JPH07201169A - 半導体メモリ - Google Patents

半導体メモリ

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JPH07201169A
JPH07201169A JP5338199A JP33819993A JPH07201169A JP H07201169 A JPH07201169 A JP H07201169A JP 5338199 A JP5338199 A JP 5338199A JP 33819993 A JP33819993 A JP 33819993A JP H07201169 A JPH07201169 A JP H07201169A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
column
address
signal
circuit
start address
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP5338199A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiji Kitazawa
英二 北沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd filed Critical NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Priority to JP5338199A priority Critical patent/JPH07201169A/ja
Publication of JPH07201169A publication Critical patent/JPH07201169A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】スタート・アドレス転送回路のスタート・タイ
ミングを的確にして、シフト・レジスタの誤選択等を防
止する半導体メモリを実現する。 【構成】本発明の半導体メモリは、カラム・アドレス・
ラッチ信号102を介して外部アドレス信号A0
1 、A2 およびA3 をラッチするカラム・アドレス・
ラッチ回路1と、カラム・アドレス・ラッチ信号102
を入力して、スタート・アドレス転送信号104を出力
するスタート・アドレス転送回路4と、カラム・アドレ
ス・ラッチ回路1より出力される内部アドレス信号10
3を入力とするカラム・デコーダ5と、スタート・アド
レス転送信号104をゲート入力し、デコーダ出力10
5を出力するアドレス転送ゲート6と、アドレス転送ゲ
ート6からのデコーダ出力を入力とするシフト・レジス
タ7とを備えて構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体メモリに関する、
【従来の技術】従来の半導体メモリにおいては、ランダ
ム・アクセス・ポートからシリアル・アクセス・ポート
に対するデータ転送機能としては、2種類の方法が用い
られている。1番目の方法としては、1メモリ上のメモ
リセル・データをデータ保持回路に転送するメモリ・セ
ル・データ転送であり、2番目の方法は、データ転送回
路をシリアルに選択するシフト・レジスタ回路のスター
ト・アドレスを転送するスタート・アドレス・データ転
送である。これらのデータ転送の内、スタート・アドレ
ス・データ転送の場合には、転送されるデータとして
は、カラム・アドレス・ストロープ信号降下時に確定さ
れるカラム・アドレスのデコード信号が使用されてい
る。
【0002】図5は、従来の半導体メモリにおけるアド
レス転送回路の構成を示すブロック図である。図5に示
されるように、本従来例は、外部アドレス信号A0 、A
1 、A2 およびA3 のそれぞれの入力と、カラム・アド
レス・ラッチ信号102の入力に対応して、ラッチ回路
として機能するフリップフロップ2を含むカラム・アド
レス・ラッチ回路1と、カラム・アドレス・ストローブ
信号101を反転して、カラム・アドレス・ラッチ信号
102を出力するインバータ3と、カラム・アドレス・
ストローブ信号101を遅延させて、スタート・アドレ
ス転送信号104を生成して出力する遅延回路14と、
カラム・アドレス・ラッチ回路1より出力される内部ア
ドレス信号103(Y0 、*Y0 、Y1 、*Y1
2 、*Y2、Y3 および*Y3 :*は、レベル反転記
号を示す)を入力とするカラム・デコーダ5と、遅延回
路14より出力されるカラム・アドレス転送信号104
をゲート入力とするアドレス転送ゲート6と、アドレス
転送ゲート6からのデコード出力を入力とするシフト・
レジスタ7とを備えて構成される。また、図6(a)、
