JPH071561B2 - 光磁気型再生磁気ヘツド - Google Patents
光磁気型再生磁気ヘツドInfo
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- JPH071561B2 JPH071561B2 JP61026951A JP2695186A JPH071561B2 JP H071561 B2 JPH071561 B2 JP H071561B2 JP 61026951 A JP61026951 A JP 61026951A JP 2695186 A JP2695186 A JP 2695186A JP H071561 B2 JPH071561 B2 JP H071561B2
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- film
- magnetic core
- core
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10541—Heads for reproducing
- G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation
- G11B11/10547—Heads for reproducing using optical beam of radiation interacting with the magnetisation of an intermediate transfer element, e.g. magnetic film, included in the head
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、高精細度のビデオ信号などの再生に用いて好
適な光再生磁気ヘツドに関する。
適な光再生磁気ヘツドに関する。
近年における磁気記録の主なる課題は、記録媒体の容量
を拡大するための高記録密度化と高速にアクセスを可能
とするための（すなわち、記録可能帯域を拡大するため
の）高周波化である。たとえば、最近、高精細度のカラ
ーテレビジヨン方式が大いに注目されているが、かかる
方式のビデオ信号は従来方式のビデオ信号に比べて周波
数帯域が広い。このような広帯域ビデオ信号を高密度記
録する場合、通常、磁気媒体の走行速度を低くすること
により、トラツクの幅を狭くし、トラツクピツチをなく
すようにして高密度記録化をはかつているが、再生ヘツ
ドとして従来の巻線型磁気ヘツドを用いた場合、これは
磁気媒体の磁化による磁束の変化を直接巻線によつて電
気信号に変換するために、トラツクの幅が狭いことによ
つて磁気ヘツドの再生出力が低下し、再生アンプなどに
発生するノイズの影響を受けてC/N（キヤリア／ノイ
ズ）が劣化する。特に、高精細度のビデオ信号の記録再
生では、このC/Nの劣化が画質に顕著に現われることに
なる。そこで、磁気ヘツドの再生出力を高めるために、
その巻線数を増加させることが考えられるが、これによ
ると、磁気ヘツドのインダクタンスが増加して伝送帯域
が狭くなり、やはり再生画像の画質が低下して高周波化
に対応できない。
を拡大するための高記録密度化と高速にアクセスを可能
とするための（すなわち、記録可能帯域を拡大するため
の）高周波化である。たとえば、最近、高精細度のカラ
ーテレビジヨン方式が大いに注目されているが、かかる
方式のビデオ信号は従来方式のビデオ信号に比べて周波
数帯域が広い。このような広帯域ビデオ信号を高密度記
録する場合、通常、磁気媒体の走行速度を低くすること
により、トラツクの幅を狭くし、トラツクピツチをなく
すようにして高密度記録化をはかつているが、再生ヘツ
ドとして従来の巻線型磁気ヘツドを用いた場合、これは
磁気媒体の磁化による磁束の変化を直接巻線によつて電
気信号に変換するために、トラツクの幅が狭いことによ
つて磁気ヘツドの再生出力が低下し、再生アンプなどに
発生するノイズの影響を受けてC/N（キヤリア／ノイ
ズ）が劣化する。特に、高精細度のビデオ信号の記録再
生では、このC/Nの劣化が画質に顕著に現われることに
なる。そこで、磁気ヘツドの再生出力を高めるために、
その巻線数を増加させることが考えられるが、これによ
ると、磁気ヘツドのインダクタンスが増加して伝送帯域
が狭くなり、やはり再生画像の画質が低下して高周波化
に対応できない。
そこで、かかる問題を解消するために、光磁気効果を利
用して高密度に記録された情報を再生するようにした方
式が提案されている（信学技報Vol.1 No.42 1979.5 pp.
21−28 野村龍男らによる論文「光磁気録画方式の一検
討」）。これは、磁気媒体の磁化による磁束変化を直接
巻線によつて電気信号に変換するのではなく、磁気媒体
上の磁化パターンを光磁気効果膜に転写し、これをレー
ザビームで走査して、光磁気効果により、転写された磁
気パターンの強度に応じてレーザビームを変調させ、こ
の変調された光ビームを検出して記録情報を再生するも
のである。
用して高密度に記録された情報を再生するようにした方
式が提案されている（信学技報Vol.1 No.42 1979.5 pp.
