は、レンズ・バランス・システム５、６を有し、
及びズーム式対物レンズ機構１は、さらにダイアフラム
７を有する。
例である単一の筒型顕微鏡を示す。顕微鏡ボディの重要
な構成要素は、ズーム式対物レンズ機構１、ズーム式接
眼レンズ機構２及びフェーズ・プレート３である。ズー
ム式対物レンズ機構１及びズーム式接眼レンズ機構２の
両方は、キーボードによって別々に制御可能である。こ
れらは、挿入された光学カプラー４によって接続され
る。ズーム式対物レンズ機構１及びズーム式接眼レンズ
機構２は、レンズ・バランス・システム５、６を有し、
及びズーム式対物レンズ機構１は、さらにダイアフラム
７を有する。
【００１４】フェーズ・プレート３は、一種の補助レン
ズとしてズーム式対物レンズ機構１に取り付けられる。
フェーズ・プレート３は、全体として光学システムの理
論的な焦点を変えずに光学システムに利用され、検査さ
れる基板８に直接に面する。
ズとしてズーム式対物レンズ機構１に取り付けられる。
フェーズ・プレート３は、全体として光学システムの理
論的な焦点を変えずに光学システムに利用され、検査さ
れる基板８に直接に面する。
【００１５】フェーズ・プレート３は、２分の１波長板
又は４分の１波長板のような複数の種類のフェーズ・プ
レートから成る。好ましい実施例では、フェーズ・プレ
ートは、４分の１波長板である。基板８は、Ｘ−Ｙ走査
テーブル９上に置かれる。走査テーブル９は、光学シス
テムには結合されていない。走査テーブル９は、コンピ
ュータ制御であり、容易に正しい位置に置かれる。
又は４分の１波長板のような複数の種類のフェーズ・プ
レートから成る。好ましい実施例では、フェーズ・プレ
ートは、４分の１波長板である。基板８は、Ｘ−Ｙ走査
テーブル９上に置かれる。走査テーブル９は、光学シス
テムには結合されていない。走査テーブル９は、コンピ
ュータ制御であり、容易に正しい位置に置かれる。
【００１６】入射光照射は、光源１０によって供給さ
れ、ライト・ガイド１１によって顕微鏡ボディ内に導か
れる。光源１０は冷光照明器又は同種類のものであり、
及びライト・ガイド１１は同軸又は光ファイバ・ケーブ
ルで構成する。光源１０から放射された光はライト・ガ
イド１１によって伝送されて顕微鏡ボディに入り、コレ
クタ・レンズ・システム１２を通る。その光は又、光を
線形に偏光させた照射ビーム１３に変える偏光手段を通
過する。フェーズ・プレート３は、照射ビーム１３とリ
ターン・ビーム１４が両方ともフェーズ・プレート３を
通るようにビーム通路に配置される。
れ、ライト・ガイド１１によって顕微鏡ボディ内に導か
れる。光源１０は冷光照明器又は同種類のものであり、
及びライト・ガイド１１は同軸又は光ファイバ・ケーブ
ルで構成する。光源１０から放射された光はライト・ガ
イド１１によって伝送されて顕微鏡ボディに入り、コレ
クタ・レンズ・システム１２を通る。その光は又、光を
線形に偏光させた照射ビーム１３に変える偏光手段を通
過する。フェーズ・プレート３は、照射ビーム１３とリ
ターン・ビーム１４が両方ともフェーズ・プレート３を
通るようにビーム通路に配置される。
【００１７】フェーズ・プレート３は、異なる種類の欠
陥の検知ができるように調節できる。フェーズ・プレー
トの調整の１例は、フェーズ・プレートを適切な角度位
置になるまでビーム通路に並行な軸を中心にしてゆっく
り回転させることである。回転は、手動又はモータ駆動
によって非常に狭い角度変化で連続的に行える。
陥の検知ができるように調節できる。フェーズ・プレー
トの調整の１例は、フェーズ・プレートを適切な角度位
置になるまでビーム通路に並行な軸を中心にしてゆっく
り回転させることである。回転は、手動又はモータ駆動
によって非常に狭い角度変化で連続的に行える。
【００１８】検知した欠陥を記録し及び視覚化するため
に、顕微鏡ボディに記録システムが取り付けられる。記
録システムには、テレビ・カメラ１５、及び好ましくは
高性能カラーＴＶ、及びカラー・ビデオ・モニタのよう
な高解像度モニタ・システム１６等である。
に、顕微鏡ボディに記録システムが取り付けられる。記
録システムには、テレビ・カメラ１５、及び好ましくは
高性能カラーＴＶ、及びカラー・ビデオ・モニタのよう
な高解像度モニタ・システム１６等である。
【００１９】検査のために、基板８が走査テーブル９上
に置かれる。基板８は、セラミック基板、ガラス・セラ
ミック基板、ウェーハ、カード、ボード、フォトリソグ
ラフィ・マスク、スクリーン又はその他の物である。基
板８は、照射ビーム１３の線形に偏向された光で照射さ
れる。基板８を照射する前に、照射ビーム１３は、好ま
しくは４分の１波長板であるフェーズ・プレート３を通
る。多分、検査中の基板８の一部の画像が、カラー・ビ
デオ・モニタ１６で見える。通常の垂直の明視野の照射
では、基板上に粒子又は残留物のような欠陥の存在を示
す物は何も見えない。４分の１波長板をビーム通路に並
行な軸を中心にゆっくりと適切な角度位置まで回転させ