(b)、(c)、(d)および(e)は、本従来例にお
ける動作を示すタイミング図である。
【0003】図5および図6において、カラム・アドレ
ス・ストローブ信号101が“L”レベルに低下する
と、インバータ3より出力されるカラム・アドレス・ラ
ッチ信号102は“H”レベルとなり、カラム・アドレ
ス・ラッチ回路1に含まれるフリップフロップ2に入力
される。これにより、それぞれのフリップフロップ2に
入力される外部アドレス信号A0 、A1 、A2 およびA
3 は、カラム・アドレス・ラッチ回路1によりラッチさ
れ、それぞれ内部アドレス信号103(Y0 、*Y0
1 、*Y1 、Y2 、*Y2 、Y3 および*Y3 )とし
て出力されて、カラム・デコーダ5に入力される。この
内部アドレス信号103の入力を受けて、カラム・デコ
ーダ5より出力されるカラム・デコーダ出力105が確
定されるが、このカラム・デコーダ出力105が確定さ
れるタイミングとしては、図6(a)および(d)より
明らかなように、カラム・アドレス・ストローブ信号1
01が“H”レベルから“L”レベルに低下した時点か
ら時間tの経過後において確定される。従って、遅延回
路14より出力されるスタート・アドレス転送信号10
4は、このカラム・デコーダ出力105が確定される時
間tを見込んだ遅延時間を付与されて、“H”レベルの
信号としてアドレス転送ゲート6に入力される。これら
のアドレス転送ゲート6は、それぞれNMOSトランジ
スタにより形成されており、“H”レベルのスタート・
アドレス転送信号104によりゲート制御されて、カラ
ム・デコーダ出力105はシフト・レジスタ7に入力さ
れる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
メモリにおけるスタート・アドレス転送回路において
は、カラム・アドレス・ストローブ信号よりスタート・
アドレス転送信号を生成する手段として、カラム・デコ
ーダ出力が確定される時間を見込んだ遅延時間を付与す
る遅延回路が用いられている。しかしながら、当該カラ
ム・デコーダ出力が確定するタイミングと、前記遅延回
路の遅延時間とは、必らずも連動して変化する訳ではな
く、従って、現実問題としては、スタート・アドレス転
送信号のタイミングが早過ぎて、シフト・レジスタにお
いて誤選択という事態が発生するか、或はまた、スター
ト・アドレス転送信号のタイミングが遅過ぎて、スター
ト・アドレス転送回路としての所定の仕様に適合しない
という欠点がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体メモリ
は、ランダム・アクセス・ポートからシリアル・アクセ
ス・ポートに対して、メモリセル・データおよび前記シ
リアル・アクセス・ポートのスタート・アドレスを転送
する機能を有する半導体メモリにおいて、所定の複数の
外部アドレス信号を入力し、所定のカラム・アドレス・
ラッチ信号を介して当該外部アドレス信号をラッチする
カラム・アドレス・ラッチ回路と、前記カラム・アドレ
ス・ラッチ信号を入力し、所定時間後のタイミングにお
いて、スタート・アドレス転送信号を生成して出力する
スタート・アドレス転送回路と、前記カラム・アドレス
・ラッチ回路より出力される複数の内部アドレス信号を
入力して、複数のカラム・デコーダ出力を出力するカラ
ム・デコーダと、前記複数のカラム・デコーダ出力を入
力し、前記スタート・アドレス転送信号により制御され
て、当該カラム・デコーダ出力を転送出力するアドレス
転送ゲートと、前記アドレス転送ゲートより出力される
カラム・デコーダ出力を入力とするシフト・レジスタ
と、を少なくとも備えて構成され、前記スタート・アド
レス転送回路が、前記カラム・デコーダと同一の時間遅
延特性を有する回路構成により形成され、且つカラム・
アドレス・ラッチ回路に対する前記カラム・アドレス・
ラッチ信号を全入力として動作することを特徴としてい
る。
【0006】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0007】図1は本発明の一実施例におけるアドレス
転送回路の構成を示すブロック図である。図1に示され
るように、本実施例は、外部アドレス信号A0 、A1
2およびA3 のそれぞれの入力と、カラム・アドレス
・ラッチ信号102の入力に対応して、ラッチ回路とし
て機能するフリップフロップ2を含むカラム・アドレス
・ラッチ回路1と、カラム・アドレス・ストローブ信号
101を反転して、カラム・アドレス・ラッチ信号10
2を出力するインバータ3と、カラム・アドレス・ラッ
チ信号102を入力して、スタート・アドレス転送信号
104を生成して出力するスタート・アドレス転送回路
4と、カラム・アドレス・ラッチ回路1より出力される
