JPH07161665A - 半導体ウェーハのダイシング方法及びその装置 - Google Patents
半導体ウェーハのダイシング方法及びその装置Info
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- JPH07161665A JPH07161665A JP27917593A JP27917593A JPH07161665A JP H07161665 A JPH07161665 A JP H07161665A JP 27917593 A JP27917593 A JP 27917593A JP 27917593 A JP27917593 A JP 27917593A JP H07161665 A JPH07161665 A JP H07161665A
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- dicing
- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェーハを複数のチップに分割するた
めのダイシング方法及びその装置に関する。 【構成】 半導体ウェーハ１を個々のデバイス毎に切断
する半導体ウェーハのダイシング技術に関し、前記半導
体ウェーハ１の上に保護膜２を形成する工程と、該半導
体ウェーハ１をダイシングブレード１２によって切断す
る工程と、切断されたチップ３の切断面３−１を化学エ
ッチングする工程と、前記保護膜２を除去する工程とを
含む発明である。
めのダイシング方法及びその装置に関する。 【構成】 半導体ウェーハ１を個々のデバイス毎に切断
する半導体ウェーハのダイシング技術に関し、前記半導
体ウェーハ１の上に保護膜２を形成する工程と、該半導
体ウェーハ１をダイシングブレード１２によって切断す
る工程と、切断されたチップ３の切断面３−１を化学エ
ッチングする工程と、前記保護膜２を除去する工程とを
含む発明である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハを複数
のチップに分割するためのダイシング方法及びその装置
に関する。
のチップに分割するためのダイシング方法及びその装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハ上には多数のデバイス、
例えば集積回路等の電子デバイス、レーザダイオードや
フォトダイオード等の光デバイス、あるいは電子デバイ
スと光デバイスを複合化した光電子集積回路等が形成さ
れ、この半導体デバイスを個々のデバイス毎に分割する
には、ダイシング装置が用いられる。一般的なダイシン
グ装置は、例えば特願平５−８９７６３に示すように、
水平方向に可動なウェーハ固定テーブルと、このウェー
ハ固定テーブルに固定された半導体ウェーハに対して鉛
直方向に進退される高速回転可能なダイシングブレード
とを備えており、コントローラによる制御下、デバイス
間に形成されるスクライブラインの中心線上をダイシン
グブレードにより切断することにより半導体ウェーハを
分割するよう構成されている。
例えば集積回路等の電子デバイス、レーザダイオードや
フォトダイオード等の光デバイス、あるいは電子デバイ
スと光デバイスを複合化した光電子集積回路等が形成さ
れ、この半導体デバイスを個々のデバイス毎に分割する
には、ダイシング装置が用いられる。一般的なダイシン
グ装置は、例えば特願平５−８９７６３に示すように、
水平方向に可動なウェーハ固定テーブルと、このウェー
ハ固定テーブルに固定された半導体ウェーハに対して鉛
直方向に進退される高速回転可能なダイシングブレード
とを備えており、コントローラによる制御下、デバイス
間に形成されるスクライブラインの中心線上をダイシン
グブレードにより切断することにより半導体ウェーハを
分割するよう構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような装置によっ
て分割されたチップは、規定されている剪断強度に対し
て、十分満足する値が得られず、ダイシア試験で不良と
なる場合があった。また、半導体ウェーハに漏れ電圧が
印加し、切断されたチップが絶縁破壊を起こす場合があ
った。そこで本発明は、かかる問題点を解決した半導体
ウェーハのダイシング方法を提供することを目的とす
る。
て分割されたチップは、規定されている剪断強度に対し
て、十分満足する値が得られず、ダイシア試験で不良と
なる場合があった。また、半導体ウェーハに漏れ電圧が
印加し、切断されたチップが絶縁破壊を起こす場合があ
った。そこで本発明は、かかる問題点を解決した半導体
ウェーハのダイシング方法を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体ウ
ェーハのダイシング方法は、半導体ウェーハを個々のデ
バイス毎に切断する半導体ウェーハのダイシング方法で
あって、前記半導体ウェーハの上に保護膜を形成する工
程と、該半導体ウェーハをダイシングブレードによって
切断する工程と、切断されたチップの切断面を化学エッ
チングする工程と、前記保護膜を除去する工程とを含む
ことを特徴とする。
ェーハのダイシング方法は、半導体ウェーハを個々のデ
バイス毎に切断する半導体ウェーハのダイシング方法で
あって、前記半導体ウェーハの上に保護膜を形成する工
程と、該半導体ウェーハをダイシングブレードによって
切断する工程と、切断されたチップの切断面を化学エッ
チングする工程と、前記保護膜を除去する工程とを含む
ことを特徴とする。
【０００５】上記の方法において、切断されたチップを
硫酸系エッチング液、又はアンモニア系エッチング液に
よってエッチングすること、また、切断面を５μｍ以上
化学エッチングし、加工変質層を除去することが好適で
ある。
硫酸系エッチング液、又はアンモニア系エッチング液に
よってエッチングすること、また、切断面を５μｍ以上
化学エッチングし、加工変質層を除去することが好適で
ある。
【０００６】本発明にかかる第２のダイシング方法は、
半導体ウェーハをウェーハ固定面に吸着固定し、ダイシ
ングブレードによって個々のデバイス毎に切断する半導
体ウェーハのダイシング方法であって、前記ウェーハ固
定面を直接接地し、かつ、前記ウェーハ固定面に発生す
る漏れ電圧を検知し、該電圧が規定値を越えるときにダ
イシング装置を電源から切り離し、前記半導体ウェーハ
を高電圧から保護することを特徴とする。
半導体ウェーハをウェーハ固定面に吸着固定し、ダイシ
ングブレードによって個々のデバイス毎に切断する半導
体ウェーハのダイシング方法であって、前記ウェーハ固
定面を直接接地し、かつ、前記ウェーハ固定面に発生す
る漏れ電圧を検知し、該電圧が規定値を越えるときにダ
イシング装置を電源から切り離し、前記半導体ウェーハ
を高電圧から保護することを特徴とする。
【０００７】また、本発明にかかる半導体ウエーハのダ
イシング装置は、半導体ウェーハをウェーハ固定面に吸
着固定し、ダイシングブレードによって個々のデバイス
毎に切断する半導体ウェーハのダイシング装置であっ
て、前記ウェーハ固定面と大地とを電気的に接続する接
地線と、前記ウェーハ固定面に発生する漏れ電圧を検知
し、規定値を越えたときに出力する電圧検知装置と、前
記出力によって作動するダイシング装置のスイッチとを
備え、前記半導体ウェーハを高電圧から保護することを
特徴とする。
イシング装置は、半導体ウェーハをウェーハ固定面に吸
着固定し、ダイシングブレードによって個々のデバイス
毎に切断する半導体ウェーハのダイシング装置であっ
て、前記ウェーハ固定面と大地とを電気的に接続する接
地線と、前記ウェーハ固定面に発生する漏れ電圧を検知
し、規定値を越えたときに出力する電圧検知装置と、前
記出力によって作動するダイシング装置のスイッチとを
備え、前記半導体ウェーハを高電圧から保護することを
特徴とする。
【０００８】
【作用】半導体ウェーハをダイシングブレードによって
切断すると、切断面には細かい凹凸が生じ、さらに加工
歪みを起こしている。ダイシア試験に際して、この凹凸
が起点となって割れが生じ、さらに加工歪みによって促
進される。これに対して、本発明にかかる半導体ウェー
ハのダイシング方法は、ダイシング後のチップをエッチ
ング液に浸せきし加工変質層は除去され、平滑で真正な
側面となるので、剪断強度に強いチップが得られる。ま
た、半導体ウェーハをダイシングブレードによって切断
するとき電源等からの漏れ電圧が半導体ウェーハに印加
されることがあっても、ウェーハ固定面を接地してお
り、かつ、ウェーハ固定面に規定値以上の電圧が印加さ
れるとダイシング装置の電源を切り離すので半導体ウェ
ーハを高電圧から保護することができる。
切断すると、切断面には細かい凹凸が生じ、さらに加工
歪みを起こしている。ダイシア試験に際して、この凹凸
が起点となって割れが生じ、さらに加工歪みによって促
進される。これに対して、本発明にかかる半導体ウェー
ハのダイシング方法は、ダイシング後のチップをエッチ
ング液に浸せきし加工変質層は除去され、平滑で真正な
