JPH07208951A - ワイヤボンディング検査方法及びワイヤボンディング検査装置 - Google Patents

ワイヤボンディング検査方法及びワイヤボンディング検査装置

Info

Publication number
JPH07208951A
JPH07208951A JP6014895A JP1489594A JPH07208951A JP H07208951 A JPH07208951 A JP H07208951A JP 6014895 A JP6014895 A JP 6014895A JP 1489594 A JP1489594 A JP 1489594A JP H07208951 A JPH07208951 A JP H07208951A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
semiconductor chip
bonding
capillary
image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6014895A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Nagura
正人 名倉
Nobumichi Kawahara
信途 川原
Hidetoshi Nishigori
英俊 西郡
Hirofumi Hirashima
浩文 平島
Masaki Kobayashi
正基 小林
Hisashi Nakatsui
久 中津井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP6014895A priority Critical patent/JPH07208951A/ja
Publication of JPH07208951A publication Critical patent/JPH07208951A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/859Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ワイヤボンディング後のワイヤの形状、位置
ずれを高精度に測定することのできるワイヤボンディン
グ検査方法及びワイヤボンディング検査装置を得るこ
と。 【構成】 搬送装置によりワイヤボンディング後の半導
体チップを所定位置に搬送固定し、該半導体チップを照
明手段からの光束で照明し、該半導体チップの画像情報
を位置調整可能なステージに設けた撮像装置より得て、
該画像情報より画像処理装置で該半導体チップのファー
ストボンド部及びセカンドボンド部の検査をする際、該
撮像装置によりボール部及びクレセント部に形成された
キャピラリ打痕を同時に撮像し、該画像処理装置は該撮
像装置で得られた画像情報より、これらのキャピラリ打
痕の中心位置を測定し、これよりワイヤボンディング後
のワイヤの形状、位置ずれを検出していること。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンディング検査
方法及びワイヤボンディング検査装置に関し、特にワイ
ヤボンディング後のワイヤの形状・位置ずれ等を自動測
定し、装置の座標設定データを自動修正し、高精度な検
出を可能としたものである。
【0002】
【従来の技術】最近のIC・LSIといった半導体素子
の製品は集積化が年々進んでいる。
【0003】特に、半導体回路自体の製造工程、所謂前
工程においては、自動化技術が大幅に取り入れられ、工
程内での無人化が進んでいる。
【0004】一方、後工程であるワイヤボンディング工
程にあってもワイヤボンダの自動化が図られている。こ
れに対し、その検査にあっては現在では専ら目視検査に
頼っている。
【0005】例えば特開平4−259807号公報では
ボンディングワイヤの3次元的な画像データを得て、こ
れよりボンディングワイヤの外観を目視検査するように
した線状物検査用画像入力装置が提案されている。
【0006】同公報では一対のカメラで得られた画像デ
ータをオペレータが解析してワイヤボンダの設定値の狂
いを修正しながら製造を続けるという手順を踏んでい
る。
【0007】図6は従来のワイヤボンディング検査装置
の要部概略図である。同図において13はリング照明
部、14は落射照明部であり、各々照明制御装置22に
より選択的に半導体チップ1を照明している。15は撮
像装置であり、半導体チップ1を撮像している。各要素
13,14,15は撮像手段15aを構成している。1
1はXYZステージであり、ステージ制御装置24から
の信号に基づいて撮像手段15aを駆動している。
【0008】被測定物である半導体チップ1は搬送制御
装置21からの信号に基づいて搬送装置12によって検
査領域に搬送されている。然る後に、撮像装置15をフ
