JPH07212042A - 多層セラミック基板及びその製造方法 - Google Patents

多層セラミック基板及びその製造方法

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JPH07212042A
JPH07212042A JP6006806A JP680694A JPH07212042A JP H07212042 A JPH07212042 A JP H07212042A JP 6006806 A JP6006806 A JP 6006806A JP 680694 A JP680694 A JP 680694A JP H07212042 A JPH07212042 A JP H07212042A
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multilayer ceramic
ceramic
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Takeshi Kobayashi
壮 小林
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 多層セラミック基板の製造を容易にして製造
コストを下げるとともに、多種製品を容易に製造でき
る。コンデンサー等の回路部品を内部に一体に組み込ん
で多用途に使用できる多層セラミック基板を提供する。 【構成】 複数本のビア10が形成されて焼成された複
数枚のセラミック基板12の各々に対し、これらセラミ
ック基板12を積層して接合する面に導体パターン16
を設け、該導体パターン16を形成したこれらのセラミ
ック基板12を位置合わせして積層し、加熱加圧するこ
とにより前記導体パターン16を溶融して前記各セラミ
ック基板12を一体に接合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は多層セラミック基板及び
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】多層セラミック基板は内部配線を有する
半導体パッケージの基板等に使用されるが、このような
多層セラミック基板の製造にあたっては、通常、アルミ
ナ等を主成分とするセラミックのグリーンシートを作製
し、配線パターンを形成する導体金属としてタングステ
ン等の高融点金属ぺーストをスクリーン印刷等でグリー
ンシートに印刷し、これらのグリーンシートを複数枚積
層し焼成して製品としている。なお、配線パターン形成
用の導体としてタングステン等の高融点金属を使用する
のはセラミックのグリーンシートの焼成温度が高温であ
るためで、この焼成条件に耐える導体材料を使用しなけ
ればならないからである。たとえば、アルミナを主成分
とするグリーンシートの場合の焼成温度は1500〜1600℃
程度であり、窒化アルミニウムを主成分とするグリーン
シートの場合の焼成温度は1800℃程度である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、多層セ
ラミック基板を製造する場合には各グリーンシートに金
属ぺーストを所定パターンでスクリーン印刷して積層す
るから、各グリーンシートの配線パターンは各層ごとに
異なり、各配線層間での共用性がなく、また他の製品に
使われる配線層と共用することができない。また、セラ
ミック基板にコンデンサや抵抗等の回路部品を組み込む
場合、従来はセラミックのグリーンシートを積層した後
に高温で焼成するから、これらの回路部品をセラミック
基板内につくり込むことができず、別部品として作製し
た回路部品を後からセラミック基板に取り付けるといっ
た方法によっていた。
【0004】本発明は多層に積層するセラミック基板が
異種製品に対しても共通に使用できるようにし、セラミ
ック基板の製造を容易にするとともに、コンデンサや抵
抗といった回路部品を内部配線にも好適に組み込むこと
を可能とする多層セラミック基板及びその製造方法を提
供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、複数本のビアが
形成されて焼成され、その表面に前記ビアに接続する導
体パターンが形成されたセラミック基板が複数枚積層さ
れ、前記導体パターンにより前記セラミック基板が一体
に接合されるとともに、前記導体パターンを介して前記
ビアが層間で電気的に接続されて成ることを特徴とす
る。また、前記セラミック基板の周縁に枠状に形成した
層間のシール部を設けたことを特徴とする。また、前記
セラミック基板の層間にコンデンサあるいは抵抗等の回