ると、基板上の部分に見えなかった欠陥が突然見えるよ
うになる。４分の１波長板をゆっくり回転し続けると、
検査中の基板が驚くような鮮明画像となる。検査装置の
４分の１波長板の角度位置以外の他のパラメータを変え
ることなしに、完全で新しい予想外の基板の様子が、カ
ラー・ビデオ・モニタ１６に写し出される。手動及びモ
ータ駆動によって非常にゆっくりと４分の１波長板を単
に回転させることによって、前に見えたように様々な他
の種類の欠陥が現れ、見えるようになる。明瞭にＮ検知
される欠陥の類種は、４分の１波長板の角度位置に依存
する。
に置かれる。基板８は、セラミック基板、ガラス・セラ
ミック基板、ウェーハ、カード、ボード、フォトリソグ
ラフィ・マスク、スクリーン又はその他の物である。基
板８は、照射ビーム１３の線形に偏向された光で照射さ
れる。基板８を照射する前に、照射ビーム１３は、好ま
しくは４分の１波長板であるフェーズ・プレート３を通
る。多分、検査中の基板８の一部の画像が、カラー・ビ
デオ・モニタ１６で見える。通常の垂直の明視野の照射
では、基板上に粒子又は残留物のような欠陥の存在を示
す物は何も見えない。４分の１波長板をビーム通路に並
行な軸を中心にゆっくりと適切な角度位置まで回転させ
ると、基板上の部分に見えなかった欠陥が突然見えるよ
うになる。４分の１波長板をゆっくり回転し続けると、
検査中の基板が驚くような鮮明画像となる。検査装置の
４分の１波長板の角度位置以外の他のパラメータを変え
ることなしに、完全で新しい予想外の基板の様子が、カ
ラー・ビデオ・モニタ１６に写し出される。手動及びモ
ータ駆動によって非常にゆっくりと４分の１波長板を単
に回転させることによって、前に見えたように様々な他
の種類の欠陥が現れ、見えるようになる。明瞭にＮ検知
される欠陥の類種は、４分の１波長板の角度位置に依存
する。
【００２０】４分の１波長板の確定角度位置において透
明な粒子であっても、基板表面の粒子は、ライト・アッ
プされるように照射すると、暗視野照明の効果で見える
ようになる。４分の１波長板の角度位置以外は、検査装
置内で変えなかったことに再び注意されたい。このよう
に、４分の１波長板を確定回転位置に到達するまで回転
させることによって、一種の人工の暗視野照明が作り出
される。
明な粒子であっても、基板表面の粒子は、ライト・アッ
プされるように照射すると、暗視野照明の効果で見える
ようになる。４分の１波長板の角度位置以外は、検査装
置内で変えなかったことに再び注意されたい。このよう
に、４分の１波長板を確定回転位置に到達するまで回転
させることによって、一種の人工の暗視野照明が作り出
される。
【００２１】前述の方法は、基板表面上の粒子の視覚化
だけが可能なのではない。４分の１波長板を回転させる
ことにより、検査中の基板を覆う層の内部又は下部にお
ける包有物を検知できる角度位置が見つかる。この方法
で、特に薄い透過膜の包有物が見えるようになり、及
び、下部層のストレスによる非常に薄い傷又はひびも検
出可能である。
だけが可能なのではない。４分の１波長板を回転させる
ことにより、検査中の基板を覆う層の内部又は下部にお
ける包有物を検知できる角度位置が見つかる。この方法
で、特に薄い透過膜の包有物が見えるようになり、及
び、下部層のストレスによる非常に薄い傷又はひびも検
出可能である。
【００２２】導通線のような金属層の金属残留物が、突
然はっきり見える他の角度位置がある。カラー・ビデオ
・モニタ１６によるこれらの欠陥の観察は、全く特徴的
である。なぜなら、他の欠陥検知方法では、ほとんど同
じ屈折率の材料表面の金属残留物の検知は不可能だから
である。
然はっきり見える他の角度位置がある。カラー・ビデオ
・モニタ１６によるこれらの欠陥の観察は、全く特徴的
である。なぜなら、他の欠陥検知方法では、ほとんど同
じ屈折率の材料表面の金属残留物の検知は不可能だから
である。
【００２３】本発明の検査装置及び方法による特別な可
能性の例が図２〜図５で示されている。これらの図で
は、４分の１波長板３の角度位置以外は、検査装置にお
いて倍率、パラメータ、基板の領域全てが同一である。
能性の例が図２〜図５で示されている。これらの図で
は、４分の１波長板３の角度位置以外は、検査装置にお
いて倍率、パラメータ、基板の領域全てが同一である。
【００２４】図２では、観察者は、金属層の表面上をの
ぞきこむ。金属層上に金属から成る導通線が見られる。
この画像において４分の１波長板の選択角度位置で、導
通線が非常に明るく見える。金属層には、黒い点のよう
に見える粒子が有る。この画像では、照度は明視野照度
と同じである。
ぞきこむ。金属層上に金属から成る導通線が見られる。
この画像において４分の１波長板の選択角度位置で、導
通線が非常に明るく見える。金属層には、黒い点のよう
に見える粒子が有る。この画像では、照度は明視野照度
と同じである。
【００２５】図３の４分の１波長板の他の角度位置で