ァーストボンド部(例えば以下「ボール部」と呼ぶ)の
存在する位置まで移動し、焦点を合わせた上でボール部
の画像を取り込む。
【0009】このときの画像は例えば図2に示すよう
に、ボール3及び電極パッド4が混在しているが、画像
処理装置23によりボール部のみの外形寸法及び中心座
標を算出している。
【0010】続いて撮像装置15をセカンドボンド部
(例えば以下「クレセント部」と呼ぶ)の存在する位置
に移動し、ボール部と同様にクレセント部の画像を取り
込んでいる。
【0011】図5はこのときのクレセント部取り込み画
像の説明図である。図5において2はワイヤ、6はクレ
セント、7はキャピラリ打痕、8はリードである。
【0012】クレセント部の測定では図5におけるクレ
セント6の幅・長さ及び中心座標を画像処理装置23を
用いて算出している。更にワイヤ部2の曲がり・間隔・
高さ等の測定を順次、画像処理等の手段を用いて行って
いる。
【0013】以上によって得られた測定結果と、前もっ
て入力された基準値とを中央処理装置31によって比較
し、ボンディング状態の良否判定を行っている。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】図3はボール部成形時
の要部断面図である。同図においてボール3はキャピラ
リ5によって半導体チップ1上に金ワイヤ末端の球状部
分が押し付けられることによって形成されている。この
とき、キャピラリ5の穴径はワイヤ2の径よりも大き
い。このためにキャピラリ5の中心とワイヤ2の中心は
数μmのズレを生じている。更にボール3はワイヤ2に
対して偏心しているために、結果としてボール3の中心
とキャピラリ5の中心では数十μmのズレを生じてくる
という問題点がある。
【0015】また、クレセント部においても図5に示す
ようにクレセント6の中心座標とキャピラリ打痕7の中
心ではキャピラリ5の外径の半分以上のズレが生じてし
まう。
【0016】一方、ワイヤボンダにおいてはボンディン
グ座標の制御は、全てキャピラリ5の軌跡を制御するこ
とによって行われている。従って従来のワイヤボンディ
ング検査装置によって算出された位置座標に基づいてワ
イヤボンダの位置座標データの補正を直接且つ精度良く
行うことが大変難しいという問題点があった。
【0017】本発明は、ワイヤボンディング後の半導体
チップの外観検査を作業者に頼ることなく自動的及び高
速に且つ連続的に高精度に行うことができるワイヤボン
ディング検査方法及びワイヤボンディング検査装置の提
供を目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
(1−1)本発明のワイヤボンディング検査方法は、搬
送装置によりワイヤボンディング後の半導体チップを所
定位置に搬送固定し、該半導体チップを照明手段からの
光束で照明し、該半導体チップの画像情報を位置調整可
能なステージに設けた撮像装置より得て、該画像情報よ
り画像処理装置で該半導体チップのファーストボンド部
及びセカンドボンド部の検査をする際、該撮像装置によ
りボール部及びクレセント部に形成されたキャピラリ打
痕を同時に撮像し、該画像処理装置は該撮像装置で得ら
れた画像情報より、これらのキャピラリ打痕の中心位置
を測定し、これよりワイヤボンディング後のワイヤの形
状、位置ずれを検出していることを特徴としている。
【0019】特に、中央処理装置により前記画像処理装
置によって得たボール部及びクレセント部側のキャピラ
リ打痕の中心位置座標と該ワイヤボンダに記憶したボン
ディング座標とのずれ量を算出して該ワイヤボンダに記
憶したボンディング座標を自動修正していることを特徴
としている。
【0020】(1−2)本発明のワイヤボンディング検
査装置は、ワイヤボンディング後の半導体チップを搬送
固定する搬送装置、該半導体チップを照明する照明装
置、該半導体チップの画像情報を得る為にXYZ方向に
移動可能で該半導体チップのファーストボンド部及びセ
カンドボンド部におけるボール部若しくはクレセント部
に形成されたキャピラリ打痕を同時に撮像する撮像装
置、該撮像装置で得た画像情報より、これらのキャピラ
リ打痕の位置、寸法情報よりその中心位置を求める画像
処理装置、そしてワイヤボンダに記憶されたボンディン
グ座標と該画像処理装置で得られたキャピラリ打痕の中
心位置座標とのずれ量を算出し、該ワイヤボンドに記憶
したボンディング座標を自動修正する中央処理装置とを
用いてボンディング後のワイヤの形状、位置ずれを自動
測定していることを特徴としている。
【0021】
【実施例】図1は本発明の実施例1の要部概略図であ
る。
【0022】同図において1は被検物であるワイヤボン
ディング後の半導体チップである。13は半導体チップ
1を照明するためのリング照明装置、14は半導体チッ
プ1を照明するための落射照明装置、15は半導体チッ