内部アドレス信号103(Y0 、*Y0 、Y1 、*
1 、Y2 、*Y2 、Y3 および*Y3 )を入力とする
カラム・デコーダ5と、スタート・アドレス転送回路4
より出力されるスタート・アドレス転送信号104をゲ
ート入力とするアドレス転送ゲート6と、アドレス転送
ゲート6からのデコード出力を入力とするシフト・レジ
スタ7とを備えて構成される。
【0008】また、図2(a)はスタート・アドレス転
送回路4の第1の実施例を示し、図2(b)はカラム・
デコーダ5の内部構成を示す図である。図2(a)に示
されるように、第1の実施例のスタート・アドレス転送
回路4は、インバータ8とNAND回路9により構成さ
れており、また、図2(b)に示されるように、カラム
・デコーダ5は、インバータ11およびNAND回路1
0の複数の組合わせにより構成されている。そして、図
3は、スタート・アドレス転送回路4の第2の実施例を
示し、図4(a)、(b)、(c)、(d)および
(e)は、本実施例における動作を示すタイミング図で
ある。
【0009】図1、図2(a)および図2(b)におい
て、カラム・アドレス・ストローブ信号101が“H”
レベルから“L”レベルに低下すると、インバータ3よ
り出力されるカラム・アドレス・ラッチ信号102は
“H”レベルとなり、カラム・アドレス・ラッチ回路1
に含まれるフリップフロップ2に入力される。これによ
り、それぞれのフリップフロップ2に入力される外部ア
ドレス信号A0 、A1 、A2 およびA3 は、アドレス・
ラッチ信号102を介してカラム・アドレス・ラッチ回
路1にラッチされて確定される。また、このカラム・ア
ドレス・ラッチ信号102は、同時にスタート・アドレ
ス転送回路4にも入力されている。この場合に、カラム
・アドレス・ラッチ信号102の動作スピードは、上記
の外部アドレス信号A0 、A1 、A2 およびA3 がラッ
チされる直前において変化した外部アドレス信号に対応
して、カラム・アドレス・ラッチ回路1より出力される
内部アドレス信号103(Y0 、*Y0 、Y1 、*
1 、Y2 、*Y2 、Y3 および*Y3 )と同一スピー
ドであると見なすことができる。
【0010】カラム・アドレス・ラッチ回路1において
ラッチされ、確定されたアドレス信号は、それぞれ内部
アドレス信号103(Y0 、*Y0 、Y1 、*Y1 、Y
2 、*Y2 、Y3 および*Y3 )として出力されて、カ
ラム・デコーダ5に入力される。この内部アドレス信号
103の入力を受けて、カラム・デコーダ5より出力さ
れるカラム・デコーダ出力105が確定されるが、この
カラム・デコーダ出力105が確定されるタイミング
は、図2(a)に示されるスタート・アドレス転送回路
4の内部構成が、図2(b)に示されるカラム・デコー
ダ5における内部回路と同一サイズの同一回路素子を用
いて構成されており、且つ、スタート・アドレス転送信
号104が、内部アドレス信号103(Y0 、*Y0
1 、*Y1 、Y2 、*Y2 、Y3 および*Y3 )と同
一動作スピードで入力されるカラム・アドレス・ラッチ
信号102の入力を介して生成されために、図4
(a)、(d)および(e)に示されるように、当該ス
タート・アドレス転送信号104は、カラム・デコード
出力105と同一タイミングにおいて発生する。従っ
て、スタート・アドレス転送信号104がアドレス転送
ゲート6にゲート入力されるタイミングは、カラム・デ
コード出力105が確定されるタイミング(カラム・ア
ドレス・ストロープ信号101が“L”レベルに低下し
た時点から時間tの経過後)と同一タイミングとなり、
従来例のように、スタート・アドレス転送信号104の
タイミングが早過ぎて、シフト・レジスタ7において誤
選択を発生し、または、スタート・アドレス転送信号1
04のタイミングが遅過ぎて、スタート・アドレス転送
仕様に適合しないという欠点が排除される。これによ
り、スタート・アドレス転送信号104は、常にカラム
・デコーダ出力105が確定される時間tを見込んだ適
切なタイミングにおいて、“H”レベルの信号としてア
ドレス転送ゲート6に入力される。これらのアドレス転
送ゲート6は、それぞれNMOSトランジスタにより形
成されており、“H”レベルのスタート・アドレス転送
信号104によりゲート制御されて、カラム・デコーダ
出力105はシフト・レジスタ7に入力される。
【0011】図3は、前述のように、スタート・アドレ
ス転送回路4の第2の実施例を示す図であり、直列接続
されたインバータ12および13により構成されてい
る。本実施例の、図2(a)に示される第1の実施例と
の相違点は、当該第1の実施例のように、本実施例が、
カラム・デコーダ5の内部構成とは異なる回路素子によ
り構成されていることである。即ち、図2(a)におけ