21−28 野村龍男らによる論文「光磁気録画方式の一検
討」）。これは、磁気媒体の磁化による磁束変化を直接
巻線によつて電気信号に変換するのではなく、磁気媒体
上の磁化パターンを光磁気効果膜に転写し、これをレー
ザビームで走査して、光磁気効果により、転写された磁
気パターンの強度に応じてレーザビームを変調させ、こ
の変調された光ビームを検出して記録情報を再生するも
のである。
しかし、かかる従来の方式によると、レーザビームのス
ポツト径よりも短かい記録波長の信号成分は再生され得
ず、広帯域のビデオ信号の再生においては、周波数帯域
が制限されてしまう。また、トラツクの幅を狭くして高
密度記録した場合にS/Nを向上させるためには、光磁気
効果膜に転写された磁気パターンの強度が高くなければ
ならず、このためには、光磁気効果膜を厚くして磁気媒
体からの磁気パターンの転写を充分に行なえばよいが、
このようにすると、光磁気効果膜への磁気パターンの転
写性が劣化する。
ポツト径よりも短かい記録波長の信号成分は再生され得
ず、広帯域のビデオ信号の再生においては、周波数帯域
が制限されてしまう。また、トラツクの幅を狭くして高
密度記録した場合にS/Nを向上させるためには、光磁気
効果膜に転写された磁気パターンの強度が高くなければ
ならず、このためには、光磁気効果膜を厚くして磁気媒
体からの磁気パターンの転写を充分に行なえばよいが、
このようにすると、光磁気効果膜への磁気パターンの転
写性が劣化する。
以上のように、従来では、高密度記録化をはかると、高
周波化やS/Nの向上が望めないという問題があつた。
周波化やS/Nの向上が望めないという問題があつた。
本発明の目的は、かかる問題点を解消し、高周波化やS/
Nの向上を伴なう高記録密度化を実現可能とした光磁気
型再生磁気ヘツドを提供するにある。
Nの向上を伴なう高記録密度化を実現可能とした光磁気
型再生磁気ヘツドを提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、ヘツドチツプ部
材の磁路中にフアラデー効果を生ずる磁性膜を設けると
ともに、該磁性膜に編光した光ビームを入射させ、該磁
性膜を通つた光ビームを検光子を介して受光素子に受光
させる。
材の磁路中にフアラデー効果を生ずる磁性膜を設けると
ともに、該磁性膜に編光した光ビームを入射させ、該磁
性膜を通つた光ビームを検光子を介して受光素子に受光
させる。
該光ビームの偏光面は、該磁性膜の磁化の向きに応じた
方向にフアラデー回転し、これにより、検光子を通して
受光素子で受光される光量、したがつて、受光素子から
出力される電気信号のレベルは該磁性層の磁化の向きに
応じて変化する。
方向にフアラデー回転し、これにより、検光子を通して
受光素子で受光される光量、したがつて、受光素子から
出力される電気信号のレベルは該磁性層の磁化の向きに
応じて変化する。
以下、本発明の実施例を図面によつて説明する。
第１図は本発明による光磁気型再生磁気ヘツドの一実施
例の全体構成を示す斜視図であつて、１は下部磁性コ
ア、２は光反射膜、３は磁性膜、４はヘツドギヤツプ
膜、５は非磁性膜、６は上部磁性コア、７は磁気ギヤツ
プ、８は入射穴、９はレーザビーム、10はレーザ源、11
は受光素子、12はハーフミラー、13は検光子、14はテー
プ摺動面である。
例の全体構成を示す斜視図であつて、１は下部磁性コ
ア、２は光反射膜、３は磁性膜、４はヘツドギヤツプ
膜、５は非磁性膜、６は上部磁性コア、７は磁気ギヤツ
プ、８は入射穴、９はレーザビーム、10はレーザ源、11
は受光素子、12はハーフミラー、13は検光子、14はテー
プ摺動面である。
この実施例は、磁気チツプ部材と光学系とからなるが、
まず、磁気チツプ部材の構成について説明する。
まず、磁気チツプ部材の構成について説明する。
同図において、下部磁性コア１はフエライトからなつて
基板としての機能も有しており、その全面には光反射膜
２が設けられている。この光反射膜２はCrなどの金属が
蒸着法あるいはスパツタ法によつて形成されたものであ
り、厚さは500Å〜1000Åに設定される。この光反射膜
２上の所定の位置に大きなフアラデー効果を生ずる磁性
ガーネツトなどからなる磁性膜３が設けられている。こ
の磁性膜３はフオトリゾグラフツク技術によつて所定形
状にパターニングされて形成され、その膜厚は３〜20μ
ｍに設定されている。光反射膜２および磁気膜３の一部
にまたがつてヘツドギヤツプ膜４が設けられ、そのヘツ
ドギヤツプ膜４の一部に、一部が磁性膜３上にあるよう
に、非磁性膜５が設けられている。そして、さらに、ヘ
ツドギヤツプ膜４、非磁性膜５および磁性膜３にまたが
るように、上部磁性コア６が設けられている。ヘツドギ
ヤツプ膜４は、Crの膜を被着形成後、パターニングによ
つて所定形状に形成されたものであり、その膜厚は0.3
μｍ程度に設定されている。被磁性膜５は、SiO2の膜を
