JPH07202744A - 局部発振回路 - Google Patents
局部発振回路Info
- Publication number
- JPH07202744A JPH07202744A JP33533793A JP33533793A JPH07202744A JP H07202744 A JPH07202744 A JP H07202744A JP 33533793 A JP33533793 A JP 33533793A JP 33533793 A JP33533793 A JP 33533793A JP H07202744 A JPH07202744 A JP H07202744A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aft
- resonance
- circuit
- resonance frequency
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】簡易な構成で、共振周波数が高い部分でも理想
的なＡＦＴ特性が得られる局部発振回路を提供すること
にある。。 【構成】結合用コンデンサ６と第２の可変容量ダイオー
ド５の間に直列に補正用インダクタンス７を接続してな
ることを特徴とする。
的なＡＦＴ特性が得られる局部発振回路を提供すること
にある。。 【構成】結合用コンデンサ６と第２の可変容量ダイオー
ド５の間に直列に補正用インダクタンス７を接続してな
ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子チューナーのＵＨ
Ｆの局部発振回路に関し、特に、同調回路に可変容量ダ
イオードを用いた局部発振回路に関する。
Ｆの局部発振回路に関し、特に、同調回路に可変容量ダ
イオードを用いた局部発振回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、局部発振回路には発振用能動素
子の出力容量変化（電源電圧変動及び周囲温度変化）の
影響を受けにくいλ／２共振回路が用いられる。図４及
び図５はそれぞれ、λ／４共振回路及びλ／２共振回路
の基本回路図である。
子の出力容量変化（電源電圧変動及び周囲温度変化）の
影響を受けにくいλ／２共振回路が用いられる。図４及
び図５はそれぞれ、λ／４共振回路及びλ／２共振回路
の基本回路図である。
【０００３】図４及び図５において、２０は可変コンデ
ンサー、２１は共振コイル、２２は終端コンデンサーで
ある。
ンサー、２１は共振コイル、２２は終端コンデンサーで
ある。
【０００４】図６は、図４及び図５の回路を基本とす
る、局部発振回路に用いられるλ／２共振回路の回路図
である。図６において、１は波長短縮用の終端コンデン
サー、２は共振コイル、３は共振周波数を変化させるた
めの可変容量で、ここではバリキャップダイオードを使
用しておりダイオードのカソード側に加える電圧を変化
させることにより共振周波数を変化させることができ
る。４は上記の第１の可変容量ダイオード３（以下、単
にダイオード３と記す）と並列に接続されるコンデンサ
ーで、共振周波数の変化範囲を補正するためのものであ
る。
る、局部発振回路に用いられるλ／２共振回路の回路図
である。図６において、１は波長短縮用の終端コンデン
サー、２は共振コイル、３は共振周波数を変化させるた
めの可変容量で、ここではバリキャップダイオードを使
用しておりダイオードのカソード側に加える電圧を変化
させることにより共振周波数を変化させることができ
る。４は上記の第１の可変容量ダイオード３（以下、単
にダイオード３と記す）と並列に接続されるコンデンサ
ーで、共振周波数の変化範囲を補正するためのものであ
る。
【０００５】ところで、この共振周波数が電源電圧や周
囲温度の変動に伴って変化した場合にはその変化分を補
正する必要があり、そのために設けられているのが、一
般にＡＦＴ回路と呼ばれるものである。図７は前記ＡＦ
Ｔ回路付き能動局部発振回路に用いられる共振回路図で
ある。図７において、５は共振周波数の変動を補正する
ための第２の可変容量ダイオード（以下、単にダイオー
ド５と記す）で、バリキャップダイオードを用いてい
