JPH07174742A - 結晶欠陥測定方法 - Google Patents
結晶欠陥測定方法Info
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- JPH07174742A JPH07174742A JP5320457A JP32045793A JPH07174742A JP H07174742 A JPH07174742 A JP H07174742A JP 5320457 A JP5320457 A JP 5320457A JP 32045793 A JP32045793 A JP 32045793A JP H07174742 A JPH07174742 A JP H07174742A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】単結晶半導体層中に生じる固有点欠陥やそれに
起因する複合欠陥の測定方法に関し、固有点欠陥の濃度
を測定すること。 【構成】結晶試料に外部磁場を印加し、冷却しながら該
結晶試料に超音波を通過させて、該結晶試料での超音波
音速変化又は超音波吸収変化と結晶試料冷却温度との関
係を測定することを含む。
起因する複合欠陥の測定方法に関し、固有点欠陥の濃度
を測定すること。 【構成】結晶試料に外部磁場を印加し、冷却しながら該
結晶試料に超音波を通過させて、該結晶試料での超音波
音速変化又は超音波吸収変化と結晶試料冷却温度との関
係を測定することを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶欠陥測定方法に関
し、より詳しくは、単結晶半導体層中に生じる固有点欠
陥やそれに起因する複合欠陥の測定方法に関する。
し、より詳しくは、単結晶半導体層中に生じる固有点欠
陥やそれに起因する複合欠陥の測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子デバイス用のシリコン結晶は、他の
一般的な結晶に比べて完全性が高く、結晶欠陥密度は非
常に低いとされている。しかし、スターティングマテリ
アルであるシリコン結晶基板の微量かつ微妙な結晶欠陥
状態を正確に把握することは、デバイスの微細化をさら
に進めたり、複雑な製造プロセスによるデバイスの劣化
をなくすために必須となってきている。結晶欠陥を把握
することは、もともと結晶に含まれる欠陥や不純物によ
る悪影響、或いは半導体装置製造プロセス中に生じる二
次的な欠陥による悪影響を低減するために必要である。
一般的な結晶に比べて完全性が高く、結晶欠陥密度は非
常に低いとされている。しかし、スターティングマテリ
アルであるシリコン結晶基板の微量かつ微妙な結晶欠陥
状態を正確に把握することは、デバイスの微細化をさら
に進めたり、複雑な製造プロセスによるデバイスの劣化
をなくすために必須となってきている。結晶欠陥を把握
することは、もともと結晶に含まれる欠陥や不純物によ
る悪影響、或いは半導体装置製造プロセス中に生じる二
次的な欠陥による悪影響を低減するために必要である。
【０００３】シリコン結晶中には、ごく微量ではあるが
原子空孔や格子間シリコン原子のような固有点欠陥が存
在し、固有点欠陥を含む複合体欠陥或いは固有点欠陥に
起因した複合体欠陥が生じると、結晶中の不純物酸素を
析出する際の析出特性に悪影響を及ぼしたり、或いは、
シリコンウェハ上に作られるシリコン酸化膜の電気的特
性を劣化させたりすることがわかりつつある。
原子空孔や格子間シリコン原子のような固有点欠陥が存
在し、固有点欠陥を含む複合体欠陥或いは固有点欠陥に
起因した複合体欠陥が生じると、結晶中の不純物酸素を
析出する際の析出特性に悪影響を及ぼしたり、或いは、
シリコンウェハ上に作られるシリコン酸化膜の電気的特
性を劣化させたりすることがわかりつつある。
【０００４】しかし、固有点欠陥の濃度は一般にきわめ
て低く、従来の結晶欠陥測定手段では殆ど検出不可能で
ある。これまで、原子空孔や格子間シリコン原子などの
固有点欠陥が検出できたのは、様々な手段により人為的
にその濃度を高めた場合、即ち加速実験を行った場合で
あり、電子デバイス用の通常のシリコン結晶の固有点欠
陥の検出は未だ報告されていない。
て低く、従来の結晶欠陥測定手段では殆ど検出不可能で
ある。これまで、原子空孔や格子間シリコン原子などの
固有点欠陥が検出できたのは、様々な手段により人為的
にその濃度を高めた場合、即ち加速実験を行った場合で
あり、電子デバイス用の通常のシリコン結晶の固有点欠
陥の検出は未だ報告されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】電子デバイス用の通常
のシリコン結晶或いはこれと同程度の高い完全性を有す
るシリコン結晶に関しては、原子空孔や格子間シリコン
原子などの固有点欠陥、或いはその複合体欠陥を直接検
出しかつ定量する手段は開発されていないのが現状であ
る。
のシリコン結晶或いはこれと同程度の高い完全性を有す
るシリコン結晶に関しては、原子空孔や格子間シリコン
原子などの固有点欠陥、或いはその複合体欠陥を直接検
出しかつ定量する手段は開発されていないのが現状であ
る。
【０００６】固有点欠陥やその複合体欠陥を検出したこ
れまでの例は、すべて加速実験であり、これらが関与し
たと考えられるような二次的、三次的な現象の程度から
定性的に推察したもに過ぎない。これらの欠陥の濃度を
直接検出することが困難な最も大きな理由は、その濃度
が著しく低いからと考えられる。本発明はこのような事
情に鑑みてなされたものであって、固有点欠陥の濃度を
測定できる結晶欠陥測定方法を提供することを目的とす
る。
れまでの例は、すべて加速実験であり、これらが関与し
たと考えられるような二次的、三次的な現象の程度から
定性的に推察したもに過ぎない。これらの欠陥の濃度を
直接検出することが困難な最も大きな理由は、その濃度
が著しく低いからと考えられる。本発明はこのような事
情に鑑みてなされたものであって、固有点欠陥の濃度を
測定できる結晶欠陥測定方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図７
に、図１０に例示するように、結晶試料２に外部磁場を
印加し、冷却しながら該結晶試料２に超音波を通過させ
て、該結晶試料２での超音波音速変化又は超音波吸収変
化と結晶試料冷却温度との関係を測定することを特徴と
する結晶欠陥測定方法によって達成する。
に、図１０に例示するように、結晶試料２に外部磁場を
