JPH07150366A - Selective plating method and production of circuit board - Google Patents

Selective plating method and production of circuit board

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JPH07150366A
JPH07150366A JP29569493A JP29569493A JPH07150366A JP H07150366 A JPH07150366 A JP H07150366A JP 29569493 A JP29569493 A JP 29569493A JP 29569493 A JP29569493 A JP 29569493A JP H07150366 A JPH07150366 A JP H07150366A
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electromagnetic wave
base material
area
wave beam
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隆児 大谷
Takeshi Okamoto
剛 岡本
Sakuo Kamata
策雄 鎌田
Yoshiyuki Uchinono
良幸 内野々
Kunji Nakajima
勲二 中嶋
Toshiyuki Suzuki
俊之 鈴木
Keimei Kitamura
啓明 北村
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Abstract

PURPOSE:To provide a highly practical selective plating method capable of coping adequately with a plating on the surface of a substrate or the pattern of a circuit and to furnish a circuit board. CONSTITUTION:The area of the surface of a substrate not to be plated is irradiated with an electromagnetic beam to inhibit the catalytic function of the area or to selectively remove a metallic film on the area, and then a plating film is formed on the unirradiated part. In this case, the substrate and the electromagnetic beam are relatively moved to transfer the position to be irradiated with the beam and to control the width of the area to be irradiated with the beam, and a specified electromagnetic beam is used.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、選択めっき方法、お
よび、この選択めっき方法を用いる回路板の製造方法に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a selective plating method and a circuit board manufacturing method using the selective plating method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、レジストマスクを使わずに基材表
面に選択めっきを行い回路板を得る方法がある。この場
合、基材表面に対しめっき触媒の付着による触媒機能を
付与する処理を施した後、基材表面のめっき不要域上に
レーザビームを照射することによりめっき不要域のめっ
き触媒の活性を奪うことで触媒機能を消失させておき、
前記基材表面におけるレーザビーム未照射のめっき必要
域上に選択的にめっき膜を形成する選択めっき方法が使
われる(特開昭61−6892号公報)。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is a method of obtaining a circuit board by selective plating on the surface of a base material without using a resist mask. In this case, the surface of the base material is subjected to a treatment to impart a catalytic function by the adhesion of the plating catalyst, and then the activity of the plating catalyst in the unnecessary plating area is removed by irradiating a laser beam on the unnecessary plating area of the base material surface. Therefore, the catalytic function is lost,
A selective plating method is used in which a plating film is selectively formed on a plating-required area on the surface of the base material which has not been irradiated with a laser beam (Japanese Patent Laid-Open No. 61-6892).

【0003】この従来の選択めっき方法の場合、レジス
トマスクが要らないという利点はあるけれども、パター
ン対応性が低いという問題がある。例えば、レーザビー
ム照射パターンによってはレーザビーム照射に長時間を
要したり、あるいは、基材によっては回路パターン精度
が十分に出せなかったり、また、回路パターンの端縁形
状の制御性が良くなかりたりするのである。
This conventional selective plating method has an advantage that a resist mask is not required, but has a problem that pattern compatibility is low. For example, depending on the laser beam irradiation pattern, it takes a long time to irradiate the laser beam, or depending on the base material, the circuit pattern accuracy may not be sufficient, and the controllability of the edge shape of the circuit pattern may be poor. It does.

