JPH07201791A - ポリッシング後のウェーハ表面洗浄方法 - Google Patents
ポリッシング後のウェーハ表面洗浄方法Info
- Publication number
- JPH07201791A JPH07201791A JP33415993A JP33415993A JPH07201791A JP H07201791 A JPH07201791 A JP H07201791A JP 33415993 A JP33415993 A JP 33415993A JP 33415993 A JP33415993 A JP 33415993A JP H07201791 A JPH07201791 A JP H07201791A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- substrate
- polishing
- plasma atmosphere
- wafer surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
込んだ配線等にダメージを与えずに基板表面の残留パー
ティクルを除去する。 【構成】 配線1等が埋め込まれた基板の層間絶縁膜2
表面の凹凸をポリッシングで平坦化する。ポリッシング
後表面にはシリカパーティクル3が残留する。基板5を
O2 プラズマ雰囲気4にさらすと、パーティクル3を除
去できる。パーティクルは基板表面と静電気的な力で結
合している。O2 プラズマ雰囲気にさらすことで電荷が
中和され除去できるものと考えられる。なおO2 プラズ
マ雰囲気4中にCF4 を添加してもよい
Description
に関し、さらに詳しくはポリッシング後のウェーハ表面
に残留するパーティクル除去に関するものである。
や、ドライエッチングでは困難な材料の全面エッチング
などへの利用が注目されている。ポリッシングは通常、
加工液にスラリーを加えたものを用いている。スラリー
には微小なシリカ粒を使用することが多いが、ポリッシ
ング後これがウェーハ表面にパーティクルとして残留す
る。
去するために、従来はブラシを高速で回転させるスクラ
バーか、アンモニアと過酸化水素の混合水溶液などの薬
液を使っていた。しかし、スクラバーによる洗浄では、
スクラッチが基板に入る恐れがある。一方薬液を使った
洗浄では、層間絶縁膜のピンホールを通して薬液が配線
にまで到達し、配線を急激に浸食してしまう。従って長
時間の洗浄はできない。
ウェーハ表面を十分洗浄できず、残留したパーティクル
がその後の製造ラインを汚染してしまうという問題があ
る。
留パーティクルを除去する方法を提供することにある。
をポリッシングすることによって発生した残留パーティ
クルを、酸素プラズマ雰囲気にさらすことで除去するこ
とを特徴とするウェーハ表面の洗浄方法である。微量に
ウェーハ表面をエッチングする目的で酸素プラズマにフ
ロロカーボンを添加することもできる。
置の配線1等が層間絶縁膜2で埋め込まれている。その
表面の凹凸をポリッシングで平坦化する(図1a)。ポ
リッシングしたあと基板表面にはシリカパーティクル3
が残留する(図1b)。この基板5をO2 プラズマ雰囲
気4にさらす(図1c)と、基板から除去できる(図1
d)。パーティクルは基板表面と静電気的な力で結合し
ている。O2 プラズマ雰囲気にさらすことで電荷が中和
され除去できるものと考えられる。
を形成し、そこに溝を掘り、全面に配線となる導体膜1
を形成し(図2a)、ポリッシングして平坦化する。す
るとパーティクル3が残留する(図2b)。そのあとO
2 プラズマ雰囲気4にさらす(図2c)。図1と同様に
パーティクル3が除去できる(図2d)。
中に10%以下のCF4 を添加してもよい。
坦化、埋め込み配線について述べたが、コンタクト、ト
レンチ素子分離など他の用途に広く使うことができる。
を与えずにパーティクルを除去することができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 ウェーハ表面をポリッシングすることに
よって発生した残留パーティクルを、酸素プラズマ雰囲
気にさらすことで除去することを特徴とするウェーハ表
面の洗浄方法。 - 【請求項2】 酸素プラズマにフロロカーボンを添加す
る請求項1に記載の洗浄方法。 - 【請求項3】 フロロカーボンはCF4 である請求項2
に記載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5334159A JP2933481B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ポリッシング後のウェーハ表面洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5334159A JP2933481B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ポリッシング後のウェーハ表面洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07201791A true JPH07201791A (ja) | 1995-08-04 |
JP2933481B2 JP2933481B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=18274205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5334159A Expired - Lifetime JP2933481B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ポリッシング後のウェーハ表面洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2933481B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110211866A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-09-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种等离子体刻蚀方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273524A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Hitachi Ltd | 蛍光ランプの製造方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5334159A patent/JP2933481B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273524A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Hitachi Ltd | 蛍光ランプの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110211866A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-09-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种等离子体刻蚀方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2933481B2 (ja) | 1999-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5690749A (en) | Method for removing sub-micron particles from a semiconductor wafer surface by exposing the wafer surface to clean room adhesive tape material | |
US6350694B1 (en) | Reducing CMP scratch, dishing and erosion by post CMP etch back method for low-k materials | |
TWI396232B (zh) | 半導體裝置之製造方法及半導體製造設備 | |
JP3802507B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0845914A (ja) | 基板を有する半導体ウェーハからレジストを除去する方法及びレジスト除去装置 | |
JPH02100319A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000340531A (ja) | ウエハの化学機械研磨方法およびその装置 | |
US5888124A (en) | Apparatus for polishing and cleaning a wafer | |
US6386212B1 (en) | Method of cleaning mixed material surfaces | |
CN101399199A (zh) | 清洗金属层、形成导电插塞及硅基液晶显示器的方法 | |
JPH0922885A (ja) | 化学的機械研磨後の基板洗浄方法 | |
US6403385B1 (en) | Method of inspecting a semiconductor wafer for defects | |
US6537381B1 (en) | Method for cleaning and treating a semiconductor wafer after chemical mechanical polishing | |
US6635565B2 (en) | Method of cleaning a dual damascene structure | |
KR100471742B1 (ko) | 세정방법및그것을이용한반도체장치의제조방법 | |
EP1145287A1 (en) | Method and apparatus for cleaning a semiconductor wafer | |
JPH07201791A (ja) | ポリッシング後のウェーハ表面洗浄方法 | |
JP2004253775A (ja) | 化学機械的研磨方法 | |
JPH10270403A (ja) | 化学及び物理的な処理を同時に利用するウェーハの洗浄方法 | |
US6573174B2 (en) | Method for reducing surface defects of semiconductor substrates | |
Wang et al. | Effects of underlying films on the chemical-mechanical polishing for shallow trench isolation technology | |
TW309632B (en) | Cleaning method of decreasing mobile ion after chemical mechanical polishing | |
US6183819B1 (en) | Method for processing a poly defect | |
KR100526483B1 (ko) | 반도체 기판의 세정방법 | |
JPH11176777A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970902 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090528 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100528 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110528 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110528 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120528 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120528 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140528 Year of fee payment: 15 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |