JPH08298250A - 半導体ウェハの分割方法 - Google Patents
半導体ウェハの分割方法Info
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- JPH08298250A JPH08298250A JP10265895A JP10265895A JPH08298250A JP H08298250 A JPH08298250 A JP H08298250A JP 10265895 A JP10265895 A JP 10265895A JP 10265895 A JP10265895 A JP 10265895A JP H08298250 A JPH08298250 A JP H08298250A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パッケージクラックを低減する。
【構成】 約２万〜４万ｒｐｍの高速で回転している切
削刃５に半導体ウェハ１を載せたチックステージ４が近
接して、切削刃５の回転方向５ａと同じ方向４ａに移動
することにより半導体ウェハ１をスクライブラインに沿
って切断する。この時、冷却液噴射ノズル７よりアセト
ン７ａを切削刃５に噴射することにより、半導体ウェハ
１を切断する際に発生した摩擦熱を取り除く。また、切
削液噴射ノズル６よりアセトン６ａを切削刃７の先端に
噴射することにより、半導体ウェハ１を切断した時に付
着した切り屑を除去する。さらに、洗浄液噴射ノズル８
よりアセトン８ａを半導体ウェハ１の表面に噴射するこ
とにより、切り屑を半導体ウェハ１の表面から除去す
る。
削刃５に半導体ウェハ１を載せたチックステージ４が近
接して、切削刃５の回転方向５ａと同じ方向４ａに移動
することにより半導体ウェハ１をスクライブラインに沿
って切断する。この時、冷却液噴射ノズル７よりアセト
ン７ａを切削刃５に噴射することにより、半導体ウェハ
１を切断する際に発生した摩擦熱を取り除く。また、切
削液噴射ノズル６よりアセトン６ａを切削刃７の先端に
噴射することにより、半導体ウェハ１を切断した時に付
着した切り屑を除去する。さらに、洗浄液噴射ノズル８
よりアセトン８ａを半導体ウェハ１の表面に噴射するこ
とにより、切り屑を半導体ウェハ１の表面から除去す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハの分割方
法に関し、特に半導体ウェハ上に作製された半導体素子
を個々のチップに分割する方法に関するものである。
法に関し、特に半導体ウェハ上に作製された半導体素子
を個々のチップに分割する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ウェハプロセスが終了して半導体ウェハ
に作製されたチップは、ＬＳＩテスタを用いてウェハ状
態で良品チップの選別が行われ、不良チップにマークが
付けられてゆく。その後、以下のようにして半導体ウェ
ハを分割を行う。まず、半導体ウェハを粘着剤の塗られ
た粘着テープで固定した状態で半導体ウェハ分割装置の
チャックステージに粘着テープを介して固定する。そし
て、約２万〜４万ｒｐｍの高速で回転している切削刃に
半導体ウェハを載せたチャックステージが近接し、切削
刃の回転方向と同方向に移動することで、ウェハのスク
ライブラインに沿って半導体ウェハを切断する。この
時、切削刃の潤滑剤として、切削水を切削刃の表面に噴
射して、切削刃の表面に付着した半導体ウェハの切屑を
取り除く。また、切削刃が半導体ウェハを切断する際に
発生する摩擦熱を取り除くために、切削刃に冷却水を噴
射する。さらに、半導体ウェハの切削の際に発生する切
削屑を取り除くために、半導体ウェハ上に洗浄水を流
す。このように、３種類の水流を半導体ウェハの分割の
際に用いる。
に作製されたチップは、ＬＳＩテスタを用いてウェハ状
態で良品チップの選別が行われ、不良チップにマークが
付けられてゆく。その後、以下のようにして半導体ウェ
ハを分割を行う。まず、半導体ウェハを粘着剤の塗られ
た粘着テープで固定した状態で半導体ウェハ分割装置の
チャックステージに粘着テープを介して固定する。そし
て、約２万〜４万ｒｐｍの高速で回転している切削刃に
半導体ウェハを載せたチャックステージが近接し、切削
刃の回転方向と同方向に移動することで、ウェハのスク
ライブラインに沿って半導体ウェハを切断する。この
時、切削刃の潤滑剤として、切削水を切削刃の表面に噴
射して、切削刃の表面に付着した半導体ウェハの切屑を
