JPH07192264A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH07192264A JPH07192264A JP33323193A JP33323193A JPH07192264A JP H07192264 A JPH07192264 A JP H07192264A JP 33323193 A JP33323193 A JP 33323193A JP 33323193 A JP33323193 A JP 33323193A JP H07192264 A JPH07192264 A JP H07192264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- magnetic
- layer
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリング法を用いて、非磁性金属下地
層を用いずに、高保磁力と高結晶配向性を兼ね備えた磁
気ディスク用垂直磁気記録媒体を提供することにある。 【構成】 非磁性基板上または非磁性基板上にあらかじ
め軟磁性膜を施したものに、スパッタリング法を用いて
ＣｏＣｒ系合金からなる垂直磁化膜を成膜する垂直磁気
記録媒体の製造方法において、前記基板温度を１００℃
以下の温度範囲に維持した状態でＣｏＣｒ系合金からな
る第１層を５０Åから４００Åの範囲の膜厚に成膜した
後、前記基板温度を第１層の成膜時よりも高温に維持し
た状態で、前記第１層上にＣｏＣｒ系合金からなる第２
層を成膜することを特徴とする。
層を用いずに、高保磁力と高結晶配向性を兼ね備えた磁
気ディスク用垂直磁気記録媒体を提供することにある。 【構成】 非磁性基板上または非磁性基板上にあらかじ
め軟磁性膜を施したものに、スパッタリング法を用いて
ＣｏＣｒ系合金からなる垂直磁化膜を成膜する垂直磁気
記録媒体の製造方法において、前記基板温度を１００℃
以下の温度範囲に維持した状態でＣｏＣｒ系合金からな
る第１層を５０Åから４００Åの範囲の膜厚に成膜した
後、前記基板温度を第１層の成膜時よりも高温に維持し
た状態で、前記第１層上にＣｏＣｒ系合金からなる第２
層を成膜することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置用の垂
直磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
直磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から垂直磁気記録用媒体を製造する
場合、優れた垂直磁気記録特性を得るためには、該磁気
記録膜としては、垂直磁気異方性が高く、六方稠密格子
構造のＣ軸が膜面に垂直に強く配向していることが要求
されている。例えばＣｏＣｒ系垂直磁化膜を成膜する方
法としては、該Ｃｕ−Ｍｏパーマロイ等の軟磁性膜のｆ
ｃｃ（１１１）配向へのＣｏ（００２）のエピタキシャ
ル成長に着目し、（１１１）配向の優れたＣｕ−Ｍｏパ
ーマロイ膜の上にＣｏＣｒ系垂直磁化膜を形成すること
により、該ＣｏＣｒ系垂直磁化膜の垂直磁気異方性を向
上させる方法が知られている（岩崎、大内、本多 昭和
５４年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集）。
場合、優れた垂直磁気記録特性を得るためには、該磁気
記録膜としては、垂直磁気異方性が高く、六方稠密格子
構造のＣ軸が膜面に垂直に強く配向していることが要求
されている。例えばＣｏＣｒ系垂直磁化膜を成膜する方
法としては、該Ｃｕ−Ｍｏパーマロイ等の軟磁性膜のｆ
ｃｃ（１１１）配向へのＣｏ（００２）のエピタキシャ
ル成長に着目し、（１１１）配向の優れたＣｕ−Ｍｏパ
ーマロイ膜の上にＣｏＣｒ系垂直磁化膜を形成すること
により、該ＣｏＣｒ系垂直磁化膜の垂直磁気異方性を向
上させる方法が知られている（岩崎、大内、本多 昭和
５４年度電気関係学会東北支部連合大会講演論文集）。
【０００３】また、非磁性基板上またはあらかじめ軟磁
性膜を施した非磁性基板上に、チタン等の六方稠密格子
構造の金属膜を、室温（１５〜２５℃）でスパッタ法に
よって約５００Å程度の厚さに成膜し、更に該金属膜上
にＣｒが２０原子％程度含有されているＣｏＣｒの垂直
磁化膜をスパッタ法によって約０．１〜１μｍの厚さに
成膜することにより、該ＣｏＣｒ系垂直磁化膜の垂直磁
気異方性を大きく高めることが行われている。あるい
は、前記基板をあらかじめ加熱した状態でチタン等の六
方稠密格子構造の金属層を形成し、しかる後に垂直磁気