プ1の画像を取り込むための撮像装置、11はXYZス
テージであり、撮像装置15を半導体チップ1に対し相
対的に位置決めしている。12は搬送装置であり、被検
物1を搬送固定している。23は画像処理装置であり、
撮像装置15より取り込まれた画像信号を解析してい
る。
【0023】21は搬送制御装置であり、搬送装置12
を駆動制御している。22は照明制御装置であり、リン
グ照明装置13と落射照明装置14を駆動制御して半導
体チップ1をリング照明又は落射照明している。24は
ステージ制御装置であり、XYZステージ11を駆動制
御している。32はワイヤボンダであり、接続すべきボ
ンド部とクレセント部の位置座標を外部より入力してい
る。31は中央処理装置であり、被検物1の良否を判定
し、ワイヤボンダ32のデータを修正している。33は
外部入力装置である。
【0024】一般にボール部はその形成の際に図3に示
すようにキャピラリ5の先端部によって半導体チップ1
の上に押しつけられ、ボール部上面にはリング状の平面
部(又は凹面部)(所謂キャピラリ打痕)ができる。又
クレセント部の形成に当たっても図5に示すようにリー
ド8上にキャピラリ打痕7ができる。
【0025】本実施例では、ボール部とクレセント部に
形成されたキャピラリ打痕を撮像装置15により同時に
同一画面内で撮像するように各要素を設定している。そ
して撮像装置15で得られた画像情報を用いて画像処理
装置により、これらのキャピラリ打痕の中心位置を求め
ている。
【0026】即ちボール測定時においては、ボール部の
位置・外形寸法を測定した後にボール上に形成されたキ
ャピラリ打痕を画像処理によって抽出・解析し、該キャ
ピラリ打痕の中心位置座標を算出することによってボン
ディング時のキャピラリの実際の位置を検出するように
している。
【0027】又同様に、クレセント部の形成に当たって
も図5に示すようにリード8上にキャピラリ打痕7がで
きるため、クレセント部6の測定に際してもクレセント
部の位置・外形寸法を測定した後に、該キャピラリ打痕
7の中心位置座標を画像処理によって抽出・解析して、
該キャピラリ打痕の中心位置座標を算出し、ボンディン
グ時のキャピラリの実際の位置を検出するようにしてい
る。
【0028】このようにボール部とクレセント部のキャ
ピラリ打痕の中心位置座標を画像処理により同時に計測
することによって計測時間の短縮化を図っている。
【0029】本実施例では以上の処理によって得られた
座標と、例えば電極パッド4の中心座標のように本来ボ
ンディングがなされているべき基準座標とのずれ量を算
出し、このずれ量を補正値として、ワイヤボンダに記憶
されているボンディング座標を自動的に補正している。
【0030】次に本実施例の測定の手順を図1及び図7
のフローチャートをもとに説明する。
【0031】はじめに予め記憶済の測定条件を選択(ス
テップST11)した後で被検物である半導体チップ1
の搭載されたリードフレームを搬送装置12上にセット
する(ステップST12)。
【0032】続いて外部入力装置33からの指令又はワ
イヤボンダ32から測定開始の信号が中央処理装置31
に入力されると(ステップST13)、被検物であるワ
イヤボンディング後の半導体チップ1は搬送装置12に
よって検査領域に運ばれ(ステップST21)、固定さ
れる。
【0033】続いてリング照明装置13又は落射照明装
置14によって半導体チップ1上を照射し(ステップS
T22)、撮像装置15を予め設定された位置に移動し
てフォーカスを合わせた後に少なくとも2か所以上の
「位置決めマーク」の画像を取り込み、半導体チップ1
の回転方向をも含む位置決めエラーを補正する。
【0034】更には半導体チップ1上の少なくとも3か
所以上のポイントにおいて、オートフォーカスをかけそ
の時の高さをもとにして3次元方向のチルト成分につい
ても補正を行う(ステップST23)。なおここでは半
導体チップ1を固定した後に照明装置を点灯したが、点
灯のタイミングは画像の取り込みの前であればいつでも
良い。
【0035】次に撮像装置15を検査対象であるボンデ
ィングワイヤの1本目のボール部及びクレセント部が同
一画面内に入るかどうかを中央処理装置31にて判断
し、同一画面内に入るように撮像装置15を移動させ
(ステップST31)、停止位置での画像を取り込む
(ステップST32)。
【0036】このとき撮像装置15の倍率が固定の場合
は同一画面に入り切らない場合が発生するため、2画面
以上に分割して画像を取り込むこととなるが、本実施例
ではズームレンズ等の図示しない倍率変更装置を用いて
画像取り込み装置の撮像可能範囲を変化せしめ、ボール
部及びクレセント部を同一画面内に取り込んでいる。た
だし画像の取り込みにあっては測定する項目によって照
明条件を変化させる必要があるため、上記画像取り込み
位置ごとに1画像のみ取り込むとは限らない。
