JPH07153734A - 精密部品の乾燥装置 - Google Patents
精密部品の乾燥装置Info
- Publication number
- JPH07153734A JPH07153734A JP5299390A JP29939093A JPH07153734A JP H07153734 A JPH07153734 A JP H07153734A JP 5299390 A JP5299390 A JP 5299390A JP 29939093 A JP29939093 A JP 29939093A JP H07153734 A JPH07153734 A JP H07153734A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drying chamber
- drying
- hot bath
- bath vessel
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気ディスクの洗浄乾燥後の局部的な段さぶつ
の発生を防ぎ、磁気ディスクの低浮上化及び高磁気特性
のある製品及びその製造法を得る。また、シリコンウエ
ハー及びガラス板においても局部的な段さぶつの発生を
防ぐ。さらに、単位枚数あたりの処理時間を縮めるた
め、複数枚の処理を行う。 【構成】金属板、シリコンウエハー及びガラス板の洗浄
乾燥後発生するしみは、酸素が原因の一つであることが
わかった。本発明は、乾燥時に酸素及び水蒸気濃度の低
い乾燥室を設け、しみが発生しなくなった乾燥方法を記
載したものである。
の発生を防ぎ、磁気ディスクの低浮上化及び高磁気特性
のある製品及びその製造法を得る。また、シリコンウエ
ハー及びガラス板においても局部的な段さぶつの発生を
防ぐ。さらに、単位枚数あたりの処理時間を縮めるた
め、複数枚の処理を行う。 【構成】金属板、シリコンウエハー及びガラス板の洗浄
乾燥後発生するしみは、酸素が原因の一つであることが
わかった。本発明は、乾燥時に酸素及び水蒸気濃度の低
い乾燥室を設け、しみが発生しなくなった乾燥方法を記
載したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は平坦度が高い金属板、シ
リコンウエハー及びガラス板の乾燥法に及びその製品に
関する。
リコンウエハー及びガラス板の乾燥法に及びその製品に
関する。
【０００２】
【従来の技術】大容量の磁気ディスク装置は記録密度向
上、装置信頼性から薄膜ディスクを採用している。薄膜
ディスクの一般的構造は、非磁性基板に表面形状形成加
工処理を施し、スパッタ手法にて下地膜、磁性膜、保護
膜形成後潤滑膜を形成して構成されている。従来の乾燥
方法は例えば特開昭６０−２３１３２９号に記載のよう
に水素と酸素とを混合し燃焼させて発生させた水蒸気を
試料の裁置された乾燥容器内に送給して乾燥する装置
が、また特開６３−１３０１０２に記載のようにフィル
ター濾過された熱水蒸気を試料の裁置された乾燥容器内
に送給して乾燥する装置がある。また、特開昭５７−４
２１２１号記載のように水洗された試料をバスケットご
と加熱されたチャンバー内に載置し、超音波により発生
した水蒸気で洗浄したのち窒素ガスのごとき乾燥ガスに
切り替えて乾燥する装置等が知られている。
上、装置信頼性から薄膜ディスクを採用している。薄膜
ディスクの一般的構造は、非磁性基板に表面形状形成加
工処理を施し、スパッタ手法にて下地膜、磁性膜、保護
膜形成後潤滑膜を形成して構成されている。従来の乾燥
方法は例えば特開昭６０−２３１３２９号に記載のよう
に水素と酸素とを混合し燃焼させて発生させた水蒸気を
試料の裁置された乾燥容器内に送給して乾燥する装置
が、また特開６３−１３０１０２に記載のようにフィル
ター濾過された熱水蒸気を試料の裁置された乾燥容器内
に送給して乾燥する装置がある。また、特開昭５７−４
２１２１号記載のように水洗された試料をバスケットご
と加熱されたチャンバー内に載置し、超音波により発生
した水蒸気で洗浄したのち窒素ガスのごとき乾燥ガスに
切り替えて乾燥する装置等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】大容量の磁気ディスク
が、高記録密度及び高摺動信頼性を達成するには磁気媒
体として磁気特性の向上が必要であり、また磁気ディス
クと磁気ヘッド間の低浮上化が必要である。前者とし
