JPH07202347A - 半導体レーザーのダイボンディング方法及びダイボンデ ィング装置 - Google Patents
半導体レーザーのダイボンディング方法及びダイボンデ ィング装置Info
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- JPH07202347A JPH07202347A JP5355501A JP35550193A JPH07202347A JP H07202347 A JPH07202347 A JP H07202347A JP 5355501 A JP5355501 A JP 5355501A JP 35550193 A JP35550193 A JP 35550193A JP H07202347 A JPH07202347 A JP H07202347A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】半導体レーザのダイボンディング工程に於て、
発光方向にばらつきのない半導体レーザを効率良く製造
する。 【構成】レーザーチップを通電させて、発光させ、それ
をＦＦＰカメラとＮＦＰカメラで計測し、その誤差に基
づいてレーザーチップを載置した中間ステージで位置補
正した後、ステムのポストに効率良くダイボンディング
する。上記ダイボンディング方法を実行し、さらにステ
ムの供給・収納機構１９，３５、レーザーチップの供給
３２及びダイボンディング機構、放熱用中間チップ２３
のダイボンディング機構２５と加熱第２０により構成さ
れるダイボンディング装置。
発光方向にばらつきのない半導体レーザを効率良く製造
する。 【構成】レーザーチップを通電させて、発光させ、それ
をＦＦＰカメラとＮＦＰカメラで計測し、その誤差に基
づいてレーザーチップを載置した中間ステージで位置補
正した後、ステムのポストに効率良くダイボンディング
する。上記ダイボンディング方法を実行し、さらにステ
ムの供給・収納機構１９，３５、レーザーチップの供給
３２及びダイボンディング機構、放熱用中間チップ２３
のダイボンディング機構２５と加熱第２０により構成さ
れるダイボンディング装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザーのダイボ
ンディング方法及びそのダイボンディング装置に関する
ものである。
ンディング方法及びそのダイボンディング装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図９に示すようにステム１７のポスト２
６先端に固着した放熱用中間チップ２３上にレーザーチ
ップ１を固着して成る半導体レーザーは、その発光方
向、すなわち、ステムのポスト２６の中心線３６に対す
る発光角度θが、数度の誤差範囲内に入っている必要が
ある。さらに、図１０に示すように、ステム１７の基準
面３７からレーザーチップ１の発光面までの距離Ａも数
１０μｍの誤差範囲内に入っている必要がある。また、
図１１に示すように、放熱用中間チップ２３の先端から
レーザーチップ１の発光面までの距離Ｂも〜２０μｍの
誤差範囲内にする必要がある。これはレーザー光が放熱
用中間チップ２３上面で乱反射させない為である。
６先端に固着した放熱用中間チップ２３上にレーザーチ
ップ１を固着して成る半導体レーザーは、その発光方
向、すなわち、ステムのポスト２６の中心線３６に対す
る発光角度θが、数度の誤差範囲内に入っている必要が
ある。さらに、図１０に示すように、ステム１７の基準
面３７からレーザーチップ１の発光面までの距離Ａも数
１０μｍの誤差範囲内に入っている必要がある。また、
図１１に示すように、放熱用中間チップ２３の先端から
レーザーチップ１の発光面までの距離Ｂも〜２０μｍの
誤差範囲内にする必要がある。これはレーザー光が放熱
用中間チップ２３上面で乱反射させない為である。
【０００３】このようにレーザーチップ１をステム１７
