JPH07209624A - 高多重スーパーツイスト液晶ディスプレイ - Google Patents
高多重スーパーツイスト液晶ディスプレイInfo
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Abstract
良型高多重スーパーツイスト液晶ディスプレイを提供す
る。 【構成】 ネマチック液晶混合物は本質的にはトラン−
4,4’−ジイル部分構造を有する少なくとも3種の化
合物40−80重量%から成る改良された高多重スーパ
ーツイスト液晶ディスプレイ。
Description
タイムを有し、かつ良好な急峻性および角度依存性を有
する高多重スーパーツイスト液晶ディスプレイ(SFA
s)およびそのなかに使用される新規なネマチック液晶
混合物に関する。
31,216 B1、DE 3,423,993A1、
EP 0,098,070A2から、またM.シャット
(SchadtおよびF.レーンハウツ(Leenho
uts):液晶に関する第17回フライブルク(Fre
iburg)会議(1987年4月8−10日)、K.
カワサキ(Kawasaki)等、SID87ダイジェ
スト391(6月20日)、M.シャットおよびF.レ
ーンハウツ:SID87ダイジェスト372(1月20
日)、K.カトー(Katoh)等 応用物理学雑誌
(JapaneseJournal of Appli
ed Physics)第26巻、11号、L1784
−L1786(1987)、F.レーンハウツ等応用物
理学雑誌(Appl.Phys.第50巻(21号)1
468頁(1987年)、H.A.ファン シュプラン
グ(van Sprang)およびH.G.クープマン
(Koopman)応用物理学会誌(J.Appl.P
hys.)62巻(5号)1734頁(1987年)
T.J.シェファー(Scheffer)およびJ.ネ
ーリング(Nehring)Appl.Phys.Le
tt.45巻(10号)1021(1984年)、M.
シャット(Schadt)およびF.レーンハウツ(L
eenhouts)Appl.Phys.Lett:5
0巻(5号)236(1987年)およびE.P.レイ
ンズ(Raynes)Mol.Cryst.Liq.C
ryst.Letters 巻4(1号)1−8頁(1
986年)から公知である。ここの用語SFAは160
°および720°との間の値を有するツイスト角を有す
るすべての比較的高いツイストデイスプレイ素子、例え
ばウォーターズ(C.M.Waters)等 Pro
c.Soc.Int.Disp.(ニューヨーク)(1
985)(第3回国際ディスプレイ会議、神戸、日本)
STN−LCD(DE 公開番号 3,503,25
9)、SBE−LCD(T.J.シェフナーおよびネー
リング)Appl.Phys.Lett.45(198
4)1021),OMI−LCD(M.シャットとレー
ンハウツ)Appl.Phys.lett.50(19
87)236、DST−LCD(EP 公開番号0,2
46,842)あるいはBW−STN−LCD((K.
カワサキ等、SID87ダイジェスト391(6月20
日))を包含する。
のタイプのSFAsは電気光学特性曲線の顕著に優れた
急峻性、それに付随して好ましいコントラスト値さらに
コントラストの顕著に低い角度依存性に特徴を有してい
る。特に興味あることは、特に比較的低温における極端
に短いスイッチングタイムである。短いスイッチングタ
イムを達成するためには、粘性、特に液晶混合物の粘性
を液晶成分の最適組合せ、しかも場合によっては比較的
高い蒸気圧のモノトロピー性の添加物を通常使用して従
来は最適化してきた。しかしながら、達成したスイッチ
ングタイムはすべての利用に不適切であった。
(Display)第14巻、2号、1993年、74
−85頁)極めて短い応答時間を有するスーパーツイス
トデイスプレイを電子的にアドレスすることが報告され
た。アクティブアドレッシングとして公知のこの技術は
フレーム時間の大部分の間にそのディスプレイの各列を
タイムアドレッシングフォーマットにおける従来のライ