取り除く。また、切削刃が半導体ウェハを切断する際に
発生する摩擦熱を取り除くために、切削刃に冷却水を噴
射する。さらに、半導体ウェハの切削の際に発生する切
削屑を取り除くために、半導体ウェハ上に洗浄水を流
す。このように、３種類の水流を半導体ウェハの分割の
際に用いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウェハの分割方法においては、次のような課題が
あった。半導体ウェハ上に大量の水が流れ、分割された
半導体素子の表面に水分が残り、パッケージされた後
で、その半導体素子の動作による熱が発生して、この熱
により半導体素子に残存していた水が蒸発する際の膨脹
により、パッケージクラックが発生することによるボン
ディグワイヤの切断、チップ割れが発生する一因となっ
ている。
半導体ウェハの分割方法においては、次のような課題が
あった。半導体ウェハ上に大量の水が流れ、分割された
半導体素子の表面に水分が残り、パッケージされた後
で、その半導体素子の動作による熱が発生して、この熱
により半導体素子に残存していた水が蒸発する際の膨脹
により、パッケージクラックが発生することによるボン
ディグワイヤの切断、チップ割れが発生する一因となっ
ている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、半導体ウェハを載せるステージと前記半
導体ウェハを分割する切削刃とを備えた半導体ウェハ分
割装置を用いて、前記半導体ウェハとの摩擦熱を除去す
るために前記切削刃の表面に冷却液を噴射する冷却処理
と、前記切削刃の先端の切屑を除去するために前記切削
刃の先端に潤滑液を噴射する潤滑処理と、前記半導体ウ
ェハの表面の切屑を除去するために前記半導体ウェハの
表面に洗浄液を供給する洗浄処理とを施しながら前記半
導体ウェハを分割する半導体ウェハの分割方法におい
て、前記冷却液、潤滑液、又は洗浄液の少なくとも一つ
に揮発性の高い有機溶剤を用いるようにしている。
決するために、半導体ウェハを載せるステージと前記半
導体ウェハを分割する切削刃とを備えた半導体ウェハ分
割装置を用いて、前記半導体ウェハとの摩擦熱を除去す
るために前記切削刃の表面に冷却液を噴射する冷却処理
と、前記切削刃の先端の切屑を除去するために前記切削
刃の先端に潤滑液を噴射する潤滑処理と、前記半導体ウ
ェハの表面の切屑を除去するために前記半導体ウェハの
表面に洗浄液を供給する洗浄処理とを施しながら前記半
導体ウェハを分割する半導体ウェハの分割方法におい
て、前記冷却液、潤滑液、又は洗浄液の少なくとも一つ
に揮発性の高い有機溶剤を用いるようにしている。
【０００５】
【作用】第１の発明によれば、以上のように半導体ウェ
ハの分割方法を構成したので、冷却液、潤滑液、又は洗
浄液として使用した有機溶剤の揮発性が高いため、半導
体ウェハに表面に液体の残存することが水を使用した場
合に比べて少なくなる。従って、前記課題を解決できる
のである。
ハの分割方法を構成したので、冷却液、潤滑液、又は洗
浄液として使用した有機溶剤の揮発性が高いため、半導
体ウェハに表面に液体の残存することが水を使用した場
合に比べて少なくなる。従って、前記課題を解決できる
のである。
【０００６】
【実施例】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の半導体ウェ
ハの分割方法を実施するための半導体ウェハ分割装置の
構成図であり、特に同図（ａ）は側面図であり、同図
（ｂ）は平面図である。本実施例の半導体ウェハの分割
方法が従来の半導体ウェハの分割方法と異なる点は、半
導体素子の表面に水が残存することを避けるために、水
の代わりに揮発性の高いアセトンを使用するようにした
ことである。図１（ａ）に示すように、半導体素子が作
製された半導体ウェハ１が接着剤２の塗られた粘着テー
プ３上に固定されている。粘着テープ３は、半導体ウェ
ハ分割装置のチャックステージ４上に張り付けられてい
る。チャックステージ４の下方に対して、図示しない真
空ポンプにより負圧がかけられており、チャックステー
ジ４上の半導体ウェハ１が下方に吸引されている。半導
体ウェハ１の上方には、切削刃５が配置されている。図
１（ｂ）に示すように、切削刃５を挟んで両側から冷却
液噴射ノズル７が配設されている。冷却液噴射ノズル７
には、揮発性の高いアセトン７ａが冷却液として供給さ
れている。図１（ａ），（ｂ）に示すように、切削刃５
の先端に近接して、切削液噴射ノズル６が配設されてい
