JPH07151799A - シリコン単結晶インゴットの比抵抗測定方法 - Google Patents
シリコン単結晶インゴットの比抵抗測定方法Info
- Publication number
- JPH07151799A JPH07151799A JP29682793A JP29682793A JPH07151799A JP H07151799 A JPH07151799 A JP H07151799A JP 29682793 A JP29682793 A JP 29682793A JP 29682793 A JP29682793 A JP 29682793A JP H07151799 A JPH07151799 A JP H07151799A
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- JP
- Japan
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- ingot
- resistivity
- measuring
- specific resistance
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Abstract
(57)【要約】
【目的】シリコン単結晶インゴットの比抵抗を測定する
際、測定時間の短縮を図ると共にインゴットが測定子に
衝突して測定子を破損するのを防止する比抵抗測定方法
を提供する。 【構成】架台７の上面に円形開口６を設けたインゴット
４の載置板２ａが設けられ円形開口６の上にインゴット
４が載置される。円形開口６の下側には測定子１および
その昇降駆動装置３が設けられている。従来技術では測
定子１はインゴット４の上部端面において比抵抗を測定
していたが、本願はインゴット４の底部端面において測
定するので、インゴットに高さに関係なく迅速に測定で
きる。
際、測定時間の短縮を図ると共にインゴットが測定子に
衝突して測定子を破損するのを防止する比抵抗測定方法
を提供する。 【構成】架台７の上面に円形開口６を設けたインゴット
４の載置板２ａが設けられ円形開口６の上にインゴット
４が載置される。円形開口６の下側には測定子１および
その昇降駆動装置３が設けられている。従来技術では測
定子１はインゴット４の上部端面において比抵抗を測定
していたが、本願はインゴット４の底部端面において測
定するので、インゴットに高さに関係なく迅速に測定で
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体用シリコン単結晶
インゴットの比抵抗測定方法に関する。
インゴットの比抵抗測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、シリコン単結晶インゴットの比
抵抗を測定する場合は、図３に示すように、予め被測定
インゴットの高さに応じて、比抵抗測定子１を昇降機構
５により、上部に移動させておき、インゴット４をイン
ゴット載置板２に立てた状態で載置し、次いで、比抵抗
測定子１を降下させてインゴット４の頂部に当接させた
後、その比抵抗を測定していた。
抵抗を測定する場合は、図３に示すように、予め被測定
インゴットの高さに応じて、比抵抗測定子１を昇降機構
５により、上部に移動させておき、インゴット４をイン
ゴット載置板２に立てた状態で載置し、次いで、比抵抗
測定子１を降下させてインゴット４の頂部に当接させた
後、その比抵抗を測定していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、シリコン単結晶
インゴットの比抵抗の測定は上述のように行なわれてい
たので、次のような問題があった。すなわち、 ａ 被測定インゴットを載置板上に載置する際、被測定
インゴットの高さに応じて、比抵抗測定子を昇降させる
必要がある。
インゴットの比抵抗の測定は上述のように行なわれてい
たので、次のような問題があった。すなわち、 ａ 被測定インゴットを載置板上に載置する際、被測定
インゴットの高さに応じて、比抵抗測定子を昇降させる
必要がある。
【０００４】ｂ ａの操作を行う際、誤操作によって、
インゴットを比抵抗測定子に衝突させ、比抵抗測定子を
破損する危険性がある。 ｃ 図４に示すように、インゴット４の切断時の都合に
より被測定インゴット４の底端面が軸方向と直角でない
場合は、インゴット４が傾斜することとなる。インゴッ
ト端面の比抵抗測定点位置は所定位置に決められている
が、このような場合は、比抵抗測定子１の測定位置が所
定位置より右側にずれることになり、これを正規の位置
に戻す必要がある。しかしこの位置合わせが案外厄介で
ある。
インゴットを比抵抗測定子に衝突させ、比抵抗測定子を
破損する危険性がある。 ｃ 図４に示すように、インゴット４の切断時の都合に
より被測定インゴット４の底端面が軸方向と直角でない
場合は、インゴット４が傾斜することとなる。インゴッ
ト端面の比抵抗測定点位置は所定位置に決められている
が、このような場合は、比抵抗測定子１の測定位置が所
定位置より右側にずれることになり、これを正規の位置
に戻す必要がある。しかしこの位置合わせが案外厄介で
ある。
【０００５】本発明は、このような問題を解決し、比抵
抗測定時、測定子とインゴットの測定点との位置合わせ
が簡単であり、比抵抗測定子を破損する恐れのない、シ
リコン単結晶インゴットの比抵抗測定方法を提供するこ
とを課題とするものである。
抗測定時、測定子とインゴットの測定点との位置合わせ
が簡単であり、比抵抗測定子を破損する恐れのない、シ
リコン単結晶インゴットの比抵抗測定方法を提供するこ
とを課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の問題を
解決するものであり、シリコン単結晶インゴットの比抵
抗を測定するに当たり、該インゴットを立設しておき、
該インゴットの底端面において比抵抗を測定することを
特徴とするシリコン単結晶インゴットの比抵抗測定方法
である。
解決するものであり、シリコン単結晶インゴットの比抵
抗を測定するに当たり、該インゴットを立設しておき、
該インゴットの底端面において比抵抗を測定することを
特徴とするシリコン単結晶インゴットの比抵抗測定方法
である。
【０００７】
【作用】本発明は上述のように、立設したインゴットの
底端面に比抵抗測定子を当接させて比抵抗を測定するの
で、インゴットの高さが異なっても、従来のように比抵
抗測定子を一々昇降させる必要はなく、また、誤操作に
よりインゴットを比抵抗測定子に衝突させて比抵抗測定
子を破損させる恐れはなくなる。
底端面に比抵抗測定子を当接させて比抵抗を測定するの
で、インゴットの高さが異なっても、従来のように比抵
抗測定子を一々昇降させる必要はなく、また、誤操作に
よりインゴットを比抵抗測定子に衝突させて比抵抗測定
子を破損させる恐れはなくなる。