路部品が組み込まれて成ることを特徴とする。また、複
数本のビアが形成されて焼成された複数枚のセラミック
基板の各々に対し、これらセラミック基板を積層して接
合する面に導体パターンを設け、該導体パターンを形成
したこれらのセラミック基板を位置合わせして積層し、
加熱加圧することにより前記導体パターンを溶融して前
記各セラミック基板を一体に接合することを特徴とす
る。また、前記ビアを同一の平面配置に形成したセラミ
ック基板を使用することを特徴とする。また、前記導体
パターンは前記セラミック基板の表面に被着形成した金
属層をエッチングして形成することを特徴とする。ま
た、前記導体パターンは前記セラミック基板の表面に金
属ペーストを印刷して形成することを特徴とする。ま
た、前記セラミック基板の周縁に層間のシール部を枠状
に形成したセラミック基板を積層することを特徴とす
る。また、前記セラミック基板上にコンデンサあるいは
抵抗等の回路部品を形成したセラミック基板を積層する
ことを特徴とする。また、前記セラミック基板上にガラ
ス等の電気的絶縁性及び耐熱性を有する材料を用いて層
間を所定間隔に保持するスペーサを形成したセラミック
基板を積層することを特徴とする。また、前記セラミッ
ク基板上に層間をシールするためのガラス等の電気的絶
縁性および耐熱性を有する材料を塗布したセラミック基
板を積層することを特徴とする。
【0006】
【作用】本発明に係る多層セラミック基板は焼成後のセ
ラミック基板を導体パターンを介して一体に接合して成
るものであり、製品に応じた適宜配線パターンを有する
製品として提供できる。また、コンデンサ、抵抗等の回
路部品を一体に組み込んだ多機能を有する多層セラミッ
ク基板として提供できる。また、本発明に係る多層セラ
ミック基板の製造方法では複数本のビアが形成されて焼
成されたセラミック基板を複数枚積層して形成すること
により、内部に配線パターンを有するセラミック基板を
多層形成することが容易になり、製造コストを下げるこ
とができる。また、ビアの配置を共通にしたセラミック
基板を使用することによってさらに製造コストを引き下
げることができる。また、導体パターンを金属層をエッ
チングして形成することによって微細に形成することが
容易に可能になる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。本発明に係る多層セラミック基
板はあらかじめビアを形成した焼成後のセラミック基板
を積層して一体に多層形成して成ることを特徴とする。
図1は多層セラミック基板の製造で用いる、表面に導体
パターンを形成したセラミック基板の製造方法を示す説
明図である。
【0008】ビア10を有するセラミック基板12の製
造方法は従来方法と同様で、セラミックのグリーンシー
トにビアホールを透設し、ビアホール内にタングステン
ペースト等の導体金属ぺーストを充填し、焼成して得る
ことができる(図1(a) )。使用するセラミックとして
はアルミナ、窒化アルミニウム等の従来使用されている
ものが使用できる。なお、セラミック基板12に形成す
るビア10は、層間で適宜ビア10を選択してセラミッ
ク基板の表面に形成した導体パターンと電気的に接続で
きるよう平面配置をマトリクス状にする。
【0009】多層セラミック基板は上記セラミック基板
12を積層し接合して一体化するとともに、各層間でビ
ア10を導体パターンと電気的に接続して所要の配線パ
ターンを有する製品として形成する。このため、セラミ
ック基板12の表面に所要のビア10を接続するための
導体パターンを形成するとともに、この導体パターンを
利用して積層したセラミック基板12を一体に接合する
ようにする。
【0010】図1(b) はビア10を形成したセラミック
基板12の表面に前記導体パターンを形成するための金
属層14を被着形成した状態である。金属層14はスパ
ッタリング、蒸着、無電解めっき等で形成する。金属層
14に使用する金属はセラミック基板を接合できるもの
であればとくに限定されないが、たとえば活性金属法を
利用する場合には、Ti−Cu−Ag合金、Zr−Cu
−Ag合金などが使用できる。
【0011】導体パターンは上記金属層14をフォトレ
ジストなどにより所定パターンにマスキングするなどし
てエッチングすることによって形成する。図1(c) は金
属層14をエッチングして導体パターン16を形成した
状態を示す。多層セラミック基板はこのようにして形成
した導体パターン16を有するセラミック基板12を積
層して一体に接合して作製するから、積層する個々のセ
ラミック基板12に上記と同様の方法で所要の導体パタ