印加し、冷却しながら該結晶試料２に超音波を通過させ
て、該結晶試料２での超音波音速変化又は超音波吸収変
化と結晶試料冷却温度との関係を測定することを特徴と
する結晶欠陥測定方法によって達成する。
【０００８】または、前記結晶試料２での超音波音速変
化又は超音波吸収変化と前記結晶試料２の冷却温度との
関係を示す曲線の急峻な落ち込み量に基づいて固有点欠
陥濃度を求めることを特徴とする請求項１記載の結晶欠
陥測定方法により達成する。または、前記外部磁場の強
度が少なくとも０〜１０テスラの範囲にはいることを特
徴とする請求項１記載の結晶欠陥測定方法によって達成
する。
化又は超音波吸収変化と前記結晶試料２の冷却温度との
関係を示す曲線の急峻な落ち込み量に基づいて固有点欠
陥濃度を求めることを特徴とする請求項１記載の結晶欠
陥測定方法により達成する。または、前記外部磁場の強
度が少なくとも０〜１０テスラの範囲にはいることを特
徴とする請求項１記載の結晶欠陥測定方法によって達成
する。
【０００９】または、前記冷却温度は少なくとも０〜１
０Ｋの範囲に入ることを特徴とする請求項１記載の結晶
欠陥測定方法によって達成する。または、前記超音波
は、中心周波数が１０KHz 〜１０GHz の範囲にある超音
波パルスを用いることを特徴とする請求項１記載の結晶
欠陥測定方法によって達成する。
０Ｋの範囲に入ることを特徴とする請求項１記載の結晶
欠陥測定方法によって達成する。または、前記超音波
は、中心周波数が１０KHz 〜１０GHz の範囲にある超音
波パルスを用いることを特徴とする請求項１記載の結晶
欠陥測定方法によって達成する。
【００１０】または、前記超音波速度の測定には参照波
と試料通過波の特定番目のパルスの位相差を検出する位
相比較法を使用することを特徴とする請求項１記載の結
晶欠陥測定方法によって達成する。
と試料通過波の特定番目のパルスの位相差を検出する位
相比較法を使用することを特徴とする請求項１記載の結
晶欠陥測定方法によって達成する。
【００１１】
【作 用】本発明によれば、結晶試料に外部磁場を印加
し、冷却しながら該結晶試料に超音波を通過させて、該
結晶試料での超音波音速変化又は超音波吸収変化と該結
晶試料の冷却温度との関係を測定するようにしている。
これは次のような理由による。
し、冷却しながら該結晶試料に超音波を通過させて、該
結晶試料での超音波音速変化又は超音波吸収変化と該結
晶試料の冷却温度との関係を測定するようにしている。
これは次のような理由による。
【００１２】例えばシリコン結晶中の固有点欠陥、特に
原子空孔は、低エネルギーのトンネル励起（等価なヤー
ン−テラー歪みの間のトンネル運動）と同時に電子スピ
ンや軌道角運動量による磁気モーメントを有するという
特徴を持つ。この低エネルギーのトンネル励起は、結晶
格子の歪みに対して敏感であると考えられる。トンネル
励起の励起エネルギーはわかっていないが、１cm- 1 以
下と相当に低いと思われる。
原子空孔は、低エネルギーのトンネル励起（等価なヤー
ン−テラー歪みの間のトンネル運動）と同時に電子スピ
ンや軌道角運動量による磁気モーメントを有するという
特徴を持つ。この低エネルギーのトンネル励起は、結晶
格子の歪みに対して敏感であると考えられる。トンネル
励起の励起エネルギーはわかっていないが、１cm- 1 以
下と相当に低いと思われる。
【００１３】従って、結晶中の超音波音速と温度との関
係を示す曲線（Ｖ−Ｔ曲線）を測定して、Ｖ−Ｔ曲線上
で固有点欠陥によるディップ状の急峻な落ち込み、即ち
音速異常が現れるとすれば１Ｋ以下の温度である。シリ
コン結晶中の固有点欠陥、特に原子空孔は磁気モーメン
トを持つために、外部磁場を印加すると、トンネル励起
準位のサブレベルとしてゼーマン準位が発生する。即
ち、零磁場状態で角運動（磁気モーメント）に関して縮
退していた準位が、磁場を印加することによりゼーマン
分裂する。
係を示す曲線（Ｖ−Ｔ曲線）を測定して、Ｖ−Ｔ曲線上
で固有点欠陥によるディップ状の急峻な落ち込み、即ち
音速異常が現れるとすれば１Ｋ以下の温度である。シリ
コン結晶中の固有点欠陥、特に原子空孔は磁気モーメン
トを持つために、外部磁場を印加すると、トンネル励起
準位のサブレベルとしてゼーマン準位が発生する。即
ち、零磁場状態で角運動（磁気モーメント）に関して縮
退していた準位が、磁場を印加することによりゼーマン
分裂する。
【００１４】シリコン結晶中の固有点欠陥、特に原子空
孔は、低エネルギーのトンネル励起および磁気的な励起
のために、格子歪みと磁場に対して敏感に官能するエネ
ルギー準位をもつことになる。このため、Ｖ−Ｔ曲線上
において温度が１Ｋ以下でディップ状の急峻な落ち込み
（音速異常）が現れ、この強度（ディップ深さ）やディ
ップ温度が磁場依存性を示せば、それは固有点欠陥、特
に原子空孔によるものである可能性が高い。
孔は、低エネルギーのトンネル励起および磁気的な励起
のために、格子歪みと磁場に対して敏感に官能するエネ
ルギー準位をもつことになる。このため、Ｖ−Ｔ曲線上
において温度が１Ｋ以下でディップ状の急峻な落ち込み
（音速異常）が現れ、この強度（ディップ深さ）やディ
ップ温度が磁場依存性を示せば、それは固有点欠陥、特
に原子空孔によるものである可能性が高い。
【００１５】そして、実験をしたところ、零磁場でのＶ
−Ｔ曲線にそのようなディップが生じることが確認され
（図５）、さらに、磁場を印加するとディップ発生温度
は高温側にシフトしてそのディップの落ち込み量が容易
に測定できることが確認された（図７）。固有点欠陥濃
度は、磁場印加時のその落ち込み量から比例換算によっ
て容易に求められる。
−Ｔ曲線にそのようなディップが生じることが確認され
（図５）、さらに、磁場を印加するとディップ発生温度
は高温側にシフトしてそのディップの落ち込み量が容易
に測定できることが確認された（図７）。固有点欠陥濃
度は、磁場印加時のその落ち込み量から比例換算によっ
て容易に求められる。
【００１６】
【実施例】固有点欠陥による物理的シグナルを発見する
ために、本発明者は、次のような考察をし、基礎実験を
行った。 （１）シリコン結晶の主な製造方法として、チョクラル
ルスキー法（ＣＺ法）とフロートゾーン法（ＦＺ法）が
ある。
ために、本発明者は、次のような考察をし、基礎実験を
行った。 （１）シリコン結晶の主な製造方法として、チョクラル
ルスキー法（ＣＺ法）とフロートゾーン法（ＦＺ法）が
ある。
【００１７】ＣＺ法により成長した結晶は、固有点欠陥