側面となるので、剪断強度に強いチップが得られる。ま
た、半導体ウェーハをダイシングブレードによって切断
するとき電源等からの漏れ電圧が半導体ウェーハに印加
されることがあっても、ウェーハ固定面を接地してお
り、かつ、ウェーハ固定面に規定値以上の電圧が印加さ
れるとダイシング装置の電源を切り離すので半導体ウェ
ーハを高電圧から保護することができる。
【０００９】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。 （実施例１）図１は本発明の工程を説明する図であり、
同図（ａ）は保護膜を形成する工程、同図（ｂ）は半導
体ウェーハを切断する工程、同図（ｃ）はチップの切断
面をエッチングする工程、同図（ｄ）は保護膜を除去す
る工程を示す図である。図２はダイシング装置の構成を
示す概略図、図３は切断する半導体ウェーハの表面を示
す平面図である。
説明する。 （実施例１）図１は本発明の工程を説明する図であり、
同図（ａ）は保護膜を形成する工程、同図（ｂ）は半導
体ウェーハを切断する工程、同図（ｃ）はチップの切断
面をエッチングする工程、同図（ｄ）は保護膜を除去す
る工程を示す図である。図２はダイシング装置の構成を
示す概略図、図３は切断する半導体ウェーハの表面を示
す平面図である。
【００１０】（保護膜を形成する工程）半導体ウェーハ
１の表面にノボラック樹脂を適下し、これを水平面内で
回転して保護膜２を形成する。樹脂は半導体デバイスの
回路を保護する外にダイシングエリアを示すために設け
られたラインを確認するために透明である。
１の表面にノボラック樹脂を適下し、これを水平面内で
回転して保護膜２を形成する。樹脂は半導体デバイスの
回路を保護する外にダイシングエリアを示すために設け
られたラインを確認するために透明である。
【００１１】（半導体ウェーハを切断する工程）図２に
おいて、半導体ウェーハ１を切断する切断手段としてダ
イシングブレード１２を有し、また、半導体ウェーハ１
を固定するためのウェーハ固定手段としてウェーハ固定
テーブル１３を有している。ダイシングブレード１２
は、支持コラム１４に支持された主軸ヘッド１５の主軸
１６に取り付けられている。支持コラム１４は、固定構
造であるベッド１７に鉛直向きとなるように固定されて
おり、主軸ヘッド１５は支持コラム１４に沿って鉛直方
向に上下動される。又、主軸１６は水平方向に延び、高
速回転される。
おいて、半導体ウェーハ１を切断する切断手段としてダ
イシングブレード１２を有し、また、半導体ウェーハ１
を固定するためのウェーハ固定手段としてウェーハ固定
テーブル１３を有している。ダイシングブレード１２
は、支持コラム１４に支持された主軸ヘッド１５の主軸
１６に取り付けられている。支持コラム１４は、固定構
造であるベッド１７に鉛直向きとなるように固定されて
おり、主軸ヘッド１５は支持コラム１４に沿って鉛直方
向に上下動される。又、主軸１６は水平方向に延び、高
速回転される。
【００１２】一方、ウェーハ固定テーブル１３はベッド
１７の上面に取り付けられており、互いに直交する水平
方向の２軸に沿って直進可能となっている。また、ウェ
ーハ固定テーブル１３の上面は水平なウェーハ固定面１
８となっており、この面１８は鉛直方向の軸線を中心と
して正逆両方向に回転可能となっている。ウェーハ固定
面１８には、半導体ウェーハ１が、好ましくはダイシン
グテープ１９に貼り付けられた状態で真空吸着により固
定される。
１７の上面に取り付けられており、互いに直交する水平
方向の２軸に沿って直進可能となっている。また、ウェ
ーハ固定テーブル１３の上面は水平なウェーハ固定面１
８となっており、この面１８は鉛直方向の軸線を中心と
して正逆両方向に回転可能となっている。ウェーハ固定
面１８には、半導体ウェーハ１が、好ましくはダイシン
グテープ１９に貼り付けられた状態で真空吸着により固
定される。
【００１３】更に、この実施例のダイシング装置１０
は、主軸ヘッド１５の下部に、半導体ウェーハ１の表面
を撮像する撮像手段であるＣＣＤカメラ２０を備えてい
る。このＣＣＤカメラ２０はダイシングブレード１２に
隣接する領域を撮像することができる。また、ＣＣＤカ
メラ２０は、Ａ／Ｄ変換器２１を介して、画像処理手段
であるコンピュータ２２に接続されている。ＣＣＤカメ
ラ２０で撮像た画像のアナログ情報は、Ａ／Ｄ変換器２
１によりデイジタル化され、コンピュータ２２に入力さ
れる。コンピュータ２２は、入力された画像情報を適当
なアルゴリズムに従って画像処理し、切断ラインの位置
を検出することができる。コンピュータ２２ににより検
