JPH0715120A - リフロー半田付け方法 - Google Patents
リフロー半田付け方法Info
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- JPH0715120A JPH0715120A JP15577593A JP15577593A JPH0715120A JP H0715120 A JPH0715120 A JP H0715120A JP 15577593 A JP15577593 A JP 15577593A JP 15577593 A JP15577593 A JP 15577593A JP H0715120 A JPH0715120 A JP H0715120A
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- Japan
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- reflow
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半田付け不良が少なく、しかもフラックス残渣
が少なくて無洗浄化が図れるリフロー半田付け方法を提
供するにある。 【構成】リフロー炉１内は窒素の雰囲気下にある３つの
部分に区分され、入口側にはプリント配線基板３を予熱
温度まで急激に温度上昇させる前処理過程を担う前処理
部が、また中央部にはプリント配線基板３を予熱する
予熱過程を担う予熱部が、更に出口側にはリフロー過
程を担うリフロー部が夫々設けられている。前処理部
は搬送されてくるプリント配線基板３の表面温度を２
〜３℃／ｓｅｃ程度で急上昇させ、最終的に略１３０℃
に上昇させる。予熱部は、約１３０℃から例えば約８
０ｓｅｃかけて約１６０℃まで緩やかにプリント配線基
板３の表面温度を上昇させる。リフロー部は最大２３
０℃の範囲でプリント配線基板３の表面温度を上昇させ
て半田付けを行い、更にフラックスの蒸発を担う。
が少なくて無洗浄化が図れるリフロー半田付け方法を提
供するにある。 【構成】リフロー炉１内は窒素の雰囲気下にある３つの
部分に区分され、入口側にはプリント配線基板３を予熱
温度まで急激に温度上昇させる前処理過程を担う前処理
部が、また中央部にはプリント配線基板３を予熱する
予熱過程を担う予熱部が、更に出口側にはリフロー過
程を担うリフロー部が夫々設けられている。前処理部
は搬送されてくるプリント配線基板３の表面温度を２
〜３℃／ｓｅｃ程度で急上昇させ、最終的に略１３０℃
に上昇させる。予熱部は、約１３０℃から例えば約８
０ｓｅｃかけて約１６０℃まで緩やかにプリント配線基
板３の表面温度を上昇させる。リフロー部は最大２３
０℃の範囲でプリント配線基板３の表面温度を上昇させ
て半田付けを行い、更にフラックスの蒸発を担う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線基板のよ
うな配線基板に用いるリフロー半田付け方法に関するも
のである。
うな配線基板に用いるリフロー半田付け方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、大気中のリフロー半田付けにおい
ては所謂ＲＡタイプのクリーム半田が多く用いられてき
たが、半田付け性を確保するために相当量のハロゲン化
物（塩素等）を含んでいた。そのためこのハロゲン化合
物分が配線基板であるプリント配線基板の腐食、マイグ
レーション等を起こす原因となって信頼性に悪影響を及
ぼす可能性が高いため、半田付け後、洗浄行程を必要と
した。
ては所謂ＲＡタイプのクリーム半田が多く用いられてき
たが、半田付け性を確保するために相当量のハロゲン化
物（塩素等）を含んでいた。そのためこのハロゲン化合
物分が配線基板であるプリント配線基板の腐食、マイグ
レーション等を起こす原因となって信頼性に悪影響を及
ぼす可能性が高いため、半田付け後、洗浄行程を必要と
した。
【０００３】しかし、洗浄行程には洗浄液の処理等環境
上の問題などがあり、そのため近年無洗浄化が要求され
てきた。そこで使用するクリーム半田にハロゲン化合物
を含まず、しかもフラックス分がリフローの間に蒸発し
て、リフロー終了後のフラックスの残渣が少ない低残渣
の半田クリームを使用する方法が用いられるようになっ