る。切削液噴射ノズル６には、アセトン６ａが切削液と
して供給されている。図１（ａ）に示すように、半導体
ウェハ１の端部上方には、洗浄液噴射ノズル８が配設さ
れている。洗浄液噴射ノズル８には、アセトン８ａが洗
浄液として供給される。以下、図１を用いて、本実施例
の半導体ウェハの分割方法の説明をする。約２万〜４万
ｒｐｍの高速で回転している切削刃５に半導体ウェハ１
を載せたチックステージ４が近接して、切削刃５の回転
方向５ａと同じ方向４ａに移動することにより半導体ウ
ェハ１をスクライブラインに沿って切断する。この時、
以下の処理を施しながら半導体ウェハ１を切断する。
ハの分割方法を実施するための半導体ウェハ分割装置の
構成図であり、特に同図（ａ）は側面図であり、同図
（ｂ）は平面図である。本実施例の半導体ウェハの分割
方法が従来の半導体ウェハの分割方法と異なる点は、半
導体素子の表面に水が残存することを避けるために、水
の代わりに揮発性の高いアセトンを使用するようにした
ことである。図１（ａ）に示すように、半導体素子が作
製された半導体ウェハ１が接着剤２の塗られた粘着テー
プ３上に固定されている。粘着テープ３は、半導体ウェ
ハ分割装置のチャックステージ４上に張り付けられてい
る。チャックステージ４の下方に対して、図示しない真
空ポンプにより負圧がかけられており、チャックステー
ジ４上の半導体ウェハ１が下方に吸引されている。半導
体ウェハ１の上方には、切削刃５が配置されている。図
１（ｂ）に示すように、切削刃５を挟んで両側から冷却
液噴射ノズル７が配設されている。冷却液噴射ノズル７
には、揮発性の高いアセトン７ａが冷却液として供給さ
れている。図１（ａ），（ｂ）に示すように、切削刃５
の先端に近接して、切削液噴射ノズル６が配設されてい
る。切削液噴射ノズル６には、アセトン６ａが切削液と
して供給されている。図１（ａ）に示すように、半導体
ウェハ１の端部上方には、洗浄液噴射ノズル８が配設さ
れている。洗浄液噴射ノズル８には、アセトン８ａが洗
浄液として供給される。以下、図１を用いて、本実施例
の半導体ウェハの分割方法の説明をする。約２万〜４万
ｒｐｍの高速で回転している切削刃５に半導体ウェハ１
を載せたチックステージ４が近接して、切削刃５の回転
方向５ａと同じ方向４ａに移動することにより半導体ウ
ェハ１をスクライブラインに沿って切断する。この時、
以下の処理を施しながら半導体ウェハ１を切断する。
【０００７】［冷却処理］冷却液噴射ノズル７よりアセ
トン７ａを切削刃５に噴射することにより、半導体ウェ
ハ１を切断した際に発生した摩擦熱を取り除く。 ［潤滑処理］切削液噴射ノズル６よりアセトン６ａを切
削刃７の先端に噴射することにより、半導体ウェハ１を
切断した時に、その先端に付着した切り屑を除去する。 ［洗浄処理］さらに、洗浄液噴射ノズル８よりアセトン
８ａを半導体ウェハ１の表面に噴射することにより、切
り屑を半導体ウェハ１の表面から除去する。アセトン６
ａ，７ａ，８ａは、水よりも揮発性が高いので、半導体
素子の表面に残存することが少なくなり、半導体素子の
表面にアセトンが残存したまま、後工程のパッケージを
行うことが少なくなる。以上説明したように、本実施例
によれば、冷却液、潤滑液、洗浄液として、水よりも揮
発性の高いアセトンを使用したので、パッケージクラッ
クが発生することを抑制できるという利点がある。
トン７ａを切削刃５に噴射することにより、半導体ウェ
ハ１を切断した際に発生した摩擦熱を取り除く。 ［潤滑処理］切削液噴射ノズル６よりアセトン６ａを切
削刃７の先端に噴射することにより、半導体ウェハ１を
切断した時に、その先端に付着した切り屑を除去する。 ［洗浄処理］さらに、洗浄液噴射ノズル８よりアセトン
８ａを半導体ウェハ１の表面に噴射することにより、切
り屑を半導体ウェハ１の表面から除去する。アセトン６
ａ，７ａ，８ａは、水よりも揮発性が高いので、半導体
素子の表面に残存することが少なくなり、半導体素子の
表面にアセトンが残存したまま、後工程のパッケージを
行うことが少なくなる。以上説明したように、本実施例
によれば、冷却液、潤滑液、洗浄液として、水よりも揮
発性の高いアセトンを使用したので、パッケージクラッ
クが発生することを抑制できるという利点がある。
【０００８】第２の実施例 本第２の実施例の半導体ウェハの分割方法が従来の半導
体ウェハの分割方法と異なる点は、冷却液、切削液、洗
浄液として、液体窒素を用いたことである。以下、図１
を参照しつつ、本第２の実施例の半導体ウェハの分割方
法の説明をする。約２万〜４万ｒｐｍの高速で回転して