【0037】以上によって得られた画像を画像処理装置
23を用いて処理し、更に中央処理装置31にて演算処
理を加えて測定を行う。
【0038】まずボール部3に注目して落射照明を受け
た時のボール部を考えると撮像装置には図2と図5に示
されるような画像がワイヤで接続された状態で入力され
る。この画像を画像処理装置23に取り込み、画像の中
から半導体チップ1上の配線パターン等の画像を消し去
り、ボール部3のみを抽出・計測し、更にはステージ制
御装置24からステージの位置座標を呼び出し、該ボー
ル部3の位置座標を中央処理装置31によって算出する
(ステップST33)。
【0039】ここでボール部3の成形時の状態について
説明すると、前述したようにボール部3はその形成の際
に図3に示すようにキャピラリ5の先端部によって半導
体チップ1の上に押しつけられ、ボール部3の上面には
リング状の平面部(又は凹面部)ができる。
【0040】従ってボール部3に対する照明を落射照明
のみとした場合、又は照明光の垂直成分を強くした場
合、該平面部からの反射光によって図4に示すようにリ
ング状の明部9が現れる。この画像を再び画像処理装置
23内に取り込んでリング部9のみをボール部3と同様
にして抽出・計測し中心座標を算出する(ステップST
34)。
【0041】図5にクレセント部6の取り込み画像を示
すが、クレセント部6においても前記のボール部3と同
様に、キャピラリ打痕7が形成されているため、クレセ
ント部6に対する照明を落射照明のみとした場合、リン
グ状の明部が画像内に現れる。この画像を取り込んだ上
でリング部のみをボール部3と同様にして抽出・計測
し、その中心座標をボール部3と並列あるいは同時処理
にて算出する(ステップST33)。
【0042】更にステップST32においてボール部3
及びクレセント部6が同一画面内に入っているというこ
とは、とりもなおさずワイヤ部もすべて同一画面内に入
っていることを意味する。ワイヤ部の測定項目及び測定
方法については例えば特開平5−18722号公報等に
測定方法が記載されているためここでは省略するが、本
実施例によればワイヤ部にあっても撮像装置を移動させ
ることなく、照明条件のみを変更(ステップST35)
したうえでワイヤ部の画像を取り込み、画像処理装置2
3及び中央処理装置31による処理のみによって測定を
実行(ステップST36)している。
【0043】以上に説明したステップST31〜ST3
6は半導体チップ1のすべての検査対象ワイヤについて
自動的に繰り返され、得られた測定結果は予め中央処理
装置31内に設定されている基準値と比較されて良否判
定が行われる(ステップST41)。
【0044】一般的に1枚のリードフレーム上には複数
の半導体チップが搭載されているので、次に半導体チッ
プを測定する必要がある場合はステップST21〜ST
41までの一連の処理を繰り返すこととなる。
【0045】然る後に中央処理装置31は該半導体チッ
プ1のワイヤボンディング加工を行ったワイヤボンダ3
2から該ワイヤボンダ1に記憶されているボンディング
座標を、通信手段34を介して入力する。このボンディ
ング座標に対しステップST41において計算されたず
れ量を補正量として演算し、この補正後の値を新しいボ
ンディング座標として、ワイヤボンダに通信手段34を
介して転送し、記憶させ(ステップST51)、次回の
ワイヤボンディングに備える。
【0046】最後に検査を終了したリードフレームを搬
送装置12によって検査領域から排出し(ステップST
52)、全ての処理を終了する。
【0047】このように本実施例ではボール部とクレセ
ント部の計測を同時に行い、計測時間の短縮化を図って
いる。
【0048】尚、本実施例においては次のような手順の
一部変更が可能である。
【0049】(2−1)ボール部の計測とクレセント部
の計測を個々に行い、ボール部の計測結果とクレセント
部の計測結果を各々画像処理装置にメモリした後にこれ
らのキャピラリの中心座標をソフトウエアによって算出
するようにしても良い。
【0050】(2−2)実施例1では、撮像装置15に
よって得られた画像には検査対象であるボール部,クレ
セント部そしてワイヤ部は1本のみが存在している場合
について説明したが、一般的には隣接するボール部,ク
レセント部そしてワイヤ部が同一画面内に捕らえられる
場合が多い。
【0051】従って図7のステップST31において撮
像装置15の位置を決定する場合、検査対象であるボー
ル部,クレセント部そしてワイヤ部の座標を中央処理装
置31内で全て確認した上で同一画面内に捕らえられる
ボール部,クレセント部そしてワイヤ数が最大になるよ
うな座標を算出し、撮像装置15の位置を決定する。
【0052】更にこのようにして得られた画像内のボー
ル部,クレセント部そしてワイヤ部に対する測定は画像
処理装置23での処理を並列化するようにしても良い。
これによれば高速化・効率化を測ることが可能となる。
