JPH07169987A - 光起電モジュールの製法 - Google Patents
光起電モジュールの製法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 光起電モジュールの製法に当たり、ワット当
たりのコストの低減及び製造収率の増大をはかる。 【構成】 支持された大きい面積を有する薄層形のケイ
素ウェーハを使用し、ａ）支持基板上にケイ素ウェーハ
１を配置し、ｂ）該ケイ素ウェーハ上にドーピングペー
ストを塗布し、ｃ）熱処理してドーピング剤を拡散さ
せ、ｄ）ケイ素ウェーハを切断して活性エレメントと
し、ｅ）該エレメントの前面及び背面に接点を形成し、
ｆ）接点を形成したリア保護ガラスを当て、ｇ）活性エ
レメントを相互に接続し、ｈ）反射防止層を設け、ｉ）
カプセル化する。
たりのコストの低減及び製造収率の増大をはかる。 【構成】 支持された大きい面積を有する薄層形のケイ
素ウェーハを使用し、ａ）支持基板上にケイ素ウェーハ
１を配置し、ｂ）該ケイ素ウェーハ上にドーピングペー
ストを塗布し、ｃ）熱処理してドーピング剤を拡散さ
せ、ｄ）ケイ素ウェーハを切断して活性エレメントと
し、ｅ）該エレメントの前面及び背面に接点を形成し、
ｆ）接点を形成したリア保護ガラスを当て、ｇ）活性エ
レメントを相互に接続し、ｈ）反射防止層を設け、ｉ）
カプセル化する。
Description
【０００１】本発明は、薄い結晶性ケイ素層を基材とす
る光起電モジュールの製法に係る。
る光起電モジュールの製法に係る。
【０００２】結晶性ケイ素を基材とする光起電モジュー
ルは製造されており、電気エネルギーを発生するために
使用されている。近年使用されている製造方法では、た
とえば Martin A．Green によって Solar Cells，Opera
ting Principles，Technology and System Application
s，Prentice−Hall Inc．に開示されているように、モ
ジュールは、直列又は並列に電気的に接続された電池の
アセンブリーを形成するように相互に結合された個々の
太陽電池でなる。ついで、このアセンブリーを、高透過
性ガラスシートと、ガラス又はリア保護として好適なプ
ラスチック材料の他のシートとの間でカプセル化する。
ついで、ユニット全体を重合体樹脂で密閉する。
ルは製造されており、電気エネルギーを発生するために
使用されている。近年使用されている製造方法では、た
とえば Martin A．Green によって Solar Cells，Opera
ting Principles，Technology and System Application
s，Prentice−Hall Inc．に開示されているように、モ
ジュールは、直列又は並列に電気的に接続された電池の
アセンブリーを形成するように相互に結合された個々の
太陽電池でなる。ついで、このアセンブリーを、高透過
性ガラスシートと、ガラス又はリア保護として好適なプ
ラスチック材料の他のシートとの間でカプセル化する。
ついで、ユニット全体を重合体樹脂で密閉する。
【０００３】これらの方法は、350〜500μｍを越える厚
さを有するケイ素シートを使用するものである。
さを有するケイ素シートを使用するものである。
【０００４】該製法の評価において、シートの厚さ、す
なわちケイ素の量を低減することによって、ワット当た
りのコストをかなり低下させうることが示された。ただ
し、厚さが低下し、面積が増大するにつれて物質のもろ
さが増大すること、及びウェーハの厚さが300μｍ以下
の場合には、光起電モジュールの製造収率が劇的に低下
することが問題となる。
なわちケイ素の量を低減することによって、ワット当た
りのコストをかなり低下させうることが示された。ただ
し、厚さが低下し、面積が増大するにつれて物質のもろ
さが増大すること、及びウェーハの厚さが300μｍ以下
の場合には、光起電モジュールの製造収率が劇的に低下
することが問題となる。
【０００５】発明者らは、大きい面積を有する薄いケイ
素ウェーハを包含する光起電モジュールを製造する低コ
スト製法によって、これらの問題を解消した。
素ウェーハを包含する光起電モジュールを製造する低コ
スト製法によって、これらの問題を解消した。
【０００６】これによれば、本発明は、ケイ素が支持さ
れた大面積の薄層形であることを特徴とする単結晶性又
は多結晶性ケイ素を基材とする光起電モジュールの製法
において、ａ）耐熱性材料でなる支持基板上に、好適な
電気的活性な不純物をドープした表面積0.5ｍ2 以下及
び厚さ100〜500μｍを有する１以上のケイ素ウェーハを
配置し、ｂ）シルクスクリーン法によって該ケイ素ウェ