て、より薄い連続媒体を採用することが重要である。後
者として、より平らな面が必要となる。しかし、洗浄乾
燥工程で局部的に酸素組成比が多い表面（以下、しみ）
が発生するとその部分の磁気特性がしみ部以外（以下他
部）に比べ磁気特性が劣っていることがわかった。ま
た、その部分には段さができ低浮上化の障害となってい
る。このため、従来技術では被洗浄物の乾燥工程に長い
時間をかけ、シミの発生しないプロセス条件で行なって
いた。
が、高記録密度及び高摺動信頼性を達成するには磁気媒
体として磁気特性の向上が必要であり、また磁気ディス
クと磁気ヘッド間の低浮上化が必要である。前者とし
て、より薄い連続媒体を採用することが重要である。後
者として、より平らな面が必要となる。しかし、洗浄乾
燥工程で局部的に酸素組成比が多い表面（以下、しみ）
が発生するとその部分の磁気特性がしみ部以外（以下他
部）に比べ磁気特性が劣っていることがわかった。ま
た、その部分には段さができ低浮上化の障害となってい
る。このため、従来技術では被洗浄物の乾燥工程に長い
時間をかけ、シミの発生しないプロセス条件で行なって
いた。
【０００４】本発明の目的は、磁気ディスクの表面に乾
燥時にしみが発生しない製造法を供給することであり、
またしみのない磁気記録媒体を提供することにある。ま
た、乾燥工程において単位枚数あたりの処理時間を少な
くすることである。さらに、この方法を金属板、シリコ
ンウエハー、ガラス板に応用してしみを発生しない製造
法及びこれを使った製品を提供することである。
燥時にしみが発生しない製造法を供給することであり、
またしみのない磁気記録媒体を提供することにある。ま
た、乾燥工程において単位枚数あたりの処理時間を少な
くすることである。さらに、この方法を金属板、シリコ
ンウエハー、ガラス板に応用してしみを発生しない製造
法及びこれを使った製品を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的であるしみ
の制御には、しみの発生原因を考える必要がある。ニッ
ケル−リンで被膜された金属板を例に上げると、しみが
発生する原因は金属表面上の水滴中でニッケルと酸素が
化合物を作っためである。この水滴または酸素及び両者
がなければ、しみは発生しない。また、１回あたりの複
数の乾燥処理を行い単位枚数あたりの処理時間を減ら
す。
の制御には、しみの発生原因を考える必要がある。ニッ
ケル−リンで被膜された金属板を例に上げると、しみが
発生する原因は金属表面上の水滴中でニッケルと酸素が
化合物を作っためである。この水滴または酸素及び両者
がなければ、しみは発生しない。また、１回あたりの複
数の乾燥処理を行い単位枚数あたりの処理時間を減ら
す。
【０００６】
【作用】湯浴槽と乾燥室は移動中の乾燥がないように連
続にする。乾燥室は密閉度の高い部屋にし、その部屋を
低水蒸気濃度、低酸素濃度にするため、高純度窒素を常
時吹き出す。また乾燥室に外気及び水蒸気が入らないよ
うに、それらを積極的に吸いだす機能及びシャッターを
付ける。さらに、被乾燥物が複数枚同時にできるような
支持体をつける。
続にする。乾燥室は密閉度の高い部屋にし、その部屋を
低水蒸気濃度、低酸素濃度にするため、高純度窒素を常
時吹き出す。また乾燥室に外気及び水蒸気が入らないよ
うに、それらを積極的に吸いだす機能及びシャッターを
付ける。さらに、被乾燥物が複数枚同時にできるような
支持体をつける。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を用いて詳細に説明す
る。
る。
【０００８】（実施例１）金属板を洗浄し温純水を用い
た乾燥法をすると、金属板と搬送部の接点に温純水が残
ったり、被乾燥物にウォーターミストの付着が起こる。
その部分にそのままの状態ではわからないが、吐息をか
けることにより目視で判別できるしみが発生する。ニッ
ケル−リンで被膜された金属板（以下ディスク）にこの
吐息をかけたしみ部を顕微鏡で観察すると、水滴の粒径
がしみ部は平均２０ミクロンそのほかが平均６０ミクロ
ンと水滴の大きさが異なっていた。このしみをオージェ
分析したところ、表面の酸化が局部的に高い部分である
ことがわかった。また、このしみ部の物理化学的性質は
他の部分に比べ表面電子の放出の程度を示す仕事関数
（４．０ｅＶ／５．２ｅＶ）、スッパタ法によってディ
スクにつけたクロム結晶塊の粒径（３０ｎｍ／２０ｎ
ｍ）、スパッタ法でディスクにつけた磁性膜のＫｅｒｒ