ンとは異なってアドレスし、そのフォーマットの中では
各列は直交波形を有する各フレームの間で1回だけアド
レスされている。後者の在来の技術を極めて短い応答時
間を有するスーパーツイストLCDに使用するならば、
リフレッシュタイム(典型的にはPC用のVGAディス
プレイでは1.6msである)が応答時間の10%でな
ければならないと言う一般的なガイドラインが順守され
なく、それによって液晶の「ON」状態からの緩和の結
果としてコントラスト比の低下につながる。アクチブア
ドレッシングはスーパーツイストLCDのアドレッシン
グのための可能性の道を開き、この単純な技術をつかっ
てアクチブマトリックスでアドレスされている液晶ディ
スプレイによって現在達成されている高性能高価格水準
に挑戦することを可能にしている。
C層の厚さを薄くすることおよびより高い複屈折△nを
有する液晶混合物を使用することによって達成すること
も出来る。
ての試みはしかしながら、あらゆる使用には適してない
混合物に遭遇するという結果になる。
多重性(ICの数の減少になって表われる)、より低い
閾値電圧および急峻な特性カーブである。
全ての特性のために同時に達成することは出来ない。そ
の理由は誘電および弾性特性のような異なった素材のパ
ラメーターの逆方向の影響のためである。
改良されたSFAのための大きな要求、同時に広い稼動
温度範囲、低い勾配値、コントラストの良好な角度依存
性および低い閾値電圧を求める要求が続いている。
小規模にのみ有する、あるいは全く持たない、かつ同時
に極めて有用な全体特性を有するSFAを提供すること
にある。
4’−ジイル部分構造を有する3種以上の化合物を40
−80重量%含有するネマチック液晶混合物を使用する
ならば、達成されることを見出した。
なくとも60℃のネマチック相範囲、25mPa・sよ
り大きくない粘性、少なくとも0.200の複屈折およ
び少なくとも+1の誘電異方性を有しており、化合物の
その誘電異方性およびネマチック液晶混合物に関連する
パラメーターは20℃での測定に基づいている。
FAに関し、 −フレームと共にセルを形成している2枚の面平行の外
部板、 −セル中に存在する正の誘電異方性のネマチック液晶混
合物、 −各画素を直交列波形によってアドレスする外部板の内
側にスーパーポーズした配向層を有する電極層、 −外部板の表面での分子の長さ方向の軸と外部板間の約
1°ないし30°のプレチルト角度、 −配向層から配向層に100°と600°との間の値を
もったセル中の液晶混合物のツイスト角を有し、ここで
そのネマチック液晶混合物は基本的には a) +1.5より大きな誘電異方性を有する1種以上
の2環または3環化合物から成る液晶性成分Aを15−
50%、好ましくは20−50重量%, b) −1.5ないし+1.5の誘電異方性を有する1
種以上の2環または3環化合物から成る液晶性成分B0
−40重量%、 c) トラン−4,4’−ジイル部分構造を有する3種
以上の化合物から成る液晶性成分T40−80重量%、
および d) 層厚さ(面平行外部板間の距離)とキラルネマチ
ック液晶混合物の自然なピッチの比が約0.2ないし
1.3になるような量での光学活性成分Dから成り、し
かもネマチック液晶混合物は少なくとも60℃のネマチ
ック相範囲を有し、25mPa・sより大きくない粘
性、少なくとも0.1950の複屈折および少なくとも
+1の誘電異方性を有しており、化合物のその誘電異方
性およびネマチック液晶混合物に関係したパラメーター
は20℃の温度での測定に基づいており、その特徴とす
るところは 成分Tは式I
ル、アルコキシ、アルケニルあるいはアルケニルオキシ
であり、L1 およびL2 は互いに独立であってHあるい
はFであり、R2 はF、OCF3 あるいは1ないし8個
の炭素原子を有するアルキルあるいはアルコキシであ
り、Zは−COO−、−CH2 CH2 −あるいは単結合
であり、pは0あるいは1である]の少なくとも3種の
化合物から成ることにある。
ルコキシ、アルケニルあるいはアルケニルオキシであ
り、
Fであり、Z1 は−COO−、−CH2 CH2 −あるい