ーハ上にドーピングペーストを塗布し、ｃ）温度900〜1
000℃に加熱することによってドーピング剤を拡散さ
せ、ｄ）拡散した層を切断することによってユニット活
性エレメントの表面積を限定し、ｅ）該活性エレメント
の前面及び背面上に接点を形成し、ｆ）接点を形成した
リア保護ガラスを当て、ｇ）活性エレメントを相互に接
続し、ｈ）反射防止層を設け、ｉ）カプセル化すること
を特徴とする光起電モジュールの製法を提供するもので
ある。
れた大面積の薄層形であることを特徴とする単結晶性又
は多結晶性ケイ素を基材とする光起電モジュールの製法
において、ａ）耐熱性材料でなる支持基板上に、好適な
電気的活性な不純物をドープした表面積0.5ｍ2 以下及
び厚さ100〜500μｍを有する１以上のケイ素ウェーハを
配置し、ｂ）シルクスクリーン法によって該ケイ素ウェ
ーハ上にドーピングペーストを塗布し、ｃ）温度900〜1
000℃に加熱することによってドーピング剤を拡散さ
せ、ｄ）拡散した層を切断することによってユニット活
性エレメントの表面積を限定し、ｅ）該活性エレメント
の前面及び背面上に接点を形成し、ｆ）接点を形成した
リア保護ガラスを当て、ｇ）活性エレメントを相互に接
続し、ｈ）反射防止層を設け、ｉ）カプセル化すること
を特徴とする光起電モジュールの製法を提供するもので
ある。
【０００７】次に、添付図面を参照して本発明の製法を
詳述する。なお、図面において、同一の符号は同一の部
材を示す。
詳述する。なお、図面において、同一の符号は同一の部
材を示す。
【０００８】図１に示す工程ａ）において、ｐ又はｎド
ープ高純度ケイ素インゴットを切断することによって得
た単結晶性又は多結晶性ケイ素ウェーハを使用する。ウ
ェーハの厚さは100〜500μｍであり、好ましくは100μ
ｍである。その面積は要求に応じて異なる。超音波又は
一般的に使用されている公知の各種の洗浄溶液の１つを
使用する浄化の後、焼結した無定形石英又は工程ｃ）の
高温に耐えうる加工可能な他の材料でなる支持基板２上
にウェーハ１を配置する。
ープ高純度ケイ素インゴットを切断することによって得
た単結晶性又は多結晶性ケイ素ウェーハを使用する。ウ
ェーハの厚さは100〜500μｍであり、好ましくは100μ
ｍである。その面積は要求に応じて異なる。超音波又は
一般的に使用されている公知の各種の洗浄溶液の１つを
使用する浄化の後、焼結した無定形石英又は工程ｃ）の
高温に耐えうる加工可能な他の材料でなる支持基板２上
にウェーハ１を配置する。
【０００９】該基板はケイ素ウェーハを収容するための
シート（孔３を具備する）を有し、このシートの深さは
ウェーハの厚さよりも小さい。この基板を排気可能な金
属支持体４（ガスケットを介して密着される）上に配置
し、該支持体を介してシートを真空状態とする。このよ
うにして、ウェーハを空気減圧システムによって支持体
に対して密着状態に維持する。
シート（孔３を具備する）を有し、このシートの深さは
ウェーハの厚さよりも小さい。この基板を排気可能な金
属支持体４（ガスケットを介して密着される）上に配置
し、該支持体を介してシートを真空状態とする。このよ
うにして、ウェーハを空気減圧システムによって支持体
に対して密着状態に維持する。
【００１０】工程ｂ）金属支持体及びケイ素ウェーハを
収容する基板を、該アセンブリー全体を減圧下に維持し
ながら、ケイ素ウェーハ上に該ケイ素ウェーハのものと
逆の種類のドーピング剤を含有するシルクスクリーンペ
ーストを塗布することができる市販の装置内に設置す
る。
収容する基板を、該アセンブリー全体を減圧下に維持し
ながら、ケイ素ウェーハ上に該ケイ素ウェーハのものと
逆の種類のドーピング剤を含有するシルクスクリーンペ
ーストを塗布することができる市販の装置内に設置す
る。
【００１１】工程ｃ）前記ドーピング剤を好適な濃度プ
ロフィールでケイ素内に拡散させる高温熱サイクルを有
するトンネル炉内においてドーピング剤を拡散させる。
温度は900℃以上であり、950℃が好適である。
ロフィールでケイ素内に拡散させる高温熱サイクルを有
するトンネル炉内においてドーピング剤を拡散させる。
温度は900℃以上であり、950℃が好適である。
【００１２】工程ｄ）金属支持体上に配置し、減圧下に
維持したケイ素ウェーハを収容する基板を、微小ｘ−ｙ
移動可能なトラバーステーブル上に配置する。好ましく
はパワーレーザー、又はダイヤモンドセット砥石車又は
好適な装置を使用して、ケイ素ウェーハの縁から拡散層
（装置を短絡させる）を除去する。大面積のウェーハの
場合には、ケイ素ウェーハの表面全体を異なる独立した
活性エレメントに分割するために当該方法を使用するこ
ともできる。ついで、これらのエレメント（１つのケイ