記録膜を形成することで、さらに垂直配向性に優れた垂
直磁気記録用媒体が得られることも知られている（特公
平３−３８６５５）。
性膜を施した非磁性基板上に、チタン等の六方稠密格子
構造の金属膜を、室温（１５〜２５℃）でスパッタ法に
よって約５００Å程度の厚さに成膜し、更に該金属膜上
にＣｒが２０原子％程度含有されているＣｏＣｒの垂直
磁化膜をスパッタ法によって約０．１〜１μｍの厚さに
成膜することにより、該ＣｏＣｒ系垂直磁化膜の垂直磁
気異方性を大きく高めることが行われている。あるい
は、前記基板をあらかじめ加熱した状態でチタン等の六
方稠密格子構造の金属層を形成し、しかる後に垂直磁気
記録膜を形成することで、さらに垂直配向性に優れた垂
直磁気記録用媒体が得られることも知られている（特公
平３−３８６５５）。
【０００４】さらに、ＣｏＣｒ系垂直磁化膜をスパッタ
法を用いて成膜する場合、その結晶の垂直配向性は、成
膜時の基板温度が低い程高めることができることが知ら
れている（大内一弘 博士論文 東北大学 昭和５９
年）。
法を用いて成膜する場合、その結晶の垂直配向性は、成
膜時の基板温度が低い程高めることができることが知ら
れている（大内一弘 博士論文 東北大学 昭和５９
年）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｃｕ−
Ｍｏパーマロイ等へＣｏ結晶をエピタキシャル成長させ
る方法は、スパッタリング成膜に伴う様々な外乱要因に
より膜の諸特性が悪影響を受け易く、これを利用して優
れた垂直磁化膜を安定して製造することは容易ではな
い。また、成膜室の予備排気圧は十分低い値であること
が必要であり、少なくとも１０-7ｔｏｒｒ程度まで排気
して、残留している水分、窒素、アルコール等の影響を
可能な限り排除しないと好特性の垂直磁化膜を安定して
得ることは困難である。
Ｍｏパーマロイ等へＣｏ結晶をエピタキシャル成長させ
る方法は、スパッタリング成膜に伴う様々な外乱要因に
より膜の諸特性が悪影響を受け易く、これを利用して優
れた垂直磁化膜を安定して製造することは容易ではな
い。また、成膜室の予備排気圧は十分低い値であること
が必要であり、少なくとも１０-7ｔｏｒｒ程度まで排気
して、残留している水分、窒素、アルコール等の影響を
可能な限り排除しないと好特性の垂直磁化膜を安定して
得ることは困難である。
【０００６】また、特公平３−３８６５５に記載された
方法では、該ＣｏＣｒ系垂直磁化膜の垂直磁気異方性を
高める効果は極めて大きいが、ＣｏＣｒ系垂直磁化膜と
軟磁性膜とのあいだに非磁性層の膜厚に相当するスペー
シングが生じ、記録再生ヘッドと軟磁性膜との磁気的相
互作用が弱まり、また、磁気的鏡面効果によって静的な
磁化状態も減衰されてしまうため、垂直磁気記録用媒体
としての記録再生に悪影響を及ぼすという欠点がある。
方法では、該ＣｏＣｒ系垂直磁化膜の垂直磁気異方性を
高める効果は極めて大きいが、ＣｏＣｒ系垂直磁化膜と
軟磁性膜とのあいだに非磁性層の膜厚に相当するスペー
シングが生じ、記録再生ヘッドと軟磁性膜との磁気的相
互作用が弱まり、また、磁気的鏡面効果によって静的な
磁化状態も減衰されてしまうため、垂直磁気記録用媒体
としての記録再生に悪影響を及ぼすという欠点がある。
【０００７】さらに、基板温度を低く保ちながらＣｏＣ
ｒ系膜を成膜することによって、チタン等の非磁性下地
層なしに結晶配向の優れた垂直磁化膜を成膜することは
できるが、その一方で膜面に垂直な方向の保磁力は基板
温度の低下とともに低くなる事実も知られており、垂直
結晶配向性と垂直保磁力の両特性を良好に兼ね備えた磁
性膜の製造方法についてはこれまで特に知られていな
い。
ｒ系膜を成膜することによって、チタン等の非磁性下地
層なしに結晶配向の優れた垂直磁化膜を成膜することは
できるが、その一方で膜面に垂直な方向の保磁力は基板
温度の低下とともに低くなる事実も知られており、垂直
結晶配向性と垂直保磁力の両特性を良好に兼ね備えた磁
性膜の製造方法についてはこれまで特に知られていな
い。
【０００８】本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
あり、その目的は、スパッタリング法を用いて、非磁性
金属下地層を用いずに、高い垂直結晶配向性と高い垂直
保磁力を兼ね備えた磁気ディスク装置用垂直磁気記録媒
体を提供することにある。
あり、その目的は、スパッタリング法を用いて、非磁性
金属下地層を用いずに、高い垂直結晶配向性と高い垂直
保磁力を兼ね備えた磁気ディスク装置用垂直磁気記録媒
体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の目