る。６はダイオード６との結合容量でＡＦＴ可変範囲を
補正するためのものである。
囲温度の変動に伴って変化した場合にはその変化分を補
正する必要があり、そのために設けられているのが、一
般にＡＦＴ回路と呼ばれるものである。図７は前記ＡＦ
Ｔ回路付き能動局部発振回路に用いられる共振回路図で
ある。図７において、５は共振周波数の変動を補正する
ための第２の可変容量ダイオード（以下、単にダイオー
ド５と記す）で、バリキャップダイオードを用いてい
る。６はダイオード６との結合容量でＡＦＴ可変範囲を
補正するためのものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図７のλ／
２共振回路の共振周波数は下記のように表される。
２共振回路の共振周波数は下記のように表される。
【０００７】
【数１】
【０００８】
【数２】
【０００９】ここで、Ｌ1は図７における共振コイル２
のインダクタンス、ＣVは同調用ダイオード３の容量、
ＣPは補正用コンデンサー４の容量、ＣS’は終端コンデ
ンサー１の容量ＣS及び結合用コンデンサー６の容量ＣC
とＡＦＴ用ダイオード５の容量Ｃｆの合成容量を表す。
のインダクタンス、ＣVは同調用ダイオード３の容量、
ＣPは補正用コンデンサー４の容量、ＣS’は終端コンデ
ンサー１の容量ＣS及び結合用コンデンサー６の容量ＣC
とＡＦＴ用ダイオード５の容量Ｃｆの合成容量を表す。
【００１０】また、（１）式をＣS’で微分すると
（３）式のようになる。
（３）式のようになる。
【００１１】
【数３】
【００１２】従って、（３）式よりＣS’の変化に伴う
共振周波数ｆ0の変化量｜ｄｆ0／ｄＣS’｜はＣVが大き
い時、即ち共振周波数が低い時に大きく、ＣVが小さい
時、即ち共振周波数が高い時に小さいことが解る。
共振周波数ｆ0の変化量｜ｄｆ0／ｄＣS’｜はＣVが大き
い時、即ち共振周波数が低い時に大きく、ＣVが小さい
時、即ち共振周波数が高い時に小さいことが解る。
【００１３】ここでＣS’は前述のように終端コンデン
サー１、結合用コンデンサー６及びＡＦＴ用ダイオード
５の合成容量であるから、ＡＦＴ用ダイオード５の容量
が変化すればＣS’の容量も変化することになる。つま
り、Ｃｆの変化に伴う共振周波数ｆ0の変化量は共振周
波数が低い時に大きく、共振周波数が高い時に小さくな
るため、共振周波数に対するＡＦＴ変化量は図８に点線
で示すような特性になる。
サー１、結合用コンデンサー６及びＡＦＴ用ダイオード
５の合成容量であるから、ＡＦＴ用ダイオード５の容量
が変化すればＣS’の容量も変化することになる。つま
り、Ｃｆの変化に伴う共振周波数ｆ0の変化量は共振周
波数が低い時に大きく、共振周波数が高い時に小さくな
るため、共振周波数に対するＡＦＴ変化量は図８に点線
で示すような特性になる。
【００１４】従って、共振周波数が高い部分でのＡＦＴ
変化量を確保するために、結合用コンデンサー６の容量
を大きく設定するわけであるが、この時共振周波数が低
い部分でのＡＦＴ変化量が必要以上に大きくなるため
に、結合用コンデンサー６の容量を妥協設定する以外に
なく、全周波数域にわたって理想的なＡＦＴ特性を得る
ことができなかった。
変化量を確保するために、結合用コンデンサー６の容量
を大きく設定するわけであるが、この時共振周波数が低
い部分でのＡＦＴ変化量が必要以上に大きくなるため
に、結合用コンデンサー６の容量を妥協設定する以外に
なく、全周波数域にわたって理想的なＡＦＴ特性を得る
ことができなかった。
【００１５】そこで、本発明の目的は、簡易な構成で、
共振周波数が高い部分でも理想的なＡＦＴ特性が得られ
る局部発振回路を提供することにある。
共振周波数が高い部分でも理想的なＡＦＴ特性が得られ
る局部発振回路を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、同調用コイルの一端を第１の可変容量ダイ
オードを介して接地し、他の一端を、終端コンデンサー
を介して接地するとともに直列接続される結合用コンデ
ンサーと第２の可変容量ダイオードとを介して接地する
同調回路を有する局部発振回路において、前記結合用コ
ンデンサーと前記第２の可変容量ダイオードとの間に直