に対して一定の誤差範囲内でダイポンディングするに
は、従来、次のような方法が採られていた。
に対して一定の誤差範囲内でダイポンディングするに
は、従来、次のような方法が採られていた。
【０００４】先ず、放熱用中間チップ２３にレーザーチ
ップ１を作業者判断による外形基準で位置決めしてダイ
ボンディングする。次に、レーザーチップ１搭載済の放
熱用中間チップ２３をステムのポスト２６に、再度外形
基準でボンディングをする方法で、図１２に示すよう
に、放熱用中間チップ２３の位置決めは、ステムのポス
ト２６の中心線３６とレーザーチップ１の中心線３８と
を顕微鏡視野３９内のヘアライン４０で合わせた後、放
熱用中間チップ２３をステムのポスト２６にダイボンデ
ィングする。そして、レーザーチップのダイボンディン
グ及びワイヤーボンディングが終了した後、レーザーチ
ップからの発光方向が一定の誤差範囲内にあるか否かを
計測・評価していた。
ップ１を作業者判断による外形基準で位置決めしてダイ
ボンディングする。次に、レーザーチップ１搭載済の放
熱用中間チップ２３をステムのポスト２６に、再度外形
基準でボンディングをする方法で、図１２に示すよう
に、放熱用中間チップ２３の位置決めは、ステムのポス
ト２６の中心線３６とレーザーチップ１の中心線３８と
を顕微鏡視野３９内のヘアライン４０で合わせた後、放
熱用中間チップ２３をステムのポスト２６にダイボンデ
ィングする。そして、レーザーチップのダイボンディン
グ及びワイヤーボンディングが終了した後、レーザーチ
ップからの発光方向が一定の誤差範囲内にあるか否かを
計測・評価していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この方法で
はすべてのボンディングを完了した後に、発光方向を計
測・評価する為、発光方向が一定の誤差範囲を超えてい
る場合には位置修正を行なうのは不可能であり、ステム
ごと不良品として廃棄せざるを得なかった。その為半導
体レーザーのコストが高騰するという問題点があった。
はすべてのボンディングを完了した後に、発光方向を計
測・評価する為、発光方向が一定の誤差範囲を超えてい
る場合には位置修正を行なうのは不可能であり、ステム
ごと不良品として廃棄せざるを得なかった。その為半導
体レーザーのコストが高騰するという問題点があった。
【０００６】また、この従来のダイポンディン方法で
は、ステップのポスト２６の長さの誤差と、放熱用中間
チップ２３に対するレーザーチップ１の位置決めの誤差
と、レーザーチップ１の外形に対する発光線の中心線の
ずれと垂直度の誤差等が累積する為、発光方向の精度を
高めることは極めて困難であった。
は、ステップのポスト２６の長さの誤差と、放熱用中間
チップ２３に対するレーザーチップ１の位置決めの誤差
と、レーザーチップ１の外形に対する発光線の中心線の
ずれと垂直度の誤差等が累積する為、発光方向の精度を
高めることは極めて困難であった。
【０００７】本発明はこのような問題点を無くし、正確
な位置決め・ダイボンディングが可能なダイボンディン
グ方法及び装置を提供するものである。
な位置決め・ダイボンディングが可能なダイボンディン
グ方法及び装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を
解決する為に、ステムのポスト上に直接または、放熱用
中間チップを搭載した後にレーザーチップをダイボンデ
ィングする際、その直前の中間ステージ上にレーザーチ
ップを置き、レーザーチップを発光させて、その発光方
向すなわちＺ方向と，Ｘ方向はＮＦＰ観測用センサー
で、θ方向はＦＦＰ観測用センサーで各々計測を行な
い、発光方向を補正したのちレーザーチップを吸着・搬
送してダイポンディングする方法である。
解決する為に、ステムのポスト上に直接または、放熱用
中間チップを搭載した後にレーザーチップをダイボンデ
ィングする際、その直前の中間ステージ上にレーザーチ
ップを置き、レーザーチップを発光させて、その発光方