素ウェーハから調製した）を、つづく工程で相互に電気
的に接続して光起電モジュールを形成する。
維持したケイ素ウェーハを収容する基板を、微小ｘ−ｙ
移動可能なトラバーステーブル上に配置する。好ましく
はパワーレーザー、又はダイヤモンドセット砥石車又は
好適な装置を使用して、ケイ素ウェーハの縁から拡散層
（装置を短絡させる）を除去する。大面積のウェーハの
場合には、ケイ素ウェーハの表面全体を異なる独立した
活性エレメントに分割するために当該方法を使用するこ
ともできる。ついで、これらのエレメント（１つのケイ
素ウェーハから調製した）を、つづく工程で相互に電気
的に接続して光起電モジュールを形成する。
【００１３】この工程の終了時、炉内でのドーピング剤
の拡散の際にウェーハの表面上に絶縁性の酸化ケイ素層
が形成される可能性があるため、フッ化水素酸によって
これを除去することが好適である。この目的のため、図
２から明らかなように、ウェーハを収容する基板を、耐
酸性材料（たとえばテフロン）の「ポケット」でなり、
化学的攻撃を受ける部分に対応する開口を有するマスキ
ングカバー５内に装入する。化学的攻撃の間に、超音波
によって作用を促進させることが有利である。ついで、
ウェーハを脱イオン水で洗浄し、乾燥させる。
の拡散の際にウェーハの表面上に絶縁性の酸化ケイ素層
が形成される可能性があるため、フッ化水素酸によって
これを除去することが好適である。この目的のため、図
２から明らかなように、ウェーハを収容する基板を、耐
酸性材料（たとえばテフロン）の「ポケット」でなり、
化学的攻撃を受ける部分に対応する開口を有するマスキ
ングカバー５内に装入する。化学的攻撃の間に、超音波
によって作用を促進させることが有利である。ついで、
ウェーハを脱イオン水で洗浄し、乾燥させる。
【００１４】この除去操作は、次工程の間に、金属が酸
化物層を通過してケイ素と合金化するような焼成サイク
ルが使用される際には回避される。
化物層を通過してケイ素と合金化するような焼成サイク
ルが使用される際には回避される。
【００１５】工程ｅ）ウェーハを収容する基板を排気可
能な金属支持体上に再度配置し、シルクスクリーン法に
より、好ましくは銀含有導電ペーストを使用して、各種
活性エレメント上にフロント接点を塗布する。
能な金属支持体上に再度配置し、シルクスクリーン法に
より、好ましくは銀含有導電ペーストを使用して、各種
活性エレメント上にフロント接点を塗布する。
【００１６】リア接点を形成するためには、図３に概略
して示すような反転システムが必要である。金属支持体
（移転側システム）６上に配置し、減圧下に維持した基
板を、完全に同一のシステム（受け取り側システム）７
上に反転させる。真空を移転側システムから受け取り側
システムに移す際、活性エレメントは受け取り側システ
ム（新たに真空がかけられる）のシート内に重力落下す
る。ついで、反転した活性エレメントの背面について接
点のシルクスクリーン塗布を行う。接点を乾燥させた
後、700〜900℃（好ましくは800℃）の高温で焼成し
て、ケイ素と合金化させてオーム接点を形成する。
して示すような反転システムが必要である。金属支持体
（移転側システム）６上に配置し、減圧下に維持した基
板を、完全に同一のシステム（受け取り側システム）７
上に反転させる。真空を移転側システムから受け取り側
システムに移す際、活性エレメントは受け取り側システ
ム（新たに真空がかけられる）のシート内に重力落下す
る。ついで、反転した活性エレメントの背面について接
点のシルクスクリーン塗布を行う。接点を乾燥させた
後、700〜900℃（好ましくは800℃）の高温で焼成し
て、ケイ素と合金化させてオーム接点を形成する。
【００１７】工程ｆ）厚さ約３mm、ケイ素ウェーハ（数
個の感応性エレメントに分割される場合）又は多数のウ
ェーハ（これらの各々が１つの感応性エレメントを代表
する場合）のものと等しい又は大きい寸法のガラスシー
ト上に、導電性軌道を、ケイ素ウェーハの背面上に前の
工程で既に析出されたリア接点に正確に対応する位置で
感応性エレメントを相互に接続するために析出させる。
ガラスシートをケイ素上に積層して、２つのシリーズの
接点を並置する。この時点で真空を取り去り、「サンド
イッチ」を約200℃に加熱する。
個の感応性エレメントに分割される場合）又は多数のウ
ェーハ（これらの各々が１つの感応性エレメントを代表
する場合）のものと等しい又は大きい寸法のガラスシー
ト上に、導電性軌道を、ケイ素ウェーハの背面上に前の
工程で既に析出されたリア接点に正確に対応する位置で
感応性エレメントを相互に接続するために析出させる。
ガラスシートをケイ素上に積層して、２つのシリーズの
接点を並置する。この時点で真空を取り去り、「サンド
