JPH07211938A - 多色発光ｌｅｄ装置 - Google Patents
多色発光ｌｅｄ装置Info
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- JPH07211938A JPH07211938A JP476294A JP476294A JPH07211938A JP H07211938 A JPH07211938 A JP H07211938A JP 476294 A JP476294 A JP 476294A JP 476294 A JP476294 A JP 476294A JP H07211938 A JPH07211938 A JP H07211938A
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- Japan
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- led
- light emitting
- chip
- insulating film
- led light
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】品質的信頼性の向上，ダイボンディングエリア
の縮小化を図る。 【構成】２個のＬＥＤ発光部１ａ，１ｂがエポキシ樹脂
成形体２中に封止されており、ＬＥＤ発光部１ａと１ｂ
との間にエポキシ樹脂成形体２を構成する樹脂以外の絶
縁膜６が形成されている。
の縮小化を図る。 【構成】２個のＬＥＤ発光部１ａ，１ｂがエポキシ樹脂
成形体２中に封止されており、ＬＥＤ発光部１ａと１ｂ
との間にエポキシ樹脂成形体２を構成する樹脂以外の絶
縁膜６が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多色発光ＬＥＤ(light e
mitting diode)装置に関するものであり、更に詳しく
は、多色発光ＬＥＤランプ等の多色発光ＬＥＤ装置に関
するものである。
mitting diode)装置に関するものであり、更に詳しく
は、多色発光ＬＥＤランプ等の多色発光ＬＥＤ装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来より知られている２チップ
タイプの３色発光ＬＥＤランプ２０を示す縦断面図であ
る。同図に示すように、ファースト側リード４ｃの先端
に設けられたパラボラ部分３の内側の面上には、２個の
ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂが、間隔ｄ１をあけてダイ
ボンディングされている。このパラボラ部分３を介し
て、ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂとファースト側リード
４ｃとが電気的に接続されている。また、ＬＥＤチップ
１１ａ，１１ｂは、セカンド側リード４ａ，４ｂとワイ
ヤボンディングされている。この金線５ａ，５ｂを介し
て、ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂとセカンド側リード４
ａ，４ｂとが電気的に接続されている。
タイプの３色発光ＬＥＤランプ２０を示す縦断面図であ
る。同図に示すように、ファースト側リード４ｃの先端
に設けられたパラボラ部分３の内側の面上には、２個の
ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂが、間隔ｄ１をあけてダイ
ボンディングされている。このパラボラ部分３を介し
て、ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂとファースト側リード
４ｃとが電気的に接続されている。また、ＬＥＤチップ
１１ａ，１１ｂは、セカンド側リード４ａ，４ｂとワイ
ヤボンディングされている。この金線５ａ，５ｂを介し
て、ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂとセカンド側リード４
ａ，４ｂとが電気的に接続されている。
【０００３】そして、ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂ，パ
ラボラ部分３，リード４ａ，４ｂ及び金線５ａ，５ｂ
は、リード４ａ，４ｂ，４ｃの一部が後方側から突出す
るようにして、エポキシ樹脂成形体２中に封止されてい
る。突出したリード４ａ及び４ｂとリード４ｃとは、互
いに反対の極性となるように電源(不図示)と接続されて
いる。
ラボラ部分３，リード４ａ，４ｂ及び金線５ａ，５ｂ
は、リード４ａ，４ｂ，４ｃの一部が後方側から突出す
るようにして、エポキシ樹脂成形体２中に封止されてい