は単結合であり、Z2 は−COO−、−CH2 CH2
−、−C≡C−あるいは単結合であり、QはCF2 、O
CF2 、CFH、OCFHあるいは単結合であり、Yは
FあるいはClであり、mは1あるいは2であり、nは
0あるいは1である]特に式IIaないしIId
れる。
イッチングタイムおよび各画素が直交列波形でアドレス
されているSTN−デイスプレイの急峻性を改良するた
めに使用することである。
よび本発明によるSFA中で使用することができるその
他の化合物は公知あるいは公知の化合物に類似の方法で
合成することができる。
よびWO88/07514から公知であるが、高多重S
FAのスイッチングタイムをこの方法によって改良する
ことができることについては何のヒントもなかった。
イプの液晶を添加することが可能である成分Aタイプの
液晶と2環あるいは3環トランとの混合物を開示してい
る。しかしながら、わずかに△n0.133が達成でき
たにすぎない。
用して△nを増大させることを目的とした液晶組成物は
日本特許公開61−97383および61−97384
およびEP 178937で開示されている。これらの
液晶組成物は主に大きな△nを有するトラン液晶化合物
を含有しており、その液晶化合物はエステル結合を有し
および成分Aタイプ液晶化合物は末端にシアノ基を有
し、かつ大きな△εを持っている。
を有するトラン液晶化合物を含有している故に、得られ
た組成物の光学異方性は比較的に大きい。加えて、エス
テル結合を有する化合物がその組成物に含有されている
ならば、スメクチック相は低温環境では出現しそうにな
い。エステル結合を有するフェニルシクロヘキサンカル
ボキシレート液晶化合物は小さい△nを有しており、従
ってその組成物の光学異方性はそれほど高くない(最も
良くても約0.175)。エステル結合を有する液晶化
合物は低い粘性を有する液晶化合物のなかでも比較的高
い粘性を有している。例えば、エステル結合を有する液
晶化合物は約20cpの粘性を有している。この理由の
ために、そのような液晶化合物を含有する液晶組成物の
粘性は例えば、28cp或はそれ以上の高い粘性を有し
ている。
5℃という低い透明点から明らかなように低いあるいは
中程度の多重TN用に2環の成分Bタイプ液晶を20%
以上含有している2環および3環トランの混合物を開示
している。これらは典型的には携帯用の計算機あるいは
ビデオゲーム機に使用されている。これら混合物はそれ
らの装置のなかでは典型的には85%の極めて低い勾配
に特徴を持っている。
い稼動温度範囲、低い閾値電圧(3ボルト以下、好まし
くは1.25および2.80ボルトとの間にあり、特に
1.60と2.20ボルトとの間にある)および急峻な
特性曲線および75℃より高い、好ましくは76ないし
110℃、特に90ないし100℃の透明点を有する高
多重SFAを実現することを可能にしている。
性、特に低い回転粘性、弾性率の低い比率(K3 /K
1 )を有しており、従って短いスイッチングタイムにな
る。
な、好ましくは0.201−0.270、特に0.22
0−0.250の光学異方性(△n)を有している。
選択される式IIおよび/または式IIIの化合物を好
ましくは1種以上含有している。
c、IId、IIIh、特に式IIaあるいはIIbの
1種以上の化合物および式Iの3ないし6種の化合物を
含有している。
しい液晶混合物はグループAからの1種以上の化合物を
好ましくは20%ないし50%、好ましくは22%ない
し40%含有している。これらの化合物あるいはグルー
プAからの化合物は+3より大きな(好ましくは+8よ
り大きな、特に+12より大きな)誘電異方性を有し、
この発明の液晶混合物の成分Aを構成している。
合物を22%ないし40%の範囲からなり立っている。
Z1 が単結合、−CH2 CH2 −あるいは−CO−O−
を示す化合物が好ましく、特に好ましいのは以下の化合
物である。
選択される1種以上の化合物からなり、しかも場合によ
っては式IIc2の1種またはそれ以上の化合物から成
っている。
化合物
物を含有する。
環が例えば
もよい。