【０００８】また、インゴットの載置台上に、同心円状
のマークを記入しておけるので、インゴット底端面が比
抵抗測定子の直上に位置するように、インゴット載置台
上位置合わせが極めて簡単となる。
のマークを記入しておけるので、インゴット底端面が比
抵抗測定子の直上に位置するように、インゴット載置台
上位置合わせが極めて簡単となる。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明を好適に実施できる比抵抗測
定装置の側面の説明図である。比抵抗測定装置は架台７
の上面には円形開口６を設けたインゴット載置板２ａが
設けられ、円形開口６の上にインゴット４が載置され
る。円形開口６の下部には、比抵抗測定子１およびその
昇降駆動装置３が設けられている。
定装置の側面の説明図である。比抵抗測定装置は架台７
の上面には円形開口６を設けたインゴット載置板２ａが
設けられ、円形開口６の上にインゴット４が載置され
る。円形開口６の下部には、比抵抗測定子１およびその
昇降駆動装置３が設けられている。
【００１０】本比抵抗測定装置では載置板２ａの表面
に、複数の円形開口６の同心円が記入されているので
（図示していない）、インゴット４の底端面中心と円形
開口６の中心とを簡単に一致させることができる。イン
ゴット４の底端面中心と円形開口６の中心とを一致させ
るように、インゴット４を載置板２ａ上に載置し、昇降
駆動装置３により比抵抗測定子１を移動させてインゴッ
ト４の底端面に当接させ、比抵抗を測定することができ
る。
に、複数の円形開口６の同心円が記入されているので
（図示していない）、インゴット４の底端面中心と円形
開口６の中心とを簡単に一致させることができる。イン
ゴット４の底端面中心と円形開口６の中心とを一致させ
るように、インゴット４を載置板２ａ上に載置し、昇降
駆動装置３により比抵抗測定子１を移動させてインゴッ
ト４の底端面に当接させ、比抵抗を測定することができ
る。
【００１１】図４は、インゴットの底端面が軸と直角で
ない場合の比抵抗測定の説明図である。この場合、イン
ゴットの断面は円でなく、楕円となるが、インゴット底
端面の位置合わせは図１と同様に簡単に行うことができ
る。
ない場合の比抵抗測定の説明図である。この場合、イン
ゴットの断面は円でなく、楕円となるが、インゴット底
端面の位置合わせは図１と同様に簡単に行うことができ
る。
【００１２】
【発明の効果】本発明は、比抵抗測定子の破損を皆無と
すると共に、インゴットの比抵抗測定を短時間に効率よ
く実施することができる。
すると共に、インゴットの比抵抗測定を短時間に効率よ
く実施することができる。
【図１】本発明を好適に実施できる装置の側面の説明図
である（インゴットが垂直に載置されている場合を示
す）。
である（インゴットが垂直に載置されている場合を示
す）。
【図２】図１において、インゴットが傾斜して載置され
ている場合を示す。
ている場合を示す。
【図３】従来例の装置の側面の説明図である（インゴッ
トが垂直に載置されている場合を示す）。
トが垂直に載置されている場合を示す）。
【図４】図３において、インゴットが傾斜して載置され
ている場合を示す。
ている場合を示す。
１ 比抵抗測定子 ２、２ａ インゴット載置板 ３ 昇降駆動装置 ４ インゴット ５ 昇降機構 ６ 円形開口 ７ 架台
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン単結晶インゴットの比抵抗を測
定するに当たり、該インゴットを立設しておき、該イン
ゴットの底端面において比抵抗を測定することを特徴と
するシリコン単結晶インゴットの比抵抗測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29682793A JPH07151799A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | シリコン単結晶インゴットの比抵抗測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29682793A JPH07151799A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | シリコン単結晶インゴットの比抵抗測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07151799A true JPH07151799A (ja) | 1995-06-16 |
Family
ID=17838678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29682793A Withdrawn JPH07151799A (ja) | 1993-11-26 | 1993-11-26 | シリコン単結晶インゴットの比抵抗測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07151799A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010248020A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Sharp Corp | シリコン溶融装置、シリコン精製装置およびシリコン精製方法 |
| CN111337543A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-06-26 | 宜昌南玻硅材料有限公司 | 一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置及抽样测试方法 |
-
1993
- 1993-11-26 JP JP29682793A patent/JPH07151799A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010248020A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Sharp Corp | シリコン溶融装置、シリコン精製装置およびシリコン精製方法 |
| CN111337543A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-06-26 | 宜昌南玻硅材料有限公司 | 一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置及抽样测试方法 |
| CN111337543B (zh) * | 2020-04-13 | 2022-06-17 | 宜昌南玻硅材料有限公司 | 一种用于多晶硅锭电阻率测试的抽样装置及抽样测试方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010130 |