る。突出したリード４ａ及び４ｂとリード４ｃとは、互
いに反対の極性となるように電源(不図示)と接続されて
いる。
【０００４】エポキシ樹脂成形体２は、先端部分９がレ
ンズ形状を成しており、また、パラボラ部分３の内側の
面は、反射面となっている。そして、このパラボラ部分
３の反射面と前記先端部分９とで、ＬＥＤチップ１から
発せられた光が、前方(図３中、上方向)に導かれる。
ンズ形状を成しており、また、パラボラ部分３の内側の
面は、反射面となっている。そして、このパラボラ部分
３の反射面と前記先端部分９とで、ＬＥＤチップ１から
発せられた光が、前方(図３中、上方向)に導かれる。
【０００５】前記ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂのうち、
一方は赤色発光を行い、他方は緑色発光を行う。従っ
て、一方のみを発光させれば赤色又は緑色の表示を行う
ことができ、双方を同時に発光させれば橙色の表示を行
うことができる。このような３通りの発光の切換えは、
ＩＣ(integrated circuit)等で行われる。なお、このＬ
ＥＤランプ２０は、単体として使用されることもある
が、ドットマトリクス状に複数個配置された状態でＬＥ
Ｄ表示パネルとして使用されることもある。
一方は赤色発光を行い、他方は緑色発光を行う。従っ
て、一方のみを発光させれば赤色又は緑色の表示を行う
ことができ、双方を同時に発光させれば橙色の表示を行
うことができる。このような３通りの発光の切換えは、
ＩＣ(integrated circuit)等で行われる。なお、このＬ
ＥＤランプ２０は、単体として使用されることもある
が、ドットマトリクス状に複数個配置された状態でＬＥ
Ｄ表示パネルとして使用されることもある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のような
多チップを内蔵した多色発光ＬＥＤ装置には、以下のよ
うな問題がある。
多チップを内蔵した多色発光ＬＥＤ装置には、以下のよ
うな問題がある。
【０００７】第１に、エポキシ樹脂成形体２の形成時
に、樹脂の硬化収縮に起因するＬＥＤチップ１１ａ，１
１ｂへのストレスが、チップ間の谷間(特に、ＬＥＤチ
ップの上部角部分)に集中し、そのストレスが通電中に
ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂを劣化させるといった問題
がある。樹脂の硬化収縮に起因するストレスは、通電時
にＬＥＤチップに素子欠陥を発生させＰＮ接合面を破壊
する。そのため、ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂの発光効
率は低下してしまう。特に、低い環境温度で通電すると
樹脂の収縮が加速されるため、生じたストレスによって
ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂに素子欠陥が発生しやすく
なる。従って、上述したＬＥＤランプ２０の構成では、
所定の品質的信頼性を得ることはできない。
に、樹脂の硬化収縮に起因するＬＥＤチップ１１ａ，１
１ｂへのストレスが、チップ間の谷間(特に、ＬＥＤチ
ップの上部角部分)に集中し、そのストレスが通電中に
ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂを劣化させるといった問題
がある。樹脂の硬化収縮に起因するストレスは、通電時
にＬＥＤチップに素子欠陥を発生させＰＮ接合面を破壊
する。そのため、ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂの発光効
率は低下してしまう。特に、低い環境温度で通電すると
樹脂の収縮が加速されるため、生じたストレスによって
ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂに素子欠陥が発生しやすく
なる。従って、上述したＬＥＤランプ２０の構成では、
所定の品質的信頼性を得ることはできない。
【０００８】第２に、チップ間の間隔ｄ１をある程度大
きくとらないと、ショートしやすくなるといった問題が
ある。これは、間隔ｄ１が小さいと、ダイボンディング
に用いられる銀ペーストが、表面張力でＬＥＤチップ間
の隙間をＰＮ接合面より上にまではい上がってしまうか
らである。そのため、従来のＬＥＤランプにおいて、例
えば、０．３ｍｍ角のＬＥＤチップをダイボンディング
する場合には、０．３ｍｍの間隔ｄ１をあけている。
きくとらないと、ショートしやすくなるといった問題が
ある。これは、間隔ｄ１が小さいと、ダイボンディング
に用いられる銀ペーストが、表面張力でＬＥＤチップ間
