JPH07201535A - 複合型サージ吸収素子及びサージ吸収回路 - Google Patents

複合型サージ吸収素子及びサージ吸収回路

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Publication number
JPH07201535A
JPH07201535A JP6000643A JP64394A JPH07201535A JP H07201535 A JPH07201535 A JP H07201535A JP 6000643 A JP6000643 A JP 6000643A JP 64394 A JP64394 A JP 64394A JP H07201535 A JPH07201535 A JP H07201535A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bidirectional thyristor
surge absorbing
terminal bidirectional
terminal
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP6000643A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Fujioka
一夫 藤岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP6000643A priority Critical patent/JPH07201535A/ja
Publication of JPH07201535A publication Critical patent/JPH07201535A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】2端子双方向性サイリスタはサージ吸収用とし
て有用であるが特性上適用分野が限定されるという問題
点があるため、特性に左右されることなく多種の電源に
採用することができる2端子双方向性サイリスタを提供
する。 【構成】2端子双方向性サイリスタと正特性サーミスタ
を組み合わせ、同一フレーム上に接続する。また、この
素子を樹脂で封止する。また、この素子を電源と被保護
装置との間に2端子双方向性サイリスタを並列に正特性
サーミスタを直列に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、2端子双方向性サイ
リスタによるサージ吸収素子に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子や電子機器等の装置が誘導雷
等によって障害が生じないようにするために装置と電源
間にサージ吸収回路が設けられる。このサージ吸収用に
非直線係数を持つ半導体素子として2端子双方向性サイ
リスタを、低抑制電圧,高サージ耐量の面から採用する
傾向がある。2端子双方向性サイリスタはこのサイリス
タの両電極に掛かる電圧がある電圧以上になると外部回
路で定まる電流を流し両電極に掛かる電圧は小さな値に
低下する。この状態がこのサイリスタの導通状態であ
り、またサイリスタに流れるサージ電流が減少していき
保持電流(2端子双方向性サイリスタを導通状態に維持
するために必要な最小の電流)以下になると阻止状態に
なる。サイリスタは導通状態になるときに電圧が小さな
値に低下するため素子の熱エネルギー上昇が少ないこと
から小型でサージ耐量の大きな素子を作ることができ
る。図3は2端子双方向性サイリスタを電源と被保護装
置の間に被保護装置と並列に接続してなるよく知られた
サージ吸収回路である。図3でサージが侵入すると2端
子双方向性サイリスタが導通して異常電流を流し被保護
装置にサージを侵入させないようにして装置をサージか
ら保護するものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような回路ではサ
ージ消滅後電源の短絡電流が2端子双方向性サイリスタ
の保持電流よりも小さい場合は、2端子双方向性サイリ
スタは阻止状態に戻るが、該短絡電流が保持電流より大
きい場合は続流電流が発生し、2端子双方向性サイリス
タは阻止状態には戻らないという問題がある。また、2
端子双方向性サイリスタが阻止状態に戻らないと装置へ
所定の電流が供給できず装置の動作が不安定になる。こ
のため電流量が、大きい、または一定でない電源に使用
すると上記のような問題が起こることから、例えば電源
容量が固定された通信回路の保護に用いられる程度であ
り適用分野が限定されるという問題点もある。
【0004】また、電流量が大きい電源に使用できるよ
うに、短絡電流よりも2端子双方向性サイリスタの保持
電流を上げる事も考えられるが、それには限界がありま
た、この限界を越えるとスイッチング損失が大きくなり
この損失によりサイリスタが破壊する恐れがあるため適
用できない。本発明の目的は、上述の問題を解決し、保
持電流に左右されることなく多種の電源に採用すること
ができる、サージ吸収素子及びその素子を用いたサージ
吸収回路を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、本発明に
よれば、2端子双方向性サイリスタと正特性サーミスタ
を同一フレーム上に構成することにより解決される。ま
た、これを樹脂封止することはさらに有効である。ま
た、2端子双方向性サイリスタと正特性サーミスタを組
み合わせてサージ吸収素子として装置と電源間に2端子
双方向性サイリスタを装置と並列に、正特性サーミスタ