列に補正用インダクタンスを接続してなることを特徴と
する。
に本発明は、同調用コイルの一端を第１の可変容量ダイ
オードを介して接地し、他の一端を、終端コンデンサー
を介して接地するとともに直列接続される結合用コンデ
ンサーと第２の可変容量ダイオードとを介して接地する
同調回路を有する局部発振回路において、前記結合用コ
ンデンサーと前記第２の可変容量ダイオードとの間に直
列に補正用インダクタンスを接続してなることを特徴と
する。
【００１７】
【作用】上記構成をとることにより、終端コンデンサー
の合成容量ＣS’は、共振回路の共振周波数ｆ0が低くな
るほど小さくなり、高くなるほど大きくなる特性を持つ
ことになる。一方では、Ｃｓ’の変化がｆ0に与える影
響はｆ0が低いほど大きくなり、ｆ0が高いほど小さくな
る特性も持っているため、共振周波数ｆ0に対するＡＦ
Ｔ変化量は高周波数領域においても従来のように低下す
ることなく理想的な特性を得ることができる。
の合成容量ＣS’は、共振回路の共振周波数ｆ0が低くな
るほど小さくなり、高くなるほど大きくなる特性を持つ
ことになる。一方では、Ｃｓ’の変化がｆ0に与える影
響はｆ0が低いほど大きくなり、ｆ0が高いほど小さくな
る特性も持っているため、共振周波数ｆ0に対するＡＦ
Ｔ変化量は高周波数領域においても従来のように低下す
ることなく理想的な特性を得ることができる。
【００１８】
【実施例】本発明の一実施例について図１を参照して説
明する。図１は、本実施例によるＡＦＴ付きのλ／２共
振回路の回路図である。なお、図７に示す従来例と同一
機能部分には同一記号を付している。
明する。図１は、本実施例によるＡＦＴ付きのλ／２共
振回路の回路図である。なお、図７に示す従来例と同一
機能部分には同一記号を付している。
【００１９】ここでは、結合用コンデンサー６、ＡＦＴ
特性補正用コイル７、ＡＦＴ用ダイオード５は直列共振
回路を構成しており、等価的に図７に示すような直列共
振回路として考えることができ、その共振周波数ｆ0’
は（４）式で表される。
特性補正用コイル７、ＡＦＴ用ダイオード５は直列共振
回路を構成しており、等価的に図７に示すような直列共
振回路として考えることができ、その共振周波数ｆ0’
は（４）式で表される。
【００２０】
【数４】
【００２１】
【数５】
【００２２】ここで、Ｌ2はＡＦＴ特性補正用コイル７
のインダクタンス、ＣCfは結合用コンデンサー６の容量
ＣCとＡＦＴ用ダイオード５の容量Ｃｆの合成容量であ
る。
のインダクタンス、ＣCfは結合用コンデンサー６の容量
ＣCとＡＦＴ用ダイオード５の容量Ｃｆの合成容量であ
る。
【００２３】ところで、図２に示すような直列共振回路
（コイル１０及びコンデンサー１１）のリアクタンスＸ
LCは（６）式で表され、その特性は図３のようになる。
（コイル１０及びコンデンサー１１）のリアクタンスＸ
LCは（６）式で表され、その特性は図３のようになる。
【００２４】
【数６】
【００２５】従って、結合用コンデンサー６とＡＦＴ用
ダイオード５及びＡＦＴ特性補正用コイル７で構成され
る共振回路はその共振周波数より高い周波数ではインダ
クタンス性として作用し、また、その共振周波数より低
い周波数では容量性として作用する。
ダイオード５及びＡＦＴ特性補正用コイル７で構成され
る共振回路はその共振周波数より高い周波数ではインダ
クタンス性として作用し、また、その共振周波数より低
い周波数では容量性として作用する。
【００２６】図１における共振回路の共振周波数ｆ0と
図２における直列共振回路の共振周波数ｆ0’の関係は
ｆ0＜ｆ0’であるから、図２における直列共振回路は容
量性として作用することになり、その容量は（７）式で
表され、ｆ0が低くなるほどＣｃｆ’は小さくなること
がわかる。
図２における直列共振回路の共振周波数ｆ0’の関係は
ｆ0＜ｆ0’であるから、図２における直列共振回路は容
量性として作用することになり、その容量は（７）式で
表され、ｆ0が低くなるほどＣｃｆ’は小さくなること
がわかる。
【００２７】
【数７】
【００２８】図１において終端コンデンサーの合成容量
Ｃｓ’はＣS’＝ＣS＋ＣCｆ’となるので、共振回路の
共振周波数ｆ0が低くなるほど小さくなり、高くなるほ