イッチ」を約200℃に加熱する。
【００１８】工程ｇ）１つの感応性エレメントの前面が
次のエレメントの背面と接続して、モジュールの出口で
所望の電流及び電圧を提供するように相互接続を形成す
る。
次のエレメントの背面と接続して、モジュールの出口で
所望の電流及び電圧を提供するように相互接続を形成す
る。
【００１９】図４は相互接続のスキームを示す。初めに
電池の一方の縁に絶縁重合体を析出し、ついで導電性デ
ポジット８によって電池のフロント接点９を次の電池の
ガラスに沿って絶縁層によって保護された点で電池を越
えて伸びるリア接点10に接続させる。これにより、電池
の短絡を防止する。図４はｐ／ｎジャンクション11及び
リアガラス12も示す。
電池の一方の縁に絶縁重合体を析出し、ついで導電性デ
ポジット８によって電池のフロント接点９を次の電池の
ガラスに沿って絶縁層によって保護された点で電池を越
えて伸びるリア接点10に接続させる。これにより、電池
の短絡を防止する。図４はｐ／ｎジャンクション11及び
リアガラス12も示す。
【００２０】工程ｈ）反射防止層をモジュールの前面に
形成する。この目的のため、たとえば数100Åの酸化チ
タン層を析出する。
形成する。この目的のため、たとえば数100Åの酸化チ
タン層を析出する。
【００２１】工程ｉ）多くの公知の方法の１つを利用し
てモジュールをカプセル化する。たとえば、前面防護材
として高透過性強化ガラスを使用でき、密閉用樹脂とし
てエチレン−ビニル酢酸を使用できる。
てモジュールをカプセル化する。たとえば、前面防護材
として高透過性強化ガラスを使用でき、密閉用樹脂とし
てエチレン−ビニル酢酸を使用できる。
【００２２】本発明の他の具体例によれば、ケイ素上の
リア接点及びリア保護ガラス上の接点の両方について単
一の接点焼成工程を使用できる。これに関して、ケイ素
の焼成温度は非常に高く、基本的にはガラスにとって不
都合なものであるが、この操作に最適な条件は焼成時間
を非常に短く（数秒）することによって及びケイ素表面
を照射により加熱することによって達成される。さら
に、ガラスはスペクトルのかかる領域では照射を吸収し
ない。
リア接点及びリア保護ガラス上の接点の両方について単
一の接点焼成工程を使用できる。これに関して、ケイ素
の焼成温度は非常に高く、基本的にはガラスにとって不
都合なものであるが、この操作に最適な条件は焼成時間
を非常に短く（数秒）することによって及びケイ素表面
を照射により加熱することによって達成される。さら
に、ガラスはスペクトルのかかる領域では照射を吸収し
ない。
【００２３】この場合、方法を下記のように変更する。
すなわち、工程ｅ）において、リア接点を析出した後、
高温での焼成を行わず、代わりに温度200〜300℃に加熱
する。ついで、工程ｆ）において、約700〜900℃、５〜
20秒の高温焼成を行う。
すなわち、工程ｅ）において、リア接点を析出した後、
高温での焼成を行わず、代わりに温度200〜300℃に加熱
する。ついで、工程ｆ）において、約700〜900℃、５〜
20秒の高温焼成を行う。
【００２４】本発明のさらに他の具体例では、工程ｆ）
において、ガラス上に接点を形成せず、代わりに支持基
板上に形成し、これにより、基板ば光起電モジュールの
１構成部材となる。
において、ガラス上に接点を形成せず、代わりに支持基
板上に形成し、これにより、基板ば光起電モジュールの
１構成部材となる。
【００２５】要約すると、本発明によるモジュールの製
法は小さい面積のウェーハを原料として使用せず、代わ
りに支持された大きい面積のケイ素シートを使用してい
る。モジュールは、異なる厚さを有し、積層され、シル
クスクリーン法によって相互接続された一連のケイ素シ
ートでなる。この方法によって製造されたモジュール
は、従来の方法によって製造されたモジュールから達成
されるものよりも低くない太陽光変換効率を有する。さ
らに、ケイ素シートの厚さの低減及び0.5ｍ2 以下の大
きい面積のものを取扱うことによって達成される製造効
率の増大（製造時間が１／10となる）のため、１シフト
当たりの工業生産コストが、年間10Mwを越える容積の場
合には半分となるものと思われる。
法は小さい面積のウェーハを原料として使用せず、代わ
りに支持された大きい面積のケイ素シートを使用してい
る。モジュールは、異なる厚さを有し、積層され、シル
クスクリーン法によって相互接続された一連のケイ素シ
ートでなる。この方法によって製造されたモジュール
は、従来の方法によって製造されたモジュールから達成
されるものよりも低くない太陽光変換効率を有する。さ
らに、ケイ素シートの厚さの低減及び0.5ｍ2 以下の大
きい面積のものを取扱うことによって達成される製造効
