JP2933481B2 - ポリッシング後のウェーハ表面洗浄方法 - Google Patents
ポリッシング後のウェーハ表面洗浄方法Info
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- JP2933481B2 JP2933481B2 JP5334159A JP33415993A JP2933481B2 JP 2933481 B2 JP2933481 B2 JP 2933481B2 JP 5334159 A JP5334159 A JP 5334159A JP 33415993 A JP33415993 A JP 33415993A JP 2933481 B2 JP2933481 B2 JP 2933481B2
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- Japan
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- polishing
- wafer surface
- particles
- cleaning method
- wafer
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、さらに詳しくはポリッシング後のウェーハ表面
に残留するパーティクル除去に関するものである。
に関し、さらに詳しくはポリッシング後のウェーハ表面
に残留するパーティクル除去に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ポリッシング技術は層間膜平坦化
や、ドライエッチングでは困難な材料の全面エッチング
などへの利用が注目されている。ポリッシングは通常、
加工液にスラリーを加えたものを用いている。スラリー
には微小なシリカ粒を使用することが多いが、ポリッシ
ング後これがウェーハ表面にパーティクルとして残留す
る。
や、ドライエッチングでは困難な材料の全面エッチング
などへの利用が注目されている。ポリッシングは通常、
加工液にスラリーを加えたものを用いている。スラリー
には微小なシリカ粒を使用することが多いが、ポリッシ
ング後これがウェーハ表面にパーティクルとして残留す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このパーティクルを除
去するために、従来はブラシを高速で回転させるスクラ
バーか、アンモニアと過酸化水素の混合水溶液などの薬
液を使っていた。しかし、スクラバーによる洗浄では、
スクラッチが基板に入る恐れがある。一方薬液を使った
洗浄では、層間絶縁膜のピンホールを通して薬液が配線
にまで到達し、配線を急激に浸食してしまう。従って長
時間の洗浄はできない。
去するために、従来はブラシを高速で回転させるスクラ
バーか、アンモニアと過酸化水素の混合水溶液などの薬
液を使っていた。しかし、スクラバーによる洗浄では、
スクラッチが基板に入る恐れがある。一方薬液を使った
洗浄では、層間絶縁膜のピンホールを通して薬液が配線
にまで到達し、配線を急激に浸食してしまう。従って長
時間の洗浄はできない。
【０００４】このような理由により、ポリッシング後は
ウェーハ表面を十分洗浄できず、残留したパーティクル
がその後の製造ラインを汚染してしまうという問題があ
る。
ウェーハ表面を十分洗浄できず、残留したパーティクル
がその後の製造ラインを汚染してしまうという問題があ
る。
【０００５】本発明の目的は、配線に影響を与えずに残
留パーティクルを除去する方法を提供することにある。
留パーティクルを除去する方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハ表面
をシリカ粒よりなるスラリーを用いてポリッシングする
ことにより発生し、ウェーハ表面と静電気的な力で結合
している残留シリカパーティクルを、酸素プラズマ雰囲
気にさらすことで除去することを特徴とするウェーハ表
面の洗浄方法である。微量にウェーハ表面をエッチング
する目的で酸素プラズマにフロロカーボンを添加するこ
ともできる。
をシリカ粒よりなるスラリーを用いてポリッシングする
ことにより発生し、ウェーハ表面と静電気的な力で結合
している残留シリカパーティクルを、酸素プラズマ雰囲
気にさらすことで除去することを特徴とするウェーハ表
面の洗浄方法である。微量にウェーハ表面をエッチング
する目的で酸素プラズマにフロロカーボンを添加するこ
ともできる。
【０００７】
【実施例】図１を用いて説明する。基板５上に半導体装
置の配線１等が層間絶縁膜２で埋め込まれている。その
表面の凹凸をポリッシングで平坦化する（図１ａ）。ポ
リッシングしたあと基板表面にはシリカパーティクル３
が残留する（図１ｂ）。この基板５をＯ2 プラズマ雰囲
気４にさらす（図１ｃ）と、基板から除去できる（図１
ｄ）。パーティクルは基板表面と静電気的な力で結合し
ているものである。
置の配線１等が層間絶縁膜２で埋め込まれている。その
表面の凹凸をポリッシングで平坦化する（図１ａ）。ポ
リッシングしたあと基板表面にはシリカパーティクル３
が残留する（図１ｂ）。この基板５をＯ2 プラズマ雰囲
気４にさらす（図１ｃ）と、基板から除去できる（図１
ｄ）。パーティクルは基板表面と静電気的な力で結合し
ているものである。
【０００８】図２は別の例を示す。基板５上に絶縁膜２
を形成し、そこに溝を掘り、全面に配線となる導体膜１
を形成し（図２ａ）、ポリッシングして平坦化する。す
るとパーティクル３が残留する（図２ｂ）。そのあとＯ
2 プラズマ雰囲気４にさらす（図２ｃ）。図１と同様に
パーティクル３が除去できる（図２ｄ）。
を形成し、そこに溝を掘り、全面に配線となる導体膜１
を形成し（図２ａ）、ポリッシングして平坦化する。す
るとパーティクル３が残留する（図２ｂ）。そのあとＯ
2 プラズマ雰囲気４にさらす（図２ｃ）。図１と同様に
パーティクル３が除去できる（図２ｄ）。
【０００９】なお図１、２の例でＯ2 プラズマ雰囲気４
中に１０％以下のＣＦ4 を添加してもよい。
中に１０％以下のＣＦ4 を添加してもよい。
【００１０】また図１、２ではそれぞれ層間絶縁膜の平
坦化、埋め込み配線について述べたが、コンタクト、ト
レンチ素子分離など他の用途に広く使うことができる。
坦化、埋め込み配線について述べたが、コンタクト、ト
レンチ素子分離など他の用途に広く使うことができる。
【００１１】
【発明の効果】本発明では、下にある配線等にダメージ
を与えずにパーティクルを除去することができる。
を与えずにパーティクルを除去することができる。
【図１】本発明の実施例を説明する断面図である。
【図２】本発明の実施例を説明する断面図である。
１ 埋め込み部 ２ 層間絶縁膜 ３ パーティクル ４ Ｏ2 プラズマ雰囲気 ５ 基板
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−73524（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−202920（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−266834（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−14535（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】 ウェーハ表面をシリカ粒よりなるスラリ
ーを用いてポリッシングすることにより発生し、ウェー
ハ表面と静電気的な力で結合している残留シリカパーテ
ィクルを、酸素プラズマ雰囲気にさらすことで除去する
ことを特徴とするウェーハ表面の洗浄方法。 - 【請求項２】 酸素プラズマにフロロカーボンを添加す
る請求項１に記載の洗浄方法。 - 【請求項３】 フロロカーボンはＣＦ4 である請求項２
に記載の洗浄方法。 - 【請求項４】 フロロカーボンの添加率が１０％以下で
ある請求項２または３に記載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334159A JP2933481B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ポリッシング後のウェーハ表面洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5334159A JP2933481B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ポリッシング後のウェーハ表面洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201791A JPH07201791A (ja) | 1995-08-04 |
| JP2933481B2 true JP2933481B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=18274205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5334159A Expired - Lifetime JP2933481B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | ポリッシング後のウェーハ表面洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2933481B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110211866A (zh) * | 2019-05-20 | 2019-09-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种等离子体刻蚀方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273524A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Hitachi Ltd | 蛍光ランプの製造方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5334159A patent/JP2933481B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07201791A (ja) | 1995-08-04 |
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