出された切断ラインの位置情報は、ダイシングブレード
１２の回転、主軸ヘッド１５の上下動及びウェーハ固定
テーブル１３の水平方向運動を制御するコントローラ
（制御手段）２３に入力され、その切断ラインにて半導
体ウェーハ１を切断するようになっている。この装置に
より、半導体ウェーハ１はスクライブラインＳの中心線
上をコントローラ２３に制御されて自動的に切断され、
複数のチップ３・・・３に分割される。
は、主軸ヘッド１５の下部に、半導体ウェーハ１の表面
を撮像する撮像手段であるＣＣＤカメラ２０を備えてい
る。このＣＣＤカメラ２０はダイシングブレード１２に
隣接する領域を撮像することができる。また、ＣＣＤカ
メラ２０は、Ａ／Ｄ変換器２１を介して、画像処理手段
であるコンピュータ２２に接続されている。ＣＣＤカメ
ラ２０で撮像た画像のアナログ情報は、Ａ／Ｄ変換器２
１によりデイジタル化され、コンピュータ２２に入力さ
れる。コンピュータ２２は、入力された画像情報を適当
なアルゴリズムに従って画像処理し、切断ラインの位置
を検出することができる。コンピュータ２２ににより検
出された切断ラインの位置情報は、ダイシングブレード
１２の回転、主軸ヘッド１５の上下動及びウェーハ固定
テーブル１３の水平方向運動を制御するコントローラ
（制御手段）２３に入力され、その切断ラインにて半導
体ウェーハ１を切断するようになっている。この装置に
より、半導体ウェーハ１はスクライブラインＳの中心線
上をコントローラ２３に制御されて自動的に切断され、
複数のチップ３・・・３に分割される。
【００１４】（チップの切断面を化学エッチングする工
程）半導体ウェーハをダイシングブレードによって切断
すると、切断面３−１には細かい凹凸が生じ、さらに加
工歪みを起こしている。ダイシア試験に際して、この凹
凸が起点となって割れが生じ、さらに加工歪みによって
促進される。そこで、ダイシング後のチップ３をエッチ
ング液４に浸せきし、加工変質層を除去して平滑な面を
形成する。
程）半導体ウェーハをダイシングブレードによって切断
すると、切断面３−１には細かい凹凸が生じ、さらに加
工歪みを起こしている。ダイシア試験に際して、この凹
凸が起点となって割れが生じ、さらに加工歪みによって
促進される。そこで、ダイシング後のチップ３をエッチ
ング液４に浸せきし、加工変質層を除去して平滑な面を
形成する。
【００１５】エッチング液は硫酸系（Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2
Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）、あるいはアンモニア系（ＮＨ4 ＯＨ＋
Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）の溶液が適している。これらの溶液
を用いた場合、エッチング速度は略１μｍ／ｍｉｎであ
り、略５分間で変質層を除去することができる。
Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）、あるいはアンモニア系（ＮＨ4 ＯＨ＋
Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ）の溶液が適している。これらの溶液
を用いた場合、エッチング速度は略１μｍ／ｍｉｎであ
り、略５分間で変質層を除去することができる。
【００１６】（保護膜を除去する工程）このように切断
されたチップ３をアセトン等の溶剤５に浸せき・洗浄
し、レジスタとしての保護膜２を除去する。
されたチップ３をアセトン等の溶剤５に浸せき・洗浄
し、レジスタとしての保護膜２を除去する。
【００１７】上記の工程に従って、直径３インチのＧａ
Ａｓのウェーハを切断し、２ｍｍ×２ｍｍのチップを作
製した。このチップを接着剤によって基板に固定して剪
断試験を行なった。その結果、これらのチップはいずれ
も略８ｋｇで剥離し、安定した剪断強度を示した。これ
に対して、ダイシング後、エッチングしないチップにつ
いても同様の試験を行なったところ、４〜５ｋｇの剪断
力で割れるものが多く現われた。
Ａｓのウェーハを切断し、２ｍｍ×２ｍｍのチップを作
製した。このチップを接着剤によって基板に固定して剪
断試験を行なった。その結果、これらのチップはいずれ
も略８ｋｇで剥離し、安定した剪断強度を示した。これ
に対して、ダイシング後、エッチングしないチップにつ
いても同様の試験を行なったところ、４〜５ｋｇの剪断
力で割れるものが多く現われた。