てきたが、この方法も次のような問題があった。
上の問題などがあり、そのため近年無洗浄化が要求され
てきた。そこで使用するクリーム半田にハロゲン化合物
を含まず、しかもフラックス分がリフローの間に蒸発し
て、リフロー終了後のフラックスの残渣が少ない低残渣
の半田クリームを使用する方法が用いられるようになっ
てきたが、この方法も次のような問題があった。
【０００４】つまり大気中でのリフローであったため、
金属表面の酸化によって、半田が金属表面に十分に行き
渡らず、半田の濡れ性が悪いという問題があり、更にク
リーム半田の酸化により微細な半田ボールの発生が多く
なる等の問題があった。また従来のリフロー工法は、プ
リント配線基板の搭載部品の熱容量の違いによる半田表
面温度のばらつきを抑制する目的で、図５に示すように
リフロー炉内に入ってきたプンリント配線基板を予熱温
度（例えば１５０℃）に短時間（例えば４℃／ｓｅｃ）
で急上昇させる前処理過程Ａと、予熱温度に達してから
上記目的に対応するため一定時間（例えば８０ｓｅｃ程
度）、一定予熱温度で加熱する予熱過程と、この予熱過
程経過後、半田溶融温度以上に急激に温度を上昇させ、
リフロー半田を行うリフロー過程Ｃと、このリフロー過
程Ｃの経過後半田付けが既に終了したプリント配線基板
をリフロー炉から出して冷却する冷却過程Ｄとからなっ
ている。
金属表面の酸化によって、半田が金属表面に十分に行き
渡らず、半田の濡れ性が悪いという問題があり、更にク
リーム半田の酸化により微細な半田ボールの発生が多く
なる等の問題があった。また従来のリフロー工法は、プ
リント配線基板の搭載部品の熱容量の違いによる半田表
面温度のばらつきを抑制する目的で、図５に示すように
リフロー炉内に入ってきたプンリント配線基板を予熱温
度（例えば１５０℃）に短時間（例えば４℃／ｓｅｃ）
で急上昇させる前処理過程Ａと、予熱温度に達してから
上記目的に対応するため一定時間（例えば８０ｓｅｃ程
度）、一定予熱温度で加熱する予熱過程と、この予熱過
程経過後、半田溶融温度以上に急激に温度を上昇させ、
リフロー半田を行うリフロー過程Ｃと、このリフロー過
程Ｃの経過後半田付けが既に終了したプリント配線基板
をリフロー炉から出して冷却する冷却過程Ｄとからなっ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のよう予熱温度を
一定に保持する従来工法では、無洗浄化の為に低残渣の
クリーム半田を使用している場合、予熱過程Ｂで必要以
上のフラックス成分が蒸発するためフラックス作用が低
下して濡れ不良の増加や、半田ボールの発生増加につな
がるという問題があった。また逆にこの予熱過程Ｂの温
度を低くすると、所謂チップ立ち等が起きるという問題
もあった。
一定に保持する従来工法では、無洗浄化の為に低残渣の
クリーム半田を使用している場合、予熱過程Ｂで必要以
上のフラックス成分が蒸発するためフラックス作用が低
下して濡れ不良の増加や、半田ボールの発生増加につな
がるという問題があった。また逆にこの予熱過程Ｂの温
度を低くすると、所謂チップ立ち等が起きるという問題
もあった。
【０００６】また図６（ａ）に示すように電子部品の端
子２０とプリント配線基板２１の銅箔面２１ａとの間に
クリーム半田２３を塗布した状態でリフロー半田付けを
行う場合、クリーム半田の種類によっては１５０°程度
迄急激に温度を上昇させることがあるが、この場合クリ
ーム半田２３のフラックス中のバインダーが軟化してし
まって、クリーム半田２３自体の型崩れが図６（ｂ）に
示すように起き、図６（ｃ）のように半田ボール２４を
作る原因になる恐れもあった。
子２０とプリント配線基板２１の銅箔面２１ａとの間に
クリーム半田２３を塗布した状態でリフロー半田付けを
行う場合、クリーム半田の種類によっては１５０°程度
迄急激に温度を上昇させることがあるが、この場合クリ
ーム半田２３のフラックス中のバインダーが軟化してし
まって、クリーム半田２３自体の型崩れが図６（ｂ）に
示すように起き、図６（ｃ）のように半田ボール２４を
作る原因になる恐れもあった。
【０００７】本発明は、上述の問題点に鑑みて為された
もので、その目的とするところは半田付け不良が少な
く、しかもフラックス残渣が少なくて無洗浄化が図れる
リフロー半田付け方法を提供するにある。
もので、その目的とするところは半田付け不良が少な