被着形成後、パターニングによつて所定形状に形成され
たものであり、SiO2などを材料として膜厚は10〜20μｍ
に設定されている。上部コア磁性膜６は、センダスト、
Fe−Ni,Co−Nd,Zr非晶質磁性膜などを被着形成後、パタ
ーニングによつて所定形状に形成されたものである。
基板としての機能も有しており、その全面には光反射膜
２が設けられている。この光反射膜２はCrなどの金属が
蒸着法あるいはスパツタ法によつて形成されたものであ
り、厚さは500Å〜1000Åに設定される。この光反射膜
２上の所定の位置に大きなフアラデー効果を生ずる磁性
ガーネツトなどからなる磁性膜３が設けられている。こ
の磁性膜３はフオトリゾグラフツク技術によつて所定形
状にパターニングされて形成され、その膜厚は３〜20μ
ｍに設定されている。光反射膜２および磁気膜３の一部
にまたがつてヘツドギヤツプ膜４が設けられ、そのヘツ
ドギヤツプ膜４の一部に、一部が磁性膜３上にあるよう
に、非磁性膜５が設けられている。そして、さらに、ヘ
ツドギヤツプ膜４、非磁性膜５および磁性膜３にまたが
るように、上部磁性コア６が設けられている。ヘツドギ
ヤツプ膜４は、Crの膜を被着形成後、パターニングによ
つて所定形状に形成されたものであり、その膜厚は0.3
μｍ程度に設定されている。被磁性膜５は、SiO2の膜を
被着形成後、パターニングによつて所定形状に形成され
たものであり、SiO2などを材料として膜厚は10〜20μｍ
に設定されている。上部コア磁性膜６は、センダスト、
Fe−Ni,Co−Nd,Zr非晶質磁性膜などを被着形成後、パタ
ーニングによつて所定形状に形成されたものである。
かかる構成において、各部磁性コア１、磁性膜３、上部
磁性コア６によつて磁路が形成されており、テープ摺動
面14側では、各部磁性コア１と上部磁性コア６とがヘツ
ドギヤツプ膜４を介して対向し、テープ摺動面14では、
このヘツドギャツプ膜４によつて上部磁性コア１、上部
磁性コア６間が磁気ギヤツプ７をなしている。また、被
磁性膜５は上部磁性コア６の一部を下部磁性コア１およ
び磁性膜３から充分離し、磁路からの磁束の漏洩を防止
するものである。
磁性コア６によつて磁路が形成されており、テープ摺動
面14側では、各部磁性コア１と上部磁性コア６とがヘツ
ドギヤツプ膜４を介して対向し、テープ摺動面14では、
このヘツドギャツプ膜４によつて上部磁性コア１、上部
磁性コア６間が磁気ギヤツプ７をなしている。また、被
磁性膜５は上部磁性コア６の一部を下部磁性コア１およ
び磁性膜３から充分離し、磁路からの磁束の漏洩を防止
するものである。
上部磁性コア６の磁性膜３に重なった部分（以下、リア
部トイウ）には、磁性膜３に達する入射穴８が設けられ
ている。
部トイウ）には、磁性膜３に達する入射穴８が設けられ
ている。
以上が磁気チップ部材の構成の説明であるが、次に、光
学系について説明する。
学系について説明する。
この光学系は、レーザ源10、受光素子11、ハーフミラー
12および検光子13からなつている。
12および検光子13からなつている。
レーザ源10からは偏光したレーザビーム９が出力され
る。これは、ハーフミラー12を通り、入射穴８から磁性
膜３に入射する。このレーザビーム９は、磁性膜３を通
つて光反射膜２で反射され、再び磁性膜３、入射穴８を
通つた後、ハーフミラー12で反射されて検光子13を通
り、受光素子11で受光される。
る。これは、ハーフミラー12を通り、入射穴８から磁性
膜３に入射する。このレーザビーム９は、磁性膜３を通
つて光反射膜２で反射され、再び磁性膜３、入射穴８を
通つた後、ハーフミラー12で反射されて検光子13を通
り、受光素子11で受光される。
第２図は第１図のＡ−Ａ′に沿う断面図であつて、15は
磁気テープであり、第１図に対応する部分には同一符号
をつけている。
磁気テープであり、第１図に対応する部分には同一符号
をつけている。
第２図において、磁気テープ15がテープ摺動面に沿つて
走行しているとすると、この磁気テープ15の磁化による
磁束が下部磁性コスト１、磁性膜３、上部磁性コア６を
介して流れ、磁性膜３はその厚さ方向に磁化される。一
方、レーザ源10からの偏光されたレーザビーム９は、入
射穴８を通つて磁性膜３にその厚み方向（すなわち、磁
性膜３の磁化方向に平行な方向）に入射され、また、光
反射膜２で反射されて再び磁性膜３の厚み方向に進む。
この磁性膜３を通るとき、偏光されたレーザビーム９の
偏光面は、フアラデー効果により、磁性膜３の磁化の向
きに応じて互いに反対の方向に回転する。
走行しているとすると、この磁気テープ15の磁化による
磁束が下部磁性コスト１、磁性膜３、上部磁性コア６を
介して流れ、磁性膜３はその厚さ方向に磁化される。一
方、レーザ源10からの偏光されたレーザビーム９は、入
射穴８を通つて磁性膜３にその厚み方向（すなわち、磁
性膜３の磁化方向に平行な方向）に入射され、また、光