【００１８】（実施例２）図４は前記半導体ウェーハを
切断する工程の改良にかかる構成を示す概略図である。
実施例１で説明した工程に従ってウェーハ固定面１８の
上に固着された半導体ウェーハ１をダイシングブレード
１２によって切断した場合、ウェーハ固定テーブル１８
は可動機構となっており大地との間にオイルが介在する
ので電気的接地が完全でない。そのために、ダイシング
装置１０の電源ノイズその他の漏れ電圧がウェーハ固定
面１３に印加され、半導体ウェーハ１の絶縁を破壊する
ことがある。
切断する工程の改良にかかる構成を示す概略図である。
実施例１で説明した工程に従ってウェーハ固定面１８の
上に固着された半導体ウェーハ１をダイシングブレード
１２によって切断した場合、ウェーハ固定テーブル１８
は可動機構となっており大地との間にオイルが介在する
ので電気的接地が完全でない。そのために、ダイシング
装置１０の電源ノイズその他の漏れ電圧がウェーハ固定
面１３に印加され、半導体ウェーハ１の絶縁を破壊する
ことがある。
【００１９】そこで、図示したようにウェーハ固定面１
３を銅線等の接地線３０で直接接地すると同時に、ウェ
ーハ固定テーブル１８とダイシング装置１０の電源用ス
イッチ３２との間に、例えば単安定バイブレータのよう
に一定電圧以上のトリガ電圧によって作動する電圧検知
装置３１を設け、ウェーハ固定面１３に一定電圧以上の
漏れ電圧が印加されたとき電圧検知装置３１が作動し、
スイッチ３２を切断してダイシング装置１０を停止させ
る。
３を銅線等の接地線３０で直接接地すると同時に、ウェ
ーハ固定テーブル１８とダイシング装置１０の電源用ス
イッチ３２との間に、例えば単安定バイブレータのよう
に一定電圧以上のトリガ電圧によって作動する電圧検知
装置３１を設け、ウェーハ固定面１３に一定電圧以上の
漏れ電圧が印加されたとき電圧検知装置３１が作動し、
スイッチ３２を切断してダイシング装置１０を停止させ
る。
【００２０】通常、ウェーハ固定面１３を接地すること
によって漏れ電圧の印加を１Ｖ以下に改善することがで
きるが、漏れ電圧の種類によってさらに防ぎきれないも
のもあり、この場合の対策として電圧検知装置３１を設
けることによって半導体ウェーハ１の絶縁破壊を完全に
防ぐことができる。
によって漏れ電圧の印加を１Ｖ以下に改善することがで
きるが、漏れ電圧の種類によってさらに防ぎきれないも
のもあり、この場合の対策として電圧検知装置３１を設
けることによって半導体ウェーハ１の絶縁破壊を完全に
防ぐことができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる半
導体ウェーハのダイシング方法は、ダイシング後のチッ
プをエッチング液に浸せきし加工変質層を除去するの
で、平滑で真正な側面を得ることができる。従って、剪
断強度の強いチップが得られる。また、半導体ウェーハ
をダイシングブレードによって切断するとき電源等から
の漏れ電圧が半導体ウェーハに印加されても、ウェーハ
固定面を接地しており、かつ、ウェーハ固定面に規定値
以上の電圧が印加されるとダイシング装置の電源を切り
離すので半導体ウェーハを高電圧から保護することがで
きる。
導体ウェーハのダイシング方法は、ダイシング後のチッ
プをエッチング液に浸せきし加工変質層を除去するの
で、平滑で真正な側面を得ることができる。従って、剪
断強度の強いチップが得られる。また、半導体ウェーハ
をダイシングブレードによって切断するとき電源等から
の漏れ電圧が半導体ウェーハに印加されても、ウェーハ
固定面を接地しており、かつ、ウェーハ固定面に規定値
以上の電圧が印加されるとダイシング装置の電源を切り
離すので半導体ウェーハを高電圧から保護することがで
きる。
【図１】本発明の工程を説明する図である。
【図２】本発明に使用するダイシング装置の構成を示す
概略図である。
概略図である。
【図３】切断する半導体ウェーハの表面を示す平面図で
ある。
ある。
【図４】半導体ウェーハを切断する工程の改良にかかる
構成を示す概略図である。
構成を示す概略図である。
１：半導体ウェーハ ２：保護膜 ３：チップ ３−１：切断面 ４：エッチング液 ５：溶剤 １０：ダイシング装置 １２：ダイシングブレード １３：ウェーハ固定テーブル １５：主軸ヘッド １８：ウェーハ固定面 ２０：ＣＣＤカメラ ２１：Ａ／Ｄ変換器 ２２：コンピュータ ２３：コントローラ ２４：洗浄装置 ２５：洗浄水噴射ノズル ３０：接地線 ３１：電圧検知装置 ３２：スイッチ