ど大きくなる特性を持つことになる。一方では、Ｃｓ’
の変化がｆ0に与える影響はｆ0が低いほど大きくなり、
ｆ0が高いほど小さくなる特性も持っているため、共振
周波数ｆ0に対するＡＦＴ変化量は図８の実線で示すよ
うな特性になる。
Ｃｓ’はＣS’＝ＣS＋ＣCｆ’となるので、共振回路の
共振周波数ｆ0が低くなるほど小さくなり、高くなるほ
ど大きくなる特性を持つことになる。一方では、Ｃｓ’
の変化がｆ0に与える影響はｆ0が低いほど大きくなり、
ｆ0が高いほど小さくなる特性も持っているため、共振
周波数ｆ0に対するＡＦＴ変化量は図８の実線で示すよ
うな特性になる。
【００２９】また、ｆ0’は極めて高い周波数であるた
め、ＡＦＴ特性補正用コイルＬ2のインダクタンスは基
板上のパターンによって構成できる。
め、ＡＦＴ特性補正用コイルＬ2のインダクタンスは基
板上のパターンによって構成できる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、極
めて簡易な構成で、共振周波数が高い部分においても理
想的なＡＦＴ特性が得られる高信頼性の局部発振回路を
提供できる。
めて簡易な構成で、共振周波数が高い部分においても理
想的なＡＦＴ特性が得られる高信頼性の局部発振回路を
提供できる。
【図１】本発明の一実施例によるλ／２共振回路の回路
図である。
図である。
【図２】図１の実施例の作用を説明するための直列共振
回路の回路図である。
回路の回路図である。
【図３】図２の回路の特性図である。
【図４】λ／４共振回路の基本回路の回路図である。
【図５】λ／２共振回路の基本回路の回路図である。
【図６】従来例によるλ／２共振回路の回路図である。
【図７】従来例によるＡＦＴ回路付きλ／２共振回路の
回路図である。
回路図である。
【図８】従来例及び本発明による共振周波数に対するＡ
ＦＴ特性を示した特性図である。
ＦＴ特性を示した特性図である。
１ 終端コンデンサー ３ 第１の可変容量ダイオード ５ 第２の可変容量ダイオード ６ 結合用コンデンサー ７ 補正用インダクタンス
Claims (1)
- 【請求項１】 同調用コイルの一端を第１の可変容量ダ
イオードを介して接地し、他の一端を、終端コンデンサ
ーを介して接地するとともに直列接続される結合用コン
デンサーと第２の可変容量ダイオードとを介して接地す
る同調回路を有する局部発振回路において、 前記結合用コンデンサーと前記第２の可変容量ダイオー
ドとの間に直列に補正用インダクタンスを接続してなる
ことを特徴とする局部発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33533793A JPH07202744A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 局部発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33533793A JPH07202744A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 局部発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202744A true JPH07202744A (ja) | 1995-08-04 |
Family
ID=18287389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33533793A Pending JPH07202744A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 局部発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07202744A (ja) |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33533793A patent/JPH07202744A/ja active Pending
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