2ないし25%の範囲内で使用することが好ましい。
て高い誘電異方性を有する1種以上の化合物から成り立
っている。そのような化合物は好ましくは2ないし15
%の範囲内で使用することが好ましい。このタイプの好
ましい化合物は式I、IIc2およびIIj1である。
種以上の化合物を,好ましくは0ないし25%の割合で
含有している。これらの化合物あるいはグループBから
のこの化合物は低い回転粘性値(γ1)<150mPa
・sあるいは120℃より高い透明点いずれかを有し、
誘電的には中性((Δε)<2)、特に0ないし10で
あり、この発明のLC混合物の成分Bを構成している。
ないしIV7
る]から成るグループから選択される1種以上の化合物
および/または3環を有するIV8ないしIV11
ェニレン基IV7ないしIV17およびIV21はそれ
ぞれ互いに独立にフツ素で一置換あるいは多置換されて
いてもよい]を含有する。成分Bが1種以上の2環の化
合物を10%より多く含む場合には、ネマチック混合物
はさらに1種以上、好ましくは1種のみのIV22ない
しIV27
ないしIV27中の1,4−フェニレン基はそれぞれ互
いに独立にフツ素で一置換あるいは多置換されている]
から成るグループから選択される化合物を含有する。
物は式IV22ないしIV27の化合物の1種以上を5
重量%までのみ、好ましくは0ないし4重量%含有す
る。
距離)とキラルネマチック液晶混合物の自然なピッチの
比が希望するツイスト角に適して0.2より大きい量だ
け光学活性成分Cを含有する。
広い範囲内からしかもコレステリルノナノエートS81
1(E.メルク(Merck)社、ダルムシュタット
(Darmstadt)ドイツ連邦共和国)およびCB
15(メルク社、以前のBDH社、プール(Pool
e)、英国)などの市販のドーピング剤から選択するこ
とが可能である。ただしその選択は決定的ではない。
IaないしIe
個までの炭素原子を有するn−アルキルである]から成
るグループから選択された5種以上の化合物を含有して
いる。
40ないし80%、特に42ないし65%である。
割合は好ましくは16ないし60%であり、式Icない
しIeの3環のトラン化合物の割合は好ましくは18な
いし35%である。
ての化合物の全割合は好ましくは約5%ないし25%、
特に約10ないし20%である。
化合物から成る追加の成分Cの化合物の割合は好ましく
は約0ないし20%であり、特に約0ないし10%であ
る。当業者は希望した閾値電圧を生じさせるために容易
にこの割合を調製することが出来る。原理としてΔε<
−1.5であるすべての通常の液晶化合物を使用するこ
とができる。
混合物は−2(成分C)より少ない誘電異方性を有する
1種以上の化合物を好ましくは約0ないし10%含有し
ている。このタイプの化合物は公知であり、例えばDE
公開3,231,707、あるいはDE公開34070
13に示されているように、部分構造
キサン誘導体である。
−1,4−フェニレンを含有する化合物は好ましくは、
例えばDE公開3,807,801、3,807,86
1,3,807,864,3,807,908の化合物
から選択される。特に好ましい化合物は国際出願PCT
/DE88/00133に示されるような,これらの部
分構造を有するトラン類であり、特に式
好ましくは1ないし7個の炭素原子を有するn−アルキ
ルあるいは3ないし7個の炭素原子を有するn−アルケ
ニルおよびZ0 は−CH2 CH2 −あるいは単結合であ
る]の化合物である。
キルあるいはn−アルコキシであり、あるいは3ないし
7個の炭素原子を有するn−アルケニルあるいはn−ア
ルケニルオキシである]のフェニルシクロヘキシルカル
ボキシレートでもある。
2 はそれぞれ、互いに独立してHあるいはFであり、X
はF、ClあるいはOCF3 である]1種以上の成分を
含有している。
の混合物は *式Iの2種以上の化合物を15−60重量%含有し、
ただしpは0であり、好ましくは式Iaおよび/または
Ibの化合物を少なくとも2種、特に式Ia1
数、特に1あるいは2である]の化合物1種ないし5種