に比べて多量な不純物酸素を含み、これに起因した様々
な形態の複合体欠陥も多量に含まれることになる。この
酸素誘起複合体欠陥は、固有点欠陥による微小な検出信
号を発見するうえで邪魔をする可能性がある。即ち、酸
素誘起複合体欠陥による検出信号と固有点欠陥によるシ
グナルとが区別できなくなる。
に比べて多量な不純物酸素を含み、これに起因した様々
な形態の複合体欠陥も多量に含まれることになる。この
酸素誘起複合体欠陥は、固有点欠陥による微小な検出信
号を発見するうえで邪魔をする可能性がある。即ち、酸
素誘起複合体欠陥による検出信号と固有点欠陥によるシ
グナルとが区別できなくなる。
【００１８】これに対し、ＦＺ法により成長した結晶
は、酸素を殆ど含まないので酸素誘起複合体欠陥は存在
せず、固有点欠陥による検出信号が酸素誘起複合体欠陥
による検出信号に邪魔されて見えなくなることはない。
一般に、ＦＺ法による結晶は、ＣＺ法による結晶に比べ
て不純物濃度が格段に低いとされている。さらに、ＦＺ
結晶では、固有点欠陥の存在が多方面から、間接的では
あるが確かめられている。
は、酸素を殆ど含まないので酸素誘起複合体欠陥は存在
せず、固有点欠陥による検出信号が酸素誘起複合体欠陥
による検出信号に邪魔されて見えなくなることはない。
一般に、ＦＺ法による結晶は、ＣＺ法による結晶に比べ
て不純物濃度が格段に低いとされている。さらに、ＦＺ
結晶では、固有点欠陥の存在が多方面から、間接的では
あるが確かめられている。
【００１９】そこで、本発明者は、固有点欠陥の検出方
法を見いだすためにＦＺ法による結晶を用いることにし
た。 （２）シリコン結晶中の固有点欠陥、特に原子空孔を検
出するために、次のような現象を考察した。一般に、結
晶歪みに敏感に官能するような低エネルギー励起を有す
る不純物や欠陥は、超音波音速の温度変化曲線（Ｖ(vel
ocity)−Ｔ(temperature) 曲線）に大きな影響を与える
ことは特開平１─９８９６０号公報などで報告されてい
る。
法を見いだすためにＦＺ法による結晶を用いることにし
た。 （２）シリコン結晶中の固有点欠陥、特に原子空孔を検
出するために、次のような現象を考察した。一般に、結
晶歪みに敏感に官能するような低エネルギー励起を有す
る不純物や欠陥は、超音波音速の温度変化曲線（Ｖ(vel
ocity)−Ｔ(temperature) 曲線）に大きな影響を与える
ことは特開平１─９８９６０号公報などで報告されてい
る。
【００２０】そこで、次にＶ−Ｔ曲線と固有点欠陥との
関係をNaCl結晶を例にあげて説明する。NaCl結晶では、
図１(a) に示すように不純物であるOHイオンがClイオン
と置換して結晶中に入る。この場合、Clイオンの半径よ
りもOHイオンの半径が極めて小さいために、OHイオンの
回りにあるNaイオンとOHイオンの間の原子間バネ定数
は、本来的なNaイオンとClイオン間の原子間バネ定数よ
りも大幅に弱まる。このため、OHイオンの振動励起エネ
ルギー、即ち固有振動数ωは大幅に低下する。なお、固
有振動数ωは、ω＝√（ｋ／ｍ）（ｋ；ボルツマン定
数、ｍ；は質量数）で求められる。
関係をNaCl結晶を例にあげて説明する。NaCl結晶では、
図１(a) に示すように不純物であるOHイオンがClイオン
と置換して結晶中に入る。この場合、Clイオンの半径よ
りもOHイオンの半径が極めて小さいために、OHイオンの
回りにあるNaイオンとOHイオンの間の原子間バネ定数
は、本来的なNaイオンとClイオン間の原子間バネ定数よ
りも大幅に弱まる。このため、OHイオンの振動励起エネ
ルギー、即ち固有振動数ωは大幅に低下する。なお、固
有振動数ωは、ω＝√（ｋ／ｍ）（ｋ；ボルツマン定
数、ｍ；は質量数）で求められる。
【００２１】このように、NaCl結晶中のOHは低エネルギ
ー振動励起を有するようになる。この際の振動励起のポ
テンシャルエネルギーＥはＥ＝ｋｘ2 ／２（ｘ；波数）
で、エネルギー準位の間隔ΔはΔ＝４πｈωであり、光
の波数に対して２〜３cm-1である（図２）。そして、こ
のエネルギー準位の間隔Δは結晶格子の歪みに対して敏
感に変化することが知られている。
ー振動励起を有するようになる。この際の振動励起のポ
テンシャルエネルギーＥはＥ＝ｋｘ2 ／２（ｘ；波数）
で、エネルギー準位の間隔ΔはΔ＝４πｈωであり、光
の波数に対して２〜３cm-1である（図２）。そして、こ
のエネルギー準位の間隔Δは結晶格子の歪みに対して敏
感に変化することが知られている。
【００２２】このように低エネルギー励起が存在し、そ
れが結晶格子歪みに対して敏感である場合に、図３に示
すような超音波速度Ｖと温度Ｔとの関係を示すＶ−Ｔ曲
線はその励起エネルギーに対応する温度のところでディ
ップ状の急峻な落ち込み、即ち音速異常が発生する。な
お、縦軸は試料を通過しない超音波の速度Ｖ0 と試料を
通過する超音波の速度Ｖの相対音速Ｖ／Ｖ0 を示してい
る。
れが結晶格子歪みに対して敏感である場合に、図３に示
すような超音波速度Ｖと温度Ｔとの関係を示すＶ−Ｔ曲
線はその励起エネルギーに対応する温度のところでディ
ップ状の急峻な落ち込み、即ち音速異常が発生する。な
お、縦軸は試料を通過しない超音波の速度Ｖ0 と試料を
通過する超音波の速度Ｖの相対音速Ｖ／Ｖ0 を示してい
る。
【００２３】例えばOHイオンに起因する励起エネルギー
がＥであるとするなら、大まかにはＥ＝ｋＴ1 を満たす
ような温度Ｔ1 のところでＶ−Ｔ特性はディップ状の落
ち込みが現れ、音速異常を生じる。そして、この落ち込
みの大きさ、即ちディップの深さδが不純物欠陥の濃度
に比例する。逆にいえば、ディップを生じる温度Ｔ1 か
ら励起エネルギーを知ることができ、その値からそのよ
うな低エネルギー励起を有する欠陥の大まかな特定も可
能になる。 （３）以上のことから、シリコン結晶中の固有点欠陥、
特に原子空孔がある場合にも図１(b) に示すような空孔
に繋がるシリコンの原子バネ定数も低下するので、その
空孔濃度を検出するためにＶ−Ｔ曲線を測定することが
有効なことがわかる。
がＥであるとするなら、大まかにはＥ＝ｋＴ1 を満たす
ような温度Ｔ1 のところでＶ−Ｔ特性はディップ状の落
ち込みが現れ、音速異常を生じる。そして、この落ち込
みの大きさ、即ちディップの深さδが不純物欠陥の濃度
に比例する。逆にいえば、ディップを生じる温度Ｔ1 か
ら励起エネルギーを知ることができ、その値からそのよ
うな低エネルギー励起を有する欠陥の大まかな特定も可
能になる。 （３）以上のことから、シリコン結晶中の固有点欠陥、
