JP3817656B2 - 光起電モジュールの製法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 40
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 3
- 244000197975 Solidago virgaurea Species 0.000 claims 1
- 235000000914 Solidago virgaurea Nutrition 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000004063 acid-resistant material Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0512—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Silicon Compounds (AREA)
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- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Medicines Containing Material From Animals Or Micro-Organisms (AREA)
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Description
本発明は、薄い結晶性ケイ素層を基材とする光起電モジュールの製法に係る。
【0002】
結晶性ケイ素を基材とする光起電モジュールは製造されており、電気エネルギーを発生するために使用されている。近年使用されている製造方法では、たとえば Martin A.Green によって Solar Cells,Operating Principles,Technology and System Applications,Prentice−Hall Inc.に開示されているように、モジュールは、直列又は並列に電気的に接続された電池のアセンブリーを形成するように相互に結合された個々の太陽電池でなる。ついで、このアセンブリーを、高透過性ガラスシートと、ガラス又はリア保護として好適なプラスチック材料の他のシートとの間でカプセル化する。ついで、ユニット全体を重合体樹脂で密閉する。
【0003】
これらの方法は、350〜500μmを越える厚さを有するケイ素シートを使用するものである。
【0004】
該製法の評価において、シートの厚さ、すなわちケイ素の量を低減することによって、ワット当たりのコストをかなり低下させうることが示された。ただし、厚さが低下し、面積が増大するにつれて物質のもろさが増大すること、及びウェーハの厚さが300μm以下の場合には、光起電モジュールの製造収率が劇的に低下することが問題となる。
【0005】
発明者らは、大きい面積を有する薄いケイ素ウェーハを包含する光起電モジュールを製造する低コスト製法によって、これらの問題を解消した。
【0006】
これによれば、本発明は、ケイ素が支持された大面積の薄層形であることを特徴とする単結晶性又は多結晶性ケイ素を基材とする光起電モジュールの製法において、a)耐熱性材料でなる支持基板上に、好適な電気的活性な不純物をドープした表面積0.5m2 以下及び厚さ100〜500μmを有する1以上のケイ素ウェーハを配置し、b)シルクスクリーン法によって該ケイ素ウェーハ上にドーピングペーストを塗布し、c)温度900〜1000℃に加熱することによってドーピング剤を拡散させ、d)拡散した層を切断することによってユニット活性エレメントの表面積を限定し、e)該活性エレメントの前面及び背面上に接点を形成し、f)接点を形成したリア保護ガラスを当て、g)活性エレメントを相互に接続し、h)反射防止層を設け、i)カプセル化することを特徴とする光起電モジュールの製法を提供するものである。
【0007】
次に、添付図面を参照して本発明の製法を詳述する。なお、図面において、同一の符号は同一の部材を示す。
【0008】
図1に示す工程a)において、p又はnドープ高純度ケイ素インゴットを切断することによって得た単結晶性又は多結晶性ケイ素ウェーハを使用する。ウェーハの厚さは100〜500μmであり、好ましくは100μmである。その面積は要求に応じて異なる。超音波又は一般的に使用されている公知の各種の洗浄溶液の1つを使用する浄化の後、焼結した無定形石英又は工程c)の高温に耐えうる加工可能な他の材料でなる支持基板2上にウェーハ1を配置する。
【0009】
該基板はケイ素ウェーハを収容するためのシート(孔3を具備する)を有し、このシートの深さはウェーハの厚さよりも小さい。この基板を排気可能な金属支持体4(ガスケットを介して密着される)上に配置し、該支持体を介してシートを真空状態とする。このようにして、ウェーハを空気減圧システムによって支持体に対して密着状態に維持する。
【0010】
工程b)
金属支持体及びケイ素ウェーハを収容する基板を、該アセンブリー全体を減圧下に維持しながら、ケイ素ウェーハ上に該ケイ素ウェーハのものと逆の種類のドーピング剤を含有するシルクスクリーンペーストを塗布することができる市販の装置内に設置する。
【0011】
工程c)
前記ドーピング剤を好適な濃度プロフィールでケイ素内に拡散させる高温熱サイクルを有するトンネル炉内においてドーピング剤を拡散させる。温度は900℃以上であり、950℃が好適である。