向すなわちＺ方向と，Ｘ方向はＮＦＰ観測用センサー
で、θ方向はＦＦＰ観測用センサーで各々計測を行な
い、発光方向を補正したのちレーザーチップを吸着・搬
送してダイポンディングする方法である。
【０００９】また、本発明のダイボンディグ装置は、レ
ーザーチップを保持してステムのポスト上又は放熱用中
間チップの上に供給するレーザーチップ供給機構と、ス
テムと加熱台間を搬送する、ステム供給・収納機構と、
レーザーチップを供給する直前でレーザーチップを載置
し、位置調整可能な中間ステージと、この中間ステージ
上でレーザーチップに通電して、このレーザーチップを
発光させるレーザー発光手段と、発光方向の計測手段
と、計測値に基づいて、前記中間ステージに位置調整の
指令を与える制御手段と、前記ステムのポストを保持
し、加熱して、レーザーチップをダイボンディグする、
レーザーチップダイボンディング機構と、放熱用中間チ
ップをポスト上にダイポンディングする中間チップダイ
ボンディング機構とを備えている。
ーザーチップを保持してステムのポスト上又は放熱用中
間チップの上に供給するレーザーチップ供給機構と、ス
テムと加熱台間を搬送する、ステム供給・収納機構と、
レーザーチップを供給する直前でレーザーチップを載置
し、位置調整可能な中間ステージと、この中間ステージ
上でレーザーチップに通電して、このレーザーチップを
発光させるレーザー発光手段と、発光方向の計測手段
と、計測値に基づいて、前記中間ステージに位置調整の
指令を与える制御手段と、前記ステムのポストを保持
し、加熱して、レーザーチップをダイボンディグする、
レーザーチップダイボンディング機構と、放熱用中間チ
ップをポスト上にダイポンディングする中間チップダイ
ボンディング機構とを備えている。
【００１０】
【作用】本発明の方法によれば、レーザーチップをダイ
ボンディングする前に、発光方向を計測して、その計測
値に基づいてレーザーチップの位置を補正する為、レー
ザーチップの外形基準により生じる誤差や、レーザーチ
ップの外形に対する発光線の中心線のずれや垂直度の誤
差により、一定の誤差範囲を超えることが無くなるの
で、発光方向にばらつきのない半導体レーザーを効率良
く得ることができる。また、本発明の装置によれば、レ
ーザーチップに通電して発光させるとともに、計測手段
によって発光方向を計測し、一定の誤差範囲を超えてい
る場合には、中間ステージでレーザーチップの位置調整
を行なって、発光方向が一定の誤差範囲内になったら、
レーザーチップ供給機構でレーザーチップを吸着・搬送
してダイボンディングする。
ボンディングする前に、発光方向を計測して、その計測
値に基づいてレーザーチップの位置を補正する為、レー
ザーチップの外形基準により生じる誤差や、レーザーチ
ップの外形に対する発光線の中心線のずれや垂直度の誤
差により、一定の誤差範囲を超えることが無くなるの
で、発光方向にばらつきのない半導体レーザーを効率良
く得ることができる。また、本発明の装置によれば、レ
ーザーチップに通電して発光させるとともに、計測手段
によって発光方向を計測し、一定の誤差範囲を超えてい
る場合には、中間ステージでレーザーチップの位置調整
を行なって、発光方向が一定の誤差範囲内になったら、
レーザーチップ供給機構でレーザーチップを吸着・搬送
してダイボンディングする。
【００１１】本装置における中間ステージは、発光基準
での誤差演算分解能に追従させるべく、Ｘ，Ｙ，θ共パ
ルスモータ又はサーボモータを用いて、さらにこれをマ
イクロステッパーで分解能を上げた６軸テーブルを構成
することにより、従来の数１０μｍの位置精度に対し
０．１μｍ単位のＸ，Ｚ精度と０．１°単位のθ精度が
実現可能となる。上記テーブルは市販の装置構成で安易
に具備できる。従って簡単な構成の装置で適正な半導体
レーザーを効率的に製造することが可能となる。
での誤差演算分解能に追従させるべく、Ｘ，Ｙ，θ共パ
ルスモータ又はサーボモータを用いて、さらにこれをマ