を含有し、 *式Iの2種以上の化合物を10−40重量%含有し、
ただしpは0であり、好ましくは式Idおよび/または
Ieの化合物を少なくとも2種含有し、 *1−シアノ−トランス−1,4−シクロヘキシレン−
基あるいは2,3−ジフロロ−1,4−フェニレン基を
有する1種以上の化合物を含有する成分Cを含有し、 *下記のグループ
ルキル基であり、かつXはHあるいはFである]を含有
し、 *Rがトランスアルケニル基あるいはトランスアルケニ
ルオキシ基である1種以上の化合物を含有し、 *下記のグループ
意味を有し、2種の1,4−フェニレン基の一つはフツ
素で置換していてもよく、これらの化合物の割合は0%
ないし25%、好ましくは約5ないし15%である]か
ら選択された1種以上の化合物を含有する。
の混合物は *式IIb1、IIc1あるいはIIc2から選択され
る少なくとも2種の化合物、 *式IaあるいはIbの2種以上の化合物、あるいは *以下のグループ
おりである]から選択された1種以上の化合物を含有す
る。
合物は *式IIIの化合物、特に式IIIの化合物から本質的
に成る液晶性成分Aを15−50%含有し、かつ少なく
とも *式I(ただし式中R2 がFあるいはOCF3 である)
の化合物を少なくとも1種30−50重量% 含有している。
にそれに隣接している液晶分子の優先配向(ディレクタ
ー)が通常相互に1電極から他の電極に160°ないし
720°だけツイストしているような表面処理を有する
電極から構成されている本発明による液晶ディスプレイ
素子の構造はこのタイプのディスプレイ素子のために通
常の構造に対応している。ここで言う通常の構造と言う
用語は広い意味で使用されており、スーパーツイストセ
ル、特にマトリックスディスプレイ素子の全ての誘導形
式および変法をも包含している。2本の支持板における
表面傾斜角度は同一であっても異なっていてもよい。同
一の傾斜角度が好ましい。
ァーなど ディスプレイ(Display)14巻、2
号1993年74−85に記載されているように直交波
形でアドレスされている。
したネマチックセルに基づく今迄の慣用のディスプレイ
素子間の本質的な相違点はしかしながら、液晶層中の液
晶成分の選択である。
混合物はそれ自身通常の方法で製造することができる。
一般的には、比較的少量使用する成分の希望量を主成分
となる成分中に温度を上げて溶解することが便利であ
る。成分を有機溶媒、例えばアセトン、クロロフォル
ム、メタノールに溶解した溶液を混合すること、および
混合後に例えば、蒸留によって溶媒を除去することも可
能である。
文献記載の添加物を含有していてもよい。例えば、多色
性染料を0−15%添加しても良い。
これを制限するものではない。略号は以下の意味を有す
る: S−N スメクチック−ネマチック相転移温度、 N−I ネマチック−等方性相転移温度、 c.p. 透明点、 Visc. 粘性(mPa・s) Tave 平均スイッチングタイム=(Ton+T
off )/2、 Ton 最高コントラストの90%に達するまでの
スイッチオンからの時間 Toff 最高コントラストの10%に達するまでの
スイッチオフからの時間 V10 閾値電圧(ボルト) V90 飽和電圧 V90/V10 急峻性 SFAは正規直交波形(多重比1:256 バイアス
1:16 動作電圧7.2ボルト)でアドレスされてい
る。
示である。百分率は重量%である。スイッチングタイム
および粘性の値は20℃測定である。
においても、LC化合物の全ての化学構造を略成語で示
し、その略成語からの化学式への転換は以下に示すよう
にして行なう。全ての基Cn H2n+1およびCm H2m+1は
それぞれnおよびm個の炭素原子を有する直鎖アルキル
基である。表Bのコードは自明である。表Aでは中心に
なる構造のみを示している。具体的な化合物では、この
略成語の後にダッシュおよび置換基R1 、R2 、L1 お
よびL2 のためのコードが以下のように続く。
しい成分である。
り、
のスイッチングパラメーターを示す。 Tave 140ms V10 2.33V V90/V10 1.056 実施例2 下記の特性とd=3.5μmとを有する液晶性媒体を含