【0012】
工程d)
金属支持体上に配置し、減圧下に維持したケイ素ウェーハを収容する基板を、微小x−y移動可能なトラバーステーブル上に配置する。好ましくはパワーレーザー、又はダイヤモンドセット砥石車又は好適な装置を使用して、ケイ素ウェーハの縁から拡散層(装置を短絡させる)を除去する。大面積のウェーハの場合には、ケイ素ウェーハの表面全体を異なる独立した活性エレメントに分割するために当該方法を使用することもできる。ついで、これらのエレメント(1つのケイ素ウェーハから調製した)を、つづく工程で相互に電気的に接続して光起電モジュールを形成する。
【0013】
この工程の終了時、炉内でのドーピング剤の拡散の際にウェーハの表面上に絶縁性の酸化ケイ素層が形成される可能性があるため、フッ化水素酸によってこれを除去することが好適である。この目的のため、図2から明らかなように、ウェーハを収容する基板を、耐酸性材料(たとえばテフロン)の「ポケット」でなり、化学的攻撃を受ける部分に対応する開口を有するマスキングカバー5内に装入する。化学的攻撃の間に、超音波によって作用を促進させることが有利である。ついで、ウェーハを脱イオン水で洗浄し、乾燥させる。
【0014】
この除去操作は、次工程の間に、金属が酸化物層を通過してケイ素と合金化するような焼成サイクルが使用される際には回避される。
【0015】
工程e)
ウェーハを収容する基板を排気可能な金属支持体上に再度配置し、シルクスクリーン法により、好ましくは銀含有導電ペーストを使用して、各種活性エレメント上にフロント接点を塗布する。
【0016】
リア接点を形成するためには、図3に概略して示すような反転システムが必要である。金属支持体(移転側システム)6上に配置し、減圧下に維持した基板を、完全に同一のシステム(受け取り側システム)7上に反転させる。真空を移転側システムから受け取り側システムに移す際、活性エレメントは受け取り側システム(新たに真空がかけられる)のシート内に重力落下する。ついで、反転した活性エレメントの背面について接点のシルクスクリーン塗布を行う。接点を乾燥させた後、700〜900℃(好ましくは800℃)の高温で焼成して、ケイ素と合金化させてオーム接点を形成する。
【0017】
工程f)
厚さ約3mm、ケイ素ウェーハ(数個の感応性エレメントに分割される場合)又は多数のウェーハ(これらの各々が1つの感応性エレメントを代表する場合)のものと等しい又は大きい寸法のガラスシート上に、導電性軌道を、ケイ素ウェーハの背面上に前の工程で既に析出されたリア接点に正確に対応する位置で感応性エレメントを相互に接続するために析出させる。ガラスシートをケイ素上に積層して、2つのシリーズの接点を並置する。この時点で真空を取り去り、「サンドイッチ」を約200℃に加熱する。
【0018】
工程g)
1つの感応性エレメントの前面が次のエレメントの背面と接続して、モジュールの出口で所望の電流及び電圧を提供するように相互接続を形成する。
【0019】
図4は相互接続のスキームを示す。初めに電池の一方の縁に絶縁重合体を析出し、ついで導電性デポジット8によって電池のフロント接点9を次の電池のガラスに沿って絶縁層によって保護された点で電池を越えて伸びるリア接点10に接続させる。これにより、電池の短絡を防止する。図4はp/nジャンクション11及びリアガラス12も示す。
【0020】
工程h)
反射防止層をモジュールの前面に形成する。この目的のため、たとえば数100Åの酸化チタン層を析出する。
【0021】
工程i)
多くの公知の方法の1つを利用してモジュールをカプセル化する。たとえば、前面防護材として高透過性強化ガラスを使用でき、密閉用樹脂としてエチレン−ビニル酢酸を使用できる。
【0022】
本発明の他の具体例によれば、ケイ素上のリア接点及びリア保護ガラス上の接点の両方について単一の接点焼成工程を使用できる。これに関して、ケイ素の焼成温度は非常に高く、基本的にはガラスにとって不都合なものであるが、この操作に最適な条件は焼成時間を非常に短く(数秒)することによって及びケイ素表面を照射により加熱することによって達成される。さらに、ガラスはスペクトルのかかる領域では照射を吸収しない。
【0023】
この場合、方法を下記のように変更する。すなわち、工程e)において、リア接点を析出した後、高温での焼成を行わず、代わりに温度200〜300℃に加熱する。ついで、工程f)において、約700〜900℃、5〜20秒の高温焼成を行う。
【0024】
本発明のさらに他の具体例では、工程f)において、ガラス上に接点を形成せず、代わりに支持基板上に形成し、これにより、基板ば光起電モジュールの1構成部材となる。
【0025】
要約すると、本発明によるモジュールの製法は小さい面積のウェーハを原料として使用せず、代わりに支持された大きい面積のケイ素シートを使用している。モジュールは、異なる厚さを有し、積層され、シルクスクリーン法によって相互接続された一連のケイ素シートでなる。この方法によって製造されたモジュールは、従来の方法によって製造されたモジュールから達成されるものよりも低くない太陽光変換効率を有する。さらに、ケイ素シートの厚さの低減及び0.5m2 以下の大きい面積のものを取扱うことによって達成される製造効率の増大(製造時間が1/10となる)のため、1シフト当たりの工業生産コストが、年間10Mwを越える容積の場合には半分となるものと思われる。
【0026】