反射膜２で反射されて再び磁性膜３の厚み方向に進む。
この磁性膜３を通るとき、偏光されたレーザビーム９の
偏光面は、フアラデー効果により、磁性膜３の磁化の向
きに応じて互いに反対の方向に回転する。
いま、磁性膜３が下部磁性コア１側から上部磁性コア６
側に磁束が通るように磁化されているものとすると、レ
ーザ源10から入射穴８を通して磁性膜３に入射されるレ
ーザビームが、下部磁性コア１側からレーザビーム９の
入射部分を見た第３図（ａ）において、矢印L1方向に偏
光されているとすると、磁性膜３の磁化によつて矢印L2
方向にΔθだけ偏光面が回転する。次に、光反射膜２に
おけるレーザビーム９の偏光面は、入射穴８側から磁性
膜３方向をみると、第３図（ｂ）に示すように、矢印L1
で示す入射前のレーザビーム９の偏光面の方向に対し
て、第３図（ａ）の場合とは逆方向にΔθだけずれた矢
印L2′で表わされる。この反射されたレーザビーム９の
進行方向と磁性膜３の磁化方向の向きとの関係は、レー
ザビーム９が入射される場合とは逆になるから、この反
射レーザビーム９の偏光面は、矢印L2′からさらに第３
図（ａ）の場合とは逆方向にΔθだけ回転し（下部磁性
コア１側からみると、第３図（ａ）の場合と回転方向が
同じである）、矢印L3で表わされる。
側に磁束が通るように磁化されているものとすると、レ
ーザ源10から入射穴８を通して磁性膜３に入射されるレ
ーザビームが、下部磁性コア１側からレーザビーム９の
入射部分を見た第３図（ａ）において、矢印L1方向に偏
光されているとすると、磁性膜３の磁化によつて矢印L2
方向にΔθだけ偏光面が回転する。次に、光反射膜２に
おけるレーザビーム９の偏光面は、入射穴８側から磁性
膜３方向をみると、第３図（ｂ）に示すように、矢印L1
で示す入射前のレーザビーム９の偏光面の方向に対し
て、第３図（ａ）の場合とは逆方向にΔθだけずれた矢
印L2′で表わされる。この反射されたレーザビーム９の
進行方向と磁性膜３の磁化方向の向きとの関係は、レー
ザビーム９が入射される場合とは逆になるから、この反
射レーザビーム９の偏光面は、矢印L2′からさらに第３
図（ａ）の場合とは逆方向にΔθだけ回転し（下部磁性
コア１側からみると、第３図（ａ）の場合と回転方向が
同じである）、矢印L3で表わされる。
この結果、レーザビーム９の偏光面は、磁性膜３に入射
し、光反射膜２で反射されて磁性膜３から出射するまで
に２Δθだけ回転する。磁性膜３の磁化の向きが上記と
は逆の場合には、レーザビーム９の偏光面の回転は、上
記の場合と大きさが等しく方向が逆になる。したがつ
て、２Δθをθｆとすると、磁性膜３の磁化の向きに応
じてレーザビーム９の偏光面は＋θｆあるいは−θｆだ
け回転することになる。
し、光反射膜２で反射されて磁性膜３から出射するまで
に２Δθだけ回転する。磁性膜３の磁化の向きが上記と
は逆の場合には、レーザビーム９の偏光面の回転は、上
記の場合と大きさが等しく方向が逆になる。したがつ
て、２Δθをθｆとすると、磁性膜３の磁化の向きに応
じてレーザビーム９の偏光面は＋θｆあるいは−θｆだ
け回転することになる。
そこで、第４図において、検光子13の偏向軸（偏光の透
過方向）をＡ軸方向とすると、レーザ源10からのレーザ
ビーム９の偏光面の方向はこのＡ方向よりも45°ずれた
Ｂ軸方向に設定する。このＢ方向のベクトルＢとし、こ
れがレーザ源10からのレーザビーム９とする。いま、磁
性膜３が上部磁性コア６方向に磁束が通るように磁化さ
れているとき、入射穴８を通して磁性膜３から出射され
たレーザビーム９が、ベクトルで示すように、Ｂ軸か
ら＋θｆだけ偏光面が回転したものとなつているとする
と、検光子13ではこのレーザビーム９のうちのＡ軸方向
の成分のみしか通過せず、受光素子11ではベクトルで
表わすレーザビームが受光される。このレーザビームの
光量｜｜は、 ｜｜＝｜|cos（45°＋θｆ） ＝｜|cos（45°＋θｆ） となる。磁性膜３が下部磁性コア方向に磁束が通るよう
に磁化されたときには、入射穴８を通して磁性膜３から
出射されるレーザビーム９は、ベクトル′で示すよう
に、Ｂ軸から−θｆだけ偏光面が回転したものとなる。
したがつて、この場合の検光子13を通して受光素子11に
受光されるレーザビームはベクトルＡ′で表わされ、そ
の受光量｜′｜は、 ｜′｜＝｜′|cos（45°−θｆ） ＝｜|cos（45°−θｆ） となる。
過方向）をＡ軸方向とすると、レーザ源10からのレーザ
ビーム９の偏光面の方向はこのＡ方向よりも45°ずれた
Ｂ軸方向に設定する。このＢ方向のベクトルＢとし、こ
れがレーザ源10からのレーザビーム９とする。いま、磁
性膜３が上部磁性コア６方向に磁束が通るように磁化さ
れているとき、入射穴８を通して磁性膜３から出射され
たレーザビーム９が、ベクトルで示すように、Ｂ軸か
ら＋θｆだけ偏光面が回転したものとなつているとする