く、しかもフラックス残渣が少なくて無洗浄化が図れる
リフロー半田付け方法を提供するにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために、窒素雰囲気中のリフロー炉で、低残渣
の半田クリームを使用するリフロー半田付け方法であっ
て、半田クリームを塗布した配線基板の温度を急激に上
昇させる前処理過程と、前処理過程の後半田溶融温度近
傍の温度まで緩やかに上昇させる予熱過程と、リフロー
半田付けに対応した温度まで上昇させるリフロー過程
と、リフロー過程終了後配線基板を冷却する冷却過程と
から成ることを特徴とするものである。
達成するために、窒素雰囲気中のリフロー炉で、低残渣
の半田クリームを使用するリフロー半田付け方法であっ
て、半田クリームを塗布した配線基板の温度を急激に上
昇させる前処理過程と、前処理過程の後半田溶融温度近
傍の温度まで緩やかに上昇させる予熱過程と、リフロー
半田付けに対応した温度まで上昇させるリフロー過程
と、リフロー過程終了後配線基板を冷却する冷却過程と
から成ることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、窒素雰囲気中でリフロー半田
付けを行うことにより、配線基板の金属製表面の酸化が
低減され、そのため半田が金属表面に十分に行き渡り、
所謂濡れ性が向上する。また濡れ性が向上することによ
り、半田付けと金属表面間の半田付け強度が向上するた
め信頼性が高くなる。更に酸化による半田ボールの発生
数が低減される。
付けを行うことにより、配線基板の金属製表面の酸化が
低減され、そのため半田が金属表面に十分に行き渡り、
所謂濡れ性が向上する。また濡れ性が向上することによ
り、半田付けと金属表面間の半田付け強度が向上するた
め信頼性が高くなる。更に酸化による半田ボールの発生
数が低減される。
【００１０】しかも前処理過程の後半田溶融温度近傍の
温度まで緩やかに上昇させる予熱過程により、低残渣の
クリーム半田のフラックスが予熱過程で蒸発する量を少
なくすることができるためリフロー過程でのフラックス
作用の低下が少なくなり、結果窒素雰囲気による半田ボ
ールの発生低減効果に加えて半田ボールの発生をより少
なくすることができ、そのため低残渣半田クリーム使用
によるフラックス残渣の低減効果と半田ボールの発生低
減とにより、洗浄を必要としない無洗浄化が図れるので
ある。
温度まで緩やかに上昇させる予熱過程により、低残渣の
クリーム半田のフラックスが予熱過程で蒸発する量を少
なくすることができるためリフロー過程でのフラックス
作用の低下が少なくなり、結果窒素雰囲気による半田ボ
ールの発生低減効果に加えて半田ボールの発生をより少
なくすることができ、そのため低残渣半田クリーム使用
によるフラックス残渣の低減効果と半田ボールの発生低
減とにより、洗浄を必要としない無洗浄化が図れるので
ある。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は、本発明方法に用いるリフロー炉を示して
おり、このリフロ炉１は、一端からコンベア２によりプ
リント配線基板３が送り込まれ、他端より半田付け終了
のプリント配線基板３が送り出されるようになってい
る。プリント配線基板３は図２に示すように配線パター
ンに半田付けすべきチップトランジタ等の電子部品を搭
載したもので、リフロー炉１に入れる前に低残渣のクリ
ーム半田が半田付け部位に塗布される。
する。図１は、本発明方法に用いるリフロー炉を示して
おり、このリフロ炉１は、一端からコンベア２によりプ
リント配線基板３が送り込まれ、他端より半田付け終了
のプリント配線基板３が送り出されるようになってい
る。プリント配線基板３は図２に示すように配線パター
ンに半田付けすべきチップトランジタ等の電子部品を搭
載したもので、リフロー炉１に入れる前に低残渣のクリ
ーム半田が半田付け部位に塗布される。
【００１２】リフロー炉１内は窒素の雰囲気下にある３
つの部分に区分され、入口側にはプリント配線基板３を
予熱温度まで急激に温度上昇させる前処理過程Ａを担う
前処理部が、また中央部にはプリント配線基板３を予
熱する予熱過程Ｂを担う予熱部が、更に出口側にはリ
フロー過程Ｃを担うリフロー部が夫々設けられてお
り、前処理部にはコンベア２上のプリント配線基板３
の表面温度を例えば図３に示すように２〜３℃／ｓｅｃ