は、図２の４分の１波長板の角度位置では検知できなか
った金属残留物が見える。金属残留物は導通線内にあ
る。
は、図２の４分の１波長板の角度位置では検知できなか
った金属残留物が見える。金属残留物は導通線内にあ
る。
【００２６】図４では、４分の１波長板の角度位置が、
わずかに変わっており、図示されるように、金属残留物
と導通線の金属との間のコントラストがさらに良くなっ
ている。
わずかに変わっており、図示されるように、金属残留物
と導通線の金属との間のコントラストがさらに良くなっ
ている。
【００２７】図５では、暗視野照明によって作り出され
た画像が特に印象深い。この画像における４分の１波長
板の選択角度位置では、一種の人工の暗視野照明が、検
査装置の光学又は照射システムの範囲内で他に何も変更
しないでシミュレートされている。この画像で、導通線
の表面にある粒子はライト・アップされる。
た画像が特に印象深い。この画像における４分の１波長
板の選択角度位置では、一種の人工の暗視野照明が、検
査装置の光学又は照射システムの範囲内で他に何も変更
しないでシミュレートされている。この画像で、導通線
の表面にある粒子はライト・アップされる。
【００２８】図２〜図５はこのように、非常に簡単且つ
容易な方法で、層の上下、層中、又は基板での異なる種
類の欠陥を検知する相当な能力をもたらす。光学倍率
は、従来の顕微鏡では前述の品質の画像を成し遂げるた
めには約５００倍が必要であるが、ここでは１６倍と低
い。検査装置の特別の組立てにより、光学倍率の増加に
伴うレンズの収差のような複数の光学的欠陥を克服する
ことを必要なしに、全体としてシステムの倍率は約１０
００倍と高い。
容易な方法で、層の上下、層中、又は基板での異なる種
類の欠陥を検知する相当な能力をもたらす。光学倍率
は、従来の顕微鏡では前述の品質の画像を成し遂げるた
めには約５００倍が必要であるが、ここでは１６倍と低
い。検査装置の特別の組立てにより、光学倍率の増加に
伴うレンズの収差のような複数の光学的欠陥を克服する
ことを必要なしに、全体としてシステムの倍率は約１０
００倍と高い。
【００２９】検査装置が非常にコンパクトであり及び様
々な種類の欠陥を検知できる検査方法なので、この装置
は、エッチング装置又はフォトレジスト成膜装置のよう
な何れの製造工程のツールに簡単に統合化できる。エッ
チング又は開発された基板は、その工程終了後、何れの
追加のアンロード、ロード及び移送段階を得ずに直接に
検査できる。このことは、特に製造工程が、クリーンル
ーム内で行われるか、又は製品が何れの汚染物質に非常
に敏感である場合には多大な利点をもたらす。基板を検
査する際に、追加の取扱い及びオペレータの接触を避
け、及び基板が製造工程のツールにおけるクリーンルー
ム域を出ることがないので、基板の汚染及び損傷の減少
は顕著である。
々な種類の欠陥を検知できる検査方法なので、この装置
は、エッチング装置又はフォトレジスト成膜装置のよう
な何れの製造工程のツールに簡単に統合化できる。エッ
チング又は開発された基板は、その工程終了後、何れの
追加のアンロード、ロード及び移送段階を得ずに直接に
検査できる。このことは、特に製造工程が、クリーンル
ーム内で行われるか、又は製品が何れの汚染物質に非常
に敏感である場合には多大な利点をもたらす。基板を検
査する際に、追加の取扱い及びオペレータの接触を避
け、及び基板が製造工程のツールにおけるクリーンルー
ム域を出ることがないので、基板の汚染及び損傷の減少
は顕著である。
【００３０】検査装置が、例えば、エッチング用のツー
ルに統合される場合、金属エッチング結果を制御するた
めに使用可能である。金属残留物がはっきり見える４分
の１波長板の角度位置を得てからこの角度位置を固定
し、制御のために基板は走査テーブル９を使用して自動
的に又は手動で走査される。
ルに統合される場合、金属エッチング結果を制御するた
めに使用可能である。金属残留物がはっきり見える４分
の１波長板の角度位置を得てからこの角度位置を固定
し、制御のために基板は走査テーブル９を使用して自動
的に又は手動で走査される。
【００３１】基板表面に付加された粒子を調べるために
検査装置は、表面の粒子が検知できるように４分の１波
長板を適切な角度位置に固定してそれぞれのツールに統
合されなければならない。
検査装置は、表面の粒子が検知できるように４分の１波
長板を適切な角度位置に固定してそれぞれのツールに統
合されなければならない。
【００３２】検査装置は、様々な製造工程のツールの範
囲内で検査用として使われるが、簡単に交換可能であ
り、大部分の従来の検査方法とは違ってインライン検査
は、クリーンルーム製造域で非常に重要である連続プロ
セスの流れを妨げない。層の上下及び層中の様々な種類
の欠陥を検知する能力を有する検査装置は、また、非常
に感知能力が高い独立した欠陥検知ツールである。
囲内で検査用として使われるが、簡単に交換可能であ
り、大部分の従来の検査方法とは違ってインライン検査