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体ウェーハを個々のデバイス毎に切
断する半導体ウェーハのダイシング方法であって、 前記半導体ウェーハの上に保護膜を形成する工程と、該
半導体ウェーハをダイシングブレードによって切断する
工程と、切断されたチップの切断面を化学エッチングす
る工程と、前記保護膜を除去する工程とを含むことを特
徴とする半導体ウェーハのダイシング方法。 - 【請求項２】 切断されたチップを硫酸系エッチング
液、又はアンモニア系エッチング液によってエッチング
することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ
のダイシング方法。 - 【請求項３】 切断されたチップの切断面を５μｍ以上
化学エッチングし、加工変質層を除去することを特徴と
する請求項１又は２に記載の半導体ウェーハのダイシン
グ方法。 - 【請求項４】 半導体ウェーハをウェーハ固定面に吸着
固定し、ダイシングブレードによって個々のデバイス毎
に切断する半導体ウェーハのダイシング方法であって、 前記ウェーハ固定面を直接接地し、かつ、前記ウェーハ
固定面に発生する漏れ電圧を検知し、該電圧が規定値を
越えるときにダイシング装置を電源から切り離し、前記
半導体ウェーハを高電圧から保護することを特徴とする
半導体ウェーハのダイシング方法。 - 【請求項５】 半導体ウェーハをウェーハ固定面に吸着
固定し、ダイシングブレードによって個々のデバイス毎
に切断する半導体ウェーハのダイシング装置であって、 前記ウェーハ固定面と大地とを電気的に接続する接地線
と、前記ウェーハ固定面に発生する漏れ電圧を検知し、
規定値を越えたときに出力する電圧検知装置と、前記出
力によって作動するダイシング装置のスイッチとを備
え、前記半導体ウェーハを高電圧から保護することを特
徴とする半導体ウェーハのダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27917593A JPH07161665A (ja) | 1993-10-14 | 1993-11-09 | 半導体ウェーハのダイシング方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-256818 | 1993-10-14 | ||
| JP25681893 | 1993-10-14 | ||
| JP27917593A JPH07161665A (ja) | 1993-10-14 | 1993-11-09 | 半導体ウェーハのダイシング方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161665A true JPH07161665A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=26542915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27917593A Pending JPH07161665A (ja) | 1993-10-14 | 1993-11-09 | 半導体ウェーハのダイシング方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161665A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730579B1 (en) | 1999-02-05 | 2004-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor dice by partially dicing the substrate and subsequent chemical etching |
| JP2014135424A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハ切断方法 |
| CN111952414A (zh) * | 2020-08-21 | 2020-11-17 | 晶科绿能(上海)管理有限公司 | 硅基半导体器件的切割后钝化方法和硅基半导体器件 |
-
1993
- 1993-11-09 JP JP27917593A patent/JPH07161665A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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