【0004】レーザビーム照射の長時間化は、レーザビ
ーム照射パターンに微細な部分がある回路パターン(め
っきパターン)の場合に起こる。回路パターン精度の低
下は、めっきを施す基材表面に凹凸がある(立体形状で
ある)場合に起こる。回路パターンの縁部形状の制御性
の問題は、端縁が厳密な直線エッジとなっためっきを行
いたいような場合に起こる。
Prolongation of laser beam irradiation occurs in the case of a circuit pattern (plating pattern) having a fine portion in the laser beam irradiation pattern. The deterioration of the circuit pattern accuracy occurs when the surface of the base material to be plated has irregularities (three-dimensional shape). The problem of controllability of the edge shape of the circuit pattern arises when it is desired to perform plating with the edges being strictly straight edges.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記事情
に鑑み、基材表面に施すめっきや回路のパターン対応性
に富む実用性の顕著な選択めっき方法および回路板の製
造方法を提供することを課題とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above circumstances, the present invention provides a method of selective plating and a method of manufacturing a circuit board, which is highly practical in terms of plating applied to the surface of a base material and circuit pattern compatibility. Is an issue.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、この発明にかかる選択めっき方法では、基材表面に
対しめっき触媒機能を付与する処理または金属膜を形成
する処理を施した後、基材表面のめっき不要域上に電磁
波ビームを照射することによりめっき不要域のめっき触
媒機能または金属膜を選択的に消失させてから、前記基
材表面における電磁波ビーム未照射のめっき必要域上に
選択的にめっき膜を形成するにあたり、第1の形態とし
て、前記基材と電磁波ビームの相対的な移動によりめっ
き不要域上における電磁波ビームの照射位置の移動を行
うとともに、前記電磁波ビームのスポット形状および移
動速度のうちの少なくとも一方を変えることにより電磁
波ビームの照射幅を制御する構成をとり、第2の形態と
して、前記基材と電磁波ビームの相対的な移動によりめ
っき不要域上における電磁波ビームの照射位置の移動を
行うとともに、基材表面上の電磁波ビームの照射幅を照
射中または照射直後に計測し、この計測結果に基づいて
電磁波ビームの照射幅を制御する構成をとり、第3の形
態として、前記基材と電磁波ビームの相対的な移動によ
りめっき不要域上における電磁波ビームの照射位置の移
動を行うとともに、基材表面が凹凸形状であり、この凹
凸形状に応じて電磁波ビームの照射幅を制御する構成を
とり、第4の形態として、前記基材と電磁波ビームの相
対的な移動によりめっき不要域上における電磁波ビーム
の照射位置の移動を行うとともに、電磁波ビームとして
エネルギー分布の周辺が急峻なビームモードのレーザビ
ームを用いる構成をとり、第5の形態として、前記基材
と電磁波ビームの相対的な移動によりめっき不要域上に
おける電磁波ビームの照射位置の移動を行うとともに、
電磁波ビームの縁を遮光するビーム整形用マスクを介し
て電磁波ビームの照射を行う構成をとり、第6の形態と
して、前記基材と電磁波ビームの相対的な移動によりめ
っき不要域上における電磁波ビームの照射位置の移動を
行うとともに、前記電磁波ビームのスポット形状を四角
型、長四角型および長円型のうちのいずれかとする構成
をとり、第7の形態として、前記基材と電磁波ビームの
相対的な移動によりめっき不要域上における電磁波ビー
ムの照射位置の移動を行うとともに、前記基材と電磁波
ビームの相対的な移動に対し相対的な振動を重畳させる
構成をとり、第8の形態として、前記基材と電磁波ビー
ムの相対的な移動によりめっき不要域上における電磁波
ビームの照射位置の移動を行うとともに、前記電磁波ビ
ームの照射は、パルス状に行い、その移動方向において
隣り合うビームスポット同士がそれぞれの外周で一部重
なるようにする構成をとり、第9の形態として、前記基
材と電磁波ビームの相対的な移動によりめっき不要域上
における電磁波ビームの照射位置の移動を行い、前記電
磁波ビームの照射は、パルス状に行い、その移動方向に
おいて隣り合うビームスポット(スポット状に照射され
た痕)同士がそれぞれの外周で一部重なるようにすると
ともに、隣り合う列の間でのビームスポットの間歇移動
は互いの移動ピッチが約1/2ピッチずつずれるように
して行う構成をとっている。
In order to solve the above-mentioned problems, in the selective plating method according to the present invention, after the base material surface is subjected to a treatment for imparting a plating catalyst function or a treatment for forming a metal film, Select the desired surface of the base material that has not been irradiated with an electromagnetic wave beam by selectively erasing the plating catalyst function or the metal film in the unnecessary plating area by irradiating the surface of the material with the electromagnetic wave beam. In forming the plating film as a first embodiment, as a first form, the irradiation position of the electromagnetic beam on the plating unnecessary area is moved by the relative movement of the base material and the electromagnetic beam, and the spot shape of the electromagnetic beam and As a second mode, the irradiation width of the electromagnetic wave beam is controlled by changing at least one of the moving speeds. The irradiation position of the electromagnetic wave beam on the plating unnecessary area is moved by the relative movement of the electromagnetic wave beam, and the irradiation width of the electromagnetic wave beam on the substrate surface is measured during or immediately after irradiation, and based on this measurement result As a third embodiment, the irradiation width of the electromagnetic wave beam is controlled, and the irradiation position of the electromagnetic wave beam on the plating unnecessary area is moved by the relative movement of the base material and the electromagnetic wave beam. Irradiation of the electromagnetic wave on the non-plating area is performed by a relative movement of the base material and the electromagnetic beam as a fourth form, which has an uneven shape and controls the irradiation width of the electromagnetic beam according to the uneven shape. A fifth mode is adopted in which the position is moved and a laser beam in a beam mode having a sharp energy distribution periphery is used as the electromagnetic wave beam. Together to, for moving the irradiation position of the electromagnetic wave beam on plating unnecessary region by the relative movement of the substrate and the electromagnetic wave beam,
The sixth embodiment has a configuration in which the electromagnetic wave beam is irradiated through a beam shaping mask that shields the edges of the electromagnetic wave beam. As a sixth mode, the relative movement of the base material and the electromagnetic wave beam causes While the irradiation position is moved, the spot shape of the electromagnetic wave beam is set to any one of a square shape, an oblong shape, and an oval shape. The movement of the irradiation position of the electromagnetic wave beam on the unnecessary plating area is performed by such movement, and the relative vibration is superimposed on the relative movement of the base material and the electromagnetic wave beam. The relative movement of the base material and the electromagnetic wave beam moves the irradiation position of the electromagnetic wave beam on the unnecessary plating area, and the irradiation of the electromagnetic wave beam In a ninth embodiment, the beam spots adjacent to each other in the moving direction are partially overlapped with each other on the outer circumference. The irradiation position of the electromagnetic wave beam above is moved, and the irradiation of the electromagnetic wave beam is performed in a pulse shape, and adjacent beam spots in the moving direction (marks irradiated in a spot shape) partially overlap each other on their outer circumferences. In addition, the intermittent movement of the beam spots between the adjacent columns is performed by shifting the mutual movement pitches by about ½ pitch.

【0007】この発明におけるめっき触媒機能の付与処
理としては、例えば、Pdを含有する液に基材を浸漬し
た後、活性化処理しPd核付けする無電解めっき用の処
理が挙げられる。この場合、電磁波ビームの照射による
めっき触媒機能消失形態としては、触媒自体の除去や非
活性化という形態がある。前者の触媒の除去の場合、基
材の一部をも同時に除去することが除去が確実となるた
め好ましい。
Examples of the treatment for imparting the plating catalyst function in the present invention include a treatment for electroless plating in which a substrate is immersed in a liquid containing Pd, followed by activation treatment and nucleation of Pd. In this case, the plating catalyst function disappearance form by irradiation of the electromagnetic wave beam may be a form of removing or deactivating the catalyst itself. In the former case of removing the catalyst, it is preferable to remove a part of the base material at the same time because the removal is sure.

【0008】この発明の場合、基材として、その表面に
電磁波ビームに対する吸収率の高い層を有する基材を用
いて電磁波ビームを照射することも有用な態様である。
めっき触媒機能の付与処理や金属膜形成を、Pd,A
g,Au,Cu,Ni,Cr,その合金のうちの少なく
ともいずれかの層がめっき用触媒層ないし金属膜である
場合、電磁波吸収率が低いため、その表面に電磁波吸収
率の高い層が存在することが好ましいのである。めっき
触媒機能の付与処理や金属膜形成を、Pd,Ag,A
u,Cu,Ni,Crと、熱伝導率を低下させる元素お
よび/または融点が低く蒸気圧の高い元素との合金を用
いる形態も、電磁波ビーム照射による消失が確実に行え
て好ましい。
In the case of the present invention, it is also a useful mode to irradiate an electromagnetic wave beam by using a base material having a layer having a high absorption rate for the electromagnetic wave beam on the surface thereof.
Applying Pd, A for plating catalyst function and metal film formation
When at least one of g, Au, Cu, Ni, Cr, and its alloys is a plating catalyst layer or a metal film, the electromagnetic wave absorption rate is low, and therefore a layer having a high electromagnetic wave absorption rate is present on the surface. Is preferable. Applying Pd, Ag, A for plating catalyst function and metal film formation
A form in which an alloy of u, Cu, Ni, and Cr and an element that lowers thermal conductivity and / or an element that has a low melting point and a high vapor pressure is used is also preferable because it can be reliably erased by irradiation with an electromagnetic wave beam.