ーン16を形成しておく。セラミック基板12はビア1
0が多数本形成されて提供されるが、ビア10の平面配
置を各セラミック基板とも共通化して提供し、各基板ご
とに導体パターン16を適宜配線することによって種々
の製品にセラミック基板12を共用することが可能にな
る。
【0012】金属層14をエッチングして導体パターン
16を形成する際に、図1(c) に示すようにセラミック
基板12の周縁にシール部18を形成するようにする。
シール部18を設けることによって、導体パターンを有
するセラミック基板12を積層して一体に接合した後、
めっき等の処理を施す際にめっき液等が各セラミック基
板12の層間に浸入したりしないように各層間の接合外
周縁部を封止することができる。また、多層セラミック
パッケージに用いるセラミック基板の場合には、このシ
ール部18により半導体チップを収容するパッケージ内
部を気密に封止することができる。
【0013】図2は上記のようにして形成した導体パタ
ーンを有するセラミック基板12を積層して多層形成す
る様子を示す。各々のセラミック基板12の上面には導
体パターン16とシール部18が形成されているから、
これらの導体パターンを有するセラミック基板12を位
置合わせして重ね合わせ、加熱加圧することによって導
体パターン16とシール部18が溶融されセラミック基
板12が一体に接合される。こうして、セラミック基板
12が積層されて一体に接合され、層間のビア10が導
体パターン16を介して電気的に接続された多層セラミ
ック基板が得られる。なお、導体パターン16を有する
セラミック基板12を一体に接合する場合、多数枚のセ
ラミック基板12を位置合わせして一度に接合してもよ
いし、1枚ずつ接合しながら重ねていく方法によって多
層形成してもよい。
【0014】金属層14としてTi−Cu−Ag合金を
使用した場合は1000℃程度に加熱すれば導体パター
ン16が溶融して接合されるから、導体パターン16を
有するセラミック基板12の接合操作はグリーンシート
の焼成温度と比較すればはるかに低温で行うことができ
る。これによって、多層セラミック基板内にコンデンサ
や抵抗といった回路部品を一体に組み込んだ製品を作製
することが可能になる。
【0015】コンデンサを組み込む場合は、図1(c) に
示すように焼成後のセラミック基板12の表面に導体パ
ターン16を形成した後、チタン酸ストロンチウム等の
高誘電率を有する誘電体物質をスパッタリング等で被着
形成することによって組み込むことができる。なお、コ
ンデンサは厚み方向の両面に電極を形成するから、スパ
ッタリング等で高誘電体物質を被着形成するセラミック
基板12にあらかじめ一方の電極を導体パターン16と
して形成し、これに接合するセラミック基板12に他方
の電極を導体パターンとして形成して、セラミック基板
12を積層した際に高誘電体物質が電極で挟まれるよう
にする。これら電極は導体パターン16およびビア10
によって所定の配線パターンに電気的に接続されて回路
内に組み込まれる。
【0016】また、抵抗を組み込む場合は、セラミック
基板12に形成した導体パターン16の所定のパターン
間にスパッタリング法、印刷法等で抵抗体を被着形成し
て行う。抵抗体としては五酸化バナジウム等の一般に使
用されている物質が使用できる。そして、所定の導体パ
ターン間に抵抗体を被着形成した後、レーザトリミング
等によって抵抗値を調節することができる。前記コンデ
ンサに使用するチタン酸ストロンチウム等の高誘電体物
質や抵抗体に使用する物質は1000℃程度の温度には
十分耐えられるから、これらコンデンサ、抵抗を組み込
んだセラミック基板12を積層して加熱することで、コ
ンデンサ、抵抗といった回路部品を一体に組み込んだ多
層セラミック基板を容易に得ることができる。
【0017】なお、導体パターン16を有するセラミッ
ク基板12を積層して一体に接合する場合は、図2に示
すように導体パターン16が形成された部分でのみ接合
され、それ以外の部分は空隙になる。したがって、セラ
ミック基板12を加熱して加圧した際に層間隔が一定間
隔以上狭くなると導体パターン16が余分な部分にまで
付着することが起こり得る。このような問題を回避する
ため、導体パターン16を形成した部分以外の部位に所
定の層間隔を確保するための耐熱性を有するスペーサ2
2を設けてもよい。このスペーサ22は導体パターン1
6を除く部位全体を覆うようにパターン形成して設けて
もよい。
【0018】スペーサ22としては硼硅酸系ガラス等の
電気的絶縁体が好適である。ガラスによる場合は、たと
えばガラスぺーストを印刷することによって所要のパタ
ーンに形成することができる。また、このようにスペー