本発明がさらに良好に理解されるように、以下にいくつかの実施例を例示するが、本発明を限定するものではない。
【0027】
【実施例1】
厚さ200μm及びサイズ20×20cmの高純度pドープケイ素ウェーハ8枚を、ウェーハを収容するための8つのシートを包含する焼結石英プレートでなる支持基板上に配置した。各シートは深さ150μmであり、基部に1以上の貫通孔を有する。
【0028】
基板を、ゴム製密閉ガスケットを具備する排気可能な方形の金属トレー上に配置した。アセンブリーに真空をかけ、ウェーハを石英プレート上に密着保持した。ついで、ウェーハ上にシルクスクリーン法によってリンを含有するドーピングペーストを塗布した。
【0029】
石英プレートを排気可能なトレーからはずし、トンネル炉に装入して拡散を20分間行い、その間に最高温度は950℃に達した。拡散操作の終了時、ウェーハの表面上には深さ0.2〜0.4μmまでリンでドープされた層が存在していた。
【0030】
基板を再度、排気可能なトレー上に置き、真空下に維持した。x−yテーブル及びパワーレーザーを使用してウェーハを切断して、各ウェーハから4個の活性エレメントを得た。縁から拡散層を除去した。このようにして、各々約100cm2 の計32個の活性ユニットを得た。拡散の結果として表面上に形成された酸化ケイ素を前述の装置を使用してHFによって除去した。
【0031】
基板を排気可能なトレー上に配置し、シルクスクリーン法によってケイ素上にフロント接点を塗布した。Agでなる接点は厚さ10μm、幅120μmを有する。前述の如く基板を反転させた後、同様にして背面にAg及びAlでなる接点を塗布した。フロント及びリア接点の両方を200℃で乾燥させ、ついで750℃で焼成することによってケイ素と合金化させた。
【0032】
次に、厚さ3mm及び石英基板に等しいサイズの強化ガラス上に、ウェーハの背面上に既に塗布されたリア接点と正確に対応して、シルクスクリーンによって導電性軌道を塗布した。ガラスに適合する温度(本発明では400℃)で焼成した後、ガラスプレートを、ガラス上の接点がケイ素上に既にシルクスクリーン法で塗布されている接点と並置するように積層した。
【0033】
1つの活性エレメントの前面と次の活性エレメントの背面との間を相互接触させた後、前面に厚さ800Åの酸化チタン層を気相付着させた。
【0034】
最後に、モジュールを常法によってカプセル化した。
【0035】
【実施例2】
20×10cmのケイ素シートを使用して、リア接点の塗布まで実施例1の操作を行った。
【0036】
この時点で、高温での焼成の代わりに、オーブン内で接点を200℃、数分間で乾燥させた。
【0037】
つづいて、実施例1の如くしてリアガラス上に接点を形成した。ただし、400℃で焼成する代わりに、焼成を750℃、15秒間で行った。
【0038】
モジュールの製造法の最後の部分は実施例1に記載のとおりである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による製法の工程a)を示す図である。
【図2】本発明による製法の工程d)における絶縁層の除去操作を説明する図である。
【図3】本発明による製法の工程e)における操作を説明する図である。
【図4】本発明による製法の工程f)を示す図である。
【符号の説明】
1 ケイ素ウェーハ
2 支持基板
3 貫通孔
4 金属支持体
5 マスキングカバー
8 導電性デポジット
9 フロント接点
10 リア接点
11 p/nジャンクション
12 リアガラス
Claims (6)
- 単結晶性又は多結晶性ケイ素を基材とする光起電モジュールであって、前記ケイ素が、支持された大面積の薄層の形である光起電モジュールの製法において、a)耐熱性材料でなると共に、少なくとも1つのシートを有する支持基板 ( 2 ) であって、前記シートが該支持基板を貫通する孔(3)を有している支持基板( 2 )上に、電気的に活性な不純物をドープした表面積0.5m2以下及び厚さ100〜500μmを有する1以上のケイ素ウェーハ( 1 )を配置し;この支持基板 ( 2 ) を、ガスケットを介して排気可能な支持体 ( 4 ) に密着させ;前記排気可能な支持体 ( 4 ) を通して前記少なくとも1つのシートに真空状態を付与することによって、前記1以上のケイ素ウェーハ ( 1 ) を前記支持基板 ( 2 ) に密着させ、b)シルクスクリーン法によって前記ケイ素ウェーハ( 1 )上にドーピングペーストを塗布し、c)前記支持基板 ( 2 ) 及びケイ素ウェーハ ( 1 ) を温度900〜1000℃に加熱することによってドーピング剤を拡散させて、拡散層を形成し、d)拡散層を切断することによってユニット活性エレメントの表面積を限定し、e)各ユニット活性エレメントの前面及び背面上に、シルクスクリーン法によって、接点を形成し、f)リア保護ガラス ( 12 ) の上に、感応性エレメントを相互に接続するため、ケイ素ウェーハの背面上に前記工程で既に形成されたリア接点と正確に対応する位置で導電性軌道を形成し;このリア保護ガラス ( 12 ) を、前記活性エレメントの背面に当て、g)活性エレメントを相互に接続して光起電モジュールを形成し、h)光起電モジュールの前面に反射防止層を設け、i)光起電モジュールをカプセル化することを特徴とする、光起電モジュールの製法。
- 工程a)のケイ素ウェーハ( 1 )が厚さ100〜250μmを有するものである、請求項1記載の光起電モジュールの製法。
- 工程a)のケイ素ウェーハ( 1 )が厚さ100μmを有するものである、請求項1記載の光起電モジュールの製法。