特に原子空孔がある場合にも図１(b) に示すような空孔
に繋がるシリコンの原子バネ定数も低下するので、その
空孔濃度を検出するためにＶ−Ｔ曲線を測定することが
有効なことがわかる。
【００２４】ＦＺ法により成長したシリコン結晶の酸素
濃度は極めて少ないので、Ｖ−Ｔ曲線上に音速異常が現
れれば、それは固有点欠陥、特に原子空孔によるもので
あると判断できる。そして、ＦＺ法により成長したシリ
コン結晶のＶ−Ｔ極性を測定した結果、図４に示すよう
な特性が得られた。そのシリコン結晶は１０Ωｍ以下で
ある。
濃度は極めて少ないので、Ｖ−Ｔ曲線上に音速異常が現
れれば、それは固有点欠陥、特に原子空孔によるもので
あると判断できる。そして、ＦＺ法により成長したシリ
コン結晶のＶ−Ｔ極性を測定した結果、図４に示すよう
な特性が得られた。そのシリコン結晶は１０Ωｍ以下で
ある。
【００２５】これは、零磁場下において、１０ＭＨｚの
縦波超音波を用いて測定したものである。測定温度の下
限、即ち最低到達温度は０．３５Ｋである。欠陥が全く
無い場合（完全結晶）の正常なＶ−Ｔ曲線を破線で示し
てある。１０〜２Ｋの温度領域に緩やかな窪みがあり、
更に、２Ｋ以下で僅かであるが鋭い落ち込み（音速異
常）がある。これが、固有点欠陥によるものである。
縦波超音波を用いて測定したものである。測定温度の下
限、即ち最低到達温度は０．３５Ｋである。欠陥が全く
無い場合（完全結晶）の正常なＶ−Ｔ曲線を破線で示し
てある。１０〜２Ｋの温度領域に緩やかな窪みがあり、
更に、２Ｋ以下で僅かであるが鋭い落ち込み（音速異
常）がある。これが、固有点欠陥によるものである。
【００２６】図３の１０Ｋ以下の部分を拡大したのが図
５である。この測定結果によれば、２Ｋ以下の鋭い落ち
込みは、この場合の最低温度０．３５Ｋにおいてもまだ
底をついておらず、零磁場下における落ち込み（音速異
常）のミニマム点温度は、０．３５Ｋ以下となる。しか
し、これだけでは正確な落ち込み量の底がわからず、正
確な固有点欠陥濃度の測定はできないことになる。
５である。この測定結果によれば、２Ｋ以下の鋭い落ち
込みは、この場合の最低温度０．３５Ｋにおいてもまだ
底をついておらず、零磁場下における落ち込み（音速異
常）のミニマム点温度は、０．３５Ｋ以下となる。しか
し、これだけでは正確な落ち込み量の底がわからず、正
確な固有点欠陥濃度の測定はできないことになる。
【００２７】そこで、次のような方法により正確な落ち
込み量を測定できることを見いだした。 （４）シリコン結晶中の固有点欠陥、特に原子空孔は低
エネルギーのトンネル励起（等価なヤーン−テラー歪み
の間のトンネル運動）と同時に電子スピンや軌道角運動
量による磁気モーメントを有するという特徴を持つ。
込み量を測定できることを見いだした。 （４）シリコン結晶中の固有点欠陥、特に原子空孔は低
エネルギーのトンネル励起（等価なヤーン−テラー歪み
の間のトンネル運動）と同時に電子スピンや軌道角運動
量による磁気モーメントを有するという特徴を持つ。
【００２８】この低エネルギーのトンネル励起は、結晶
格子の歪みに対して敏感であると考えられる。トンネル
励起の励起エネルギーはわかっていないが、１cm- 1 以
下と相当に低いと思われる。従って、Ｖ−Ｔ曲線上で固
有点欠陥によるディップ状の急峻な落ち込み（音速異
常）が現れるとすれば１Ｋ以下の温度である。
格子の歪みに対して敏感であると考えられる。トンネル
励起の励起エネルギーはわかっていないが、１cm- 1 以
下と相当に低いと思われる。従って、Ｖ−Ｔ曲線上で固
有点欠陥によるディップ状の急峻な落ち込み（音速異
常）が現れるとすれば１Ｋ以下の温度である。
【００２９】シリコン結晶中の固有点欠陥、特に原子空
孔は磁気モーメントを持つために、外部磁場を印加する
と、トンネル励起準位のサブレベルとしてゼーマン準位
が発生する。即ち、零磁場状態で角運動（磁気モーメン
ト）に関して縮退していた準位が、磁場を印加すること
によりゼーマン分裂する。この様子を図６に模式的に示
す。
孔は磁気モーメントを持つために、外部磁場を印加する
と、トンネル励起準位のサブレベルとしてゼーマン準位
が発生する。即ち、零磁場状態で角運動（磁気モーメン
ト）に関して縮退していた準位が、磁場を印加すること
によりゼーマン分裂する。この様子を図６に模式的に示
す。
【００３０】ようするに、シリコン結晶中の固有点欠
陥、特に原子空孔は、低エネルギーのトンネル励起およ
び磁気的な励起のために、格子歪みと磁場に対して敏感
に官能するエネルギー準位をもつことになる。このた
め、Ｖ−Ｔ曲線上において温度が１Ｋ以下でディップ状
の落ち込み（音速異常）が現れ、この強度（ディップ深
さ）やディップ温度が磁場依存性を示せば、それは固有
点欠陥、特に原子空孔によるものである可能性が高い。
陥、特に原子空孔は、低エネルギーのトンネル励起およ
び磁気的な励起のために、格子歪みと磁場に対して敏感
に官能するエネルギー準位をもつことになる。このた
め、Ｖ−Ｔ曲線上において温度が１Ｋ以下でディップ状
の落ち込み（音速異常）が現れ、この強度（ディップ深
さ）やディップ温度が磁場依存性を示せば、それは固有
点欠陥、特に原子空孔によるものである可能性が高い。
【００３１】図７は、同様な測定を３テスラの磁場印加
下で行った場合のＶ−Ｔ曲線を０．３５〜1.8 以下の温
度範囲で示したものである。零磁場条件の図５に比べ
て、図４では磁場印加があるために、ディップミニマム
点温度は０．４１Ｋまで動いてきている。このように、
Ｖ−Ｔ曲線の落ち込みのミニマム点温度が磁場依存性を
示すことは、落ち込みの原因が固有点欠陥によるもので
あるとした上記の考えを支持するものである。
下で行った場合のＶ−Ｔ曲線を０．３５〜1.8 以下の温
度範囲で示したものである。零磁場条件の図５に比べ
て、図４では磁場印加があるために、ディップミニマム
点温度は０．４１Ｋまで動いてきている。このように、
Ｖ−Ｔ曲線の落ち込みのミニマム点温度が磁場依存性を
示すことは、落ち込みの原因が固有点欠陥によるもので
あるとした上記の考えを支持するものである。
【００３２】図５と図７から、温度を固定して磁場Ｈの
強さを変えた場合にも相対音速Ｖ／Ｖ0 は強い磁場依存
性を示すことが推定できるが、実際に温度を０．５２Ｋ
（零磁場状態では落ち込みが始まっている温度）に固定
して、磁場Ｈを変えた場合の音速−磁場曲線（Ｖ−Ｈ曲
線）は、図８のように強い磁場依存性を示す。以上のこ
とから、次の手順を踏んで固有点欠陥濃度を求めること