率の増大（製造時間が１／10となる）のため、１シフト
当たりの工業生産コストが、年間10Mwを越える容積の場
合には半分となるものと思われる。
【００２６】本発明がさらに良好に理解されるように、
以下にいくつかの実施例を例示するが、本発明を限定す
るものではない。
以下にいくつかの実施例を例示するが、本発明を限定す
るものではない。
【００２７】
【実施例１】厚さ200μｍ及びサイズ20×20cmの高純度
ｐドープケイ素ウェーハ８枚を、ウェーハを収容するた
めの８つのシートを包含する焼結石英プレートでなる支
持基板上に配置した。各シートは深さ150μｍであり、
基部に１以上の貫通孔を有する。
ｐドープケイ素ウェーハ８枚を、ウェーハを収容するた
めの８つのシートを包含する焼結石英プレートでなる支
持基板上に配置した。各シートは深さ150μｍであり、
基部に１以上の貫通孔を有する。
【００２８】基板を、ゴム製密閉ガスケットを具備する
排気可能な方形の金属トレー上に配置した。アセンブリ
ーに真空をかけ、ウェーハを石英プレート上に密着保持
した。ついで、ウェーハ上にシルクスクリーン法によっ
てリンを含有するドーピングペーストを塗布した。
排気可能な方形の金属トレー上に配置した。アセンブリ
ーに真空をかけ、ウェーハを石英プレート上に密着保持
した。ついで、ウェーハ上にシルクスクリーン法によっ
てリンを含有するドーピングペーストを塗布した。
【００２９】石英プレートを排気可能なトレーからはず
し、トンネル炉に装入して拡散を20分間行い、その間に
最高温度は950℃に達した。拡散操作の終了時、ウェー
ハの表面上には深さ0.2〜0.4μｍまでリンでドープされ
た層が存在していた。
し、トンネル炉に装入して拡散を20分間行い、その間に
最高温度は950℃に達した。拡散操作の終了時、ウェー
ハの表面上には深さ0.2〜0.4μｍまでリンでドープされ
た層が存在していた。
【００３０】基板を再度、排気可能なトレー上に置き、
真空下に維持した。ｘ−ｙテーブル及びパワーレーザー
を使用してウェーハを切断して、各ウェーハから４個の
活性エレメントを得た。縁から拡散層を除去した。この
ようにして、各々約100cm2の計32個の活性ユニットを得
た。拡散の結果として表面上に形成された酸化ケイ素を
前述の装置を使用してHFによって除去した。
真空下に維持した。ｘ−ｙテーブル及びパワーレーザー
を使用してウェーハを切断して、各ウェーハから４個の
活性エレメントを得た。縁から拡散層を除去した。この
ようにして、各々約100cm2の計32個の活性ユニットを得
た。拡散の結果として表面上に形成された酸化ケイ素を
前述の装置を使用してHFによって除去した。
【００３１】基板を排気可能なトレー上に配置し、シル
クスクリーン法によってケイ素上にフロント接点を塗布
した。Agでなる接点は厚さ10μｍ、幅120μｍを有す
る。前述の如く基板を反転させた後、同様にして背面に
Ag及びAlでなる接点を塗布した。フロント及びリア接点
の両方を200℃で乾燥させ、ついで750℃で焼成すること
によってケイ素と合金化させた。
クスクリーン法によってケイ素上にフロント接点を塗布
した。Agでなる接点は厚さ10μｍ、幅120μｍを有す
る。前述の如く基板を反転させた後、同様にして背面に
Ag及びAlでなる接点を塗布した。フロント及びリア接点
の両方を200℃で乾燥させ、ついで750℃で焼成すること
によってケイ素と合金化させた。
【００３２】次に、厚さ３mm及び石英基板に等しいサイ
ズの強化ガラス上に、ウェーハの背面上に既に塗布され
たリア接点と正確に対応して、シルクスクリーンによっ
て導電性軌道を塗布した。ガラスに適合する温度（本発
明では400℃）で焼成した後、ガラスプレートを、ガラ
ス上の接点がケイ素上に既にシルクスクリーン法で塗布
されている接点と並置するように積層した。
ズの強化ガラス上に、ウェーハの背面上に既に塗布され
たリア接点と正確に対応して、シルクスクリーンによっ
て導電性軌道を塗布した。ガラスに適合する温度（本発
明では400℃）で焼成した後、ガラスプレートを、ガラ
ス上の接点がケイ素上に既にシルクスクリーン法で塗布
されている接点と並置するように積層した。
【００３３】１つの活性エレメントの前面と次の活性エ
レメントの背面との間を相互接触させた後、前面に厚さ
800Åの酸化チタン層を気相付着させた。
レメントの背面との間を相互接触させた後、前面に厚さ
800Åの酸化チタン層を気相付着させた。
【００３４】最後に、モジュールを常法によってカプセ
ル化した。
ル化した。
【００３５】
【実施例２】20×10cmのケイ素シートを使用して、リア
接点の塗布まで実施例１の操作を行った。
接点の塗布まで実施例１の操作を行った。