効果による磁気特性（１２００Ｏｅ／１０００Ｏｅ）が
変化していた。また、形状としてはしみ部は５０ｎｍ盛
り上がっていた。（他部の値／しみ部の値） しみが水滴中での酸素とニッケルの化学反応によるもの
か、確認するため図１に示す実験を行った。ディスク１
に一定量の純水２をスポイト３で滴下し、それを密閉さ
れた空間４に入た。その空間の酸素・窒素混合ガス５を
いれることにより酸素濃度を変化させ、酸素濃度とニッ
ケル溶出量の関係を調べた。ニッケルの溶出量測定は、
ディスク上の液滴をスポイト１で回収し原子吸光法で行
った。その結果、ニッケルの水中への溶出は酸素濃度の
増加と共に増加することがわかった。
た乾燥法をすると、金属板と搬送部の接点に温純水が残
ったり、被乾燥物にウォーターミストの付着が起こる。
その部分にそのままの状態ではわからないが、吐息をか
けることにより目視で判別できるしみが発生する。ニッ
ケル−リンで被膜された金属板（以下ディスク）にこの
吐息をかけたしみ部を顕微鏡で観察すると、水滴の粒径
がしみ部は平均２０ミクロンそのほかが平均６０ミクロ
ンと水滴の大きさが異なっていた。このしみをオージェ
分析したところ、表面の酸化が局部的に高い部分である
ことがわかった。また、このしみ部の物理化学的性質は
他の部分に比べ表面電子の放出の程度を示す仕事関数
（４．０ｅＶ／５．２ｅＶ）、スッパタ法によってディ
スクにつけたクロム結晶塊の粒径（３０ｎｍ／２０ｎ
ｍ）、スパッタ法でディスクにつけた磁性膜のＫｅｒｒ
効果による磁気特性（１２００Ｏｅ／１０００Ｏｅ）が
変化していた。また、形状としてはしみ部は５０ｎｍ盛
り上がっていた。（他部の値／しみ部の値） しみが水滴中での酸素とニッケルの化学反応によるもの
か、確認するため図１に示す実験を行った。ディスク１
に一定量の純水２をスポイト３で滴下し、それを密閉さ
れた空間４に入た。その空間の酸素・窒素混合ガス５を
いれることにより酸素濃度を変化させ、酸素濃度とニッ
ケル溶出量の関係を調べた。ニッケルの溶出量測定は、
ディスク上の液滴をスポイト１で回収し原子吸光法で行
った。その結果、ニッケルの水中への溶出は酸素濃度の
増加と共に増加することがわかった。
【０００９】無酸素状態ではしみが発生しないことを確
認するため、次のような実験をした。窒素を充填した密
閉された空間に水滴をたらしたディスクをおき自然乾燥
し、その部分のオージェ分析、仕事関数分析、クロム粒
塊の粒径、Ｋｅｒｒ効果による磁気特性、及び形状測定
を行ったところ水滴をたらしていない部分との違いはみ
られなかった。また不活性ガスにおいても同様の検討を
行ったが、窒素ガスと同じ結果が得られた。
認するため、次のような実験をした。窒素を充填した密
閉された空間に水滴をたらしたディスクをおき自然乾燥
し、その部分のオージェ分析、仕事関数分析、クロム粒
塊の粒径、Ｋｅｒｒ効果による磁気特性、及び形状測定
を行ったところ水滴をたらしていない部分との違いはみ
られなかった。また不活性ガスにおいても同様の検討を
行ったが、窒素ガスと同じ結果が得られた。
【００１０】（実施例２）従来法による、シリコンウエ
ハー及びガラスの乾燥法ではしみが発生した。これも酸
素による酸化か確認するため、実施例１同様に図１の装
置で検討した。その結果、純水を滴下し、窒素雰囲気で
乾燥したところ、しみは発生しなかった。また、不活性
ガス雰囲気で行っても同様の結果が得られた。
ハー及びガラスの乾燥法ではしみが発生した。これも酸
素による酸化か確認するため、実施例１同様に図１の装
置で検討した。その結果、純水を滴下し、窒素雰囲気で
乾燥したところ、しみは発生しなかった。また、不活性
ガス雰囲気で行っても同様の結果が得られた。
【００１１】（実施例３）ウォーターミストは、水蒸気
濃度が飽和蒸気圧以上になった場合に発生する。この発
生を抑えるために、乾燥室内の温度を上げミストを発生
しにくくする、乾燥室内の水蒸気濃度を下げるするよう
排気する、蒸気圧濃度にバラツキが無いよう撹拌する、
乾燥室内の圧力を上げる方法が有る。乾燥室内の温度を
上げるため乾燥室にヒータを取付ける。乾燥室内の水蒸
気圧濃度を効率良く下げるため、純水液面付近に排気用
ダクトを取り付ける。液面表面の水蒸気濃度に偏りが無
いよう撹拌するため、液面に向けノズルからガスを吹き
付ける。このノズルの位置は、水蒸気の排気を効率良く
するため排気口の上に設ける。この時使用するガスは、
しみを発生原因である酸素濃度を下げるため窒素また