るNAND回路9がインバータ13に置換えられてい
る。しかしながら、この第2の実施例においては、イン
バータ12および13を含む回路としては、図2(a)
におけるインバータ8およびNAND回路9を含む回路
と同一サイズの同一トランジスタを用いて形成されてお
り、スタート・アドレス転送回路としての時間遅延特製
は等価である。従って、この構成においても、前述の第
1の実施例の場合と同様に、スタート・アドレス転送回
路4からは、カラム・デコーダ5と同一スピードで
“H”レベルのスタート・アドレス転送信号104が生
成出力されて、アドレス転送ゲート6に入力される。ア
ドレス転送ゲート6において、適正タイミングのスター
ト・アドレス転送信号104により制御されて、常時、
カラム・デコーダ出力105が、正常にシフト・レジス
タ7に入力される動作については、第1の実施例の場合
と同様である。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、カラム
・アドレス・ラッチ信号を受けて、カラム・デコーダに
おける動作タイミングと合致するスタート・アドレス転
送信号を生成するスタート・アドレス転送回路を設ける
ことにより、当該スタート・アドレス転送信号の発生タ
イミングの変移に起因する、シフト・レジスタにおける
誤選択の発生、またはスタート・アドレス転送仕様に対
する不適合を排除することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すブロック図である。
【図2】本実施例におけるスタート・アドレス転送回路
の第1の実施例およびカラム・デコーダの実施例を示す
回路図である。
【図3】本実施例におけるスタート・アドレス転送回路
の第2の実施例を示す回路図である。
【図4】上記実施例の動作を示すタイミング図である。
【図5】従来例を示すブロック図である。
【図6】従来例の動作を示すタイミング図である。
【符号の説明】
1 カラム・アドレス・ラッチ回路 2 フリップフロップ 3、8、11〜13 インバータ 4 スタート・アドレス転送回路 5 カラム・デコーダ 6 アドレス転送ゲート 7 シフト・レジスタ 9、10 NAND回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ランダム・アクセス・ポートからシリア
    ル・アクセス・ポートに対して、メモリセル・データお
    よび前記シリアル・アクセス・ポートのスタート・アド
    レスを転送する機能を有する半導体メモリにおいて、 所定の複数の外部アドレス信号を入力し、所定のカラム
    ・アドレス・ラッチ信号を介して当該外部アドレス信号
    をラッチするカラム・アドレス・ラッチ回路と、 前記カラム・アドレス・ラッチ信号を入力し、所定時間
    後のタイミングにおいて、スタート・アドレス転送信号
    を生成して出力するスタート・アドレス転送回路と、 前記カラム・アドレス・ラッチ回路より出力される複数
    の内部アドレス信号を入力して、複数のカラム・デコー
    ダ出力を出力するカラム・デコーダと、 前記複数のカラム・デコーダ出力を入力し、前記スター
    ト・アドレス転送信号により制御されて、当該カラム・
    デコーダ出力を転送出力するアドレス転送ゲートと、 前記アドレス転送ゲートより出力されるカラム・デコー
    ダ出力を入力とするシフト・レジスタと、 を少なくとも備えて構成され、前記スタート・アドレス
    転送回路が、前記カラム・デコーダと同一の時間遅延特
    性を有する回路構成により形成され、且つカラム・アド
    レス・ラッチ回路に対する前記カラム・アドレス・ラッ
    チ信号を全入力として動作することを特徴とする半導体
    メモリ。
JP5338199A 1993-12-28 1993-12-28 半導体メモリ Withdrawn JPH07201169A (ja)

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JP5338199A JPH07201169A (ja) 1993-12-28 1993-12-28 半導体メモリ

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JP5338199A JPH07201169A (ja) 1993-12-28 1993-12-28 半導体メモリ

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Date Code Title Description
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Effective date: 20010306