と、検光子13ではこのレーザビーム９のうちのＡ軸方向
の成分のみしか通過せず、受光素子11ではベクトルで
表わすレーザビームが受光される。このレーザビームの
光量｜｜は、 ｜｜＝｜|cos（45°＋θｆ） ＝｜|cos（45°＋θｆ） となる。磁性膜３が下部磁性コア方向に磁束が通るよう
に磁化されたときには、入射穴８を通して磁性膜３から
出射されるレーザビーム９は、ベクトル′で示すよう
に、Ｂ軸から−θｆだけ偏光面が回転したものとなる。
したがつて、この場合の検光子13を通して受光素子11に
受光されるレーザビームはベクトルＡ′で表わされ、そ
の受光量｜′｜は、 ｜′｜＝｜′|cos（45°−θｆ） ＝｜|cos（45°−θｆ） となる。
以上のようにして、磁性膜３の磁化に向きによつて受光
素子11での受光量が異なり、また、磁気テープ15には、
FM変調されて信号が記録されており、これによる磁気パ
ターンに応じて磁性膜３の磁化の向きが変化するから、
受光素子11から磁気テープ15に記録されている信号が得
られる。
素子11での受光量が異なり、また、磁気テープ15には、
FM変調されて信号が記録されており、これによる磁気パ
ターンに応じて磁性膜３の磁化の向きが変化するから、
受光素子11から磁気テープ15に記録されている信号が得
られる。
次の表１は、磁気テープをメタル微粉テープとし、ヘツ
ド・テープ間相対速度を3.8m/sec、キヤリア周波数5MHz
としたときの、上記実施例、従来の巻線型薄膜ヘツド、
従来の磁気抵抗効果型（MR）再生ヘツドのC/Namp,C/N
totaLを比較して示したものである。
ド・テープ間相対速度を3.8m/sec、キヤリア周波数5MHz
としたときの、上記実施例、従来の巻線型薄膜ヘツド、
従来の磁気抵抗効果型（MR）再生ヘツドのC/Namp,C/N
totaLを比較して示したものである。
なお、Ｃはキヤリア出力、Nampはシステムで生ずるノイ
ズ、NtotaLは磁気テープとヘツドとに生ずるノイズであ
る。
ズ、NtotaLは磁気テープとヘツドとに生ずるノイズであ
る。
表１から明らかなように、上記実施例では、他の従来ヘ
ツドに比べ、C/NtotaLは大差ないが、C/Nampが19〜20dB
優れている。このことから、C/NtotaLはほとんど磁気媒
体に生ずるノイズによつて決まることがわかり、また、
上記実施例では、他の従来ヘツドに比べて再生出力が大
きいことがわかる。
ツドに比べ、C/NtotaLは大差ないが、C/Nampが19〜20dB
優れている。このことから、C/NtotaLはほとんど磁気媒
体に生ずるノイズによつて決まることがわかり、また、
上記実施例では、他の従来ヘツドに比べて再生出力が大
きいことがわかる。
また、ヘツド・テープ間相対速度を4.75cm/secの低速と
した場合と24m/secの高速とした場合のC/Nを測定したと
ころ、上記実施例では、C/Nがほとんど変わらなかつた
が、巻線型磁気ヘツドでは、低速時再生不能であり、高
速時でヘツドのインダクタンスによつて再生出力が低下
し、したがつて、C/Nが低下した。
した場合と24m/secの高速とした場合のC/Nを測定したと
ころ、上記実施例では、C/Nがほとんど変わらなかつた
が、巻線型磁気ヘツドでは、低速時再生不能であり、高
速時でヘツドのインダクタンスによつて再生出力が低下
し、したがつて、C/Nが低下した。
以上のことから、上記実施例を用いた場合には、磁気テ
ープの走行速度を遅くしてトラツクの幅を狭くすること
により、多少再生出力を低下させても、充分高いC/Nが
得られ、したがつて、従来のヘツドを用いた場合に比べ
てより高密度記録化が促進できることになる。
ープの走行速度を遅くしてトラツクの幅を狭くすること
により、多少再生出力を低下させても、充分高いC/Nが
得られ、したがつて、従来のヘツドを用いた場合に比べ
てより高密度記録化が促進できることになる。
ところで、この実施例においては、第５図に示すよう
に、リア部での上部磁性コア６の磁性膜３が接する部分
16の面積S1を小さくし、上部磁性コア６のフロントギヤ
ツプ部17での面積S2に対し、S1＜S2とする。これによ
り、上部磁性コア６を通る磁束はしぼられて磁性膜３に
入り込むために、磁性膜３のレーザビーム９（第１図）
が入射される部分の磁化が強くなり、レーザビーム９の
フアラデー回転が大となつて感度、C/Nがさらに向上す
る。
に、リア部での上部磁性コア６の磁性膜３が接する部分
16の面積S1を小さくし、上部磁性コア６のフロントギヤ
ツプ部17での面積S2に対し、S1＜S2とする。これによ
り、上部磁性コア６を通る磁束はしぼられて磁性膜３に
入り込むために、磁性膜３のレーザビーム９（第１図）
が入射される部分の磁化が強くなり、レーザビーム９の
フアラデー回転が大となつて感度、C/Nがさらに向上す
る。
ただし、この部分16の面積S1を極端に小さくすると、こ