イクロステッパーで分解能を上げた６軸テーブルを構成
することにより、従来の数１０μｍの位置精度に対し
０．１μｍ単位のＸ，Ｚ精度と０．１°単位のθ精度が
実現可能となる。上記テーブルは市販の装置構成で安易
に具備できる。従って簡単な構成の装置で適正な半導体
レーザーを効率的に製造することが可能となる。
【００１２】
【実施例】次に本発明１について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１３】図１は本発明のダイボンディング方法にお
いて、レーザーチップ１を中間ステージ６上で発光させ
て、その発光方向を計測し、レーザーチップ１の位置を
補正する方法を実現する位置決め装置のブロック図であ
る。この位置決め装置は発光方向計測部と位置調整制御
部１１と中間ステージ６を備えている。図２にこの装置
の位置調整の各動作説明図を、図３、図４にフローチャ
ートを示す。なお、図４は図３中のステップ５以降の詳
細なフローチャートである。発光方向計測部はＦＦＰ計
測用カメラ１０（以下ＦＦＰカメラと記す）、ＮＦＰ計
測用カメラ１４（以下ＮＦＰカメラと記す）、パワーモ
ニタ１６で構成されている。位置調整制御部１１は画像
処理装置１１ａ、パーソナルコンピュータ１１ｂ、モニ
ターＴＶ１１ｃから成る。パーソナルコンピュータはこ
の位置決め装置全体の動作を制御する。
いて、レーザーチップ１を中間ステージ６上で発光させ
て、その発光方向を計測し、レーザーチップ１の位置を
補正する方法を実現する位置決め装置のブロック図であ
る。この位置決め装置は発光方向計測部と位置調整制御
部１１と中間ステージ６を備えている。図２にこの装置
の位置調整の各動作説明図を、図３、図４にフローチャ
ートを示す。なお、図４は図３中のステップ５以降の詳
細なフローチャートである。発光方向計測部はＦＦＰ計
測用カメラ１０（以下ＦＦＰカメラと記す）、ＮＦＰ計
測用カメラ１４（以下ＮＦＰカメラと記す）、パワーモ
ニタ１６で構成されている。位置調整制御部１１は画像
処理装置１１ａ、パーソナルコンピュータ１１ｂ、モニ
ターＴＶ１１ｃから成る。パーソナルコンピュータはこ
の位置決め装置全体の動作を制御する。
【００１４】レーザーチップ１は、Ｘテーブル，Ｙテー
ブル，Ｚテーブル，θテーブルを有する６軸のテーブル
２及びこの６軸テーブル２をＸ軸方向に移動する一軸テ
ーブル３と、レーザーチップを発光させるプローブ５を
備えて構成される中間ステージ６の上に、粗く位置補正
された状態で、載置される。中間ステージ前方にはＦＦ
Ｐ（遠視野像）カメラ（撮像管を用いた）１０、パワー
モニタ１６、ＮＦＰ（近視野像）カメラ（撮像管を用い
た）１４が並列して配置してある。ＮＦＰカメラ１４は
高倍率カメラ１４ａと低倍率カメラ１４ｂを備えてい
る。パワーモニタ１６はフォトダイオード１６ａとパワ
ーメータ１６ｂから構成されている。ＦＦＰ、ＮＦＰカ
メラ、パワーモニタからの各出力は位置調整制御部１１
に入力される。
ブル，Ｚテーブル，θテーブルを有する６軸のテーブル
２及びこの６軸テーブル２をＸ軸方向に移動する一軸テ
ーブル３と、レーザーチップを発光させるプローブ５を
備えて構成される中間ステージ６の上に、粗く位置補正
された状態で、載置される。中間ステージ前方にはＦＦ
Ｐ（遠視野像）カメラ（撮像管を用いた）１０、パワー
モニタ１６、ＮＦＰ（近視野像）カメラ（撮像管を用い
た）１４が並列して配置してある。ＮＦＰカメラ１４は
高倍率カメラ１４ａと低倍率カメラ１４ｂを備えてい
る。パワーモニタ１６はフォトダイオード１６ａとパワ
ーメータ１６ｂから構成されている。ＦＦＰ、ＮＦＰカ
メラ、パワーモニタからの各出力は位置調整制御部１１
に入力される。
【００１５】発光電源７とプローブ５によって、レーザ
ーチップ１が通電されるとレーザーチップからレーザー
光８が発せられる。このレーザー光８をフォトダイオー
ド１６ａで受光し、パワーメータ１６ｂで計測し、レー