【0053】(2−3)図7のステップST34・ST
35では図4及び図5におけるボール3上又はリードフ
レーム8上に形成されたキャピラリ打痕7の形状をリン
グ状であると記載したが、ワイヤボンダのボンディング
条件の設定によってはリングが1/4〜1/2程度、部
分的に形成されない、又は認識できない場合が生じる。
【0054】このような場合、前もってキャピラリの径
を中央処理装置31又は画像処理装置23に登録してお
くことによって取り込んだ画像の中から該キャピラリ径
に該当する円形状の図形を選択し、その図形の中心座標
を求めるといったアルゴリズムを併用しても良い。これ
によれば精度を向上させることができる。
【0055】
【発明の効果】本発明によれば以上のように各要素を設
定することにより、ワイヤボンディング後の半導体チッ
プの外観検査を作業者に頼ることなく自動的及び高速に
且つ連続的に高精度に行うことができるワイヤボンディ
ング検査方法及びワイヤボンディング検査装置を達成す
ることができる。
【0056】特に、本発明によればワイヤボンディング
後の半導体チップの外観検査を自動的高速で且つ連続的
に行うことができ、目視検査に見られるような個人差が
発生しないと共にボール及びクレセントの位置もキャピ
ラリセンタ座標によって管理されるために基準値からの
ずれ量がそのままワイヤボンダのボンディング座標の補
正値として使用できるという効果がある。
【0057】更にワイヤボンダの座標補正も自動的に行
われることから作業者の手に頼ることなく常に良好な状
態でボンディングを続行することが可能となる等の効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のワイヤボンディング検査装置の実
施例1の要部概略図
【図2】 従来の測定におけるボール部取り込み画像
の説明図
【図3】 ボール部形成時の断面図
【図4】 本発明におけるボール部取り込み画像の説
明図
【図5】 クレセント部測定時の取り込み画像の説明
【図6】 従来例のワイヤボンディング検査装置の要
部概略図
【図7】 本発明に係る測定手順フローチャート
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 ワイヤ 3 ボール 4 電極パッド 5 キャピラリ 6 クレセント 7 キャピラリ打痕 8 リード 9 リング状明部 11 XYZステージ 12 搬送装置 13 リング照明 14 落射照明 15 撮像装置 21 搬送制御装置 22 照明制御装置 23 画像処理装置 24 ステージ制御装置 31 中央処理装置 32 ワイヤボンダ 33 外部入力装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平島 浩文 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 小林 正基 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 中津井 久 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地 キ ヤノン株式会社小杉事業所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 搬送装置によりワイヤボンディング後の
    半導体チップを所定位置に搬送固定し、該半導体チップ
    を照明手段からの光束で照明し、該半導体チップの画像
    情報を位置調整可能なステージに設けた撮像装置より得
    て、該画像情報より画像処理装置で該半導体チップのフ
    ァーストボンド部及びセカンドボンド部の検査をする
    際、該撮像装置によりボール部及びクレセント部に形成
    されたキャピラリ打痕を同時に撮像し、該画像処理装置
    は該撮像装置で得られた画像情報より、これらのキャピ
    ラリ打痕の中心位置を測定し、これよりワイヤボンディ
    ング後のワイヤの形状、位置ずれを検出していることを
    特徴とするワイヤボンディング検査方法。
  2. 【請求項2】 中央処理装置により前記画像処理装置に
    よって得たボール部及びクレセント部側のキャピラリ打
    痕の中心位置座標と該ワイヤボンダに記憶したボンディ
    ング座標とのずれ量を算出して該ワイヤボンダに記憶し
    たボンディング座標を自動修正していることを特徴とす
    る請求項1のワイヤボンディング検査方法。
  3. 【請求項3】 ワイヤボンディング後の半導体チップを
    搬送固定する搬送装置、該半導体チップを照明する照明
    装置、該半導体チップの画像情報を得る為にXYZ方向
    に移動可能で該半導体チップのファーストボンド部及び
    セカンドボンド部におけるボール部及びクレセント部に