の部分16での磁気抵抗が増大して磁束が減ずるので、逆
に感度、C/Nが低下することは従来の磁気ヘツドと同様
である。磁性膜３の材料としてガーネツトを用いると、
その比透磁率は数百であるので、部分16の面積S1を適度
に小さくして感度、C/Nを高めることは可能である。
の部分16での磁気抵抗が増大して磁束が減ずるので、逆
に感度、C/Nが低下することは従来の磁気ヘツドと同様
である。磁性膜３の材料としてガーネツトを用いると、
その比透磁率は数百であるので、部分16の面積S1を適度
に小さくして感度、C/Nを高めることは可能である。
第６図は本発明による光磁気型再生磁気ヘツドの他の実
施例を示す断面図であつて、９′は光、18は反射防止膜
であり、第１図に対応する部分には同一符号をつけて重
複する説明は省略する。
施例を示す断面図であつて、９′は光、18は反射防止膜
であり、第１図に対応する部分には同一符号をつけて重
複する説明は省略する。
第６図において、上部磁性コア６上の入射穴８の周囲に
反射防止膜18が設けられている。これにより、入射穴８
に入り込まない光９′は反射防止され、ハーフミラー12
を介して検光子13（第１図）に入射しないようにしてい
る。
反射防止膜18が設けられている。これにより、入射穴８
に入り込まない光９′は反射防止され、ハーフミラー12
を介して検光子13（第１図）に入射しないようにしてい
る。
そこで、レーザ源10（第１図）からのレーザビーム９が
入射穴８からずれたり、そのビーム径が入射穴８の径よ
りも大きくても、検光子13には、磁性膜３によつてフア
ラデー回転を受けた光のみが入射され、C/Nの劣化を防
止できるとともに、光学系の設定許容範囲を大きくとれ
る。
入射穴８からずれたり、そのビーム径が入射穴８の径よ
りも大きくても、検光子13には、磁性膜３によつてフア
ラデー回転を受けた光のみが入射され、C/Nの劣化を防
止できるとともに、光学系の設定許容範囲を大きくとれ
る。
なお、反射防止膜18には、光吸収体、表面を粗くした光
散乱体、1/2波長の光干渉を利用して反射光を防止する
薄膜などを用いることができる。
散乱体、1/2波長の光干渉を利用して反射光を防止する
薄膜などを用いることができる。
第７図は本発明による光磁気型再生磁気ヘツドのさらに
他の実施例を示す断面図であつて、19は非磁性基板であ
り、第６図に対応する部分には同一符号をつけて重複す
る説明を省略する。
他の実施例を示す断面図であつて、19は非磁性基板であ
り、第６図に対応する部分には同一符号をつけて重複す
る説明を省略する。
先の実施例においては、下部磁性コア１をフエライト磁
性基板としたが、第７図に示すこの実施例では、下部磁
性コア１をガラスなどの非磁性基板19に積層された磁性
膜とするものである。この下部磁性コア１としては、フ
エライトに比べて比透磁率μが大きいセンダスト、Fe−
Ni,Co−Nd−Zr系の非晶質磁性膜とすることができ、よ
り感度が向上する。
性基板としたが、第７図に示すこの実施例では、下部磁
性コア１をガラスなどの非磁性基板19に積層された磁性
膜とするものである。この下部磁性コア１としては、フ
エライトに比べて比透磁率μが大きいセンダスト、Fe−
Ni,Co−Nd−Zr系の非晶質磁性膜とすることができ、よ
り感度が向上する。
なお、この実施例では、第１図や第６図に示した実施例
におけるような光反射膜２を設ける必要はない。また、
第１図に示した実施例においても、第７図に示した実施
例のように、下部磁性コア１として、フエライト磁性基
板の代りに、非磁性基板19に積層した磁性膜とすること
ができる。
におけるような光反射膜２を設ける必要はない。また、
第１図に示した実施例においても、第７図に示した実施
例のように、下部磁性コア１として、フエライト磁性基
板の代りに、非磁性基板19に積層した磁性膜とすること
ができる。
第８図は本発明による光磁気型再生磁気ヘツドのさらに
他の実施例を示す断面図であつて、20は貫通穴であり、
前出の図面に対応する部分には同一符号をつけて重複す
る説明は省略する。
他の実施例を示す断面図であつて、20は貫通穴であり、
前出の図面に対応する部分には同一符号をつけて重複す
る説明は省略する。
第１図、第６図および第７図に示した実施例はレーザビ
ーム９が光反射膜２あるいは下部磁性コア１で反射され
る反射型のものであつたが、第８図に示す実施例は透過
型のものである。
ーム９が光反射膜２あるいは下部磁性コア１で反射され
る反射型のものであつたが、第８図に示す実施例は透過
型のものである。
すなわち、第８図において、第７図に示した実施例と同
様に、ガラスなどの透明な非磁性基板19上に磁性膜の下
部磁性コア１が設けられ、この下部磁性コア１が上部磁
性コア６、磁性膜３とともに磁路を形成するが、ここ
で、下部磁性コア１に入射穴８と同軸となり、これと同
径の貫通穴20を設けている。
様に、ガラスなどの透明な非磁性基板19上に磁性膜の下