【００３６】この時点で、高温での焼成の代わりに、オ
ーブン内で接点を200℃、数分間で乾燥させた。
ーブン内で接点を200℃、数分間で乾燥させた。
【００３７】つづいて、実施例１の如くしてリアガラス
上に接点を形成した。ただし、400℃で焼成する代わり
に、焼成を750℃、15秒間で行った。
上に接点を形成した。ただし、400℃で焼成する代わり
に、焼成を750℃、15秒間で行った。
【００３８】モジュールの製造法の最後の部分は実施例
１に記載のとおりである。
１に記載のとおりである。
【図１】本発明による製法の工程ａ）を示す図である。
【図２】本発明による製法の工程ｄ）における絶縁層の
除去操作を説明する図である。
除去操作を説明する図である。
【図３】本発明による製法の工程ｅ）における操作を説
明する図である。
明する図である。
【図４】本発明による製法の工程ｆ）を示す図である。
１ ケイ素ウェーハ ２ 支持基板 ３ 貫通孔 ４ 金属支持体 ５ マスキングカバー ８ 導電性デポジット ９ フロント接点 １０ リア接点 １１ ｐ／ｎジャンクション １２ リアガラス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マリアーノ・ツァルコーネ イタリー国ローマ州ネッツーノ市ビア・ト ラウンレウト７
Claims (7)
- 【請求項１】ケイ素が支持された大面積の薄層形である
ことを特徴とする単結晶性又は多結晶性ケイ素を基材と
する光起電モジュールの製法において、ａ）耐熱性材料
でなる支持基板上に、好適な電気的活性な不純物をドー
プした表面積0.5ｍ2 以下及び厚さ100〜500μｍを有す
る１以上のケイ素ウェーハを配置し、ｂ）シルクスクリ
ーン法によって該ケイ素ウェーハ上にドーピングペース
トを塗布し、ｃ）温度900〜1000℃に加熱することによ
ってドーピング剤を拡散させ、ｄ）拡散した層を切断す
ることによってユニット活性エレメントの表面積を限定
し、ｅ）該活性エレメントの前面及び背面上に接点を形
成し、ｆ）接点を形成したリア保護ガラスを当て、ｇ）
活性エレメントを相互に接続し、ｈ）反射防止層を設
け、ｉ）カプセル化することを特徴とする、光起電モジ
ュールの製法。 - 【請求項２】請求項１記載の製法において、前記工程
ａ）のケイ素ウェーハが厚さ100〜250μｍを有するもの
である、光起電モジュールの製法。 - 【請求項３】請求項１記載の製法において、前記工程
ａ）のケイ素ウェーハが厚さ100μｍを有するものであ
る、光起電モジュールの製法。 - 【請求項４】請求項１記載の製法において、前記工程
ａ）の支持基板が石英でなるものである、光起電モジュ
ールの製法。 - 【請求項５】請求項１記載の製法において、前記工程
ｆ）の接点の形成を、リア保護の機能を果たす支持基板
上で行う、光起電モジュールの製法。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項記載の製法に
おいて、前記工程ｅ）に当たり、リア接点の塗布後、温
度200〜300℃で加熱を行い、ついで工程ｆ）に当たり、
温度700〜800℃、20秒以下で焼成を行う、光起電モジュ
ールの製法。 - 【請求項７】請求項１記載の光起電モジュールの製法を
実施するための装置において、真空排気可能支持体、耐
高温性のものの中から選ばれ、前記支持体上に積層され
る材料でなる方形基板（ガスケットを介して支持体に密
着される）でなり、前記基板が、該基板を貫通する１以
上の孔が中心に形成された１以上のリセスシートを包含
するものであることを特徴とする、光起電モジュールの
製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ITMI932035A IT1272665B (it) | 1993-09-23 | 1993-09-23 | Procedimento per la preparazione di moduli fotovoltaici a base di silicio cristallino |
| IT93A002035 | 1993-09-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169987A true JPH07169987A (ja) | 1995-07-04 |
| JP3817656B2 JP3817656B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=11366934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25444194A Expired - Fee Related JP3817656B2 (ja) | 1993-09-23 | 1994-09-22 | 光起電モジュールの製法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5504015A (ja) |
