JPH07183598A - インピーダンス整合回路 - Google Patents
インピーダンス整合回路Info
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- JPH07183598A JPH07183598A JP5324399A JP32439993A JPH07183598A JP H07183598 A JPH07183598 A JP H07183598A JP 5324399 A JP5324399 A JP 5324399A JP 32439993 A JP32439993 A JP 32439993A JP H07183598 A JPH07183598 A JP H07183598A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装による浮遊容量によって生じるインピー
ダンスの周波数振幅特性を改善すること。 【構成】 交流電源１０の信号入力端子にコンデンサＣ
１が接続され、またコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１が直列接
続され、この抵抗Ｒ１がレーザ素子ＬＤの入力端子に接
続される。抵抗Ｒ１とレーザ素子ＬＤの入力端子との間
には、インダクタンスＬ１の一方の端子が接続される。
インダクタンスＬ１の他方の端子はインダクタンスＬ２
を介して直流電源２０に接続される。抵抗Ｒ２の一方の
端子は、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１との間に接続され、
抵抗Ｒ２の他方の端子はコンデンサＣ２を介して基準電
位に接続される。
ダンスの周波数振幅特性を改善すること。 【構成】 交流電源１０の信号入力端子にコンデンサＣ
１が接続され、またコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１が直列接
続され、この抵抗Ｒ１がレーザ素子ＬＤの入力端子に接
続される。抵抗Ｒ１とレーザ素子ＬＤの入力端子との間
には、インダクタンスＬ１の一方の端子が接続される。
インダクタンスＬ１の他方の端子はインダクタンスＬ２
を介して直流電源２０に接続される。抵抗Ｒ２の一方の
端子は、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１との間に接続され、
抵抗Ｒ２の他方の端子はコンデンサＣ２を介して基準電
位に接続される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、インピーダンス整合回
路に関し、特に、光送信モジュールなどに使用されるレ
ーザ素子の駆動バイアス回路を備えた交流信号のインピ
ーダンス整合回路に関するものである。
路に関し、特に、光送信モジュールなどに使用されるレ
ーザ素子の駆動バイアス回路を備えた交流信号のインピ
ーダンス整合回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来のインピーダンス整合回路
は、一般的には、図５ないし図７に示した回路構成で表
される。尚、図６に図５の回路の等価回路を、また図８
に図７の回路の等価回路を、それぞれ示した。
は、一般的には、図５ないし図７に示した回路構成で表
される。尚、図６に図５の回路の等価回路を、また図８
に図７の回路の等価回路を、それぞれ示した。
【０００３】図５のインピーダンス整合回路（従来例
１）では、レーザ素子（レーザダイオード）ＬＤ、抵抗
Ｒ１、コンデンサＣ１、並びに交流電源１０が直列に接
続されている。そして、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１との
間をＴ型に分岐し、この分岐点にインダクタンスＬ１と
Ｌ２を介して直流電源２０が接続されている。このイン
ピーダンス整合回路では、直流電源２０からレーザ素子
ＬＤ側にインダクタンスＬ２、Ｌ１、抵抗Ｒ１を介して
直流バイアス電流を供給する。この直流電流成分は、コ
ンデンサＣ１で遮断されるため、全てレーザ素子ＬＤに
流れることになる。また信号成分は、交流電源１０から
コンデンサＣ１、抵抗Ｒ１を介してレーザ素子ＬＤに供
給される。ここで、インダクタンスＬ１、Ｌ２は信号周
波数に対して高インピーダンスになる値に選定されてお
り、このため信号成分は殆ど全てがレーザ素子ＬＤに流
れるようになる。
１）では、レーザ素子（レーザダイオード）ＬＤ、抵抗