有する実施例1に記載したSTNディスプレイは S−N <−30℃ N−I 95℃ △n 0.2444 回転粘性 95mPa・s [そのアキラル基礎混合物の組成は下記のとおりであ
り、
のスイッチングパラメーターを示す。 Tave 140ms V10 2.09V V90/V10 1.028 実施例3 下記の特性パラメーターとd=3.75μmとを有する
液晶性媒体を含有する実施例1に記載したSTNディス
プレイは S−N <0℃ N−I 78℃ △n 0.2267 回転粘性 70mPa・s [そのアキラル基礎混合物の組成は下記のとおりであ
り、
のスイッチングパラメーターを示す。 Tave 102ms V10 1.92V V90/V10 1.068 実施例4 下記の特性を有する液晶性媒体を含有する実施例1に記
載したSTNディスプレイは S−N <0℃ N−I 85℃ △n 0.2416 [そのアキラル基礎混合物の組成は下記のとおりであ
り、
に早いスイッチングタイムと高い多重性を示す。実施例
5下記の特性を有する液晶性媒体を含有する実施例1に
記載したSTNディスプレイは S−N <0℃ N−I 85℃ △n 0.2398 [そのアキラル基礎混合物の組成は下記のとおりであ
り、
に早いスイッチングタイムと高い多重性を示す。 比較例1 下記の特性を有する液晶性媒体を含有する実施例1に記
載したSTNディスプレイは S−N −30℃ N−I 91℃ △n 0.2077 回転粘性 116mPa・s [その組成は下記のとおりであり、
のスイッチングパラメーターを示す。 Tave 168ms V10 2.12V V90/V10 1.058 4環のLC(CBC−nmF)5%以上と組合されてい
る2環の成分BタイプLC(PCH−301)の高い含
有量は遅いスイッチングタイムになることをこの比較例
は明瞭に示している。 実施例6 下記の特性を有する液晶性媒体を含有する実施例1に記
載したSTNディスプレイは N−I 91℃ △n 0.2305 [そのアキラル基礎混合物の組成は下記のとおりであ
り、
チングタイムと下記のパラメーターを示す。 V10 3.28V V90/V10 1.326 実施例7ないし10 下記の表中に特性と組成を示すその液晶性混合物を含有
する実施例1に記載したSTNディスプレイは非常に早
いスイッチングタイムと高い多重性を示す。
含んでおり、その混合物の物性および組成を以下の表に
示す。
Claims (11)
- 【請求項1】−フレームと共にセルを形成している2枚
の面平行の外部板、 −セル中に存在する正の誘電異方性のネマチック液晶混
合物、 −各画素を直交列波形によってアドレスする外部板の内
側にスーパーポーズした配向層を有する電極層、 −外部板の表面での分子の長さ方向の軸と外部板間の約
1°ないし30°のプレチルト角度、 −配向層から配向層に100°と600°との間の値を
もったセル中の液晶混合物のツイスト角、ここでそのネ
マチック液晶混合物は基本的には a) +1.5より大きな誘電異方性を有する1種以上
の2環または3環化合物から成る液晶性成分Aを15−
50%,好ましくは20−50重量%、 b) −1.5ないし+1.5の誘電異方性を有する1
種以上の2環または3環化合物から成る液晶性成分B0
−40重量%、 c) トラン−4,4’−ジイル部分構造を有する3種
以上の化合物から成る液晶性成分T40−80重量%お
よび d) 層厚さ(面平行外部板間の距離)とキラルネマチ
ック液晶混合物の自然なピッチの比が約0.2ないし
1.3になるような量での光学活性成分Dから成り、し
かもネマチック液晶混合物は少なくとも60℃のネマチ
ック相範囲を有し、25mPa・sより大きくない粘
性、少なくとも0.1950の複屈折および少なくとも
+1の誘電異方性を有しており、化合物のその誘電異方
性およびネマチック液晶混合物に関係したパラメーター
は20℃の温度でいる高多重スーパーツイスト液晶ディ
スプレイであって、 成分Tは式I 【化1】 [式中R1 は1ないし8個の炭素原子を有するアルキ