【0009】この発明の選択めっき方法で使われる基材
としては、ABS、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー
等の樹脂系絶縁基材やアルミナセラミックス等のセラミ
ック絶縁基材などが挙げられるが、これらに限定されな
い。基材は、レーザ透過性材料製であれば有用である
が、レーザ非透過性材料製であってもよい。これらの絶
縁基材の表面は、普通、予め粗化(微細な凹凸を付ける
こと)しておくが、この場合、基材としてめっき必要域
のみが選択的に粗化されている基材を用いることが好ま
しい。めっき不要域が非粗化面の場合は、電磁波ビーム
の照射によるめっき触媒機能の消失やめっき下地用金属
膜の除去が確実となるからである。
Examples of the substrate used in the selective plating method of the present invention include, but are not limited to, resin-based insulating substrates such as ABS, polyetherimide and liquid crystal polymer, and ceramic insulating substrates such as alumina ceramics. Not done. The substrate is useful as long as it is made of a laser transparent material, but it may be made of a laser non transparent material. The surfaces of these insulating base materials are usually roughened (provided with fine irregularities) in advance. In this case, a base material in which only the plating-required area is selectively roughened is used as the base material. It is preferable. This is because when the plating unnecessary area is a non-roughened surface, the plating catalyst function disappears and the metal film for the plating underlayer is surely removed by the irradiation of the electromagnetic wave.

【0010】この発明の場合、めっき不要域に照射する
電磁波ビームの照射幅の制御は、例えば、ビームのスポ
ット形状(スポットの形や大きさ)や移動速度の調整で
行うが、これらに限らない。基材表面に回路を形成する
場合、電磁波ビームの照射パターンは回路パターンと逆
のパターンであるから、電磁波ビームの照射制御用デー
タとして、基材表面に形成する回路パターンのCAD情
報を用いると作業を効率よく進められる。
In the case of the present invention, the irradiation width of the electromagnetic wave beam for irradiating the non-plating area is controlled, for example, by adjusting the beam spot shape (spot shape and size) and moving speed, but is not limited thereto. . When a circuit is formed on the surface of the base material, the irradiation pattern of the electromagnetic wave beam is the reverse pattern of the circuit pattern. Therefore, it is necessary to use the CAD information of the circuit pattern formed on the surface of the base material as the data for controlling the irradiation of the electromagnetic wave beam. Can proceed efficiently.

【0011】この発明の選択めっき方法により、立体形
状(凹凸形状)の基材表面に所定の回路パターンのめっ
き膜を形成すると立体回路板が製造できるが、この発明
の選択めっき方法は、回路板製造以外に用いてもよいこ
とは言うまでもない。この発明におけるめっき方法は、
無電解めっき、電気めっき、両者の併用などがあり、特
定のめっき法に限らない。
According to the selective plating method of the present invention, a three-dimensional circuit board can be manufactured by forming a plating film having a predetermined circuit pattern on the surface of a three-dimensional (concave-convex) base material. It goes without saying that it may be used for purposes other than manufacturing. The plating method in this invention is
There are electroless plating, electroplating, a combination of both, etc., and is not limited to a specific plating method.

【0012】[0012]

【作用】めっき不要域へ照射する電磁波ビームの幅をビ
ームのスポット形状や移動速度を変えてパターンの太・
細に合わせて照射ビームの幅を制御すると、太い部分に
必要以上に時間がかからず迅速に処理が行える。めっき
不要域に照射する電磁波ビームの照射中または照射直後
に照射幅を計測し、この計測結果に基づき電磁波ビーム
の照射幅を制御すると、基材表面の凹凸があって、照射
位置に高低変動が起きたり、ビーム照射角度に変動があ
っても、照射ビームの照射幅が常に所望の値に保たれる
ため、めっきパターンは正確となる。
[Function] The width of the electromagnetic beam irradiating the non-plating area can be changed by changing the beam spot shape and moving speed.
If the width of the irradiation beam is controlled in a fine manner, it is possible to perform the treatment quickly without spending too much time on the thick portion. When the irradiation width is measured during or immediately after the irradiation of the electromagnetic wave beam that irradiates the non-plating area, and the irradiation width of the electromagnetic wave beam is controlled based on this measurement result, there is unevenness on the surface of the base material, and there are variations in the irradiation position Even if it occurs or the beam irradiation angle changes, the irradiation width of the irradiation beam is always kept at a desired value, so that the plating pattern is accurate.

【0013】めっき不要域へ照射する電磁波ビームの照
射幅を基材表面の凹凸形状に応じて制御すると、基材表
面の凹凸があって、照射位置に高低変動が起きたり、ビ
ーム照射角度に変動があっても、照射ビームの幅が所望
の値に保たれるため、めっきパターンは正確となる。め
っき不要域へ照射する電磁波ビームとして、エネルギー
分布の周辺が急峻で境界がシャープなモードのレーザビ
ームを用いると、めっき終了後のめっき域と非めっき域
の境界が明瞭で仕上げ精度が向上する。
When the irradiation width of the electromagnetic wave beam for irradiating the non-plating area is controlled according to the uneven shape of the base material surface, there is unevenness on the base material surface, which causes fluctuations in the irradiation position or fluctuations in the beam irradiation angle. However, since the width of the irradiation beam is maintained at a desired value, the plating pattern is accurate. When a laser beam with a sharp energy distribution periphery and a sharp boundary is used as an electromagnetic wave beam for irradiating the non-plating area, the boundary between the plated area and the non-plated area after plating is clear and the finishing accuracy is improved.