Ｒ１、コンデンサＣ１、並びに交流電源１０が直列に接
続されている。そして、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１との
間をＴ型に分岐し、この分岐点にインダクタンスＬ１と
Ｌ２を介して直流電源２０が接続されている。このイン
ピーダンス整合回路では、直流電源２０からレーザ素子
ＬＤ側にインダクタンスＬ２、Ｌ１、抵抗Ｒ１を介して
直流バイアス電流を供給する。この直流電流成分は、コ
ンデンサＣ１で遮断されるため、全てレーザ素子ＬＤに
流れることになる。また信号成分は、交流電源１０から
コンデンサＣ１、抵抗Ｒ１を介してレーザ素子ＬＤに供
給される。ここで、インダクタンスＬ１、Ｌ２は信号周
波数に対して高インピーダンスになる値に選定されてお
り、このため信号成分は殆ど全てがレーザ素子ＬＤに流
れるようになる。
【０００４】また図７のインピーダンス整合回路（従来
例２）では、レーザ素子ＬＤ、抵抗Ｒ１、コンデンサＣ
１、並びに交流電源１０が直列に接続されている。そし
て、抵抗Ｒ１とレーザ素子ＬＤとの間をＴ型に分岐し、
この分岐点にインダクタンスＬ１、Ｌ２を介して直流電
源２０を接続している。このインピーダンス整合回路で
は、直流電源２０からインダクタンスＬ２、Ｌ１を介し
てレーザ素子ＬＤに直流バイアス電流を供給する。この
直流電流成分は、コンデンサＣ１で遮断されるため、全
てレーザ素子ＬＤに流れることになる。また信号成分
は、交流電源１０からコンデンサＣ１、抵抗Ｒ１を介し
てレーザ素子ＬＤに供給される。ここで、インダクタン
スＬ１、Ｌ２は信号周波数に対して高インピーダンスに
なる値に選定されており、このため信号成分は殆ど全て
がレーザ素子ＬＤに流れるようになる。
例２）では、レーザ素子ＬＤ、抵抗Ｒ１、コンデンサＣ
１、並びに交流電源１０が直列に接続されている。そし
て、抵抗Ｒ１とレーザ素子ＬＤとの間をＴ型に分岐し、
この分岐点にインダクタンスＬ１、Ｌ２を介して直流電
源２０を接続している。このインピーダンス整合回路で
は、直流電源２０からインダクタンスＬ２、Ｌ１を介し
てレーザ素子ＬＤに直流バイアス電流を供給する。この
直流電流成分は、コンデンサＣ１で遮断されるため、全
てレーザ素子ＬＤに流れることになる。また信号成分
は、交流電源１０からコンデンサＣ１、抵抗Ｒ１を介し
てレーザ素子ＬＤに供給される。ここで、インダクタン
スＬ１、Ｌ２は信号周波数に対して高インピーダンスに
なる値に選定されており、このため信号成分は殆ど全て
がレーザ素子ＬＤに流れるようになる。
【０００５】ここで、図５の従来例１の場合は、抵抗Ｒ
１を介して直流電流を供給する構成であるため、低電圧
の直流電源でレーザ素子ＬＤを駆動する場合において
は、抵抗Ｒ１における電圧降下が原因でレーザ素子ＬＤ
を高バイアスで駆動させることができない。つまり低電
圧・高バイアス駆動ができず、低電圧でのレーザ高出力
駆動ができないという欠点がある。この欠点は、図７の
従来例２のように抵抗Ｒ１を介さずにレーザ素子ＬＤを
駆動する構成とし、またレーザ素子ＬＤに極力高電圧を
かけて駆動することで防止できる。
１を介して直流電流を供給する構成であるため、低電圧
の直流電源でレーザ素子ＬＤを駆動する場合において
は、抵抗Ｒ１における電圧降下が原因でレーザ素子ＬＤ
を高バイアスで駆動させることができない。つまり低電
圧・高バイアス駆動ができず、低電圧でのレーザ高出力
駆動ができないという欠点がある。この欠点は、図７の
従来例２のように抵抗Ｒ１を介さずにレーザ素子ＬＤを
駆動する構成とし、またレーザ素子ＬＤに極力高電圧を
かけて駆動することで防止できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の各インピーダンス整合回路では、抵抗Ｒ１とレ
ーザ素子ＬＤとの間の実装に起因する浮遊容量により周
波数振幅特性が影響を受けやすい。即ち、上記のインピ
ーダンス整合回路では、図６、８に示した等価回路のよ
うに、レーザ素子ＬＤを構成するレーザモジュール内の
ワイヤーの配線によるインダクタンス成分と浮遊容量に
よりインダクタンスＬ３とコンデンサＣ３が直列接続さ
れる状態となる。そしてこのため、これらの共振周波数
である１／２π√（ＬＣ）Ｈｚに図９においてグラフＢ
で示したようなピーキングが発生し、この結果、インピ
ーダンスの周波数特性が高域で偏差が生じる影響をうけ
てしまうという問題がある。
た従来の各インピーダンス整合回路では、抵抗Ｒ１とレ