ザーチップの出力が一定になるよう位置調整制御部１１
を介して電源を制御する（ＡＰＣ制御）。この制御はＦ
ＦＰカメラの信号を位置調整制御部１１で積分処理し、
この値を電源にフィードパックしてもよい。次いで位置
調整制御部からの制御信号によりパルスモータドライバ
１２を介して一軸テーブル３を駆動し、レーザーチップ
１をＦＦＰカメラ１０の前に移動する。ＦＦＰカメラ１
０で得られたレーザー光の信号は位置調整制御部に遅ら
れ処理される。
ーチップ１が通電されるとレーザーチップからレーザー
光８が発せられる。このレーザー光８をフォトダイオー
ド１６ａで受光し、パワーメータ１６ｂで計測し、レー
ザーチップの出力が一定になるよう位置調整制御部１１
を介して電源を制御する（ＡＰＣ制御）。この制御はＦ
ＦＰカメラの信号を位置調整制御部１１で積分処理し、
この値を電源にフィードパックしてもよい。次いで位置
調整制御部からの制御信号によりパルスモータドライバ
１２を介して一軸テーブル３を駆動し、レーザーチップ
１をＦＦＰカメラ１０の前に移動する。ＦＦＰカメラ１
０で得られたレーザー光の信号は位置調整制御部に遅ら
れ処理される。
【００１６】画像処理装置はＦＦＰ観測用カメラからの
信号からレーザー光のθ方向のズレを演算し、結果をパ
ーソナルコンピュータ１１ｂに出力する。パーソナルコ
ンピュータ１１ｂは画像処理装置で処理された計測値に
基づいて、中間ステージの角度移動補正量Δθを演算
し、中間ステージ６のθテーブルの角度位置補正指令を
パルスモータドライバ１２に与える。この角度補正（Δ
θ補正）は、図２（ａ）に示すように、光強度波形のピ
ーク値と基準線とが一致するようθテーブルを動かせば
よい。角度補正終了後、発光計測部の指令に基づいて一
軸テーブル３を駆動して６軸テーブル２をＮＦＰ観測用
カメラ１４の前方に移動し、Ｚ方向（ステムの上面基準
（作業時はステムを横倒しているのが水平（前後）方向
すなわちＹ方向である。））とＸ方向（ステム周囲基
準）の誤差を計測する。
信号からレーザー光のθ方向のズレを演算し、結果をパ
ーソナルコンピュータ１１ｂに出力する。パーソナルコ
ンピュータ１１ｂは画像処理装置で処理された計測値に
基づいて、中間ステージの角度移動補正量Δθを演算
し、中間ステージ６のθテーブルの角度位置補正指令を
パルスモータドライバ１２に与える。この角度補正（Δ
θ補正）は、図２（ａ）に示すように、光強度波形のピ
ーク値と基準線とが一致するようθテーブルを動かせば
よい。角度補正終了後、発光計測部の指令に基づいて一
軸テーブル３を駆動して６軸テーブル２をＮＦＰ観測用
カメラ１４の前方に移動し、Ｚ方向（ステムの上面基準
（作業時はステムを横倒しているのが水平（前後）方向
すなわちＹ方向である。））とＸ方向（ステム周囲基
準）の誤差を計測する。
【００１７】このＺ及びＸ方向も同様に、画像処理装置
１１ａで計測され、パーソナルコンピュータ１１ｂで演
算補正されて、中間ステージ６のＹテーブルとＸテーブ
ルの位置補正指令がパルスモータドライバ１２に与え
る。Ｚ方向の補正は、図２（ｂ）に示すように、Ｙテー
ブルを走査し、その間の各ポイントでの光強度波形をサ
ンプリングする。その中で光強度が最も大きいポイント
を探し、そこにレーザーチップの位置を合せる。Ｘ方向
の補正は、図２（ｃ）に示すように、光強度波形のピー
ク値と基準線とが一致するようＸテーブルを動かして行
われる。これで、一定の誤差範囲内に入ったレーザーチ
ップ１を吸着・搬送してダイボンディングをする（図５
に示す）。
１１ａで計測され、パーソナルコンピュータ１１ｂで演
算補正されて、中間ステージ６のＹテーブルとＸテーブ
ルの位置補正指令がパルスモータドライバ１２に与え
る。Ｚ方向の補正は、図２（ｂ）に示すように、Ｙテー
ブルを走査し、その間の各ポイントでの光強度波形をサ
ンプリングする。その中で光強度が最も大きいポイント
を探し、そこにレーザーチップの位置を合せる。Ｘ方向