的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、非磁性基板、又
は非磁性基板に軟磁性膜を施したものの上に、ＣｏＣｒ
系合金からなる磁性層を基板温度を制御しながら２段階
で成膜することによって、膜面に垂直な方向の保磁力を
損なわず、かつ優れた垂直結晶配向性を持った垂直磁気
記録用媒体を安定して製造することができるとの知見を
得た。
的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、非磁性基板、又
は非磁性基板に軟磁性膜を施したものの上に、ＣｏＣｒ
系合金からなる磁性層を基板温度を制御しながら２段階
で成膜することによって、膜面に垂直な方向の保磁力を
損なわず、かつ優れた垂直結晶配向性を持った垂直磁気
記録用媒体を安定して製造することができるとの知見を
得た。
【００１０】本発明は上記の知見を基に完成されたもの
であり、その要旨は、非磁性基板上または非磁性基板上
にあらかじめ軟磁性膜を施したものに、スパッタリング
法を用いてＣｏＣｒ系合金からなる垂直磁化膜を成膜す
る垂直磁気記録媒体の製造方法において、該基板温度を
１００℃以下の温度範囲に維持した状態でＣｏＣｒ系合
金からなる第１層を５０Åから４００Åの範囲の膜厚に
成膜した後、該基板温度を第１層の成膜時よりも高温に
維持した状態で、該第１層上にＣｏＣｒ系合金からなる
第２層を成膜することを特徴とする垂直磁気記録媒体の
製造方法に存する。
であり、その要旨は、非磁性基板上または非磁性基板上
にあらかじめ軟磁性膜を施したものに、スパッタリング
法を用いてＣｏＣｒ系合金からなる垂直磁化膜を成膜す
る垂直磁気記録媒体の製造方法において、該基板温度を
１００℃以下の温度範囲に維持した状態でＣｏＣｒ系合
金からなる第１層を５０Åから４００Åの範囲の膜厚に
成膜した後、該基板温度を第１層の成膜時よりも高温に
維持した状態で、該第１層上にＣｏＣｒ系合金からなる
第２層を成膜することを特徴とする垂直磁気記録媒体の
製造方法に存する。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。本発明で
は非磁性基板として、ハードディスク媒体用の基板とし
て通常用いられているＮｉＰの無電解めっきを施したＡ
ｌ合金基板、ガラス、セラミックス、炭素、シリコン、
チタン等の基板材料が使用される。また、軟磁性膜とし
ては、ＮｉＦｅ系（パーマロイ）、ＦｅＳｉ系、ＣｏＺ
ｒＮｂ系、ＦｅＣ系、ＦｅＡｌＳｉ系等の合金系、もし
くはこれらの合金に微量の添加元素を加えたものが用い
られる。
は非磁性基板として、ハードディスク媒体用の基板とし
て通常用いられているＮｉＰの無電解めっきを施したＡ
ｌ合金基板、ガラス、セラミックス、炭素、シリコン、
チタン等の基板材料が使用される。また、軟磁性膜とし
ては、ＮｉＦｅ系（パーマロイ）、ＦｅＳｉ系、ＣｏＺ
ｒＮｂ系、ＦｅＣ系、ＦｅＡｌＳｉ系等の合金系、もし
くはこれらの合金に微量の添加元素を加えたものが用い
られる。
【００１２】第１層成膜時の基板温度（以下Ｔｓｌと表
す）については低いほど本発明の効果は大きく、好まし
くは１００℃以下、さらに好ましくは５０℃以下が用い
られる。第２層を成膜する際の基板の加熱方法は、ラン
プヒータ、シースヒータ等による対面加熱、基板背面か
らの加熱等どのような方法であってもよいが、加熱に伴
う放出ガスによる成膜環境劣化の影響が最小限になるよ
うに留意しなければならない。第２層成膜時の基板温度
（以下Ｔｓ２と表す）はＴｓ１以上１０００℃以下の範
囲であり、通常はＴｓ１＋１００℃以上、好ましくはＴ
ｓ１＋１５０℃以上であり、具体的には、例えば１００
℃以上、中でも１５０℃〜８００℃が選択される。Ｔｓ
２が高いほど垂直磁化膜の保磁力は高くなる。従って、
より垂直結晶配向性に優れ、かつ垂直方向の保磁力の大
きい膜を得るにはＴｓ１をできるだけ低く保ち、さらに
Ｔｓ２をできるだけ高く設定すればよい。また、基板温
度の上昇速度の大小の発明の効果に対する影響は小さ
く、Ｔｓ１からＴｓ２まで基板温度を上昇させる速さは
１℃／時間から１００℃／秒までの間のいずれの速さで
もかまわないが、成膜時に基板温度が所定の温度値に安
定していることが重要である。
す）については低いほど本発明の効果は大きく、好まし
くは１００℃以下、さらに好ましくは５０℃以下が用い
られる。第２層を成膜する際の基板の加熱方法は、ラン
プヒータ、シースヒータ等による対面加熱、基板背面か
らの加熱等どのような方法であってもよいが、加熱に伴