ーザ素子ＬＤとの間の実装に起因する浮遊容量により周
波数振幅特性が影響を受けやすい。即ち、上記のインピ
ーダンス整合回路では、図６、８に示した等価回路のよ
うに、レーザ素子ＬＤを構成するレーザモジュール内の
ワイヤーの配線によるインダクタンス成分と浮遊容量に
よりインダクタンスＬ３とコンデンサＣ３が直列接続さ
れる状態となる。そしてこのため、これらの共振周波数
である１／２π√（ＬＣ）Ｈｚに図９においてグラフＢ
で示したようなピーキングが発生し、この結果、インピ
ーダンスの周波数特性が高域で偏差が生じる影響をうけ
てしまうという問題がある。
【０００７】このような実装による浮遊容量（Ｃ３）を
低減し、偏差の少ない周波数振幅特性を得るためには、
抵抗Ｒ１やインダクタンスＬ１の端子部分以外を実装基
板から浮かした状態とし、即ち抵抗Ｒ１、インダクタン
スＬ１をレーザモジュールの信号入力端子まで３次元的
に実装して、実装基板で発生する容量成分を低減する方
法が考えられる。ところがこの場合、実装空間の増大に
より小型化が困難となり、また空中実装が必要であるの
で製造時の作業性が悪いという不都合が生じ、採用が困
難である。
低減し、偏差の少ない周波数振幅特性を得るためには、
抵抗Ｒ１やインダクタンスＬ１の端子部分以外を実装基
板から浮かした状態とし、即ち抵抗Ｒ１、インダクタン
スＬ１をレーザモジュールの信号入力端子まで３次元的
に実装して、実装基板で発生する容量成分を低減する方
法が考えられる。ところがこの場合、実装空間の増大に
より小型化が困難となり、また空中実装が必要であるの
で製造時の作業性が悪いという不都合が生じ、採用が困
難である。
【０００８】本発明の目的は、上記の浮遊容量により発
生するインピーダンスの周波数に依存する変動が補償で
きて周波数振幅特性が優れ、また低電圧でのレーザ高出
力駆動が可能である、インピーダンス整合回路を提供す
ることにある。
生するインピーダンスの周波数に依存する変動が補償で
きて周波数振幅特性が優れ、また低電圧でのレーザ高出
力駆動が可能である、インピーダンス整合回路を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１発明は、抵抗とレー
ザ素子を直列に接続して前記レーザ素子に交流バイアス
電流を供給する交流バイアス回路を備えたインピーダン
ス整合回路において、前記抵抗とレーザ素子との直列接
続回路に、抵抗とコンデンサを直列に接続した回路を並
列接続するようにした。
ザ素子を直列に接続して前記レーザ素子に交流バイアス
電流を供給する交流バイアス回路を備えたインピーダン
ス整合回路において、前記抵抗とレーザ素子との直列接
続回路に、抵抗とコンデンサを直列に接続した回路を並
列接続するようにした。
【００１０】第２発明は、抵抗とレーザ素子を直列に接
続して前記レーザ素子に交流バイアス電流を供給する交
流バイアス回路と、前記レーザ素子にインダクタンスを
介して直流バイアス電流を供給する直流バイアス回路と
を備えたインピーダンス整合回路において、前記インダ
クタンスを２分割し、前記２分割点と前記抵抗の交流信
号源側との間を、抵抗で接続するようにした。
続して前記レーザ素子に交流バイアス電流を供給する交
流バイアス回路と、前記レーザ素子にインダクタンスを
介して直流バイアス電流を供給する直流バイアス回路と
を備えたインピーダンス整合回路において、前記インダ
クタンスを２分割し、前記２分割点と前記抵抗の交流信
号源側との間を、抵抗で接続するようにした。
【００１１】
【作用】第１発明のように抵抗とコンデンサを直列に接
続した回路を並列接続したり、あるいは第２発明のよう
に抵抗を接続することで、浮遊容量によるインピーダン
スの変化を低減させて、これにより実装に起因する高域
での周波数特性のずれが補正されて、周波数振幅特性の
優れたインピーダンス整合回路が提供できる。
続した回路を並列接続したり、あるいは第２発明のよう
に抵抗を接続することで、浮遊容量によるインピーダン
スの変化を低減させて、これにより実装に起因する高域
での周波数特性のずれが補正されて、周波数振幅特性の
優れたインピーダンス整合回路が提供できる。
【００１２】
【実施例】以下の本発明の実施例を説明する。
【００１３】（実施例１）図１に実施例１のインピーダ
ンス整合回路を示した。この回路は、図７に示した従来
例２の回路において、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１との間