- 工程a)の支持基板( 2 )が石英でなるものである、請求項1記載の光起電モジュールの製法。
- 工程f)のリア保護ガラス ( 12 ) が支持基板自体である、請求項1記載の光起電モジュールの製法。
- 工程e)において、リア接点の塗布後、活性エレメントの加熱を温度200〜300℃で行い、ついで、工程f)において、温度700〜800℃、20秒以下で焼成を行う、請求項1〜5のいずれか1項記載の光起電モジュールの製法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT93A002035 | 1993-09-23 | ||
ITMI932035A IT1272665B (it) | 1993-09-23 | 1993-09-23 | Procedimento per la preparazione di moduli fotovoltaici a base di silicio cristallino |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07169987A JPH07169987A (ja) | 1995-07-04 |
JP3817656B2 true JP3817656B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=11366934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25444194A Expired - Fee Related JP3817656B2 (ja) | 1993-09-23 | 1994-09-22 | 光起電モジュールの製法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5504015A (ja) |
EP (1) | EP0645828B1 (ja) |
JP (1) | JP3817656B2 (ja) |
AT (1) | ATE215737T1 (ja) |
AU (1) | AU673622B2 (ja) |
DE (1) | DE69430286T2 (ja) |
ES (1) | ES2173904T3 (ja) |
IT (1) | IT1272665B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19903798A1 (de) * | 1999-02-01 | 2000-08-10 | Angew Solarenergie Ase Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Wärmebehandlung von flächigen Gegenständen |
FR2802340B1 (fr) * | 1999-12-13 | 2003-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Structure comportant des cellules photovoltaiques et procede de realisation |
US8608972B2 (en) | 2006-12-05 | 2013-12-17 | Nano Terra Inc. | Method for patterning a surface |
TW200839432A (en) * | 2006-12-05 | 2008-10-01 | Nano Terra Inc | Method for patterning a surface |
DE102008046328A1 (de) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Schmid Technology Systems Gmbh | Träger für Solarzellen und Verfahren zur Bearbeitung von Solarzellen |
US20110100412A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing photovoltaic modules |
JP2016036034A (ja) * | 2015-09-28 | 2016-03-17 | 日立化成株式会社 | n型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
JP2016027665A (ja) * | 2015-09-28 | 2016-02-18 | 日立化成株式会社 | p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4062102A (en) * | 1975-12-31 | 1977-12-13 | Silicon Material, Inc. | Process for manufacturing a solar cell from a reject semiconductor wafer |
US4270263A (en) * | 1977-02-14 | 1981-06-02 | Texas Instruments Incorporated | Glass support light energy converter |