は、クリーンルーム製造域で非常に重要である連続プロ
セスの流れを妨げない。層の上下及び層中の様々な種類
の欠陥を検知する能力を有する検査装置は、また、非常
に感知能力が高い独立した欠陥検知ツールである。
【００３３】
【発明の効果】４分の１波長板を適切な角度位置まで、
ビーム通路に並行する軸を中心にしてゆっくり回転させ
ることにより、薄い残留層、粒子、薄い透過膜の不純物
の包有物又は小さい傷、ひびのような表面の損傷など、
様々な種類の欠陥が検知できる。
ビーム通路に並行する軸を中心にしてゆっくり回転させ
ることにより、薄い残留層、粒子、薄い透過膜の不純物
の包有物又は小さい傷、ひびのような表面の損傷など、
様々な種類の欠陥が検知できる。
【００３４】特に本願発明の検査装置によれば、半導体
製造工程などにおいて、検査すべき基板の前処理なし
で、その工程中に基板上の種々の欠陥が容易に検知で
き、製造工程のスルー・プットの向上が期待できる。
製造工程などにおいて、検査すべき基板の前処理なし
で、その工程中に基板上の種々の欠陥が容易に検知で
き、製造工程のスルー・プットの向上が期待できる。
【図１】本発明の基板を検査するための検査装置の好ま
しい一実施例の断面図である。
しい一実施例の断面図である。
【図２】本発明の方法及び装置で検知され視覚化された
異なる種類の欠陥を有する基板の同一領域を示す図であ
る。
異なる種類の欠陥を有する基板の同一領域を示す図であ
る。
【図３】本発明の方法及び装置で検知され視覚化された
異なる種類の欠陥を有する基板の同一領域を示す図であ
る。
異なる種類の欠陥を有する基板の同一領域を示す図であ
る。
【図４】本発明の方法及び装置で検知され視覚化された
異なる種類の欠陥を有する基板の同一領域を示す図であ
る。
異なる種類の欠陥を有する基板の同一領域を示す図であ
る。
【図５】本発明の方法及び装置で検知され視覚化された
異なる種類の欠陥を有する基板の同一領域を示す図であ
る。
異なる種類の欠陥を有する基板の同一領域を示す図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−180757（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−185338（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−109136（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−126444（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−66433（ＪＰ，Ａ) 特公 平６−27787（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (9)
- 【請求項１】フェーズ・プレート３を使用して基板８を
検査する基板検査装置において、 上記フェーズ・プレート３が、照射ビーム１３及びリタ
ーン・ビーム１４の両方が上記フェーズ・プレート３を
通るように、ビーム通路中に検査される基板８に直接に
面して配置され、且つ、上記基板の欠陥を検知できるよ
うに調整可能であることを特徴とする基板検査装置。 - 【請求項２】上記フェーズ・プレート３が、４分の１波
長板である請求項１記載の基板検査装置。 - 【請求項３】上記４分の１波長板３が、ビーム通路に並
行な軸を中心にして回転して調整できる請求項２記載の
基板検査装置。 - 【請求項４】上記検査装置が、単一の筒型顕微鏡を有す
る請求項１、２および３記載の基板検査装置。 - 【請求項５】上記単一の筒型顕微鏡が、それぞれ独立し
て制御可能なズーム式対物レンズ機構１及びズーム式接
眼レンズ機構２を有する請求項４記載の基板検査装置。 - 【請求項６】上記検査装置が、 テレビ・カメラのような記録システム１５と、 高解像度モニタ・システム１６と、 データ格納装置及びデータ処理システムとをさらに有す
る請求項１、２、３、４、および５記載の基板を検査す
るための検査装置。 - 【請求項７】照射ビーム１３及びリターン・ビーム１４
が、検査される基板８に直接に面するフェーズ・プレー
ト３を通る方法と、 上記フェーズ・プレート３を調整して上記基板８の欠陥
を検知し及び視覚化する方法とを有する請求項１、２、
３、４、５および６記載の検査装置で実行される基板を
検査する方法。 - 【請求項８】上記調整可能なフェーズ・プレート３が、
適切な角度位置に到達するまでビーム通路に並行な軸を
中心として回転する４分の１波長板を有する請求項７記
載の基板を検査する方法。 - 【請求項９】上記照射ビーム１３が、線形に偏向された