の補正は、図２（ｃ）に示すように、光強度波形のピー
ク値と基準線とが一致するようＸテーブルを動かして行
われる。これで、一定の誤差範囲内に入ったレーザーチ
ップ１を吸着・搬送してダイボンディングをする（図５
に示す）。
【００１８】なお、発光計測部の画像処理装置は浜松ホ
トニクス社製の発光パターン計測装置（型名ＬＥＰＳ−
１００）を使用しているので、その構造の詳細は省略す
る。
トニクス社製の発光パターン計測装置（型名ＬＥＰＳ−
１００）を使用しているので、その構造の詳細は省略す
る。
【００１９】次に本発明のダイボンディング装置につい
て図面を参照して説明する。図５に本発明の実施例を示
す、ダイボンディング装置のブロック図を、図６に動作
のフローチャートを、また図７，図８に動作を説明する
ための図を示す。
て図面を参照して説明する。図５に本発明の実施例を示
す、ダイボンディング装置のブロック図を、図６に動作
のフローチャートを、また図７，図８に動作を説明する
ための図を示す。
【００２０】ステム１７は、ステムトレー１８から供給
アーム１９によって、加熱台２０の第一ステージ２１迄
供給される。本実施例では加熱台２０はインデックステ
ーブルとなっており順次次工程に送り込まれていく方式
を採っているが、これを単一ステージで作業を集中させ
ても構わない。次にステム１７は第２ステージ２２に送
り込まれる。ここでは放熱用中間チップ２３が、チップ
用リング２４から放熱用中間チップ供給アーム２５によ
って、ステムのポスト２６上迄供給されて、図７に示す
ように、加熱アーム２７によって加熱され、ダイボンデ
ィングされる。放熱用中間チップ２３は認識装置２８に
よって位置補正されている。次にステム１７は第３ステ
ージ２９に送り込まれる。ここではレーザーチップ１は
認識装置３０によって検出されてレーザーチップトレー
３１からレーザーチップ供給アーム３２によって、中間
ステージ６迄供給されて、図１で示した位置決め装置に
よってレーザー発光方向を計測し、レーザーチップの位
置補正を行った後、再度レーザーチップ供給アーム３２
でレーザーチップ１を吸着し、ステムのポスト２６上に
ダイボンディングされた放熱用中間チップ２３上迄搬送
する。次に図８に示すように、放熱用中間チップ２３に
レーザーチップ１を密着させた状態で、加熱アーム３３
をステムのポスト２６に当て、加熱しダイボンディング
される。次にステム１７は第４ステージ３４に送り込ま
れて徐冷された後、ステム収納アーム３５によって、再
びステムトレー１８に収納される。
アーム１９によって、加熱台２０の第一ステージ２１迄
供給される。本実施例では加熱台２０はインデックステ
ーブルとなっており順次次工程に送り込まれていく方式
を採っているが、これを単一ステージで作業を集中させ
ても構わない。次にステム１７は第２ステージ２２に送
り込まれる。ここでは放熱用中間チップ２３が、チップ
用リング２４から放熱用中間チップ供給アーム２５によ
って、ステムのポスト２６上迄供給されて、図７に示す
ように、加熱アーム２７によって加熱され、ダイボンデ
ィングされる。放熱用中間チップ２３は認識装置２８に
よって位置補正されている。次にステム１７は第３ステ
ージ２９に送り込まれる。ここではレーザーチップ１は
認識装置３０によって検出されてレーザーチップトレー
３１からレーザーチップ供給アーム３２によって、中間
ステージ６迄供給されて、図１で示した位置決め装置に
よってレーザー発光方向を計測し、レーザーチップの位
置補正を行った後、再度レーザーチップ供給アーム３２
でレーザーチップ１を吸着し、ステムのポスト２６上に
ダイボンディングされた放熱用中間チップ２３上迄搬送
する。次に図８に示すように、放熱用中間チップ２３に
レーザーチップ１を密着させた状態で、加熱アーム３３
をステムのポスト２６に当て、加熱しダイボンディング
される。次にステム１７は第４ステージ３４に送り込ま
れて徐冷された後、ステム収納アーム３５によって、再
びステムトレー１８に収納される。