DE2732933C2 (de) * | 1977-07-21 | 1984-11-15 | Bloss, Werner H., Prof. Dr.-Ing., 7065 Winterbach | Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Solarzellen mit pn-Heteroübergang |
US4234351A (en) * | 1978-07-14 | 1980-11-18 | The Boeing Company | Process for fabricating glass-encapsulated solar cell arrays and the product produced thereby |
US4184903A (en) * | 1978-07-26 | 1980-01-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of fabricating a photovoltaic module of a substantially transparent construction |
FR2481522A1 (fr) * | 1980-04-29 | 1981-10-30 | Comp Generale Electricite | Procede de fabrication de modules de cellules solaires |
FR2484709A1 (fr) * | 1980-06-16 | 1981-12-18 | Radiotechnique Compelec | Perfectionnement a la realisation d'une cellule solaire en vue de neutraliser les risques de mauvais isolement a l'endroit des bords |
US4806495A (en) * | 1984-09-04 | 1989-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of making solar array with aluminum foil matrix |
US5028546A (en) * | 1989-07-31 | 1991-07-02 | Texas Instruments Incorporated | Method for manufacture of solar cell with foil contact point |
-
1993
- 1993-09-23 IT ITMI932035A patent/IT1272665B/it active IP Right Grant
-
1994
- 1994-09-17 ES ES94202682T patent/ES2173904T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-17 AT AT94202682T patent/ATE215737T1/de not_active IP Right Cessation
- 1994-09-17 EP EP94202682A patent/EP0645828B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-17 DE DE69430286T patent/DE69430286T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-20 US US08/309,087 patent/US5504015A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-20 AU AU74113/94A patent/AU673622B2/en not_active Expired
- 1994-09-22 JP JP25444194A patent/JP3817656B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69430286D1 (de) | 2002-05-08 |
IT1272665B (it) | 1997-06-26 |
EP0645828B1 (en) | 2002-04-03 |
DE69430286T2 (de) | 2002-11-28 |
AU673622B2 (en) | 1996-11-14 |
ITMI932035A0 (it) | 1993-09-23 |
AU7411394A (en) | 1995-04-06 |
JPH07169987A (ja) | 1995-07-04 |
ES2173904T3 (es) | 2002-11-01 |
EP0645828A1 (en) | 1995-03-29 |
ITMI932035A1 (it) | 1995-03-23 |
US5504015A (en) | 1996-04-02 |
ATE215737T1 (de) | 2002-04-15 |
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A602 | Written permission of extension of time |
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