【0014】めっき不要域へ照射する電磁波ビームを、
電磁波ビームの縁を遮光するビーム整形用マスクを介し
て基材表面に照射すると、レーザビームの周縁部分がマ
スクでカットされて境界の明確なレーザビームとなり、
パルス状の照射を行うレーザビームを用いる場合であっ
ても、めっき終了後のめっき域と非めっき域の境界が明
瞭で仕上げ精度が向上する。
The electromagnetic beam for irradiating the non-plating area is
When the substrate surface is irradiated through a beam shaping mask that blocks the edges of the electromagnetic wave, the peripheral edge of the laser beam is cut by the mask to form a laser beam with clear boundaries,
Even when a laser beam for performing pulsed irradiation is used, the boundary between the plated area and the non-plated area after plating is clear, and the finishing accuracy is improved.

【0015】めっき不要域へ照射する電磁波ビームのス
ポット形状を、四角型、長四角型、あるいは、長円型と
すると、照射パターンの角部のエッジ形状が出せるし、
パルス状の照射を行うレーザビームを用いる場合でも、
めっき終了後のめっき域と非めっき域の境界が明瞭で仕
上げ精度が向上する上、スポット形状の長辺の方向にレ
ーザビームを移動させる時は高速で描画(走査)でき
る。
When the spot shape of the electromagnetic beam for irradiating the non-plating area is a square shape, an oblong shape, or an oval shape, the edge shape of the corner of the irradiation pattern can be obtained.
Even when using a laser beam for pulsed irradiation,
The boundary between the plated area and the non-plated area after plating is clear, and the finishing accuracy is improved, and when the laser beam is moved in the direction of the long side of the spot shape, high-speed drawing (scanning) is possible.

【0016】めっき不要域へ照射する電磁波ビームと基
材の相対的な移動に対して相対的な振動を重畳させる
と、めっき終了後のめっき域と非めっき域の境界が明瞭
で仕上げ精度が向上するし、また、スポット系より太い
照射パターンが一度の走査で描ける。めっき不要域へパ
ルス状(間歇的)に照射する電磁波ビームを、その移動
方向に隣り合うビームスポット同士がそれぞれの外周で
一部重なるようにすると、回路保護用サージアレスタに
使える先端の尖った金属膜の対面構造で出来る。
When relative vibration is superimposed on the relative movement of the electromagnetic wave beam irradiating the non-plating area and the base material, the boundary between the plated area and the non-plated area after the plating is completed is clear and the finishing accuracy is improved. Moreover, an irradiation pattern thicker than that of the spot system can be drawn by one scanning. A sharp-pointed metal that can be used for surge arresters for circuit protection, by making pulse spots (intermittently) irradiate the non-plating area in a pulse direction so that adjacent beam spots in the movement direction partially overlap each other on their outer circumferences. It can be formed by the facing structure of the membrane.

【0017】めっき不要域へパルス状(間歇的)に照射
する電磁波ビームを、その移動方向に隣り合うビームス
ポット同士がそれぞれの外周で一部重なるようにすると
ともに、隣り合う列の間でのピームスポットの間歇移動
は互いの移動ピッチが約1/2ピッチずつずれるように
して行うと、金属膜部分の尖った部分の向き合う距離が
長くなり、放電が起こり難く、絶縁劣化が抑えられる。
An electromagnetic wave beam to be applied to a non-plating area in a pulsed (intermittent) manner is such that beam spots adjacent to each other in the moving direction partially overlap each other on their outer circumferences, and a beam between adjacent rows is formed. If the spots are intermittently moved such that the movement pitches of the spots are shifted from each other by about 1/2 pitch, the facing distance of the pointed portions of the metal film becomes longer, discharge is less likely to occur, and insulation deterioration is suppressed.

【0018】基材として、めっき必要域のみが選択的に
粗化されている基材を用いると、触媒機能を消失させる
部分や金属膜を除去する部分では粗化がされていないた
め、触媒の除去、不活性化あるいは金属除去が確実にな
されめっき不要域にはめっき膜が生成されず、また、め
っき必要域は粗化面であるためめっき膜が強固に付着し
ている。
When a base material in which only the plating-required area is selectively roughened is used as the base material, the roughening is not carried out in the portion where the catalytic function is lost or the portion where the metal film is removed, and therefore the catalyst The removal, passivation, or metal removal is ensured so that the plating film is not formed in the plating unnecessary region, and the plating film is firmly attached because the plating required region is the roughened surface.

【0019】めっき不要域へのレーザビームの照射の際
に基材の一部も削りとるようにすると、触媒の除去ある
いは金属膜除去が確実になされ、めっき不要域にはめっ
き膜が生成されるようなことはない。基材の表面に電磁
波吸収率の高い層を形成した状態で電磁波ビームを照射
すると、低いエネルギーのレーザビームでも、触媒の除
去や不活性化あるいは金属除去が確実に行える。
If a part of the base material is also scraped off when the laser beam is applied to the non-plating area, the catalyst or the metal film is surely removed, and the plating film is formed in the non-plating area. There is no such thing. By irradiating an electromagnetic wave beam with a layer having a high electromagnetic wave absorptivity formed on the surface of the base material, even if the laser beam has a low energy, it is possible to surely remove the catalyst, deactivate it, or remove the metal.

【0020】基材表面にPd,Ag,Au,Cu,N
i,Crと熱伝導率を低下させる元素および/または融
点が低く蒸気圧の高い元素との合金を用いて、めっき触
媒機能の付与処理ないし金属膜形成処理を行うと、触媒
層や金属膜が除去され易くなるため、低エネルギーのレ
ーザビームでも、触媒の除去や不活性化あるいは金属膜
除去が確実にできるようになる。
Pd, Ag, Au, Cu, N on the surface of the substrate
When a plating catalyst function imparting process or a metal film forming process is performed using an alloy of i, Cr and an element that lowers thermal conductivity and / or an element having a low melting point and a high vapor pressure, a catalyst layer or a metal film is formed. Since it is easily removed, the catalyst can be removed and deactivated or the metal film can be reliably removed even with a low energy laser beam.