程度で急上昇させるために、コンベア２の上方近傍に配
置したヒータ４と、このヒータ４よりやや上方に配置し
たヒータ５とを備え、ヒータ５の上方に設けたファン６
で下方に適当な風速の温風をコンベア２で搬送されてい
るプリント配線基板３に当てるようになっている。而し
てこの前処理部では最終的に略１３０℃にプリント配
線基板３の表面温度を上昇させる。
つの部分に区分され、入口側にはプリント配線基板３を
予熱温度まで急激に温度上昇させる前処理過程Ａを担う
前処理部が、また中央部にはプリント配線基板３を予
熱する予熱過程Ｂを担う予熱部が、更に出口側にはリ
フロー過程Ｃを担うリフロー部が夫々設けられてお
り、前処理部にはコンベア２上のプリント配線基板３
の表面温度を例えば図３に示すように２〜３℃／ｓｅｃ
程度で急上昇させるために、コンベア２の上方近傍に配
置したヒータ４と、このヒータ４よりやや上方に配置し
たヒータ５とを備え、ヒータ５の上方に設けたファン６
で下方に適当な風速の温風をコンベア２で搬送されてい
るプリント配線基板３に当てるようになっている。而し
てこの前処理部では最終的に略１３０℃にプリント配
線基板３の表面温度を上昇させる。
【００１３】次の予熱部は、天井部付近にヒータ７を
配置し、このヒータ７の下方に設けたファン８で温風を
コンベア２で搬送されているプリント配線基板３に当て
るようになっており、プリント配線基板３の表面温度を
約１３０℃から約１６０℃まで例えば約８０ｓｅｃ程度
の時間をかけて緩やかに上昇させる。、この予熱部に
よる予熱過程Ｂでは半田温度の均一化とフラックス作用
（基板の洗浄化）が開始される。
配置し、このヒータ７の下方に設けたファン８で温風を
コンベア２で搬送されているプリント配線基板３に当て
るようになっており、プリント配線基板３の表面温度を
約１３０℃から約１６０℃まで例えば約８０ｓｅｃ程度
の時間をかけて緩やかに上昇させる。、この予熱部に
よる予熱過程Ｂでは半田温度の均一化とフラックス作用
（基板の洗浄化）が開始される。
【００１４】リフロー部は、前処理部と同様にコン
ベア２の上方近傍に配置したヒータ９と、このヒータ９
よりやや上方に配置したヒータ１０とを備えるととも
に、コンベア２の下方にヒータ１２を備え、ヒータ１０
の上方に設けたファン１１で下方に適当な風速の温風を
コンベア２で搬送されているプリント配線基板３に当て
るようになっており、このリフロー部においては最大
２３０℃の範囲でプリント配線基板３の表面温度を上昇
させて半田付けを行うとともに、フラックス作用を盛ん
にし、更にフラックスを蒸発させる。このリフロー部
が担うリフロー過程Ｃは約３０ｓｅｃ間程度となる。こ
のリフロー部３を通過した後が冷却過程Ｄとなり、この
冷却過程Ｄでは半田付け済のプリント配線基板３が冷却
されることになる。
ベア２の上方近傍に配置したヒータ９と、このヒータ９
よりやや上方に配置したヒータ１０とを備えるととも
に、コンベア２の下方にヒータ１２を備え、ヒータ１０
の上方に設けたファン１１で下方に適当な風速の温風を
コンベア２で搬送されているプリント配線基板３に当て
るようになっており、このリフロー部においては最大
２３０℃の範囲でプリント配線基板３の表面温度を上昇
させて半田付けを行うとともに、フラックス作用を盛ん
にし、更にフラックスを蒸発させる。このリフロー部
が担うリフロー過程Ｃは約３０ｓｅｃ間程度となる。こ
のリフロー部３を通過した後が冷却過程Ｄとなり、この
冷却過程Ｄでは半田付け済のプリント配線基板３が冷却
されることになる。
【００１５】而して本発明方法では、上記プリント配線
基板３に低残渣のクリーム半田（例えば 松下電器産業
株式会社製 ＭＲ−７７３３）を塗布して、図１に示す
リフロー炉１を通し、図３に示す温度設定が為された各
過程Ａ〜Ｃ及びＤを経ると、フラックス残渣が極めて低
減されて、洗浄を行う必要のない、半田付けが為された
プリント配線基板３が得られた。
基板３に低残渣のクリーム半田（例えば 松下電器産業
株式会社製 ＭＲ−７７３３）を塗布して、図１に示す
リフロー炉１を通し、図３に示す温度設定が為された各
過程Ａ〜Ｃ及びＤを経ると、フラックス残渣が極めて低
減されて、洗浄を行う必要のない、半田付けが為された
プリント配線基板３が得られた。
【００１６】表１は、図３に示す温度設定で各過程Ａ〜
Ｃを経た本発明方法の場合と、図５に示す温度設定の従