いる切削刃５に半導体ウェハ１を載せたチックステージ
４が近接して、切削刃５の回転方向５ａと同じ方向４ａ
に移動することにより半導体ウェハ１をスクライブライ
ンに沿って切断する。この時、冷却液噴射ノズル７、切
削液噴射ノズル６、洗浄液噴射ノズル８より、それぞれ
液体窒素を噴射する。この液体窒素は、常温で直ちに気
化するので、半導体ウェハ１に液体が残存することがな
くなる。また、液体窒素は、低温であるため、切削刃
５、半導体ウェハ１の温度を低く保つことにより、分割
の際に発生する熱の切削刃５や半導体素子への影響を抑
える。以上説明したように、本第２の実施例によれば、
常温で直ちに気化する低温の液体窒素を用いたので、半
導体素子表面に液体の残存することを低減する他に切削
刃やウェハの温度を低く保つことにより、分割の際に発
生する熱の切削刃や半導体素子への影響を抑えるという
利点がある。なお、本発明は、上記実施例に限定されず
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。
体ウェハの分割方法と異なる点は、冷却液、切削液、洗
浄液として、液体窒素を用いたことである。以下、図１
を参照しつつ、本第２の実施例の半導体ウェハの分割方
法の説明をする。約２万〜４万ｒｐｍの高速で回転して
いる切削刃５に半導体ウェハ１を載せたチックステージ
４が近接して、切削刃５の回転方向５ａと同じ方向４ａ
に移動することにより半導体ウェハ１をスクライブライ
ンに沿って切断する。この時、冷却液噴射ノズル７、切
削液噴射ノズル６、洗浄液噴射ノズル８より、それぞれ
液体窒素を噴射する。この液体窒素は、常温で直ちに気
化するので、半導体ウェハ１に液体が残存することがな
くなる。また、液体窒素は、低温であるため、切削刃
５、半導体ウェハ１の温度を低く保つことにより、分割
の際に発生する熱の切削刃５や半導体素子への影響を抑
える。以上説明したように、本第２の実施例によれば、
常温で直ちに気化する低温の液体窒素を用いたので、半
導体素子表面に液体の残存することを低減する他に切削
刃やウェハの温度を低く保つことにより、分割の際に発
生する熱の切削刃や半導体素子への影響を抑えるという
利点がある。なお、本発明は、上記実施例に限定されず
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。
【０００９】（１） 第１の実施例では、揮発性の高い
有機溶剤としてアセトンを使用したが、アルコールなど
であってもよい。 （２） 第２の実施例では、常温で直ちに気化する低温
の液化気体として液体窒素を用いたが、他の液化気体で
もよい。 （３） 冷却液、切削液、洗浄液は、異なる液体であっ
てもよい。 （４） 第１、第２の実施例では、半導体ウェハ分割装
置に適用した例を示したが、高圧の液体流によって物を
切断する装置にも、液体流として揮発性の高い液体、低
温の液化気体を用いてもよい。
有機溶剤としてアセトンを使用したが、アルコールなど
であってもよい。 （２） 第２の実施例では、常温で直ちに気化する低温
の液化気体として液体窒素を用いたが、他の液化気体で
もよい。 （３） 冷却液、切削液、洗浄液は、異なる液体であっ
てもよい。 （４） 第１、第２の実施例では、半導体ウェハ分割装
置に適用した例を示したが、高圧の液体流によって物を
切断する装置にも、液体流として揮発性の高い液体、低
温の液化気体を用いてもよい。
【００１０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１〜第２
の発明によれば、冷却液、潤滑液、又は洗浄液の少なく
とも１つに揮発性の高い有機溶剤、又は液化気体を使用
するので、半導体ウェハの表面にこれらの有機溶剤又は
液化気体等の液体成分が残存することが少なくなり、パ
ッケージクラックが低減する。
の発明によれば、冷却液、潤滑液、又は洗浄液の少なく
とも１つに揮発性の高い有機溶剤、又は液化気体を使用
するので、半導体ウェハの表面にこれらの有機溶剤又は
液化気体等の液体成分が残存することが少なくなり、パ
ッケージクラックが低減する。
【図１】本発明の実施例の半導体ウェハの分割方法を実
施するための半導体ウェハ分割装置の構成図である。
施するための半導体ウェハ分割装置の構成図である。
１ 半導体ウェハ ２ 粘着剤 ３ 粘着テープ ４ チャックステージ ５ 切削刃 ６ 切削液噴射ノズル ７ 冷却液噴射ノズル ８ 洗浄液噴射ノズル ６ａ，７ａ，８ａ アセトン