【0021】電磁波ビームの照射制御用データとして、
基材表面に形成する回路パターンのCAD情報を用いる
と、CAD情報を照射位置やスポット径(照射幅)を迅
速に決定することができるようになる。基材がレーザ透
過性材料からなる基材を用いると、レーザビーム照射条
件コントロールの容易性、さらには、飛散物の問題解消
や複数枚の同時処理が可能となる。
As the data for controlling the irradiation of the electromagnetic wave,
By using the CAD information of the circuit pattern formed on the surface of the base material, it becomes possible to quickly determine the irradiation position and spot diameter (irradiation width) of the CAD information. When a base material made of a laser-transmissive material is used, it is possible to easily control the laser beam irradiation conditions, solve the problem of scattered matter, and simultaneously process a plurality of sheets.

【0022】この発明の選択めっき方法で立体形状の基
材表面にめっきを行えば、立体回路板を得ることができ
る。
By plating the surface of a three-dimensional base material by the selective plating method of the present invention, a three-dimensional circuit board can be obtained.

【0023】[0023]

【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。勿論、
この発明は、下記の実施例に限らない。 −実施例1− 実施例1では、例えば、選択めっき過程で基材表面に照
射する電磁波ビームの幅(走査ラインの幅)をビームの
スポット形状(形や大きさ)や移動速度を変えて回路板
を得る。
Embodiments of the present invention will be described below. Of course,
The present invention is not limited to the embodiments described below. -Example 1-Example 1 is a circuit in which the width (scanning line width) of the electromagnetic wave beam irradiated to the substrate surface in the selective plating process is changed by changing the beam spot shape (shape and size) and moving speed. Get the board.

【0024】スポット形状を変える場合、電磁波ビーム
のデフォーカス量調整、あるいは、エネルギー強度調整
などを行う。デフォーカス量調整の場合、図1にみるよ
うに、照射系または基材のZ軸移動により、デフォーカ
ス量を小さくすれば(フォーカスさせれば)電磁波ビー
ムの幅は狭くなり、逆に、デフォーカス量を大きくすれ
ば電磁波ビームの幅は広くなる。エネルギー強度調整の
場合、図2にみるように、ガウシアン分布等のなだらか
なエネルギー分布をもつモードのレーザを電磁波ビーム
に使うのであるが、発振エネルギー量を増せば電磁波ビ
ームの幅は広くなり、逆に減らせば電磁波ビームの幅は
狭くなる。移動速度を変える場合、図3にみるように、
ガウシアン分布等のなだらかなエネルギー分布をもつモ
ードのレーザを電磁波ビームを使うのであるが、移動速
度(走査速度)を遅くすれば電磁波ビームの幅は広くな
り、逆に速くすれば電磁波ビームの幅は狭くなる。
When changing the spot shape, the defocus amount of the electromagnetic wave beam or the energy intensity is adjusted. In the case of adjusting the defocus amount, as shown in FIG. 1, if the defocus amount is reduced (focused) by moving the irradiation system or the substrate along the Z-axis, the width of the electromagnetic wave beam becomes narrower. The larger the focus amount, the wider the electromagnetic beam. In the case of adjusting the energy intensity, as shown in FIG. 2, a laser of a mode having a smooth energy distribution such as Gaussian distribution is used for the electromagnetic wave beam. However, if the amount of oscillation energy is increased, the width of the electromagnetic wave beam becomes wider, If it is reduced to, the width of the electromagnetic beam becomes narrower. When changing the moving speed, as shown in Fig. 3,
An electromagnetic wave beam is used for a laser in a mode having a smooth energy distribution such as a Gaussian distribution. However, if the moving speed (scanning speed) is slowed down, the width of the electromagnetic wave beam will be widened. Narrows.

【0025】 ABS、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー、アルミナセラミックス等の絶縁基材の表面をク
ロム酸液、KOH水溶液、リン酸等で処理して粗化す
る。 絶縁基材をPdを含有する液に浸漬してから活性化
してPd核付けを行う(めっき触媒機能を付与する)。 絶縁基材の表面のめっき不要域にレーザ(例えば、
YAGレーザ)を照射する。めっき不要域のパターン幅
に応じてレーザビームのスポット径を変化させる。図4
の(a)にみるように、回路パターン5間など微細な部
分は細いビーム6を高速で移動(描画)させ、広い部分
は太いビーム7を低速で移動(描画)させる。基材1と
ビーム6,7の間で相対的な移動を行わせめっき不要域
をレーザ走査するのである。このとき、例えば、図1に
みるように、レーザを集光するレンズの焦点距離あるい
は基材1とレンズの距離を変化させることにより細いビ
ーム6と太いビーム7の切り換えを行う。基材1表面を
レンズの焦点に一致させれば極めて細いビームが得られ
る。レーザのパワーは、例えば、0.1〜1J/cm2
程度となるように移動速度やレーザ発振強度を調整す
る。
The surface of an insulating base material such as ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, or alumina ceramics is roughened by treating it with a chromic acid solution, KOH aqueous solution, phosphoric acid or the like. The insulating base material is dipped in a liquid containing Pd and then activated to carry out Pd nucleation (adding a plating catalyst function). A laser (for example,
YAG laser). The spot diameter of the laser beam is changed according to the pattern width of the plating unnecessary area. Figure 4
As shown in (a) of (a), the fine beam 6 is moved (drawn) at a high speed in a fine portion such as between the circuit patterns 5, and the thick beam 7 is moved (drawn) in a wide portion at a low speed. The substrate 1 and the beams 6 and 7 are moved relative to each other, and the non-plating area is laser-scanned. At this time, for example, as shown in FIG. 1, the thin beam 6 and the thick beam 7 are switched by changing the focal length of the lens that focuses the laser or the distance between the substrate 1 and the lens. An extremely thin beam can be obtained by matching the surface of the base material 1 with the focal point of the lens. The laser power is, for example, 0.1 to 1 J / cm 2.
The moving speed and the laser oscillation intensity are adjusted so as to be about the same level.