の隙間をＰＮ接合面より上にまではい上がってしまうか
らである。そのため、従来のＬＥＤランプにおいて、例
えば、０．３ｍｍ角のＬＥＤチップをダイボンディング
する場合には、０．３ｍｍの間隔ｄ１をあけている。
【０００９】ＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂがショートす
ると、順方向電圧の低いＬＥＤチップに電流が流れると
いった不具合が生じる。例えば、両方のＬＥＤチップ１
１ａ，１１ｂを点灯した場合、赤色発光のＬＥＤチップ
の方に電流が多く流れるため、緑色の発光量が小さくな
り、橙色の色調が変化してしまう。また、緑色発光のＬ
ＥＤチップを点灯させようとしても、赤色発光のＬＥＤ
チップが発光してしまうといったことも起こりうる。
ると、順方向電圧の低いＬＥＤチップに電流が流れると
いった不具合が生じる。例えば、両方のＬＥＤチップ１
１ａ，１１ｂを点灯した場合、赤色発光のＬＥＤチップ
の方に電流が多く流れるため、緑色の発光量が小さくな
り、橙色の色調が変化してしまう。また、緑色発光のＬ
ＥＤチップを点灯させようとしても、赤色発光のＬＥＤ
チップが発光してしまうといったことも起こりうる。
【００１０】逆に、ＬＥＤチップ間の間隔ｄ１を大きく
すると、ＬＥＤランプ全体が大型化するといった問題が
ある。従って、上述のＬＥＤランプ２０では、ダイボン
ディングエリア(すなわち、パラボラ部分３上のダイボ
ンディングに必要とされる、チップ間のスペースを含め
たエリア)を小さくすることができない。
すると、ＬＥＤランプ全体が大型化するといった問題が
ある。従って、上述のＬＥＤランプ２０では、ダイボン
ディングエリア(すなわち、パラボラ部分３上のダイボ
ンディングに必要とされる、チップ間のスペースを含め
たエリア)を小さくすることができない。
【００１１】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであって、品質的信頼性の向上及びダイボンディング
エリアの縮小化が図られた多色発光ＬＥＤ装置を提供す
ることを目的とする。
のであって、品質的信頼性の向上及びダイボンディング
エリアの縮小化が図られた多色発光ＬＥＤ装置を提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の多色発光ＬＥＤ装置は、複数のＬＥＤ発光部が
樹脂で封止された多色発光ＬＥＤ装置において、隣接す
る前記ＬＥＤ発光部間に、前記樹脂以外の絶縁膜が形成
されていることを特徴とする。
本発明の多色発光ＬＥＤ装置は、複数のＬＥＤ発光部が
樹脂で封止された多色発光ＬＥＤ装置において、隣接す
る前記ＬＥＤ発光部間に、前記樹脂以外の絶縁膜が形成
されていることを特徴とする。
【００１３】
【作用】このような構成によると、隣接するＬＥＤ発光
部間には封止用の樹脂以外の絶縁膜が形成されているの
で、封止用の樹脂の硬化収縮によってＬＥＤ発光部間に
ストレスが集中するといったことは起きない。また、ダ
イボンディング時に用いる銀ペーストで、隣接するＬＥ
Ｄ発光部がショートするといったことも起きない。
部間には封止用の樹脂以外の絶縁膜が形成されているの
で、封止用の樹脂の硬化収縮によってＬＥＤ発光部間に
ストレスが集中するといったことは起きない。また、ダ
イボンディング時に用いる銀ペーストで、隣接するＬＥ
Ｄ発光部がショートするといったことも起きない。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例に係るＬＥＤランプ１
０を図面に基づいて説明する。尚、前記従来例(図３)と
同一部分には、同一の符号を付して詳しい説明を省略す
る。
０を図面に基づいて説明する。尚、前記従来例(図３)と
同一部分には、同一の符号を付して詳しい説明を省略す
る。
【００１５】図１は本実施例の縦断面構造を示してお
り、図２はその要部を拡大して示している。このＬＥＤ
ランプ１０は、パラボラ部分３に１個のＬＥＤチップ１
を配置して成る１チップタイプのＬＥＤランプである。
ＬＥＤチップ１は、接合面７ａ，７ｂをそれぞれ有する
２個のＬＥＤ発光部１ａ，１ｂと、ＬＥＤ発光部１ａ，
１ｂの間に形成されている厚さｄ２の絶縁膜６とから成
っている。
り、図２はその要部を拡大して示している。このＬＥＤ
ランプ１０は、パラボラ部分３に１個のＬＥＤチップ１
を配置して成る１チップタイプのＬＥＤランプである。
ＬＥＤチップ１は、接合面７ａ，７ｂをそれぞれ有する
２個のＬＥＤ発光部１ａ，１ｂと、ＬＥＤ発光部１ａ，
１ｂの間に形成されている厚さｄ２の絶縁膜６とから成
っている。
【００１６】ＬＥＤチップ１は、例えばウェハープロセ
スにおいて、１枚のウェハーにＬＥＤ発光部１ａ，１ｂ
と絶縁膜６とを不純物拡散，酸化処理等で形成し、ダイ