う放出ガスによる成膜環境劣化の影響が最小限になるよ
うに留意しなければならない。第２層成膜時の基板温度
（以下Ｔｓ２と表す）はＴｓ１以上１０００℃以下の範
囲であり、通常はＴｓ１＋１００℃以上、好ましくはＴ
ｓ１＋１５０℃以上であり、具体的には、例えば１００
℃以上、中でも１５０℃〜８００℃が選択される。Ｔｓ
２が高いほど垂直磁化膜の保磁力は高くなる。従って、
より垂直結晶配向性に優れ、かつ垂直方向の保磁力の大
きい膜を得るにはＴｓ１をできるだけ低く保ち、さらに
Ｔｓ２をできるだけ高く設定すればよい。また、基板温
度の上昇速度の大小の発明の効果に対する影響は小さ
く、Ｔｓ１からＴｓ２まで基板温度を上昇させる速さは
１℃／時間から１００℃／秒までの間のいずれの速さで
もかまわないが、成膜時に基板温度が所定の温度値に安
定していることが重要である。
【００１３】第１層の膜厚は、５０〜４００Åの範囲で
あり、磁性層の第１層と第２層の膜厚の合計は、１００
Å以上１００００Å以下であればよい。さらに、第１層
と第２層との膜厚比は任意であるが、第１層の膜厚を厚
くすることで、Ｃｏ（００２）面のロッキング曲線の半
値幅（Δθ５０）はより小さくなり、第２層の膜厚を厚
くすることで保磁力がより大きくなる。
あり、磁性層の第１層と第２層の膜厚の合計は、１００
Å以上１００００Å以下であればよい。さらに、第１層
と第２層との膜厚比は任意であるが、第１層の膜厚を厚
くすることで、Ｃｏ（００２）面のロッキング曲線の半
値幅（Δθ５０）はより小さくなり、第２層の膜厚を厚
くすることで保磁力がより大きくなる。
【００１４】第１層と第２層を構成するＣｏＣｒ系合金
は、Ｃｒを１０原子％から２５原子％含むものであり、
第１層と第２層とは組成が異なっていてもよい。また、
いずれかの層もしくは両方の層にタンタル、白金、ホウ
素、チタン、ニオブ等の第３，第４，第５元素を０〜２
０原子％含んでいてもよい。また、成膜のプロセスで不
可避的に混入する酸素、窒素、炭素、水素等の不純物元
素が１原子％未満程度含まれていてもよい。また第１層
はＣｒ含有率が多く飽和磁束密度Ｂｓが小さいほど本発
明の効果は大きくなり、第１層の膜組成においてはＣｒ
含有率が１５原子％以上２５原子％以下が望ましく、２
０原子％以上２５原子％以下がさらに望ましい。
は、Ｃｒを１０原子％から２５原子％含むものであり、
第１層と第２層とは組成が異なっていてもよい。また、
いずれかの層もしくは両方の層にタンタル、白金、ホウ
素、チタン、ニオブ等の第３，第４，第５元素を０〜２
０原子％含んでいてもよい。また、成膜のプロセスで不
可避的に混入する酸素、窒素、炭素、水素等の不純物元
素が１原子％未満程度含まれていてもよい。また第１層
はＣｒ含有率が多く飽和磁束密度Ｂｓが小さいほど本発
明の効果は大きくなり、第１層の膜組成においてはＣｒ
含有率が１５原子％以上２５原子％以下が望ましく、２
０原子％以上２５原子％以下がさらに望ましい。
【００１５】第２層の上には、炭素、酸化珪素（ＳｉＯ
2 ）等を主成分とする保護層が施されていてもよく、ま
た、各種潤滑剤が塗布されていても差し支えない。ま
た、第１層を形成した基板を大気中に露出しても本発明
の効果はあるが、第１層及び第２層を真空中で連続成膜
することが、工業的な磁気ディスクの製造においてはよ
り望ましい。
2 ）等を主成分とする保護層が施されていてもよく、ま
た、各種潤滑剤が塗布されていても差し支えない。ま
た、第１層を形成した基板を大気中に露出しても本発明
の効果はあるが、第１層及び第２層を真空中で連続成膜
することが、工業的な磁気ディスクの製造においてはよ
り望ましい。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を越えない限り以下の実施
例に限定されるものではない。 実施例１〜３及び比較例１，２ 十分に洗浄した硝子基板を真空容器のベルジャーに導入
して該ベルジャー内を１０-6ｔｏｒｒ程度の高真空まで
排気し、該ベルジャー内にスパッタリング用のアルゴン
（Ａｒ）ガスを導入した。次いで、Ｃｒを２２原子％含
むＣｏＣｒ系合金（ＣｏＣｒ22）をターゲットとして用
い、前記基板を固定した基板設置台とターゲットとの間
に高電圧を印加して該Ａｒガスを電離させ、電離したＡ
ｒイオンをＣｏＣｒ22ターゲットの表面に照射させてＣ
ｏＣｒ22金属層を基板上に付着させた（第１層）。この
とき基板は加熱を行わなかった。その後、第１層の付着
した基板をヒーターを用いて摂氏２００℃に加熱して、
引き続きＣｏＣｒ22の膜を成膜した（第２層）。このと
き、第１層の膜厚を０Å、１００Å、２００Å、３００