光である請求項７又は請求項８記載の基板を検査する方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP91112985A EP0527242B1 (en) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | Inspection apparatus and method for inspection of substrates |
| DE91112985.6 | 1991-08-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06147831A JPH06147831A (ja) | 1994-05-27 |
| JPH0721460B2 true JPH0721460B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=8207012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19435892A Expired - Lifetime JPH0721460B2 (ja) | 1991-08-02 | 1992-07-22 | 基板検査装置及びその方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0527242B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0721460B2 (ja) |
| DE (1) | DE69109285T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4434699C2 (de) * | 1994-09-28 | 2001-02-22 | Fraunhofer Ges Forschung | Anordnung zur Prüfung durchsichtiger oder spiegelnder Objekte |
| DE10045245A1 (de) * | 2000-09-13 | 2002-03-28 | Siemens Ag | Einrichtung für optische Inspektion einer auf Defekte hin zu prüfenden Oberfläche eines Objekts |
| DE102004002450A1 (de) * | 2004-01-16 | 2005-08-25 | Siemens Ag | Beleuchtungseinheit und Verfahren zu deren Betrieb |
| DE102013216424A1 (de) | 2013-08-20 | 2015-03-12 | Robert Bosch Gmbh | Bildgebendes Verfahren zur Segmentierung einer Beschichtung auf einem Substrat |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
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| US4689491A (en) * | 1985-04-19 | 1987-08-25 | Datasonics Corp. | Semiconductor wafer scanning system |
| US5004321A (en) * | 1989-07-28 | 1991-04-02 | At&T Bell Laboratories | Resolution confocal microscope, and device fabrication method using same |
-
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- 1991-08-02 DE DE1991609285 patent/DE69109285T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-02 EP EP91112985A patent/EP0527242B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-07-22 JP JP19435892A patent/JPH0721460B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06147831A (ja) | 1994-05-27 |
| DE69109285D1 (de) | 1995-06-01 |
| EP0527242B1 (en) | 1995-04-26 |
| DE69109285T2 (de) | 1995-11-02 |
| EP0527242A1 (en) | 1993-02-17 |
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