シングプロセスにおいて１チップ化することによって製
造される。各々のＬＥＤ発光部１ａ，１ｂの発光の色の
違いは、不純物拡散プロセスにおいて、ＧａＰ(ガリウ
ム・リン)，ＧａＡｓ(ガリウム・ヒ素)，ＧａＡｓＰ(ガ
リウム・ヒ素・リン)等のウェハーや層に不純物を拡散
させて、ＬＥＤ発光部１ａ，１ｂの不純物濃度を変える
ことによって得られる。例えば、Ａｓ(ヒ素)の量をＰ
(リン)に対して多くすれば色調を赤側にシフトさせるこ
とができ、Ｐの量をＡｓに対して多くすれば色調を緑側
にシフトさせることができる。絶縁膜６は、ＬＳＩ(Lar
ge Scale Integrated circuit)等において絶縁膜を作製
する場合と同様にして、酸化膜等で形成される。
スにおいて、１枚のウェハーにＬＥＤ発光部１ａ，１ｂ
と絶縁膜６とを不純物拡散，酸化処理等で形成し、ダイ
シングプロセスにおいて１チップ化することによって製
造される。各々のＬＥＤ発光部１ａ，１ｂの発光の色の
違いは、不純物拡散プロセスにおいて、ＧａＰ(ガリウ
ム・リン)，ＧａＡｓ(ガリウム・ヒ素)，ＧａＡｓＰ(ガ
リウム・ヒ素・リン)等のウェハーや層に不純物を拡散
させて、ＬＥＤ発光部１ａ，１ｂの不純物濃度を変える
ことによって得られる。例えば、Ａｓ(ヒ素)の量をＰ
(リン)に対して多くすれば色調を赤側にシフトさせるこ
とができ、Ｐの量をＡｓに対して多くすれば色調を緑側
にシフトさせることができる。絶縁膜６は、ＬＳＩ(Lar
ge Scale Integrated circuit)等において絶縁膜を作製
する場合と同様にして、酸化膜等で形成される。
【００１７】上記のようにして１チップタイプに製造さ
れたＬＥＤチップ１は、図２に示すようにＬＥＤ発光部
１ａと１ｂとの間に絶縁膜６が形成されているため、エ
ポキシ樹脂成形体２の形成時の樹脂の硬化収縮によって
ＬＥＤ発光部１ａ，１ｂ間にストレスが集中するといっ
たことは起きない。その結果、通電中にストレスがＬＥ
Ｄチップを劣化させるといった問題は生じず、それによ
ってＬＥＤチップ１の発光効率の低下(すなわち、輝度
劣化)も緩和される。従って、ＬＥＤランプ１０は、品
質的信頼性の高いものとなる。
れたＬＥＤチップ１は、図２に示すようにＬＥＤ発光部
１ａと１ｂとの間に絶縁膜６が形成されているため、エ
ポキシ樹脂成形体２の形成時の樹脂の硬化収縮によって
ＬＥＤ発光部１ａ，１ｂ間にストレスが集中するといっ
たことは起きない。その結果、通電中にストレスがＬＥ
Ｄチップを劣化させるといった問題は生じず、それによ
ってＬＥＤチップ１の発光効率の低下(すなわち、輝度
劣化)も緩和される。従って、ＬＥＤランプ１０は、品
質的信頼性の高いものとなる。
【００１８】また、１チップタイプに製造されたＬＥＤ
チップ１は、図２に示すようにＬＥＤ発光部１ａと１ｂ
との間に絶縁膜６が形成されているため、ダイボンディ
ング時に用いる銀ペーストでＬＥＤ発光部１ａとＬＥＤ
発光部１ｂとがショートしたりすることはない。
チップ１は、図２に示すようにＬＥＤ発光部１ａと１ｂ
との間に絶縁膜６が形成されているため、ダイボンディ
ング時に用いる銀ペーストでＬＥＤ発光部１ａとＬＥＤ
発光部１ｂとがショートしたりすることはない。
【００１９】２チップタイプのＬＥＤランプ２０(図３)
の場合、前述したようにＬＥＤチップ１１ａとＬＥＤチ
ップ１１ｂとが接触するとショートするので、チップ間
にある程度の大きさの間隔ｄ１があくようにダイボンデ
ィングが行われる。そのため、この間隔ｄ１をあけるた
めに、パラボラ部分３上には大きなダイボンディングエ
リアが必要になる。
の場合、前述したようにＬＥＤチップ１１ａとＬＥＤチ
ップ１１ｂとが接触するとショートするので、チップ間
にある程度の大きさの間隔ｄ１があくようにダイボンデ
ィングが行われる。そのため、この間隔ｄ１をあけるた
めに、パラボラ部分３上には大きなダイボンディングエ
リアが必要になる。
【００２０】しかし、ＬＥＤチップ１のようにＬＥＤ発
光部１ａ，１ｂの間に絶縁膜６を設けた１チップタイプ
の構成では、間隔ｄ１よりもはるかに薄く(厚さｄ２)絶
縁膜６を構成することができるので、構造的にダイボン
ディングエリアの縮小化が可能となる。従って、ＬＥＤ
ランプ１全体の大きさもコンパクトにすることができ
る。また、ダイボンディングエリアの縮小化によって、
３以上の複数のＬＥＤ発光部を備えた多色発光のＬＥＤ
装置を、コンパクトに構成することも可能となる。
光部１ａ，１ｂの間に絶縁膜６を設けた１チップタイプ
の構成では、間隔ｄ１よりもはるかに薄く(厚さｄ２)絶
縁膜６を構成することができるので、構造的にダイボン
ディングエリアの縮小化が可能となる。従って、ＬＥＤ
ランプ１全体の大きさもコンパクトにすることができ