サ22をパターン形成することによって導体パターン1
6が接続不要なビア10に接触したりする不良品の発生
を防止することが可能になる。なお、上記実施例では金
属層14をエッチングしてシール部18を形成したが、
金属層のかわりにスペーサ22として使用するガラス等
の電気的絶縁体でシール部を形成することも可能であ
る。上記セラミック基板を積層して多層セラミックパッ
ケージを形成するような場合にはセラミック基板上に導
体パターン16を露出させて積層するので、電気的絶縁
体でシール部を形成すると導体パターン16とシール部
が電気的に導通することがないから好適である。
【0019】また、上記実施例では導体パターン16を
形成するため金属層14を被着形成してこれをエッチン
グして形成したが、金属層14として金属箔を接着した
後、パターニングしてエッチングにより形成することも
可能であり、金属ペーストをスクリーン印刷等すること
によってセラミック基板12上に導体パターンを形成す
ることも可能である。金属ペーストとしては上記実施例
と同様にTi−Cu−Ag合金等が使用できる。金属層
14をエッチングして形成する場合は、微細なパターン
に形成できるという利点があり、一方、金属ペーストを
用いて導体パターンを印刷して設ける場合はエッチング
による方法にくらべて操作が容易であるという利点があ
る。
【0020】前述した実施例では導体パターン16を形
成するセラミック基板12としてビア10の平面配置を
マトリクス状の共通配置とした基板を使用した。このよ
うに、ビア10を適宜密度のマトリクス状に配置したセ
ラミック基板12を使用すれば、ビア10を適宜選択す
ることで異なる層や異なる製品で使用する場合にも共通
に利用できるという利点があり、セラミック基板12も
共通に製造すればよいから製造が容易になり、導体パタ
ーン16を有するセラミック基板12の製造コストを下
げることが可能になる。
【0021】なお、このようにビア10を共通に配置し
たセラミック基板12を使用する他に、ビア10以外の
内部配線を設けたセラミック基板を用いることも可能で
ある。たとえば、図3に示すように平板状に形成したリ
ードピン付きのセラミック基板24上に枠体状に形成し
たセラミック基板26、28を接合して半導体チップを
搭載できる多層セラミックパッケージの形態に形成する
ことも可能である。
【0022】図3に示す多層セラミックパッケージは上
記実施例と同様にして作製した導体パターンを有するセ
ラミック基板24、26、28を積層し、加熱加圧して
一体化して作製する。なお、この実施例では半導体チッ
プと電気的に接続するボンディング部30を形成するた
め、セラミック基板26にビア10以外の内部導体パタ
ーンを従来の方法により設けている。このように製品に
よってはビア以外の内部導体パターンを設けたセラミッ
ク基板を使用することが可能である。
【0023】上記各実施例で説明したように本発明に係
る多層セラミック基板は、あらかじめ焼成したセラミッ
ク基板を積層して多層セラミック基板を形成するから、
セラミックのグリーンシートを多数枚積層した後に焼成
して多層セラミック基板とする場合にくらべて、セラミ
ック基板の焼成が容易でありこれによって製造コストを
下げることが可能である。また、多層に積層したグリー
ンシートを焼成するのにくらべて1枚ずつ焼成したセラ
ミック基板を多層に積層することでセラミック基板の反
りや変形を防止することができるという利点もある。
【0024】
【発明の効果】本発明に係る多層セラミック基板及びそ
の製造方法によれば、セラミック基板の焼成が容易で、
セラミック基板の多層形成を容易にすることができ、多
層セラミック基板の製造コストを効果的に下げることが
可能になる。また、基板の内部にコンデンサ、抵抗等の
回路部品を組み込むことが可能になり、これによって多
機能を有する多層セラミック基板として提供することが
可能になる。また、セラミック基板に導体パターンを形
成する際に金属層をエッチングして形成することによ
り、微細なパターンに形成することが可能になる等の著
効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】多層セラミック基板の製造に使用する導体パタ
ーンを有するセラミック基板の製造方法を示す説明図で
ある。
【図2】多層セラミック基板の製造方法を示す説明図で
ある。
【図3】導体パターンを有するセラミック基板を接合し
て形成した多層セラミックパッケージの例を示す説明図
である。
【符号の説明】