| EP (1) | EP0645828B1 (ja) |
| JP (1) | JP3817656B2 (ja) |
| AT (1) | ATE215737T1 (ja) |
| AU (1) | AU673622B2 (ja) |
| DE (1) | DE69430286T2 (ja) |
| ES (1) | ES2173904T3 (ja) |
| IT (1) | IT1272665B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016027665A (ja) * | 2015-09-28 | 2016-02-18 | 日立化成株式会社 | ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| JP2016036034A (ja) * | 2015-09-28 | 2016-03-17 | 日立化成株式会社 | ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19903798A1 (de) * | 1999-02-01 | 2000-08-10 | Angew Solarenergie Ase Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Wärmebehandlung von flächigen Gegenständen |
| FR2802340B1 (fr) | 1999-12-13 | 2003-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Structure comportant des cellules photovoltaiques et procede de realisation |
| CN101755237B (zh) * | 2006-12-05 | 2014-04-09 | 纳诺泰拉公司 | 使表面形成图案的方法 |
| US8608972B2 (en) | 2006-12-05 | 2013-12-17 | Nano Terra Inc. | Method for patterning a surface |
| DE102008046328A1 (de) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Schmid Technology Systems Gmbh | Träger für Solarzellen und Verfahren zur Bearbeitung von Solarzellen |
| US20110100412A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing photovoltaic modules |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4062102A (en) * | 1975-12-31 | 1977-12-13 | Silicon Material, Inc. | Process for manufacturing a solar cell from a reject semiconductor wafer |
| US4270263A (en) * | 1977-02-14 | 1981-06-02 | Texas Instruments Incorporated | Glass support light energy converter |
| DE2732933C2 (de) * | 1977-07-21 | 1984-11-15 | Bloss, Werner H., Prof. Dr.-Ing., 7065 Winterbach | Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Solarzellen mit pn-Heteroübergang |
| US4234351A (en) * | 1978-07-14 | 1980-11-18 | The Boeing Company | Process for fabricating glass-encapsulated solar cell arrays and the product produced thereby |