に、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２を直列に接続した回路を
接続したものである。
ンス整合回路を示した。この回路は、図７に示した従来
例２の回路において、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１との間
に、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２を直列に接続した回路を
接続したものである。
【００１４】つまり、実施例１のインピーダンス整合回
路では、交流電源１０の信号入力端子にコンデンサＣ１
が接続され、またコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１が直列接続
され、この抵抗Ｒ１がレーザ素子ＬＤの入力端子に接続
されている。抵抗Ｒ１とレーザ素子ＬＤの入力端子との
間には、インダクタンスＬ１の一方の端子が接続されて
いる。インダクタンスＬ１の他方の端子はインダクタン
スＬ２を介して直流電源２０に接続されている。また抵
抗Ｒ２の一方の端子は、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１との
間に接続されており、抵抗Ｒ２の他方の端子はコンデン
サＣ２を介して基準電位に接続されている。このように
構成される実施例１の回路における回路定数は一例を挙
げれて、Ｒ１＝４３Ω、Ｃ１＝０．１μＦ、Ｌ１＝１μ
Ｈ、Ｌ２＝１０μＨである。
路では、交流電源１０の信号入力端子にコンデンサＣ１
が接続され、またコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１が直列接続
され、この抵抗Ｒ１がレーザ素子ＬＤの入力端子に接続
されている。抵抗Ｒ１とレーザ素子ＬＤの入力端子との
間には、インダクタンスＬ１の一方の端子が接続されて
いる。インダクタンスＬ１の他方の端子はインダクタン
スＬ２を介して直流電源２０に接続されている。また抵
抗Ｒ２の一方の端子は、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１との
間に接続されており、抵抗Ｒ２の他方の端子はコンデン
サＣ２を介して基準電位に接続されている。このように
構成される実施例１の回路における回路定数は一例を挙
げれて、Ｒ１＝４３Ω、Ｃ１＝０．１μＦ、Ｌ１＝１μ
Ｈ、Ｌ２＝１０μＨである。
【００１５】図２に、実施例１の等価回路を示した。即
ち、実施例１のインピーダンス整合回路においては、実
際の回路ではレーザ素子（レーザモジュール）ＬＤの内
部の配線の影響によって、抵抗Ｒ１とレーザ素子ＬＤの
間にインダクタンスＬ３が接続されている。また実装用
の基板へのレーザ素子ＬＤの実装によって、基板パター
ンによって発生する浮遊容量であるコンデンサＣ３が、
インダクタンスＬ３と抵抗Ｒ１との間に接続された状態
となる。これらインダクタンスＬ３、コンデンサＣ３の
値は、実装状態により異なるが、具体的には、Ｌ３が
０．５ｎＨ〜２ｎＨ、Ｃ２が１ｐＦ〜１０ｐＦ程度にな
る。
ち、実施例１のインピーダンス整合回路においては、実
際の回路ではレーザ素子（レーザモジュール）ＬＤの内
部の配線の影響によって、抵抗Ｒ１とレーザ素子ＬＤの
間にインダクタンスＬ３が接続されている。また実装用
の基板へのレーザ素子ＬＤの実装によって、基板パター
ンによって発生する浮遊容量であるコンデンサＣ３が、
インダクタンスＬ３と抵抗Ｒ１との間に接続された状態
となる。これらインダクタンスＬ３、コンデンサＣ３の
値は、実装状態により異なるが、具体的には、Ｌ３が
０．５ｎＨ〜２ｎＨ、Ｃ２が１ｐＦ〜１０ｐＦ程度にな
る。
【００１６】ここで、図７の従来２のインピーダンス整
合回路において、レーザ素子ＬＤの実装に起因する浮遊
容量のために、図８のようなコンデンサＣ３が接続され
た状態となり、インダクタンスＬ３とコンデンサＣ３の
影響によって高域でインピーダンスがピーキングを発生
する。そしてこのため、インピーダンスの整合がとれな
くなり、これに伴って上述したように周波数振幅特性に
ピーキングが生じてしまう。このピーキングは発生する
周波数は、インピーダンスＬ３とコンデンサＣ３の値に
より異なり、これらが共に大きくなるほど低域側に移動
する。そして、図８の回路における直流バイアス部分の
インピーダンスＺ１、回路全体のインピーダンスＺは、
それぞれ次のようになる。