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェハを載せるステージと前記半
導体ウェハを分割する切削刃とを備えた半導体ウェハ分
割装置を用いて、 前記半導体ウェハとの摩擦熱を除去するために前記切削
刃の表面に冷却液を噴射する冷却処理と、 前記切削刃の先端の切屑を除去するために前記切削刃の
先端に潤滑液を噴射する潤滑処理と、 前記半導体ウェハの表面の切屑を除去するために前記半
導体ウェハの表面に洗浄液を供給する洗浄処理とを、 施しながら前記半導体ウェハを分割する半導体ウェハの
分割方法において、 前記冷却液、潤滑液、又は洗浄液の少なくとも一つに揮
発性の高い有機溶剤を用いることを特徴とする半導体ウ
ェハの分割方法。 - 【請求項２】 半導体ウェハを載せるステージと前記半
導体ウェハを分割する切削刃とを備えた半導体ウェハ分
割装置を用いて、 前記半導体ウェハとの摩擦熱を除去するために前記切削
刃の表面に冷却液を噴射する冷却処理と、 前記切削刃の先端の切屑を除去するために前記切削刃の
先端に潤滑液を噴射する潤滑処理と、 前記半導体ウェハの表面の切屑を除去するために前記半
導体ウェハの表面に洗浄液を供給する洗浄処理とを、 施しながら前記半導体ウェハを分割する半導体ウェハの
分割方法において、 前記冷却液、潤滑液、又は洗浄液の少なくとも一つに低
温の液化気体を用いることを特徴とする半導体ウェハの
分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10265895A JPH08298250A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 半導体ウェハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10265895A JPH08298250A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 半導体ウェハの分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08298250A true JPH08298250A (ja) | 1996-11-12 |
Family
ID=14333337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10265895A Withdrawn JPH08298250A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 半導体ウェハの分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08298250A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475524B1 (ko) * | 1996-11-27 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 기판의절단방법 |
| JP2007152858A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 高脆性材料の切削又は研削加工方法及び切り屑付着抑制剤 |
| JP2013022717A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ダイシング装置 |
-
1995
- 1995-04-26 JP JP10265895A patent/JPH08298250A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475524B1 (ko) * | 1996-11-27 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 기판의절단방법 |
| JP2007152858A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 高脆性材料の切削又は研削加工方法及び切り屑付着抑制剤 |
| JP2013022717A (ja) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ダイシング装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020702 |