ができる。
強さを変えた場合にも相対音速Ｖ／Ｖ0 は強い磁場依存
性を示すことが推定できるが、実際に温度を０．５２Ｋ
（零磁場状態では落ち込みが始まっている温度）に固定
して、磁場Ｈを変えた場合の音速−磁場曲線（Ｖ−Ｈ曲
線）は、図８のように強い磁場依存性を示す。以上のこ
とから、次の手順を踏んで固有点欠陥濃度を求めること
ができる。
【００３３】即ち、まず、零磁場下においてＶ−Ｔ曲
線を測定し、２Ｋ以下の落ち込みがあることを確認し、
次に、その落ち込みが、数テスラの磁場印加によって
高温側にシフトすることを確認し、そして、 図４の
ようにディップ状の落ち込みの全貌が見えたところで、
ティップの深さから固有点欠陥濃度を比例換算によって
求めるようにする。
線を測定し、２Ｋ以下の落ち込みがあることを確認し、
次に、その落ち込みが、数テスラの磁場印加によって
高温側にシフトすることを確認し、そして、 図４の
ようにディップ状の落ち込みの全貌が見えたところで、
ティップの深さから固有点欠陥濃度を比例換算によって
求めるようにする。
【００３４】その他、次のようにして固有点欠陥濃度を
求めてもよい。 (i) まず、一定温度（例えば図４のように０．５Ｋ程
度）に固定し、一定磁場（例えば図４のように３テスラ
程度の磁場）をかけて、図４に示すようにディップ状の
落ち込みの全貌が捉えられるようにしておく。次に、(i
i)ディップの深さから固有点欠陥濃度を比例換算により
求める。そして、(iii) 磁場を変えて（例えば零磁場に
して）、音速低下量が変化することを確認する。
求めてもよい。 (i) まず、一定温度（例えば図４のように０．５Ｋ程
度）に固定し、一定磁場（例えば図４のように３テスラ
程度の磁場）をかけて、図４に示すようにディップ状の
落ち込みの全貌が捉えられるようにしておく。次に、(i
i)ディップの深さから固有点欠陥濃度を比例換算により
求める。そして、(iii) 磁場を変えて（例えば零磁場に
して）、音速低下量が変化することを確認する。
【００３５】なお、上記した２つの方法のうちの一部を
省略してもよく、例えばと、又は(i) 、(ii)だけで
も十分である。なお、上述のような超音波音速異常が発
生する場合には、同様な温度、磁場印加の下で、超音波
吸収が増大する超音波吸収異常が発生することが、クラ
マース−クローニーヒ関係式から一般に期待されるの
で、上記と同じ測定条件で、音速の代わりに音波吸収を
測定しても目的を達成できる。（５）次に、本発明に係
る結晶中の不純物濃度測定装置の一実施例を説明する。
省略してもよく、例えばと、又は(i) 、(ii)だけで
も十分である。なお、上述のような超音波音速異常が発
生する場合には、同様な温度、磁場印加の下で、超音波
吸収が増大する超音波吸収異常が発生することが、クラ
マース−クローニーヒ関係式から一般に期待されるの
で、上記と同じ測定条件で、音速の代わりに音波吸収を
測定しても目的を達成できる。（５）次に、本発明に係
る結晶中の不純物濃度測定装置の一実施例を説明する。
【００３６】図９は、不純物濃度測定装置を全体的に示
す断面図である。図９に示すように、結晶中の不純物濃
度測定装置は、低温クライオスタット１、試料測定箱４
及び測定棒５を備えている。低温クライオスタット１の
低温槽は３つの槽からなり、外側の真空槽１１は外界と
内部との熱接触を遮断するためロータリーポンプで減圧
さている。中間の液体窒素槽１２とその内側の液体ヘリ
ウム槽１３は冷媒槽であり、それぞれ液体窒素と液体ヘ
リウム３（3He)が充満されている。そして、液体窒素槽
１２の内部は液体窒素温度（約７７．３４Ｋ）まで低下
され、さらに液体ヘリウム槽１３の内部は液体ヘリウム
温度（３．１９５Ｋ）まで低下されることになるが、ポ
ンピングによって０．３５Ｋまでは到達可能である。
す断面図である。図９に示すように、結晶中の不純物濃
度測定装置は、低温クライオスタット１、試料測定箱４
及び測定棒５を備えている。低温クライオスタット１の
低温槽は３つの槽からなり、外側の真空槽１１は外界と
内部との熱接触を遮断するためロータリーポンプで減圧
さている。中間の液体窒素槽１２とその内側の液体ヘリ
ウム槽１３は冷媒槽であり、それぞれ液体窒素と液体ヘ
リウム３（3He)が充満されている。そして、液体窒素槽
１２の内部は液体窒素温度（約７７．３４Ｋ）まで低下
され、さらに液体ヘリウム槽１３の内部は液体ヘリウム
温度（３．１９５Ｋ）まで低下されることになるが、ポ
ンピングによって０．３５Ｋまでは到達可能である。
【００３７】そして、液体ヘリウム槽１３の中に測定棒
５が挿入され、その測定棒５の下端には円筒形状の試料
測定箱４が位置している。測定棒５の上端からは、図１
０に示すような超音波パルス発生装置３１に接続される
ケーブル３１ｂと、超音波パルス検出装置３２に接続さ
れるケーブル３２ｂと、試料測定箱４内の結晶試料２の
温度を制御するための図示しない温度制御装置にヒータ
線１４を接続するケーブル１４ｂと、抵抗温度計１５に
接続されるケーブル１５ｂとが引き出されている。
５が挿入され、その測定棒５の下端には円筒形状の試料
測定箱４が位置している。測定棒５の上端からは、図１
０に示すような超音波パルス発生装置３１に接続される
ケーブル３１ｂと、超音波パルス検出装置３２に接続さ
れるケーブル３２ｂと、試料測定箱４内の結晶試料２の
温度を制御するための図示しない温度制御装置にヒータ
線１４を接続するケーブル１４ｂと、抵抗温度計１５に
接続されるケーブル１５ｂとが引き出されている。
【００３８】図１０は、測定棒５の下端に収納される試
料測定箱４の断面とこれに接続される装置を示す構成図
である。試料測定箱４は、基台４ａ及び円筒形状のハウ
ジング４ｂから構成され、ハウジング４ｂは取外し可能
にされていて、結晶シリコンなどの結晶試料２の取替え
などが簡単に行えるように構成されている。
料測定箱４の断面とこれに接続される装置を示す構成図
である。試料測定箱４は、基台４ａ及び円筒形状のハウ
ジング４ｂから構成され、ハウジング４ｂは取外し可能
にされていて、結晶シリコンなどの結晶試料２の取替え
などが簡単に行えるように構成されている。
【００３９】また、ハウジング４ｂの外周には、ヒータ
線１４が巻かれ、このヒータ線１４はケーブル１４ｂで
不図示の温度制御装置に接続され、この温度制御装置に
より試料測定箱４内の温度を電気的に連続的に可変制御
できるようになされている。その可変範囲は、液体ヘリ
ウム３を使用する場合には０．３５〜１０Ｋであり、さ