を直列に接続したサージ吸収回路とすることにより解決
される。
【0006】
【作用】正特性サーミスタは半導体の電気抵抗が温度に
よって著しく変化する現象を利用した感温素子の一つで
あり、正の温度係数を持つため温度が上昇すると抵抗値
も上昇する。2端子双方向性サイリスタと正特性サーミ
スタを組み合わせ前述したようなサージ吸収回路へ接続
するとサージ侵入時に発生する電流により、正特性サー
ミスタが発熱して高抵抗になり、続流電流の流れを2端
子双方向性サイリスタの保持電流よりも少なくして、2
端子双方向性サイリスタを阻止状態にする。よって上述
のように、2端子双方向性サイリスタと正特性サーミス
タを同一フレーム上に接続すると、サージ侵入時に発生
する電流により正特性サーミスタが自己発熱するととも
に、2端子双方向性サイリスタからフレームを介して伝
導熱を受け、正特性サーミスタの抵抗が急激に高くな
り、続流電流を極少に抑え、2端子双方向性サイリスタ
をより速く阻止状態へ回復させる。また、この素子を樹
脂封止することにより、熱が確実に正特性サーミスタに
伝わるため2端子双方向性サイリスタをさらに速く阻止
状態へ回復させることができる。
【0007】
【実施例】図2は本発明の複合型サージ吸収素子を短絡
電流が2端子双方向正サイリスタの保持電流よりも大き
い回路への接続したサージ吸収回路図である。2端子双
方向性サイリスタ1と正特性サーミスタ2を組み合わせ
ると、サージが消滅した後回路の短絡電流がサイリスタ
の保持電流よりも高いため続流電流が発生するが、この
続流電流により正特性サーミスタ2が発熱して高抵抗に
なり、続流電流の流れを2 端子双方向性サイリスタ1の
保持電流よりも少なくするため、2端子双方向性サイリ
スタ1が阻止状態になる。なお、図中,,は図1
に示す,,に対応するものである。 図1は2端
子双方向性サイリスタと正特性サーミスタを同一フレー
ム上に接続したものの実施例の構成図であり、フレーム
3に、2端子双方向性サイリスタ1と、正特性サーミス
タ2を半田付けし、2端子双方向サイリスタ1と、正特
性サーミスタ2から各々外部引き出し線4を配線し、樹
脂で封止したものである。フレーム3は共通端子とし
て、各々の素子が同一フレーム上に接続されている為、
2端子双方向性サイリスタの発熱も正特性サーミスタに
伝導される。また全体を樹脂封止したため熱は確実に正
特性サーミスタに伝わる。よってこれを図2の回路図の
ように接続すると、正特性サーミスタはサージ侵入後に
発生する続流電流により自己発熱し、さらに2端子双方
向性サイリスタからの熱がフレームを介して伝導し、電
気抵抗を増し続流電流を2端子双方向性サイリスタの保
持電流より少なくし、阻止状態に回復させることができ
る。
【0008】
【発明の効果】この発明によれば、2端子双方向性サイ
リスタと正特性サーミスタを組み合わせることにより、
2端子双方向性サイリスタの保持電流に左右されること
なく、また、従来のように機種に限定されることなく多
種の電源に適用できるサージ吸収素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】2端子双方向性サイリスタと正特性サーミスタ
を同一フレーム上に接続した本発明の一実施例の構成図
【図2】本発明の一実施例の回路図
【図3】従来の2端子双方向性サイリスタをサージ吸収
素子として回路に接続した図
【符号の説明】
1 2端子双方向性サイリスタ 2 正特正サーミスタ 3 フレーム 4 外部引き出し線 5 樹脂

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】2端子双方向性サイリスタと正特性サーミ
    スタを同一フレーム上に接続したことを特徴とする複合
    型サージ吸収素子。
  2. 【請求項2】請求項1記載のサージ吸収素子が樹脂によ
    り封止されたことを特徴とする複合型サージ吸収素子。
  3. 【請求項3】保護される装置と電源間に2端子双方向性
    サイリスタを並列に正特性サーミスタを直列に接続した
    ことを特徴とするサージ吸収回路。
JP6000643A 1994-01-10 1994-01-10 複合型サージ吸収素子及びサージ吸収回路 Pending JPH07201535A (ja)

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JP6000643A JPH07201535A (ja) 1994-01-10 1994-01-10 複合型サージ吸収素子及びサージ吸収回路

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JP6000643A JPH07201535A (ja) 1994-01-10 1994-01-10 複合型サージ吸収素子及びサージ吸収回路

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JPH07201535A true JPH07201535A (ja) 1995-08-04

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ID=11479391

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JP6000643A Pending JPH07201535A (ja) 1994-01-10 1994-01-10 複合型サージ吸収素子及びサージ吸収回路

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