は、不活性ガスを使用する。また乾燥室内の圧力を調整
できるよう、乾燥室内の密閉性を高める。
濃度が飽和蒸気圧以上になった場合に発生する。この発
生を抑えるために、乾燥室内の温度を上げミストを発生
しにくくする、乾燥室内の水蒸気濃度を下げるするよう
排気する、蒸気圧濃度にバラツキが無いよう撹拌する、
乾燥室内の圧力を上げる方法が有る。乾燥室内の温度を
上げるため乾燥室にヒータを取付ける。乾燥室内の水蒸
気圧濃度を効率良く下げるため、純水液面付近に排気用
ダクトを取り付ける。液面表面の水蒸気濃度に偏りが無
いよう撹拌するため、液面に向けノズルからガスを吹き
付ける。このノズルの位置は、水蒸気の排気を効率良く
するため排気口の上に設ける。この時使用するガスは、
しみを発生原因である酸素濃度を下げるため窒素また
は、不活性ガスを使用する。また乾燥室内の圧力を調整
できるよう、乾燥室内の密閉性を高める。
【００１２】図２に上述したものを組み込んだ乾燥装置
の一例を示す。湯浴槽６は熱純水７で満たされている。
湯浴槽の下には、外部の振動が原因の純水の揺れを防ぐ
ために、振動吸収体８が取り付けられている。乾燥室９
はガス吹き出しノズル１０、排気口１１、シャッター１
２で構成されている。排気口は、開口度調整シャッター
１３、バルブで構成されている。排気口からディスクの
しみの原因になる水蒸気を吸い出す。ガス吹き出しノズ
ルからは乾燥熱窒素を吐出させる。この際、乾燥室に窒
素が満遍なく充満するよう吹き出しノズル位置を調整
し、水蒸気が有効に吸い取られるよう、開口度調整シャ
ッター及びバルブを調整する。また、乾燥室内を高温に
維持するためヒータ１７を取り付ける。乾燥方法は、加
工洗浄済の濡れたディスク１５を昇降用アーム１６に固
定し、これを湯浴槽に浸漬する。この昇降用アームが揺
れないように、２０ｍｍ／秒以下のスピードで引き上げ
る。このアームはディスクが１枚又は複数枚搭載するこ
とが可能である。またシャッターは乾燥室内にディスク
が有る場合、内部の圧力を高くするため閉じておく。乾
燥室を伴わない湯浴槽１ｃｍ上での水蒸気圧は３４０ｍ
ｍＨｇ（８０℃）であったが、この装置では３３０ｍｍ
Ｈｇ（９５℃）まで減少した。また、この装置で製品を
製造した場合、従来の乾燥法では、しみは３．５個／面
発生し、磁気ヘッドと磁気ディスクの接触による製品不
良頻度は３％あったが、この乾燥法ではしみは０．１個
／面、磁気ヘッドと磁気ディスクの接触が原因による不
良は０．００１％になった。また、ガス吹き出しノズル
から不活性ガス単体及び窒素ガスとの混合物を使用して
も同様に良好な結果が得られた。
の一例を示す。湯浴槽６は熱純水７で満たされている。
湯浴槽の下には、外部の振動が原因の純水の揺れを防ぐ
ために、振動吸収体８が取り付けられている。乾燥室９
はガス吹き出しノズル１０、排気口１１、シャッター１
２で構成されている。排気口は、開口度調整シャッター
１３、バルブで構成されている。排気口からディスクの
しみの原因になる水蒸気を吸い出す。ガス吹き出しノズ
ルからは乾燥熱窒素を吐出させる。この際、乾燥室に窒
素が満遍なく充満するよう吹き出しノズル位置を調整
し、水蒸気が有効に吸い取られるよう、開口度調整シャ
ッター及びバルブを調整する。また、乾燥室内を高温に
維持するためヒータ１７を取り付ける。乾燥方法は、加
工洗浄済の濡れたディスク１５を昇降用アーム１６に固
定し、これを湯浴槽に浸漬する。この昇降用アームが揺
れないように、２０ｍｍ／秒以下のスピードで引き上げ
る。このアームはディスクが１枚又は複数枚搭載するこ
とが可能である。またシャッターは乾燥室内にディスク
が有る場合、内部の圧力を高くするため閉じておく。乾
燥室を伴わない湯浴槽１ｃｍ上での水蒸気圧は３４０ｍ
ｍＨｇ（８０℃）であったが、この装置では３３０ｍｍ
Ｈｇ（９５℃）まで減少した。また、この装置で製品を
製造した場合、従来の乾燥法では、しみは３．５個／面
発生し、磁気ヘッドと磁気ディスクの接触による製品不
良頻度は３％あったが、この乾燥法ではしみは０．１個
／面、磁気ヘッドと磁気ディスクの接触が原因による不
良は０．００１％になった。また、ガス吹き出しノズル
から不活性ガス単体及び窒素ガスとの混合物を使用して
も同様に良好な結果が得られた。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、高い磁気特性、ヘッド
の低浮上化を実現した磁気記録媒体を得ることができ