Å、１０００Åとした５種類の試料を作製した。なお、
第１層と第２層の膜厚の合計はすべて１０００Åとし
た。
するが、本発明は、その要旨を越えない限り以下の実施
例に限定されるものではない。 実施例１〜３及び比較例１，２ 十分に洗浄した硝子基板を真空容器のベルジャーに導入
して該ベルジャー内を１０-6ｔｏｒｒ程度の高真空まで
排気し、該ベルジャー内にスパッタリング用のアルゴン
（Ａｒ）ガスを導入した。次いで、Ｃｒを２２原子％含
むＣｏＣｒ系合金（ＣｏＣｒ22）をターゲットとして用
い、前記基板を固定した基板設置台とターゲットとの間
に高電圧を印加して該Ａｒガスを電離させ、電離したＡ
ｒイオンをＣｏＣｒ22ターゲットの表面に照射させてＣ
ｏＣｒ22金属層を基板上に付着させた（第１層）。この
とき基板は加熱を行わなかった。その後、第１層の付着
した基板をヒーターを用いて摂氏２００℃に加熱して、
引き続きＣｏＣｒ22の膜を成膜した（第２層）。このと
き、第１層の膜厚を０Å、１００Å、２００Å、３００
Å、１０００Åとした５種類の試料を作製した。なお、
第１層と第２層の膜厚の合計はすべて１０００Åとし
た。
【００１７】このようにして成膜したＣｏＣｒ膜の垂直
磁気記録用媒体をＸ線回折装置で測定して、該ＣｏＣｒ
層の結晶構造である六方稠密格子構造の（００２）面に
対応するピークのロッキング曲線を描き、その半値幅で
ある分散角Δθ５０を測定したところ表１のような結果
が得られた。
磁気記録用媒体をＸ線回折装置で測定して、該ＣｏＣｒ
層の結晶構造である六方稠密格子構造の（００２）面に
対応するピークのロッキング曲線を描き、その半値幅で
ある分散角Δθ５０を測定したところ表１のような結果
が得られた。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１に示すように、１０００ÅのＣｏＣｒ
22膜のすべてを基板温度２００℃のもとで連続的に成膜
した場合の、Ｃｏ（００２）のピークのΔθ５０は１
７．５度であったが、膜の一部を基板加熱なしで成膜し
た試料では、いずれも８度から９度程度の小さな値を示
した。ここで、Δθ５０の小さいものほど成膜されるＣ
ｏＣｒ22膜の稠密六方格子構造のＣ軸の基板に対して垂
直方向の配向性が良く、ＣｏＣｒ22膜はこのＣ軸方向に
垂直磁気異方性を持っているので、本発明によって成膜
されたＣｏＣｒ22膜（実施例１〜３）は比較例１に比べ
て、その垂直磁気異方性が大幅に改善されている。ま
た、比較例２より、室温で成膜した第１層のみのΔθ５
０は、２００℃で成膜した第２層のみのΔθ５０より小
さい値となることがわかる。さらに、第１層の膜厚は少
なくとも１００Åあれば効果が表れることが実施例１よ
りわかる。
22膜のすべてを基板温度２００℃のもとで連続的に成膜
した場合の、Ｃｏ（００２）のピークのΔθ５０は１
７．５度であったが、膜の一部を基板加熱なしで成膜し
た試料では、いずれも８度から９度程度の小さな値を示
した。ここで、Δθ５０の小さいものほど成膜されるＣ
ｏＣｒ22膜の稠密六方格子構造のＣ軸の基板に対して垂
直方向の配向性が良く、ＣｏＣｒ22膜はこのＣ軸方向に
垂直磁気異方性を持っているので、本発明によって成膜
されたＣｏＣｒ22膜（実施例１〜３）は比較例１に比べ
て、その垂直磁気異方性が大幅に改善されている。ま
た、比較例２より、室温で成膜した第１層のみのΔθ５
０は、２００℃で成膜した第２層のみのΔθ５０より小
さい値となることがわかる。さらに、第１層の膜厚は少
なくとも１００Åあれば効果が表れることが実施例１よ
りわかる。
【００２０】一方、これと同じ試料の膜面に対して垂直
な方向の保磁力を試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いて
測定した。比較例２に示したように、基板加熱をいっさ
い行わずに１０００ÅのＣｏＣｒ22膜を成膜した場合、
膜面に垂直な方向の保磁力は２３０Ｏｅと小さい値しか
得られないが、実施例１〜３のように膜上部の一部を基
板温度２００℃で成膜した試料では、１０００Åすべて
を基板温度２００℃で成膜した比較例１と同等以上の値
を示した。
な方向の保磁力を試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いて
測定した。比較例２に示したように、基板加熱をいっさ
い行わずに１０００ÅのＣｏＣｒ22膜を成膜した場合、
膜面に垂直な方向の保磁力は２３０Ｏｅと小さい値しか
得られないが、実施例１〜３のように膜上部の一部を基
板温度２００℃で成膜した試料では、１０００Åすべて
を基板温度２００℃で成膜した比較例１と同等以上の値