ル、アルコキシ、アルケニルあるいはアルケニルオキシ
であり、L1 およびL2 は互いに独立であってHあるい
はFであり、R2 はF、OCF3 あるいは1ないし8個
の炭素原子を有するアルキルあるいはアルコキシであ
り、Zは−COO−、−CH2 CH2 −あるいは単結合
であり、pは0あるいは1である]の少なくとも3種の
化合物から成ることを特徴とする上記デバイス。 - 【請求項2】 成分Aは式II 【化2】 および/または式III 【化3】 [式中Rは12個までの炭素原子を有するアルキル、ア
ルコキシ、アルケニルあるいはアルケニルオキシであ
り、 【化4】 【化5】 および 【化6】 はそれぞれ独立に 【化7】 であり、L3 からL6 まではそれぞれ独立にHあるいは
Fであり、Z1 は−COO−、−CH2 CH2 −あるい
は単結合であり、Z2 は−COO−、−CH2 CH2
−、−C≡C−あるいは単結合であり、QはCF2 、O
CF2 、CFH、OCFHあるいは単結合であり、Yは
FあるいはClであり、mは1あるいは2であり、nは
0あるいは1である]の化合物を含有することを特徴と
する請求項1によるディスプレイ。 - 【請求項3】 成分Aは式IIaないしIId 【化8】 [式中RおよびL1 は既述の意味を有する]から選択さ
れる少なくとも1種の化合物を含有することを特徴とす
る請求項1あるいは2によるディスプレイ。 - 【請求項4】 成分Bは式IV1ないしIV7 【化9】 [式中R3 およびR4 は請求項1においてRについて定
義した意味を有する]から成るグループから選択される
1種以上の化合物を含有することを特徴とする請求項1
ないし3の少なくとも1項によるディスプレイ。 - 【請求項5】 成分BはIV8ないしIV11 【化10】 およびIV12ないしIV21 【化11】 [式中R3 およびR4 は既述の意味を有し、1,4−フ
ェニレン基IV7ないしIV17およびIV21はそれ
ぞれ互いに独立にフツ素で一置換あるいは多置換されい
てもよい]から成るグループから選択される1種以上の
化合物を含有することを特徴とする請求項1ないし4の
少なくとも1項によるディスプレイ。 - 【請求項6】 成分TがIaないしIe 【化12】 [式中R1 は既述の意味を有し、アルキルは1ないし8
個までの炭素原子を有するアルキルである]から成るグ
ループから選択された5種以上の化合物を含有している
ことを特徴とする請求項1ないし5の少なくとも1項に
よるディスプレイ。 - 【請求項7】 成分Tが式Ia1 【化13】 [式中mは1または2であり、nは1ないし7の整数、
特に1あるいは2である]の1種ないし5種の化合物を
含有することを特徴とする請求項1ないし6の少なくと
も1項によるディスプレイ。 - 【請求項8】 ネマチック液晶混合物が式Iaの少なく
とも1種の化合物を30−60重量%含有することを特
徴とする請求項1ないし7の少なくとも1項によるディ
スプレイ。 - 【請求項9】 ネマチック液晶混合物が本質的に式II
I、特に式IIIsの化合物と少なくとも式Iの少なく
とも1種の化合物、(式中R2 がFあるいはOCF3 で
ある)の30−50重量%とから成る液晶性成分Aを1
0−50重量%含有することを特徴とする請求項1、2
および4ないし8の1項によるディスプレイ。 - 【請求項10】 請求項1ないし9の1項で定義した組
成の液晶混合物。 - 【請求項11】 式Ia1 【化14】 [式中nおよびmは既述の意味を有する]を各画素が直
交列波形によってアドレスされているSTN−ディスプ
レイのスイッチングタイムおよび急峻性を改良するため
に使用する方法。
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- 1994-11-12 DE DE19944441469 patent/DE4441469B4/de not_active Expired - Fee Related
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