【0026】勿論、図2にみるように、発振エネルギー
量の増減により細いビーム6と太いビーム7の切り換え
を行ってもよいし、図3にみるように、移動速度(走査
速度)の調整により細いビーム6と太いビーム7の切り
換えを行うことも出来る。基材表面でめっき不要域のパ
ターン幅とビームにおけるレーザインフルエンスが例え
ば0.1〜1J/cm2 以上である部分の幅が一致する
ようにレーザ強度または移動速度を調整する。具体的に
は、細いビーム6の場合、発振エネルギー量を減らすか
移動速度を速くするかし、太いビーム7の場合、発振エ
ネルギー量を増やすか移動速度を遅くするかすることに
なる。
Of course, as shown in FIG. 2, the thin beam 6 and the thick beam 7 may be switched by increasing / decreasing the oscillation energy amount, or, as shown in FIG. 3, by adjusting the moving speed (scanning speed). It is also possible to switch between the thin beam 6 and the thick beam 7. The laser intensity or moving speed is adjusted so that the pattern width of the plating unnecessary area on the surface of the base material and the width of the portion of the beam where the laser influence is, for example, 0.1 to 1 J / cm 2 or more match. Specifically, in the case of the thin beam 6, the amount of oscillation energy is decreased or the moving speed is increased, and in the case of the thick beam 7, the amount of oscillation energy is increased or the moving speed is decreased.

【0027】さらに、図4の(b)にみるように、広い
部分を太いビーム7により照射すると、パターンの端や
コーナには若干の照射漏れが生じるので、照射漏れ部分
に細いビーム6を照射して照射漏れをなくすことが望ま
しい。端縁の形状がより正確となる。このレーザビーム
照射でめっき不要域のPdは除去されるか不活性化さ
れ、触媒機能を消失する。
Further, as shown in FIG. 4B, when a wide portion is irradiated with a thick beam 7, some irradiation leakage occurs at the edges and corners of the pattern. Therefore, the thin beam 6 is irradiated onto the irradiation leakage portion. It is desirable to eliminate irradiation leakage. The shape of the edge becomes more accurate. By this laser beam irradiation, Pd in the plating unnecessary area is removed or inactivated, and the catalytic function disappears.

【0028】 触媒機能の消失後、無電解銅めっき液
に浸漬して、レーザビーム未照射のめっき必要域のみに
無電解銅めっきを施せば、回路板が得られる。実施例1
では、めっき不要域のパターンの太・細に合わせて照射
ビームの幅を制御するため、太い部分に必要以上に時間
がかからず迅速に処理が行える。 −実施例2− 実施例2では、選択めっき過程で基材表面に照射する電
磁波ビームの照射幅を照射中または照射直後に計測し、
この計測結果に基づいて電磁波ビームの照射幅を制御し
て回路板を得る。基材表面に凹凸などがあると電磁波ビ
ームの照射幅が照射位置によって変動するため、照射幅
を常に監視してフィードバックし正確な照射幅にするの
である。
After disappearance of the catalytic function, the circuit board is obtained by immersing in a non-electrolytic copper plating solution and performing electroless copper plating only on the plating-required area where the laser beam has not been irradiated. Example 1
Since the width of the irradiation beam is controlled according to the thickness of the pattern in the non-plating area, the thick portion can be processed quickly without unnecessary time. -Example 2-In Example 2, the irradiation width of the electromagnetic wave beam irradiated to the substrate surface in the selective plating process was measured during irradiation or immediately after irradiation,
The circuit board is obtained by controlling the irradiation width of the electromagnetic wave beam based on the measurement result. If the surface of the base material has irregularities, the irradiation width of the electromagnetic wave beam varies depending on the irradiation position. Therefore, the irradiation width is constantly monitored and fed back to obtain an accurate irradiation width.

【0029】 ABS、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー、アルミナセラミックス等の絶縁基材の表面をク
ロム酸液、KOH水溶液、リン酸等で処理して粗化す
る。 絶縁基材をPdを含有する液に浸漬してから活性化
処理してPd核付けを行う(めっき触媒機能を付与す
る)。 絶縁基材の表面のめっき不要域にレーザ(例えば、
CW−YAGレーザ)ビームを照射する。このとき、図
5にみるように、レーザを例えばガルバノミラーを介し
てレンズで集光して照射し、絶縁基材1表面のめっき不
要域パターン全域を走査するようにする一方、絶縁基材
1とレーザ光学系の距離を可変できるように基材1をZ
テーブルにセットしておく。Zテーブルの移動に伴いフ
ォーカ状態が変化しレーザビームの照射幅を変化させら
れる。こうしておくと、レーザビームの照射幅が常に所
望の値となるように基材1とレーザ光学系の距離を変化
させてレーザビームのデフォーカス量を制御することが
可能となる。
The surface of an insulating base material such as ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, or alumina ceramics is roughened by treating it with a chromic acid solution, KOH aqueous solution, phosphoric acid or the like. The insulating base material is dipped in a liquid containing Pd and then activated to carry out Pd nucleation (adding a plating catalyst function). A laser (for example,
CW-YAG laser) beam is applied. At this time, as shown in FIG. 5, the laser is focused by a lens through a galvanometer mirror and irradiated to scan the entire area of the non-plating area on the surface of the insulating base material 1, while the insulating base material 1 is scanned. The substrate 1 so that the distance between the laser optical system and
Set it on the table. The focus state changes as the Z table moves, and the irradiation width of the laser beam can be changed. By doing so, it becomes possible to control the defocus amount of the laser beam by changing the distance between the substrate 1 and the laser optical system so that the irradiation width of the laser beam always has a desired value.

【0030】他方、レーザ照射直後または照射中の基材
1の表面での照射幅(スポットサイズ)を、例えば、T
Vカメラでモニターし、画像処理して計測し、Zテーブ
ルの駆動系にフィードバックする。こうしておけば、基
材1表面の凹凸などで照射位置の高低変動やビーム照射
角が変化し照射幅が所定の値から外れても、直ちにZテ
ーブルが動き、Z位置が調整され常に正確な照射幅とな
るようにフィードバック制御が行われる。
On the other hand, the irradiation width (spot size) on the surface of the substrate 1 immediately after or during the laser irradiation is, for example, T
It is monitored by a V camera, image processed, measured, and fed back to the drive system of the Z table. By doing so, even if the irradiation width deviates from the predetermined value due to the fluctuation of the irradiation position or the beam irradiation angle due to the unevenness of the surface of the base material 1, the Z table moves immediately and the Z position is adjusted to ensure accurate irradiation. Feedback control is performed so that the width becomes wide.