を示した。
【００２１】
【発明の効果】本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法に
よれば、非磁性金属下地層を用いることなく、膜面に垂
直な方向の保磁力を損なわないままで、ＣｏＣｒ系合金
を主成分とした垂直磁気記録媒体の垂直結晶配向性を高
めることができる。また、軟磁性膜を施した二層型垂直
磁気記録媒体においても、軟磁性膜と記録再生ヘッドと
の磁気的相互作用を弱める事なく、鏡面効果による残留
磁化の減衰を伴うことなく、膜面に垂直な方向の磁気特
性を維持したままで、ＣｏＣｒ系垂直磁化膜の垂直配向
性を高めることができる。したがって、このような垂直
磁気記録媒体を用いて磁気記録装置を形成すれば装置の
記録密度が向上するため、工業的な利用価値が高い。
よれば、非磁性金属下地層を用いることなく、膜面に垂
直な方向の保磁力を損なわないままで、ＣｏＣｒ系合金
を主成分とした垂直磁気記録媒体の垂直結晶配向性を高
めることができる。また、軟磁性膜を施した二層型垂直
磁気記録媒体においても、軟磁性膜と記録再生ヘッドと
の磁気的相互作用を弱める事なく、鏡面効果による残留
磁化の減衰を伴うことなく、膜面に垂直な方向の磁気特
性を維持したままで、ＣｏＣｒ系垂直磁化膜の垂直配向
性を高めることができる。したがって、このような垂直
磁気記録媒体を用いて磁気記録装置を形成すれば装置の
記録密度が向上するため、工業的な利用価値が高い。
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性基板上または非磁性基板上にあら
かじめ軟磁性膜を施したものに、スパッタリング法を用
いてＣｏＣｒ系合金からなる垂直磁化膜を成膜する垂直
磁気記録媒体の製造方法において、該基板温度を１００
℃以下の温度範囲に維持した状態でＣｏＣｒ系合金から
なる第１層を５０Åから４００Åの範囲の膜厚に成膜し
た後、該基板温度を第１層の成膜時よりも高温に維持し
た状態で、該第１層上にＣｏＣｒ系合金からなる第２層
を成膜することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33323193A JPH07192264A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33323193A JPH07192264A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192264A true JPH07192264A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18263793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33323193A Pending JPH07192264A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07192264A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG94853A1 (en) * | 2001-03-12 | 2003-03-18 | Toshiba Kk | Perpendicular magnetic recording medium and a magnetic reproducing apparatus |
| US9127365B2 (en) | 2008-02-16 | 2015-09-08 | HGST Netherlands B.V. | Generation of multilayer structures in a single sputtering module of a multi-station magnetic recording media fabrication tool |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33323193A patent/JPH07192264A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG94853A1 (en) * | 2001-03-12 | 2003-03-18 | Toshiba Kk | Perpendicular magnetic recording medium and a magnetic reproducing apparatus |