| US4184903A (en) * | 1978-07-26 | 1980-01-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of fabricating a photovoltaic module of a substantially transparent construction |
| FR2481522A1 (fr) * | 1980-04-29 | 1981-10-30 | Comp Generale Electricite | Procede de fabrication de modules de cellules solaires |
| FR2484709A1 (fr) * | 1980-06-16 | 1981-12-18 | Radiotechnique Compelec | Perfectionnement a la realisation d'une cellule solaire en vue de neutraliser les risques de mauvais isolement a l'endroit des bords |
| US4806495A (en) * | 1984-09-04 | 1989-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making solar array with aluminum foil matrix |
| US5028546A (en) * | 1989-07-31 | 1991-07-02 | Texas Instruments Incorporated | Method for manufacture of solar cell with foil contact point |
-
1993
- 1993-09-23 IT ITMI932035A patent/IT1272665B/it active IP Right Grant
-
1994
- 1994-09-17 ES ES94202682T patent/ES2173904T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-17 AT AT94202682T patent/ATE215737T1/de not_active IP Right Cessation
- 1994-09-17 EP EP94202682A patent/EP0645828B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-17 DE DE69430286T patent/DE69430286T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-20 US US08/309,087 patent/US5504015A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-20 AU AU74113/94A patent/AU673622B2/en not_active Expired
- 1994-09-22 JP JP25444194A patent/JP3817656B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2016027665A (ja) * | 2015-09-28 | 2016-02-18 | 日立化成株式会社 | ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
| JP2016036034A (ja) * | 2015-09-28 | 2016-03-17 | 日立化成株式会社 | ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1272665B (it) | 1997-06-26 |
| AU673622B2 (en) | 1996-11-14 |
| ITMI932035A1 (it) | 1995-03-23 |
| EP0645828A1 (en) | 1995-03-29 |
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| AU7411394A (en) | 1995-04-06 |
| ATE215737T1 (de) | 2002-04-15 |
| DE69430286D1 (de) | 2002-05-08 |
| DE69430286T2 (de) | 2002-11-28 |
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