来方法の平均半田ボールの発生数を示しており、この表
１から分かるように本発明方法は従来方法に比べて半田
ボール数の発生量が約１／３に低減されている。この結
果は無洗浄化にとって有意な結果である。尚サンプルは
図２に示すプリント配線基板３であって、搭載部品には
チップトランジスタ、ＳＯＰ等があり、また基板として
は０．８ｍｍ厚のガラスエポキシ樹脂の基板が用いられ
ている。
Ｃを経た本発明方法の場合と、図５に示す温度設定の従
来方法の平均半田ボールの発生数を示しており、この表
１から分かるように本発明方法は従来方法に比べて半田
ボール数の発生量が約１／３に低減されている。この結
果は無洗浄化にとって有意な結果である。尚サンプルは
図２に示すプリント配線基板３であって、搭載部品には
チップトランジスタ、ＳＯＰ等があり、また基板として
は０．８ｍｍ厚のガラスエポキシ樹脂の基板が用いられ
ている。
【００１７】
【表１】
【００１８】また図４（ａ）（ｂ）は酸素濃度と、濡れ
性不良数、半田ボール数との関係を示しており、この図
から明らかなように酸素濃度が低く且つ低残渣クリーム
を使用した場合（イ）には夫々の数が低減されているこ
とが分かる。また従来のクリーム半田を使用した場合
（ロ）も酸素濃度が低いほど半田ボール数が低減されて
いるが、濡れ性不良数は、低残渣クリームを使用した場
合（イ）に比べて安定していない。この図からも低残渣
クリーム使用で、窒素雰囲気でのリフロー半田付け方法
によれば濡れ性不良の発生数、半田ボールの数共に低減
されることが分かる。
性不良数、半田ボール数との関係を示しており、この図
から明らかなように酸素濃度が低く且つ低残渣クリーム
を使用した場合（イ）には夫々の数が低減されているこ
とが分かる。また従来のクリーム半田を使用した場合
（ロ）も酸素濃度が低いほど半田ボール数が低減されて
いるが、濡れ性不良数は、低残渣クリームを使用した場
合（イ）に比べて安定していない。この図からも低残渣
クリーム使用で、窒素雰囲気でのリフロー半田付け方法
によれば濡れ性不良の発生数、半田ボールの数共に低減
されることが分かる。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、窒素雰囲気中のリフロー炉
で、低残渣の半田クリームを使用するリフロー半田付け
方法であって、半田クリームを塗布した配線基板の温度
を急激に上昇させる前処理過程と、前処理過程の後半田
溶融温度近傍の温度まで緩やかに上昇させる予熱過程
と、リフロー半田付けに対応した温度まで上昇させるリ
フロー過程と、リフロー過程終了後配線基板を冷却する
冷却過程とからなるので、金属製表面の酸化が低減され
て半田が金属表面に十分に行き渡り、所謂濡れ性が向上
するという効果があり、また濡れ性が向上することによ
り、半田付けと金属表面間の半田付け強度が向上するた
め信頼性が高くなり、更に酸化による半田ボールの発生
数が低減され、しかも前処理過程の後半田溶融温度近傍
の温度まで緩やかに上昇させる予熱過程により、低残渣
のクリーム半田のフラックスが予熱過程で蒸発する量を
少なくすることができ、そのためリフロー過程でのフラ
ックス作用の低下が少なくなって窒素雰囲気による半田
ボールの発生低減効果に加えて半田ボールの発生をより
少なくすることができ、そのため低残渣半田クリーム使
用によるリフロー過程終了後のフラックス残渣の低減効
果と半田ボールの発生低減とにより、洗浄を必要としな
い無洗浄化が図れるという効果がある。
で、低残渣の半田クリームを使用するリフロー半田付け
方法であって、半田クリームを塗布した配線基板の温度
を急激に上昇させる前処理過程と、前処理過程の後半田
溶融温度近傍の温度まで緩やかに上昇させる予熱過程
と、リフロー半田付けに対応した温度まで上昇させるリ
フロー過程と、リフロー過程終了後配線基板を冷却する
冷却過程とからなるので、金属製表面の酸化が低減され
て半田が金属表面に十分に行き渡り、所謂濡れ性が向上
するという効果があり、また濡れ性が向上することによ
り、半田付けと金属表面間の半田付け強度が向上するた
め信頼性が高くなり、更に酸化による半田ボールの発生
数が低減され、しかも前処理過程の後半田溶融温度近傍
の温度まで緩やかに上昇させる予熱過程により、低残渣
のクリーム半田のフラックスが予熱過程で蒸発する量を
少なくすることができ、そのためリフロー過程でのフラ