    形成されたキャピラリ打痕を同時に撮像する撮像装置、
    該撮像装置で得た画像情報より、これらのキャピラリ打
    痕の位置、寸法情報よりその中心位置を求める画像処理
    装置、そしてワイヤボンドに記憶されたボンディング座
    標と該画像処理装置で得られたキャピラリ打痕の中心位
    置座標とのずれ量を算出し、該ワイヤボンダに記憶した
    ボンディング座標を自動修正する中央処理装置とを用い
    てボンディング後のワイヤの形状、位置ずれを自動測定
    していることを特徴とするワイヤボンディング検査装
    置。
JP6014895A 1994-01-13 1994-01-13 ワイヤボンディング検査方法及びワイヤボンディング検査装置 Pending JPH07208951A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6014895A JPH07208951A (ja) 1994-01-13 1994-01-13 ワイヤボンディング検査方法及びワイヤボンディング検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6014895A JPH07208951A (ja) 1994-01-13 1994-01-13 ワイヤボンディング検査方法及びワイヤボンディング検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07208951A true JPH07208951A (ja) 1995-08-11

Family

ID=11873735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6014895A Pending JPH07208951A (ja) 1994-01-13 1994-01-13 ワイヤボンディング検査方法及びワイヤボンディング検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07208951A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5394246A (en) Bonding wire inspection apparatus and method
JP5421763B2 (ja) 検査装置および検査方法
TWI655406B (zh) 接合裝置以及被攝體的高度檢測方法
JPH04233245A (ja) 半導体チップと導体リード・フレームの検査及び位置合せのためのシステム及び方法
US7899239B2 (en) Inspection method of bonded status of ball in wire bonding
KR101962888B1 (ko) 와이어 본딩 장치 및 와이어 본딩 방법
US5396334A (en) Bonding wire inspection apparatus
US5347362A (en) Bonding wire inspection method
KR102641333B1 (ko) 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US5365341A (en) Bonding wire inspection apparatus
JP3019005B2 (ja) Lsiハンドラ
JPH03218407A (ja) 形状測定装置、形状測定方法、および形状測定装置の校正方法
KR20200099062A (ko) 도전성 볼 검사 리페어 장치
US5870489A (en) Ball detection method and apparatus for wire-bonded parts
JP3008745B2 (ja) ワイヤボンディング検査方法及びワイヤボンディング検査装置
JPH07208951A (ja) ワイヤボンディング検査方法及びワイヤボンディング検査装置
TW202232051A (zh) 疊合焊線之迴路高度測量
JPH07208952A (ja) ワイヤボンディング検査方法及びワイヤボンディング検査装置
JP2018152375A (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JPH08128816A (ja) リード検査方法
JPH06174441A (ja) 形状検査方法及び装置
JPH036842A (ja) テープボンディングにおけるリードとバンプの位置検出方法
JPH10112469A (ja) ワイヤボンディング検査装置
JP2000011173A (ja) 画像認識方法および画像認識装置
US7375809B2 (en) Alignment routine for optically based tools