らに他の冷却媒体を使用する場合に０〜１０Ｋの範囲に
入る又はその範囲を含む温度制御もできる。
線１４が巻かれ、このヒータ線１４はケーブル１４ｂで
不図示の温度制御装置に接続され、この温度制御装置に
より試料測定箱４内の温度を電気的に連続的に可変制御
できるようになされている。その可変範囲は、液体ヘリ
ウム３を使用する場合には０．３５〜１０Ｋであり、さ
らに他の冷却媒体を使用する場合に０〜１０Ｋの範囲に
入る又はその範囲を含む温度制御もできる。
【００４０】さらに、試料測定箱４内では、超音波パル
スを発生するための第一のピエゾ素子超音波トランスデ
ューサ３１ａと、超音波パルスの音速を検出するための
第二のピエゾ素子超音波トランスデューサ３２ａとが対
向して配置され、これらの間に結晶試料２を挟んで固定
するようになされている。そして、第一のピエゾ素子超
音波トランスデューサ３１ａにはケーブル３１ｂを通し
て超音波パルス発生装置３１で発生させたパルス信号が
印加され、第一のピエゾ素子超音波トランスデューサ３
１ａはその圧電効果によりパルス信号を超音波振動に変
換して結晶試料２の一端を振動させる。また、結晶試料
２内を伝わってその他端に到達した超音波振動は第二の
ピエゾ素子超音波トランスデューサ３２ａに伝わる。さ
らに、第二のピエゾ素子超音波トランスデューサ３２ａ
は、その超音波振動を圧電効果により電気的パルスに変
換し、ケーブル３２ｂを介して超音波パルス検出装置３
２にパルス信号を出力するようになされている。
スを発生するための第一のピエゾ素子超音波トランスデ
ューサ３１ａと、超音波パルスの音速を検出するための
第二のピエゾ素子超音波トランスデューサ３２ａとが対
向して配置され、これらの間に結晶試料２を挟んで固定
するようになされている。そして、第一のピエゾ素子超
音波トランスデューサ３１ａにはケーブル３１ｂを通し
て超音波パルス発生装置３１で発生させたパルス信号が
印加され、第一のピエゾ素子超音波トランスデューサ３
１ａはその圧電効果によりパルス信号を超音波振動に変
換して結晶試料２の一端を振動させる。また、結晶試料
２内を伝わってその他端に到達した超音波振動は第二の
ピエゾ素子超音波トランスデューサ３２ａに伝わる。さ
らに、第二のピエゾ素子超音波トランスデューサ３２ａ
は、その超音波振動を圧電効果により電気的パルスに変
換し、ケーブル３２ｂを介して超音波パルス検出装置３
２にパルス信号を出力するようになされている。
【００４１】これにより、結晶試料２を伝達して第一の
ピエゾ素子超音波トランスデューサ３１ａから第二のピ
エゾ素子超音波トランスデューサ３２ａに伝わった超音
波パルスのと相対音速Ｖ／Ｖ0 の測定は、超音波パルス
発生装置３１で発生されたパルス信号と超音波検出装置
３２で検出されたパルス信号とを比較して行われ、例え
ば、位相差を検出する位相比較法によって行われる。
ピエゾ素子超音波トランスデューサ３１ａから第二のピ
エゾ素子超音波トランスデューサ３２ａに伝わった超音
波パルスのと相対音速Ｖ／Ｖ0 の測定は、超音波パルス
発生装置３１で発生されたパルス信号と超音波検出装置
３２で検出されたパルス信号とを比較して行われ、例え
ば、位相差を検出する位相比較法によって行われる。
【００４２】位相比較法は、図１１に示すように、結晶
試料２を介さないで伝達して検出されるパルス信号、即
ちパルス発生装置３１で発生したパルス信号を参照波と
し、結晶試料２を通過して検出されたパルス信号をその
参照波と比較して超音波の遅れを調べる方法であって、
参照波と試料通過波のそれぞれのパルス波によって描か
れる包絡線内の得定番目（ｎ番目；ｎは整数）の波の振
幅零となる点を位相の比較点として音速の遅れを調べる
方法である。
試料２を介さないで伝達して検出されるパルス信号、即
ちパルス発生装置３１で発生したパルス信号を参照波と
し、結晶試料２を通過して検出されたパルス信号をその
参照波と比較して超音波の遅れを調べる方法であって、
参照波と試料通過波のそれぞれのパルス波によって描か
れる包絡線内の得定番目（ｎ番目；ｎは整数）の波の振
幅零となる点を位相の比較点として音速の遅れを調べる
方法である。
【００４３】超音波パルスは、中心周波数が少なくとも
１０kHz 〜１GHz の周波数範囲内のものを使用する。と
ころで、図１０に示すように、結晶試料２を配置する場
所の周囲には、銅などの高い熱伝導性の金属より形成さ
れたホルダー４１が配置され、これにより結晶試料２の
温度分布が一様になされる。このホルダー４１には抵抗
温度計１５の温度検出部１５ａが取り付けられ、ホルダ
ー３１の温度（略、結晶試料２の温度と等しい）を検出
して結晶試料２の温度を制御できるようになされてい
る。
１０kHz 〜１GHz の周波数範囲内のものを使用する。と
ころで、図１０に示すように、結晶試料２を配置する場
所の周囲には、銅などの高い熱伝導性の金属より形成さ
れたホルダー４１が配置され、これにより結晶試料２の
温度分布が一様になされる。このホルダー４１には抵抗
温度計１５の温度検出部１５ａが取り付けられ、ホルダ
ー３１の温度（略、結晶試料２の温度と等しい）を検出
して結晶試料２の温度を制御できるようになされてい
る。
【００４４】このような試料測定箱４を有する冷却装置
は、図示しない超伝導磁石の間に挿入され、この磁石に
よって少なくとも０〜１０テスラの磁場を連続的に変化
させて印加できるようになっている。以上のような装置
によって、図４、図５、図７に示すような音速測定結果
が得られた。３テスラの磁場印加の下で得られた図７の
Ｖ−Ｔ曲線の落ち込み量から、比例換算によって固有点
欠陥の濃度を求める。落ち込み量と固有点欠陥の濃度と
が比例するからである。
は、図示しない超伝導磁石の間に挿入され、この磁石に
よって少なくとも０〜１０テスラの磁場を連続的に変化
させて印加できるようになっている。以上のような装置
によって、図４、図５、図７に示すような音速測定結果
が得られた。３テスラの磁場印加の下で得られた図７の
Ｖ−Ｔ曲線の落ち込み量から、比例換算によって固有点
欠陥の濃度を求める。落ち込み量と固有点欠陥の濃度と
が比例するからである。
【００４５】図４のＶ−Ｔ曲線の落ち込み量は、０．０
０００５であり、１ppm の固有点欠陥濃度に対して、
０．００１の相対音速低下があるとすれば、この落ち込
み量から、固有点欠陥の濃度は約０．０５ppｍと見積も
られる。なお、上記した結晶欠陥測定方法は、シリコン
結晶の固有点欠陥を調べる方法に限定されるものではな