ックス作用の低下が少なくなって窒素雰囲気による半田
ボールの発生低減効果に加えて半田ボールの発生をより
少なくすることができ、そのため低残渣半田クリーム使
用によるリフロー過程終了後のフラックス残渣の低減効
果と半田ボールの発生低減とにより、洗浄を必要としな
い無洗浄化が図れるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法に用いるリフロー炉の概略構成図で
ある。
ある。
【図２】同上でリフロー半田されるプリント配線基板の
一例の斜視図である。
一例の斜視図である。
【図３】同上の各過程の温度設定の説明図である。
【図４】（ａ）は濡れ性不良数と酸素濃度との関係説明
図である。（ｂ）は半田ボール数と酸素濃度との関係説
明図である。
図である。（ｂ）は半田ボール数と酸素濃度との関係説
明図である。
【図５】従来方法の温度設定の説明図である。
【図６】従来方法の問題点の説明図である。
【符号の説明】 前処理部 予熱部 リフロー部 １ リフロー炉 ２ コンベア ３ プリント配線基板
Claims (1)
- 【請求項１】窒素雰囲気中のリフロー炉で、低残渣の半
田クリームを使用するリフロー半田付け方法であって、
半田クリームを塗布した配線基板の温度を急激に上昇さ
せる前処理過程と、前処理過程の後半田溶融温度近傍の
温度まで緩やかに上昇させる予熱過程と、リフロー半田
付けに対応した温度まで上昇させるリフロー過程と、リ
フロー過程終了後配線基板を冷却する冷却過程とから成
ることを特徴とするリフロー半田付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15577593A JPH0715120A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | リフロー半田付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15577593A JPH0715120A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | リフロー半田付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715120A true JPH0715120A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15613140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15577593A Withdrawn JPH0715120A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | リフロー半田付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715120A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020038828A (ko) * | 2000-11-18 | 2002-05-24 | 전형구 | 리플로우방법 |
| WO2003098982A1 (fr) * | 2002-05-16 | 2003-11-27 | Yokota Technica Limited Company | Dispositif de soudage par refusion |
| JP2009295810A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Honda Motor Co Ltd | 液体リフロー装置 |
| JP2019208021A (ja) * | 2018-05-25 | 2019-12-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法 |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP15577593A patent/JPH0715120A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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