合回路において、レーザ素子ＬＤの実装に起因する浮遊
容量のために、図８のようなコンデンサＣ３が接続され
た状態となり、インダクタンスＬ３とコンデンサＣ３の
影響によって高域でインピーダンスがピーキングを発生
する。そしてこのため、インピーダンスの整合がとれな
くなり、これに伴って上述したように周波数振幅特性に
ピーキングが生じてしまう。このピーキングは発生する
周波数は、インピーダンスＬ３とコンデンサＣ３の値に
より異なり、これらが共に大きくなるほど低域側に移動
する。そして、図８の回路における直流バイアス部分の
インピーダンスＺ１、回路全体のインピーダンスＺは、
それぞれ次のようになる。
【００１７】 1/Z1=1/[2 π(L1+L2)j]+1/(LD+2 πFL3j)-2 πFC3j …（１） Z=Z1+R1-j/(2πFC1) …（２） 上記の（１）、（２）式を展開し、Ｚについて解き、ま
たＬ３＝２ｎＨ、Ｃ３＝３ｐＦの場合を例にとって、交
流信号源からみたインピーダンスの周波数特性、並びに
レーザ素子ＬＤの流入電流周波数特性を、図９に示し
た。尚、上記の式においてＬＤはレーザ素子の動作状態
における抵抗値で、ＬＤ＝７Ωとした。また比較のた
め、浮遊容量などが存在しない理想的な状態における周
波数特性を、図９のグラフＡで示した。これにより、高
域で偏差が大きくなっていることが分かる。尚、図９な
いし後述する図１０で、ＬＤ流入電流（ｍＡ）は、１ｍ
Ｗの交流信号を入力した場合における流入電流を実効値
で示したものである。
たＬ３＝２ｎＨ、Ｃ３＝３ｐＦの場合を例にとって、交
流信号源からみたインピーダンスの周波数特性、並びに
レーザ素子ＬＤの流入電流周波数特性を、図９に示し
た。尚、上記の式においてＬＤはレーザ素子の動作状態
における抵抗値で、ＬＤ＝７Ωとした。また比較のた
め、浮遊容量などが存在しない理想的な状態における周
波数特性を、図９のグラフＡで示した。これにより、高
域で偏差が大きくなっていることが分かる。尚、図９な
いし後述する図１０で、ＬＤ流入電流（ｍＡ）は、１ｍ
Ｗの交流信号を入力した場合における流入電流を実効値
で示したものである。
【００１８】そしてこの図８の実施例２の回路に図２の
実施例１の回路のように抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２を接
続することで、コンデンサＣ２の容量に応じた周波数の
インピーダンスピーキングを選択的に低下させることが
でき、これにより周波数振幅特性の偏差を低減させるこ
とが可能になる。つまり、図２の回路における直流バイ
アス部分のインピーダンスＺ１、これに抵抗Ｒ１を加え
たインピーダンスＺ２、更に抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２
を加えたインピーダンスＺ３、並びに回路全体のインピ
ーダンスＺは、それぞれ次のようになる。
実施例１の回路のように抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２を接
続することで、コンデンサＣ２の容量に応じた周波数の
インピーダンスピーキングを選択的に低下させることが
でき、これにより周波数振幅特性の偏差を低減させるこ
とが可能になる。つまり、図２の回路における直流バイ
アス部分のインピーダンスＺ１、これに抵抗Ｒ１を加え
たインピーダンスＺ２、更に抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２
を加えたインピーダンスＺ３、並びに回路全体のインピ
ーダンスＺは、それぞれ次のようになる。
【００１９】 1/Z1=1/(RLD+2 πFL3j)+1/[2πF(L1+L2)j]-2πFC3j … （３） Z2=Z1+R1 … （４） 1/Z3=1/[R2-1/(2 πFC2j)]+1/Z2 … （５） Z=Z3-j/(2 πFC1) … （６） 上記の式（３）〜（６）を展開し、Ｚについて解き、ま
た回路定数をＣ２＝２ｐＦ、Ｒ２＝１０Ω、その他の定
数は上記の式（１）、（２）と同様にして計算すると、
交流信号源からみたインピーダンス周波数特性と、ＬＤ
流入電流周波数特性は、図９のグラフＣのようになる。
これにより、レーザの周波数振幅特性を高域まで偏差を
低減できるようになる。但し、インダクタンスＬ３、コ
ンデンサＣ３の大きさに応じて、抵抗Ｒ２、コンデンサ
Ｃ２の大きさを最適な値に調整する必要がある。
た回路定数をＣ２＝２ｐＦ、Ｒ２＝１０Ω、その他の定