く、その他の単結晶の欠陥を調べる場合にも当然適用で
きる。
０００５であり、１ppm の固有点欠陥濃度に対して、
０．００１の相対音速低下があるとすれば、この落ち込
み量から、固有点欠陥の濃度は約０．０５ppｍと見積も
られる。なお、上記した結晶欠陥測定方法は、シリコン
結晶の固有点欠陥を調べる方法に限定されるものではな
く、その他の単結晶の欠陥を調べる場合にも当然適用で
きる。
【００４６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、冷却
しながら結晶試料に外部磁場を印加しかつ超音波を通過
させて、結晶試料での超音波音速変化又は超音波吸収変
化と試料冷却温度との関係を測定するようにしているの
で、格子歪と磁場に対して敏感に官能するエネルギー準
位を持つ結晶試料の固有点欠陥の濃度を調べるために測
定するＶ−Ｔ曲線には、磁気印加によって深さや発生温
度が変化するディップが生じることになり、固有点欠陥
濃度が容易に測定できる。
しながら結晶試料に外部磁場を印加しかつ超音波を通過
させて、結晶試料での超音波音速変化又は超音波吸収変
化と試料冷却温度との関係を測定するようにしているの
で、格子歪と磁場に対して敏感に官能するエネルギー準
位を持つ結晶試料の固有点欠陥の濃度を調べるために測
定するＶ−Ｔ曲線には、磁気印加によって深さや発生温
度が変化するディップが生じることになり、固有点欠陥
濃度が容易に測定できる。
【図１】結晶中のNaCl結晶とSi結晶の原子結合状態を示
す図である。
す図である。
【図２】二次元のエネルギーバンドを示す図である。
【図３】結晶における超音波速度と温度との関係を示す
特性図である。
特性図である。
【図４】本発明における零磁場下での試料温度と超音波
相対速度の関係を示す特性図である。
相対速度の関係を示す特性図である。
【図５】図４に示した試料温度・超音波相対速度特性図
の拡大図である。
の拡大図である。
【図６】磁気モーメントと結合したトンネル励起のエネ
ルギー準位を示す図である。
ルギー準位を示す図である。
【図７】本発明における磁場印加下での試料温度と超音
波相対速度の関係を示す特性図である。
波相対速度の関係を示す特性図である。
【図８】本発明の温度を一定に保持した状態での試料印
加磁界と超音波相対速度の関係を示す特性図である。
加磁界と超音波相対速度の関係を示す特性図である。
【図９】本発明の結晶中の不純物測定装置の一実施例を
全体的に示す断面図である。
全体的に示す断面図である。
【図１０】本発明の結晶中の不純物測定装置の一実施例
の要部を示す断面図である。
の要部を示す断面図である。
【図１１】本発明に用いる位相比較法を説明する波形図
である。
である。
１ 低温度発生手段 ２ 結晶試料 ４ 試料測定箱 ５ 測定棒 １１ 真空槽 １２ 液体窒素槽 １３ 液体ヘリウム槽 １４ ヒータ線 １５ 抵抗温度計 ３１ 超音波パルス発生装置 ３２ 超音波パルス検出装置
Claims (6)
- 【請求項１】結晶試料（２）に外部磁場を印加し、冷却
しながら該結晶試料（２）に超音波を通過させて、該結
晶試料（２）での超音波音速変化又は超音波吸収変化と
結晶試料冷却温度との関係を測定することを特徴とする
結晶欠陥測定方法。 - 【請求項２】前記結晶試料（２）での超音波音速変化又
は超音波吸収変化と前記結晶試料（２）の冷却温度との
関係を示す曲線の急峻な落ち込み量に基づいて固有点欠
陥濃度を求めることを特徴とする請求項１記載の結晶欠
陥測定方法。 - 【請求項３】前記外部磁場の強度が少なくとも０〜１０
テスラの範囲にはいることを特徴とする請求項１記載の
結晶欠陥測定方法。 - 【請求項４】前記冷却温度は少なくとも０〜１０Ｋの範
囲に入ることを特徴とする請求項１記載の結晶欠陥測定
方法。 - 【請求項５】前記超音波は、中心周波数が１０KHz 〜１
０GHz の範囲にある超音波パルスを用いることを特徴と
する請求項１記載の結晶欠陥測定方法。 - 【請求項６】前記超音波速度の測定には参照波と試料通
過波の特定番目のパルスの位相差を検出する位相比較法
を使用することを特徴とする請求項１記載の結晶欠陥測
定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5320457A JPH07174742A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 結晶欠陥測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5320457A JPH07174742A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 結晶欠陥測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07174742A true JPH07174742A (ja) | 1995-07-14 |
Family
ID=18121669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5320457A Withdrawn JPH07174742A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 結晶欠陥測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07174742A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005091318A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Fuji Kogyo Kk | 超音波濃度計 |
| CN1295502C (zh) * | 2004-08-25 | 2007-01-17 | 天津理工大学 | 超导限流器超导体状态监测系统 |
| WO2007100155A1 (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Niigata University | シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置および方法 |
| WO2007100158A1 (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Niigata University | ＣＺ法によるSi単結晶インゴットの製造方法 |