【００２１】なお、この実施例のレーザーチップ認識装
置３０、認識装置２８（レーザーチップ認識装置と同じ
もの）、各供給アーム１９、２５、３２、３５等を備え
たマウンタ部（図１の位置決め装置を除外した部分）は
ＮＥＣ機械製のＣＰＳマウンタ（商品名）を使用してお
り、既存の装置であるのでその構造の詳細は省略する。
置３０、認識装置２８（レーザーチップ認識装置と同じ
もの）、各供給アーム１９、２５、３２、３５等を備え
たマウンタ部（図１の位置決め装置を除外した部分）は
ＮＥＣ機械製のＣＰＳマウンタ（商品名）を使用してお
り、既存の装置であるのでその構造の詳細は省略する。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体レー
ザーのダイボンディング方法及びダイボンディング装置
によれば、レーザーチップをダイボンディングする前
に、発光方向を計測してレーザーチップの位置を補正す
る為、発光方向にばらつきのない半導体レーザーを効率
良く得ることができる。
ザーのダイボンディング方法及びダイボンディング装置
によれば、レーザーチップをダイボンディングする前
に、発光方向を計測してレーザーチップの位置を補正す
る為、発光方向にばらつきのない半導体レーザーを効率
良く得ることができる。
【００２３】又、本発明の装置によれば、レーザーチッ
プに通電して発光させるとともに、計測手段によって発
光方向を計測し、一定の誤差範囲を超えている場合に
は、中間ステージでレーザーチップの位置調整を行なっ
て、発光方向が一定の誤差範囲内になったら、レーザー
チップ供給機構でレーザーチップを吸着・搬送してダイ
ボンディングする。
プに通電して発光させるとともに、計測手段によって発
光方向を計測し、一定の誤差範囲を超えている場合に
は、中間ステージでレーザーチップの位置調整を行なっ
て、発光方向が一定の誤差範囲内になったら、レーザー
チップ供給機構でレーザーチップを吸着・搬送してダイ
ボンディングする。
【００２４】従って簡単な構成の装置で適正な半導体レ
ーザーを効率的に歩留よく製造することが可能となると
いう効果を有する。
ーザーを効率的に歩留よく製造することが可能となると
いう効果を有する。
【００２５】又、０．１μｍ単位のＸ，Ｚ軸精度と０．
１°単位のθ軸精度が実現可能となる。
１°単位のθ軸精度が実現可能となる。
【図１】本発明のダイボンディング方法を実現するため
に、発光方向を計測し、レーザーチップの位置決めを行
う装置のブロック図。
に、発光方向を計測し、レーザーチップの位置決めを行
う装置のブロック図。
【図２】本発明のダイボンディング装置におけるレーザ
ーチップの位置決め動作を説明するための図。
ーチップの位置決め動作を説明するための図。
【図３】図１の装置の動作を示すフローチャート。
【図４】図３の詳細を示すフローチャート。
【図５】本発明のダイボンディング装置の実施例を示す
ブロック図。
ブロック図。
【図６】本発明のダイボンディング装置の動作を示すフ
ローチャート。
ローチャート。
【図７】本発明の装置において、ステムに放熱用中間チ
ップを接着する動作を示す図。
ップを接着する動作を示す図。
【図８】本発明の装置において、レーザーチップをダイ
ボンディングする動作を示す図。
ボンディングする動作を示す図。
【図９】レーザーチップ、ステム、放熱用中間チップの
位置関係を示す平面図。
位置関係を示す平面図。
【図１０】レーザーチップ、ステム、放熱用中間チップ
の位置関係を示す側面図。
の位置関係を示す側面図。
【図１１】レーザーチップ、放熱用中間チップの位置関
係を示す図。
係を示す図。
【図１２】従来のレーザーチップ位置合せ方法を示す
図。
図。