数は上記の式（１）、（２）と同様にして計算すると、
交流信号源からみたインピーダンス周波数特性と、ＬＤ
流入電流周波数特性は、図９のグラフＣのようになる。
これにより、レーザの周波数振幅特性を高域まで偏差を
低減できるようになる。但し、インダクタンスＬ３、コ
ンデンサＣ３の大きさに応じて、抵抗Ｒ２、コンデンサ
Ｃ２の大きさを最適な値に調整する必要がある。
【００２０】（実施例２）次に、上記のようにインピー
ダンスの整合を補正する容量（Ｃ２）として、実装用の
基板のパターンと基準電位との間の浮遊容量を利用する
ことで、コンデンサＣ２の実装を省いた一例である実施
例２を図３に示した。このようにコンデンサＣ２を省く
ことで、浮遊容量と信号線を抵抗により接続するだけ
で、インピーダンスの不整合を改善できるという利点が
ある。
ダンスの整合を補正する容量（Ｃ２）として、実装用の
基板のパターンと基準電位との間の浮遊容量を利用する
ことで、コンデンサＣ２の実装を省いた一例である実施
例２を図３に示した。このようにコンデンサＣ２を省く
ことで、浮遊容量と信号線を抵抗により接続するだけ
で、インピーダンスの不整合を改善できるという利点が
ある。
【００２１】この図３の実施例２は、インダクタンスＬ
１とＬ２との間の基板パターンと、基準電位との間の浮
遊容量を利用した場合の例であり、このためにコンデン
サＣ１と抵抗Ｒ１との間と、インダクタンスＬ１とＬ２
との間を、抵抗Ｒ２で接続する構成としている。そして
この場合には、図４に示したように、インダクタンスＬ
１とＬ２との間に浮遊容量によるコンデンサＣ２が接続
された状態となる。
１とＬ２との間の基板パターンと、基準電位との間の浮
遊容量を利用した場合の例であり、このためにコンデン
サＣ１と抵抗Ｒ１との間と、インダクタンスＬ１とＬ２
との間を、抵抗Ｒ２で接続する構成としている。そして
この場合には、図４に示したように、インダクタンスＬ
１とＬ２との間に浮遊容量によるコンデンサＣ２が接続
された状態となる。
【００２２】実施例２の回路において、例えば、浮遊容
量Ｃ２が５ｐＦの場合、信号線とそのパターンとを抵抗
Ｒ２＝１０Ωで接続した場合における、交流信号源から
みたインピーダンス周波数特性と、ＬＤ流入電流周波数
特性を、図１０のグラフＡに示した。これにより、実施
例１の場合を示した図９のグラフＣとほぼ同じ効果が得
られることが分かる。
量Ｃ２が５ｐＦの場合、信号線とそのパターンとを抵抗
Ｒ２＝１０Ωで接続した場合における、交流信号源から
みたインピーダンス周波数特性と、ＬＤ流入電流周波数
特性を、図１０のグラフＡに示した。これにより、実施
例１の場合を示した図９のグラフＣとほぼ同じ効果が得
られることが分かる。
【００２３】尚、図３はインダクタンスＬ１とＬ２との
間の基板パターンを利用した例であるが、その他例え
ば、インダクタンスＬ２の直流電源２０側で接続された
基板パターンを用い、この基板パターンと基準電位との
間の浮遊抵抗を利用することもできる。
間の基板パターンを利用した例であるが、その他例え
ば、インダクタンスＬ２の直流電源２０側で接続された
基板パターンを用い、この基板パターンと基準電位との
間の浮遊抵抗を利用することもできる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、レーザ素子を低電圧で
高出力駆動できることは勿論、特に高域における周波数
特性の偏差が低減されて広範囲で均一な周波数振幅特性
を備えたインピーダンス整合回路を得ることができる。
具体的には、１ｍＷの交流信号の入力時におけるレーザ
素子ＬＤの流入電流の周波数による偏差が従来は５．２
５ｍＡであったものを１．０ｍＡとでき、約１／５以下
に低減できる。そしてこの結果、光送信モジュールなど
の低電力化、並びに小型化と低コスト化などが図れると
いう効果がある。
高出力駆動できることは勿論、特に高域における周波数
特性の偏差が低減されて広範囲で均一な周波数振幅特性
を備えたインピーダンス整合回路を得ることができる。
具体的には、１ｍＷの交流信号の入力時におけるレーザ
素子ＬＤの流入電流の周波数による偏差が従来は５．２
５ｍＡであったものを１．０ｍＡとでき、約１／５以下
に低減できる。そしてこの結果、光送信モジュールなど
の低電力化、並びに小型化と低コスト化などが図れると
いう効果がある。
【図１】実施例１のインピーダンス整合回路を示した回
路図である。
路図である。
【図２】図１の回路の等価回路を示した回路図である。
【図３】実施例２のインピーダンス整合回路を示した回