【0031】レーザパワーは、例えば、0.1〜1J/
cm2 程度となるように移動速度やレーザ発振強度を調
整する。このレーザビーム照射でめっき不要域のPdは
除去されるか不活性化され、触媒機能を消失する。 触媒機能の消失後、無電解銅めっき液に浸漬して、
レーザビーム未照射のめっき必要域のみに無電解銅めっ
きを施すと、回路板が得られる。
The laser power is, for example, 0.1 to 1 J /
The moving speed and the laser oscillation intensity are adjusted to be about cm 2 . By this laser beam irradiation, Pd in the plating unnecessary area is removed or inactivated, and the catalytic function disappears. After the catalytic function disappears, dip it in an electroless copper plating solution,
A circuit board can be obtained by performing electroless copper plating only on the plating-required area that has not been irradiated with the laser beam.

【0032】この他、エネルギー分布のなだらかなレー
ザビームを用い、図2にみるように、発振エネルギー量
の増減により照射幅のフィードバック制御を行ってもよ
いし、図3にみるように、移動速度(走査速度)の調整
により照射幅のフィードバック制御を行ってもよい。基
材表面でめっき不要域のパターン幅とビームにおけるレ
ーザインフルエンスが例えば0.1〜1J/cm2 以上
である部分の幅が一致するようにレーザ強度または移動
速度を実施例1の場合のように調整する。
In addition to this, a laser beam with a gentle energy distribution may be used to perform feedback control of the irradiation width by increasing or decreasing the amount of oscillation energy as shown in FIG. 2, or as shown in FIG. Feedback control of the irradiation width may be performed by adjusting (scanning speed). As in the case of Example 1, the laser intensity or the moving speed is set so that the pattern width of the non-plating area on the surface of the base material and the width of the portion where the laser influence in the beam is, for example, 0.1 to 1 J / cm 2 or more match. Adjust to.

【0033】実施例2では、基材表面の凹凸があって、
照射位置に高低変動が起きたり、ビーム照射角度に変動
があっても、照射ビームの幅が常に所望の値に保たれる
ため、回路パターンは正確である。 −実施例3− 実施例3では、選択めっき過程で基材表面の凹凸形状に
応じて電磁波ビームの照射幅を制御して回路板を得る。
基材表面の照射点の高さ、基材へのビーム照射角を予め
データとして入力し、その点で所望の照射幅となるよう
にするか、あるいは、ビーム照射しながら照射点の高さ
・傾斜角を計測して、これらをデータとして入力し、そ
の点で所望の照射幅となるようにするが、これに限らな
い。
In Example 2, there was unevenness on the surface of the substrate,
The circuit pattern is accurate because the width of the irradiation beam is always kept at a desired value even if the irradiation position changes in height or the beam irradiation angle changes. -Example 3 In Example 3, a circuit board is obtained by controlling the irradiation width of the electromagnetic wave beam according to the uneven shape of the substrate surface in the selective plating process.
The height of the irradiation point on the surface of the base material and the beam irradiation angle to the base material are input as data in advance so that the desired irradiation width can be achieved at that point, or the height of the irradiation point while irradiating the beam The inclination angle is measured and these are input as data so that the desired irradiation width is obtained at that point, but the invention is not limited to this.

【0034】 ポリイミド、ABS、ポリエーテルイ
ミド、液晶ポリマー、アルミナセラミックス等の絶縁基
材の表面をプラズマ処理して粗化する。 スパッタリング等で基材表面にCu,Ni,Pd,
Cr,Ag等の金属(導電)膜を0.1〜2μmの厚み
に形成し、めっき下地用の金属膜とする。 基材の表面のめっき不要域にレーザ(例えば、Qス
イッチYAGレーザ)ビームを、図6にみるように、例
えばガルバノミラーを介してレンズで集光して照射し、
絶縁基材1表面のめっき不要域パターン全域を走査する
ようにする。
The surface of an insulating base material such as polyimide, ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, or alumina ceramics is plasma-treated to be roughened. Cu, Ni, Pd,
A metal (conductive) film of Cr, Ag or the like is formed to a thickness of 0.1 to 2 μm, and is used as a metal film for a plating base. As shown in FIG. 6, a laser (for example, a Q-switch YAG laser) beam is focused on a non-plating area on the surface of the base material by a lens through a galvanometer mirror and irradiated.
The whole area of the plating unnecessary area pattern on the surface of the insulating substrate 1 is scanned.

【0035】一方、基材1表面からの散乱光をレーザビ
ーム照射視点から離れた位置よりカメラで観測し、レー
ザビーム照射のXYデータとカメラによる照射点観測デ
ータの差からZ位置を、またZ位置の変化から斜度を計
測する(図7参照)。そして、これらZ位置と斜度のデ
ータに基づき、つまり基材表面の凹凸形状に基づき、レ
ーザビームの走査速度を制御し、レーザビームにおける
照射強度が金属膜を除去できるしきい値を越える部分の
幅が一定太さ(例えば、直径150μm)となるようす
る。金属膜と同時に基材の一部をも除去してもよい。レ
ーザパワーは、例えば、0.05〜1J/cm2 程度で
ある。
On the other hand, the scattered light from the surface of the base material 1 is observed by a camera from a position away from the laser beam irradiation viewpoint, and the Z position is determined again from the difference between the XY data of the laser beam irradiation and the irradiation point observation data by the camera, and Z. The slope is measured from the change in position (see FIG. 7). Then, the scanning speed of the laser beam is controlled based on the data of the Z position and the inclination, that is, based on the uneven shape of the substrate surface, and the irradiation intensity of the laser beam exceeds the threshold value at which the metal film can be removed. The width is set to a constant thickness (for example, a diameter of 150 μm). You may remove a part of base material simultaneously with a metal film. The laser power is, for example, about 0.05 to 1 J / cm 2 .