る。また、ダイボンディングエリアの縮小化によって、
３以上の複数のＬＥＤ発光部を備えた多色発光のＬＥＤ
装置を、コンパクトに構成することも可能となる。
【００２１】本実施例では、１チップ状態のＬＥＤチッ
プ１をパラボラ部分３にダイボンディングした構成とな
っているが、前述のＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂのチッ
プ間隔ｄ１よりもはるかに小さい隙間(図２中の絶縁膜
６の厚さｄ２に相当する。)をあけてＬＥＤチップのダ
イボンディングを行い、その隙間に厚さｄ２の固形の絶
縁体(例えば、硬化済みの樹脂成形体)を挟み込むように
(絶縁体とＬＥＤチップとの間に、銀ペーストのはい上
がる隙間ができないように)、挿入した構成としてもよ
い。
プ１をパラボラ部分３にダイボンディングした構成とな
っているが、前述のＬＥＤチップ１１ａ，１１ｂのチッ
プ間隔ｄ１よりもはるかに小さい隙間(図２中の絶縁膜
６の厚さｄ２に相当する。)をあけてＬＥＤチップのダ
イボンディングを行い、その隙間に厚さｄ２の固形の絶
縁体(例えば、硬化済みの樹脂成形体)を挟み込むように
(絶縁体とＬＥＤチップとの間に、銀ペーストのはい上
がる隙間ができないように)、挿入した構成としてもよ
い。
【００２２】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、樹脂
で封止された複数の隣接するＬＥＤ発光部間に、封止し
ている樹脂以外の絶縁膜が形成されているため、樹脂の
硬化収縮に起因するストレスがＬＥＤ発光部間に集中し
なくなり、通電時の素子欠陥の破損による輝度劣化が緩
和される。その結果、品質的信頼性の向上を図ることが
できる。また、ＬＥＤ発光部間の間隔は、形成されてい
る前記絶縁膜の厚さとなるため、ダイボンディングエリ
アの縮小化を図ることができる。これにより、多色発光
ＬＥＤ装置全体をコンパクト化することが可能となる。
で封止された複数の隣接するＬＥＤ発光部間に、封止し
ている樹脂以外の絶縁膜が形成されているため、樹脂の
硬化収縮に起因するストレスがＬＥＤ発光部間に集中し
なくなり、通電時の素子欠陥の破損による輝度劣化が緩
和される。その結果、品質的信頼性の向上を図ることが
できる。また、ＬＥＤ発光部間の間隔は、形成されてい
る前記絶縁膜の厚さとなるため、ダイボンディングエリ
アの縮小化を図ることができる。これにより、多色発光
ＬＥＤ装置全体をコンパクト化することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例を示す縦断面図。
【図２】本発明の一実施例の要部を示す拡大縦断面図。
【図３】従来例を示す縦断面図。
１ …ＬＥＤチップ １ａ，１ｂ …ＬＥＤ発光部 ２ …エポキシ樹脂成形体 ３ …パラボラ部分 ６ …絶縁膜 ７ａ，７ｂ …ＰＮ接合面 １０ …ＬＥＤランプ
Claims (1)
- 【請求項１】複数のＬＥＤ発光部が樹脂で封止された多
色発光ＬＥＤ装置において、隣接する前記ＬＥＤ発光部
間に、前記樹脂以外の絶縁膜が形成されていることを特
徴とする多色発光ＬＥＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP476294A JPH07211938A (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | 多色発光ｌｅｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP476294A JPH07211938A (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | 多色発光ｌｅｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211938A true JPH07211938A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11592901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP476294A Pending JPH07211938A (ja) | 1994-01-20 | 1994-01-20 | 多色発光ｌｅｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211938A (ja) |
-
1994
- 1994-01-20 JP JP476294A patent/JPH07211938A/ja active Pending
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