路図である。
路図である。
【図４】図３の回路の等価回路を示した回路図である。
【図５】従来例１のインピーダンス整合回路を示した回
路図である。
路図である。
【図６】図５の等価回路を示した回路図である。
【図７】従来例２のインピーダンス整合回路を示した回
路図である。
路図である。
【図８】図７の等価回路を示した回路図である。
【図９】実施例１と従来例２におけるインピーダンスと
レーザ素子の流入電流の周波数特性を示したグラフであ
る。
レーザ素子の流入電流の周波数特性を示したグラフであ
る。
【図１０】実施例２におけるインピーダンスとレーザ素
子の流入電流の周波数特性を示したグラフである。
子の流入電流の周波数特性を示したグラフである。
１０ 交流電源 ２０ 直流電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/14 10/04 10/06
Claims (2)
- 【請求項１】 抵抗とレーザ素子を直列に接続して前記
レーザ素子に交流バイアス電流を供給する交流バイアス
回路を備えたインピーダンス整合回路において、前記抵
抗とレーザ素子との直列接続回路に、抵抗とコンデンサ
を直列に接続した回路を並列接続したことを特徴とする
インピーダンス整合回路。 - 【請求項２】 抵抗とレーザ素子を直列に接続して前記
レーザ素子に交流バイアス電流を供給する交流バイアス
回路と、前記レーザ素子にインダクタンスを介して直流
バイアス電流を供給する直流バイアス回路とを備えたイ
ンピーダンス整合回路において、前記インダクタンスを
２分割し、前記２分割点と前記抵抗の交流信号源側との
間を、抵抗で接続したことを特徴とするインピーダンス
整合回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5324399A JPH07183598A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | インピーダンス整合回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5324399A JPH07183598A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | インピーダンス整合回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183598A true JPH07183598A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18165367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5324399A Pending JPH07183598A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | インピーダンス整合回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07183598A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5982793A (en) * | 1996-05-20 | 1999-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser module with internal matching circuit |
| JP2005286305A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP5324399A patent/JPH07183598A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5982793A (en) * | 1996-05-20 | 1999-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser module with internal matching circuit |
| JP2005286305A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
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