部磁性コア１が設けられ、この下部磁性コア１が上部磁
性コア６、磁性膜３とともに磁路を形成するが、ここ
で、下部磁性コア１に入射穴８と同軸となり、これと同
径の貫通穴20を設けている。
上部磁性コア６側に配置されたレーザ源10からのレーザ
ビーム９は、入射穴８から磁性膜３に入り込み、そこで
フアラデー回転した後、貫通穴20、光透過性非磁性基板
19を通り、さらに、この基板19側に配置された検光子13
を通つて受光素子11に受光される。
ビーム９は、入射穴８から磁性膜３に入り込み、そこで
フアラデー回転した後、貫通穴20、光透過性非磁性基板
19を通り、さらに、この基板19側に配置された検光子13
を通つて受光素子11に受光される。
この実施例によると、第１図、第６図、第７図の実施例
よりもハーフミラー12が不要となつて光学系が簡略化
し、さらに、レーザ源10、検光子13、受光素子11が直線
上に配置されるから、位置決め精度を大幅に緩和でき
る。
よりもハーフミラー12が不要となつて光学系が簡略化
し、さらに、レーザ源10、検光子13、受光素子11が直線
上に配置されるから、位置決め精度を大幅に緩和でき
る。
以上説明したように、本発明によれば、従来技術に比べ
て非常に高い感度とC/Nとが得られ、磁気媒体上のトラ
ツクの幅を狭くしても良好なC/Nが得られて高密度記録
がより促進され、かつ、磁気的な信号を電気的な信号に
変換する手段に周波数帯域を制限する部材が含まれない
ために、広帯域信号の再生が可能となつて高周波化もよ
り促進されるし、さらに、入射穴に対する光ビームのず
れがあったり、光ビームの径が入射穴の径よりも大きく
ても、ファラデー効果を生ずる磁性膜以外の部分で反射
された光ビームが受光素子で受光されるのを防止するこ
とができるから、光学系の設定許容範囲が緩和される。
て非常に高い感度とC/Nとが得られ、磁気媒体上のトラ
ツクの幅を狭くしても良好なC/Nが得られて高密度記録
がより促進され、かつ、磁気的な信号を電気的な信号に
変換する手段に周波数帯域を制限する部材が含まれない
ために、広帯域信号の再生が可能となつて高周波化もよ
り促進されるし、さらに、入射穴に対する光ビームのず
れがあったり、光ビームの径が入射穴の径よりも大きく
ても、ファラデー効果を生ずる磁性膜以外の部分で反射
された光ビームが受光素子で受光されるのを防止するこ
とができるから、光学系の設定許容範囲が緩和される。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明による光磁気型再生磁気ヘツドの一実施
例の全体構成を示す斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ′
に沿う断面図、第３図は第１図におけるフアラデー効果
を生ずる磁性膜の作用を示した説明図、第４図は第１図
の実施例の再生動作を説明するためのベクトル図、第５
図はその実施例の要部を示した上面図、第６図〜第８図
は夫々本発明による光磁気型再生磁気ヘツドの他の実施
例を示す断面図である。 １……下部磁性コア、２……光反射膜、３……フアラデ
ー効果を生ずる磁性膜、６……上部磁性コア、７……磁
気ギヤツプ、８……入射穴、９……レーザビーム、10…
…レーザ源、11……受光素子、13……検光子、14……テ
ープ摺動面、15……リア部での上部磁性コアの磁性膜と
接する部分、17……上部磁性コアのフロントギャップ
部、18……反射防止膜、19……非磁性基板、20……貫通
穴。
例の全体構成を示す斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ′
に沿う断面図、第３図は第１図におけるフアラデー効果
を生ずる磁性膜の作用を示した説明図、第４図は第１図
の実施例の再生動作を説明するためのベクトル図、第５
図はその実施例の要部を示した上面図、第６図〜第８図
は夫々本発明による光磁気型再生磁気ヘツドの他の実施
例を示す断面図である。 １……下部磁性コア、２……光反射膜、３……フアラデ
ー効果を生ずる磁性膜、６……上部磁性コア、７……磁
気ギヤツプ、８……入射穴、９……レーザビーム、10…
…レーザ源、11……受光素子、13……検光子、14……テ
ープ摺動面、15……リア部での上部磁性コアの磁性膜と
接する部分、17……上部磁性コアのフロントギャップ
部、18……反射防止膜、19……非磁性基板、20……貫通
穴。
Claims (2)
- 【請求項１】テープ摺動面側では、上部磁性コアと下部
磁性コアとがヘッドギャップ膜を挟んで磁気ギャップが
形成され、該テープ摺動面側とは反対側のリア部では該
上部磁性コアと該下部磁性コアとの間にファラデー効果
を生ずる磁性膜が設けられ、該リア部で該上部磁性コア
に該磁性膜まで達する入射穴が設けられたチップ部材
と、 偏光した光ビームを出力する光源、検光子および受光素