10 ビア 12 セラミック基板 14 金属箔 16 導体パターン 18 シール部 20 コンデンサ 22 スペーサ 24、26、28 セラミック基板 30 ボンディング部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/12

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数本のビアが形成されて焼成され、そ
    の表面に前記ビアに接続する導体パターンが形成された
    セラミック基板が複数枚積層され、前記導体パターンに
    より前記セラミック基板が一体に接合されるとともに、
    前記導体パターンを介して前記ビアが層間で電気的に接
    続されて成ることを特徴とする多層セラミック基板。
  2. 【請求項2】 前記セラミック基板の周縁に枠状に形成
    した層間のシール部を設けたことを特徴とする請求項1
    記載の多層セラミック基板。
  3. 【請求項3】 前記セラミック基板の層間にコンデンサ
    あるいは抵抗等の回路部品が組み込まれて成ることを特
    徴とする請求項1または2記載の多層セラミック基板。
  4. 【請求項4】 複数本のビアが形成されて焼成された複
    数枚のセラミック基板の各々に対し、これらセラミック
    基板を積層して接合する面に導体パターンを設け、 該導体パターンを形成したこれらのセラミック基板を位
    置合わせして積層し、加熱加圧することにより前記導体
    パターンを溶融して前記各セラミック基板を一体に接合
    することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記ビアを同一の平面配置に形成したセ
    ラミック基板を使用することを特徴とする請求項4記載
    の多層セラミック基板の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記導体パターンは前記セラミック基板
    の表面に被着形成した金属層をエッチングして形成する
    ことを特徴とする請求項4記載の多層セラミック基板の
    製造方法。
  7. 【請求項7】 前記導体パターンは前記セラミック基板
    の表面に金属ペーストを印刷して形成することを特徴と
    する請求項4記載の多層セラミック基板の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記セラミック基板の周縁に層間のシー
    ル部を枠状に形成したセラミック基板を積層することを
    特徴とする請求項4記載の多層セラミック基板の製造方
    法。
  9. 【請求項9】 前記セラミック基板上にコンデンサある
    いは抵抗等の回路部品を形成したセラミック基板を積層
    することを特徴とする請求項4記載の多層セラミック基
    板の製造方法。
  10. 【請求項10】 前記セラミック基板上にガラス等の電
    気的絶縁性及び耐熱性を有する材料を用いて層間を所定
    間隔に保持するスペーサを形成したセラミック基板を積
    層することを特徴とする請求項4記載の多層セラミック
    基板の製造方法。
  11. 【請求項11】 前記セラミック基板上にガラス等の電
    気的絶縁性及び耐熱性を有する材料を用いて層間をシー
    ルするシール部を形成したセラミック基板を積層するこ
    とを特徴とする請求項4記載の多層セラミック基板の製
    造方法。
JP6006806A 1994-01-26 1994-01-26 多層セラミック基板及びその製造方法 Pending JPH07212042A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09289378A (ja) * 1996-04-19 1997-11-04 Fuji Xerox Co Ltd プリント配線板及びその製造方法
JP2012109387A (ja) * 2010-11-17 2012-06-07 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板
US8964403B2 (en) 2010-11-17 2015-02-24 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring board having a reinforcing member with capacitors incorporated therein

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