１ レーザーチップ ２ ６軸テーブル ３ Ｘ方向一軸テーブル ５ プローブ ６ 中間ステージ ７ 発光電源 ８ レーザー光 １０ ＦＦＰカメラ １１ 位置調整制御部 １２ ７軸パルスモータドライバ １４ ＮＦＰカメラ １６ パワーモニタ １７ ステム １８ ステムトレー １９ ステム供給アーム ２０ 加熱台 ２１ 第１ステージ ２２ 第２ステージ ２３ 放熱用中間チップ ２４ チップ用リング ２５ 放熱用中間チップ供給アーム ２６ ステムのポスト ２７ 加熱アーム ２８ 認識装置 ２９ 第３ステージ ３０ 認識装置 ３１ レーザーチップトレー ３２ レーザーチップ供給アーム ３３ 位置決め装置 ３４ 第４ステージ ３５ ステム収納アーム ３６ ステムのポストの中心線 ３７ ステムの基準面 ３８ レーザーリップの中心線 ３９ 顕微鏡の視野 ４０ ヘアライン
Claims (2)
- 【請求項１】 ステムのポスト上に直接またはポスト上
の放熱用中間チップ上にレーザーチップをダイボンディ
ングする方法であって、中間ステージ上でレーザーチッ
プを発光させて、その発光方向を計測し、その計測値に
応じてレーザーチップの発光方向を補正した後、レーザ
ーチップを搬送用コレットで吸着・搬送してステムポス
ト上又はステムポスト上の放熱用中間チップ上にダイボ
ンディングすることを特徴とする半導体レーザーのダイ
ボンディング方法。 - 【請求項２】 ステムを保持し、加熱する加熱台と、ス
テムを加熱台迄供給するステム供給機構と、ダイボンデ
ィング済のステムを加熱台から収納するステム収納機構
と、ステムのポストを加熱して放熱用中間チップをポス
ト上に搬送しダイボンディングする中間チップダイボン
ディング機構と、レーザーチップを吸着して、放熱用中
間チップ上に供給するレーザーチップ供給機構と、レー
ザチップ供給の直前でレーザーチップを載置し、位置調
整可能な中間ステージと、この中間ステージ上で、レー
ザーチップに通電して、レーザーチップを発光させるレ
ーザー発光手段と、発光方向の計測手段と、計測値に基
づいて、前記中間ステージに位置調整の指令を与える制
御手段と、ステムのポストを加熱して、レーザーチップ
をダイボンディングする、レーザーチップダイボンディ
ング機構とを備えることを特徴とする半導体レーザーの
ダイボンディング装置。
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP05355501A JP3110236B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 半導体レーザーのダイボンディング方法及びダイボンデ ィング装置 |
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ID=18444323
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|---|---|---|---|
| JP05355501A Expired - Fee Related JP3110236B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 半導体レーザーのダイボンディング方法及びダイボンデ ィング装置 |
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| Country | Link |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7023551B2 (en) * | 2000-07-28 | 2006-04-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method, system and computer program product for assembling an optical module |
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1993
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