子と からなり、 該上部磁性コアでの該入射穴が設けられて該磁性膜に重
なる部分の面積S1をフロントギャップ部での該上部磁性
コアの面積S2よりも小さくし、 該光源からの光ビームを該入射穴から該磁性膜に入射
し、該磁性膜でファラデー回転した光ビームを該検光子
を介して該受光素子で受光するように構成したことを特
徴とする光磁気型再生磁気ヘツド。 - 【請求項２】テープ摺動面側では上部磁性コアと下部磁
性コアとがヘッドギャップ膜を挟んで磁気ギャップが形
成され、該テープ摺動面側とは反対側のリア部では、該
上部磁性コアと該下部磁性コアとの間に、ファラデー効
果を生ずる磁性膜が設けられて該磁性膜は該下部磁性コ
ア側に光反射膜を有し、該リア部で該上部磁性コアに該
磁性膜まで達する入射穴が設けられたチップ部材と、 偏光した光ビームを出力する光源、検光子および受光素
子と からなり、 該上部磁性コア上の少なくとも該入射穴の周りに反射防
止膜が設けられ、 該光源からの光ビームを該入射穴から該磁性膜に入射
し、該磁性膜でファラデー回転した光ビームを該検光子
を介して該受光素子で受光するように構成したことを特
徴とする光磁気型再生磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61026951A JPH071561B2 (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | 光磁気型再生磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61026951A JPH071561B2 (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | 光磁気型再生磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62185267A JPS62185267A (ja) | 1987-08-13 |
| JPH071561B2 true JPH071561B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=12207460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61026951A Expired - Lifetime JPH071561B2 (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | 光磁気型再生磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071561B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2652670B1 (fr) * | 1989-10-03 | 1995-06-23 | Thomson Csf | Tete de lecture magnetooptique a haute resolution. |
| FR2656723B1 (fr) * | 1989-12-28 | 1995-07-21 | Thomson Consumer Electronics | Tete de lecture multipiste magneto-optique. |
| JP4957154B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-06-20 | ダイキン工業株式会社 | 空調機用梱包部材 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57183646A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-12 | Nec Corp | Magnetic recorder and reproducer |
| JPS6139956A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 磁気−光ヘツド |
-
1986
- 1986-02-12 JP JP61026951A patent/JPH071561B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＩＢＭＴｅｃｈｎｉｃａｌＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅＢｕｌｌｅｔｉｎ，１３〔８〕（１９７１−１）Ｐ．２２７６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62185267A (ja) | 1987-08-13 |
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