| JP2007263960A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-10-11 | Niigata Univ | シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置および方法 |
| JP2007261935A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-10-11 | Niigata Univ | ＣＺ法によるＳｉ単結晶インゴットの製造方法 |
| WO2009005087A1 (ja) | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Niigata University | シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置、その方法、シリコンウェーハの製造方法、及び薄膜振動子 |
| KR20120081117A (ko) | 2009-09-07 | 2012-07-18 | 고쿠리츠다이가쿠호진 니이가타 다이가쿠 | 실리콘 웨이퍼 중에 존재하는 원자 공공 농도의 정량 평가 방법, 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 및 이 제조 방법에 의해 제조된 실리콘 웨이퍼 |
| WO2015068391A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2015-05-14 | 国立大学法人 新潟大学 | シリコンウェーハ表層中の原子空孔評価方法及び装置 |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP5320457A patent/JPH07174742A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005091318A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Fuji Kogyo Kk | 超音波濃度計 |
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| US8037761B2 (en) | 2006-03-03 | 2011-10-18 | Niigata University | Quantitative evaluation device and method of atomic vacancy existing in silicon wafer |
| WO2007100155A1 (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Niigata University | シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置および方法 |
| WO2007100158A1 (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-07 | Niigata University | ＣＺ法によるSi単結晶インゴットの製造方法 |
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| JP2007261935A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-10-11 | Niigata Univ | ＣＺ法によるＳｉ単結晶インゴットの製造方法 |
| US20090217866A1 (en) * | 2006-03-03 | 2009-09-03 | Sumco Corporation | METHOD FOR PRODUCING Si SINGLE CRYSTAL INGOT BY CZ METHOD |
| WO2009005087A1 (ja) | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Niigata University | シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置、その方法、シリコンウェーハの製造方法、及び薄膜振動子 |
| US8215175B2 (en) | 2007-07-03 | 2012-07-10 | Niigata University | Quantitative evaluation device of atomic vacancies existing in silicon wafer, method for the device, silicon wafer manufacturing method, and thin-film oscillator |
| KR20120081117A (ko) | 2009-09-07 | 2012-07-18 | 고쿠리츠다이가쿠호진 니이가타 다이가쿠 | 실리콘 웨이퍼 중에 존재하는 원자 공공 농도의 정량 평가 방법, 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 및 이 제조 방법에 의해 제조된 실리콘 웨이퍼 |
| US8578777B2 (en) | 2009-09-07 | 2013-11-12 | Niigata Univerasity | Method for quantitatively evaluating concentration of atomic vacancies existing in silicon wafer, method for manufacturing silicon wafer, and silicon wafer manufactured by the method for manufacturing silicon wafer |
| WO2015068391A1 (ja) * | 2013-01-31 | 2015-05-14 | 国立大学法人 新潟大学 | シリコンウェーハ表層中の原子空孔評価方法及び装置 |
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