| US9127365B2 (en) | 2008-02-16 | 2015-09-08 | HGST Netherlands B.V. | Generation of multilayer structures in a single sputtering module of a multi-station magnetic recording media fabrication tool |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6007623A (en) | Method for making horizontal magnetic recording media having grains of chemically-ordered FePt or CoPt | |
| US6086974A (en) | Horizontal magnetic recording media having grains of chemically-ordered FEPT of COPT | |
| US6013161A (en) | Thin film magnetic alloy having low noise, high coercivity and high squareness | |
| JP2007087575A (ja) | 磁気記録媒体におけるチューニング交換結合 | |
| JP2000187836A (ja) | 磁気薄膜媒体用の超薄核形成層および該層の製造方法 | |
| JPH07334832A (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録装置 | |
| US5976326A (en) | Method of sputtering selected oxides and nitrides for forming magnetic media | |
| JPH0363919A (ja) | 磁気薄膜記録媒体及びその製法 | |
| US5316631A (en) | Method for fabricating a magnetic recording medium | |
| JPH0320444A (ja) | 軟磁性合金膜 | |
| JPH07192264A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0451963B2 (ja) | ||
| USRE38544E1 (en) | Thin film magnetic alloy having low noise, high coercivity and high squareness | |
| JPH08180360A (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録装置 | |
| JP3075712B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0817032A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| EP0187169B1 (en) | Process of manufacturing magnetic recording media and the media | |
| JP2003257013A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US20060024530A1 (en) | Magnetic alloy materials with HCP stabilized microstructure, magnetic recording media comprising same, and fabrication method therefor | |
| JPS6056414B2 (ja) | 磁気記録媒体用Ｃｏ基合金 | |
| TWI719803B (zh) | 高垂直磁異向性之垂直磁性記錄媒體及提升其垂直磁異向性的方法 | |
| JP2005190506A (ja) | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH03265104A (ja) | 軟磁性合金膜 | |
| JPH10233014A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2516064B2 (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 |