た。また、そのような磁気記録媒体を容易に製造するこ
とができた。さらに、シリコンウエハー及びガラス板に
おいて、酸化物による段さのない平坦な面が得られた。
さらに、乾燥時間の単位枚数あたりの処理時間を短縮す
ることができた。
の低浮上化を実現した磁気記録媒体を得ることができ
た。また、そのような磁気記録媒体を容易に製造するこ
とができた。さらに、シリコンウエハー及びガラス板に
おいて、酸化物による段さのない平坦な面が得られた。
さらに、乾燥時間の単位枚数あたりの処理時間を短縮す
ることができた。
【図１】本発明を実施するにあたり確認するための実験
法である。
法である。
【図２】本発明の乾燥装置の断面図である。
１…ディスク、 ２…純水、 ３…スポイト、 ４…密閉された空間、 ５…酸素・窒素混合ガス、 ６…湯浴槽、 ７…熱純水、 ８…排気、 ９…振動吸収体、 １０…ガス吹き出しノズル、 １１…排気口、 １２…シャッター、 １３…開口度調整シャッター、 １４…バルブ、 １５…ディスク、 １６…昇降用アーム、 １７…ヒータ。
Claims (2)
- 【請求項１】被洗浄物を湯浴槽を使用して乾燥する装置
において、密閉された乾燥室を該湯浴槽上に取り付け、
該乾燥室内でミストが発生しない機構を有することを特
徴とする乾燥装置。 - 【請求項２】該乾燥室にヒータと、排気口を取付け、該
乾燥室内にノズルから熱気体を吐出することを特徴とす
る請求項１項記載事項の乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5299390A JPH07153734A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 精密部品の乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5299390A JPH07153734A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 精密部品の乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07153734A true JPH07153734A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=17871942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5299390A Pending JPH07153734A (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 精密部品の乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07153734A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413355B1 (en) | 1996-09-27 | 2002-07-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning objects to be processed |
| JP2006310759A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP5299390A patent/JPH07153734A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413355B1 (en) | 1996-09-27 | 2002-07-02 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for and method of cleaning objects to be processed |
| JP2006310759A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP4667256B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-04-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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