【0036】なお、図7に基づく、z位置(AS)の算
出過程は下記のとおりである。A(x,y,0):照射
点の基準面(XY平面)上への投影点、S(x,y,
z):照射点、S1(x1,y1,z1):カメラで観
測した照射点、C(0,0,h):カメラの位置とす
る。一方、OC:既知、A:照射データより既知、S
1:カメラの観測値である。そして、AS:OC=AS
1:OS1であり、よって、AS=OC×ASI÷OS
1となる。
The process of calculating the z position (AS) based on FIG. 7 is as follows. A (x, y, 0): projection point of the irradiation point on the reference plane (XY plane), S (x, y, 0)
z): irradiation point, S1 (x1, y1, z1): irradiation point observed by the camera, C (0, 0, h): camera position. On the other hand, OC: known, A: known from irradiation data, S
1: Observed value of the camera. And AS: OC = AS
1: OS1, therefore AS = OC × ASI ÷ OS
It becomes 1.

【0037】このレーザビーム照射でめっき不要域の金
属膜は除去され、回路パターンのめっき必要域にのみ金
属膜が残る。 残存の金属膜を陰極として電気めっきを選択的に行
う。めっきの必要な全ての部分に通電されるように、レ
ーザビーム照射時に、給電のためのブリッジパターンを
形成しておき、この部分にめっき付着防止用のレジスト
をインクジェットやディスペンサーで塗布したのち電気
めっきするとよい。電気めっき後、レジストを除去し、
その下の金属膜をライトエッチングで除く。
By this laser beam irradiation, the metal film in the plating unnecessary region is removed, and the metal film remains only in the plating required region of the circuit pattern. Electroplating is selectively performed using the remaining metal film as a cathode. A bridge pattern for power supply is formed during laser beam irradiation so that all parts requiring plating are energized, and a resist to prevent plating adhesion is applied to this part with an inkjet or dispenser and then electroplating. Good to do. After electroplating, remove the resist,
The underlying metal film is removed by light etching.

【0038】なお、レーザビームの照射幅(ビーム径)
の制御は、図1のデフォーカス量の調整や図2のエネル
ギー強度調整で行ってもよい。電気めっきは例えば、銅
めっき(厚み10μm)とする。必要に応じて、ソルダ
ーレジスト、Niめっき、Auめっきを施す。例えば、
上記工程で銅めっきの後、ソルダーレジストを塗布、パ
ターンニングしてNiめっき必要部および/またはAu
めっき必要部を露出させて無電解めっきでNiめっきお
よび/またはAuめっきを行うとよい。
The irradiation width of the laser beam (beam diameter)
The control may be performed by adjusting the defocus amount in FIG. 1 or adjusting the energy intensity in FIG. The electroplating is, for example, copper plating (thickness 10 μm). If necessary, solder resist, Ni plating, and Au plating are applied. For example,
After copper plating in the above process, a solder resist is applied and patterned to form a Ni plating required portion and / or Au.
Ni plating and / or Au plating may be performed by electroless plating with the required plating portion exposed.

【0039】実施例3では、基材表面の凹凸があって、
照射位置に高低変動が起きたり、ビーム照射角度に変動
があっても、照射ビームの幅が所望の値に保たれるた
め、回路パターンは正確である。 −実施例4− 実施例4では、選択めっき過程において、図8の(b)
にみるような電磁波ビームとして周辺のエネルギー分布
がなだらかて境界が不明確なモードのレーザビームでは
なく、図8の(a)に示すごとく電磁波ビームとしてエ
ネルギー分布の周辺が急峻でビームと非ビームの境界が
シャープなモード(環状モード=リングモード等)のレ
ーザビームを用いて回路板を得る。この環状モードレー
ザビームは、例えば、図9に示す光学系で得ることがで
きる。
In Example 3, there was unevenness on the surface of the substrate,
The circuit pattern is accurate because the width of the irradiation beam is kept at a desired value even if the irradiation position changes in height or the beam irradiation angle changes. -Example 4- In Example 4, in the selective plating process, (b) of FIG.
As shown in Fig. 8A, the electromagnetic energy beam is not a laser beam in a mode in which the energy distribution around the periphery is gentle and the boundary is unclear. A circuit board is obtained using a laser beam with a sharp boundary mode (annular mode = ring mode, etc.). This annular mode laser beam can be obtained by, for example, the optical system shown in FIG.

【0040】 ABS、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー、アルミナセラミックス等の絶縁基材の表面をク
ロム酸液、KOH水溶液、リン酸等で処理して粗化す
る。 絶縁基材をPdを含有する液に浸漬してから活性化
してPd核付けを行う(めっき触媒機能を付与する)。 絶縁基材の表面のめっき不要域にレーザ(例えば、
YAGレーザ)ビームを照射する。レーザをレンズで集
光して照射する一方、基材とレーザビームの間で相対的
な移動を行い、絶縁基材表面のめっき不要域パターン全
域を走査するようにする。
The surface of an insulating base material such as ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, alumina ceramics is treated with a chromic acid solution, a KOH aqueous solution, phosphoric acid or the like to be roughened. The insulating base material is dipped in a liquid containing Pd and then activated to carry out Pd nucleation (adding a plating catalyst function). A laser (for example,
YAG laser) beam is applied. The laser is focused by a lens and irradiated, while the substrate and the laser beam are moved relative to each other to scan the entire area of the non-plating area on the surface of the insulating substrate.

【0041】このレーザビーム照射でめっき不要域のP
dは除去されるか不活性化され、触媒機能を消失する。 触媒機能の消失後、無電解銅めっき液に浸漬して、
レーザビーム未照射のめっき必要域のみに無電解銅めっ
きを施すと、回路板が得られる。実施例4では、境界の
明確なレーザビームを用いるため、めっき終了後のめっ
き域と非めっき域の境界が明瞭で仕上げ精度が向上す
る。
With this laser beam irradiation, P
d is removed or deactivated and loses its catalytic function. After the catalytic function disappears, dip it in an electroless copper plating solution,
A circuit board can be obtained by performing electroless copper plating only on the plating-required area that has not been irradiated with the laser beam. In Example 4, since a laser beam having a clear boundary is used, the boundary between the plated area and the non-plated area after the plating is clear and the finishing accuracy is improved.

【0042】−実施例5− 実施例5では、選択めっき過程において、図10に示す
ように、電磁波ビームの縁を遮光するビーム整形用マス
クを介して基材1表面に電磁波ビームの照射を行って回
路板を得る。 ポリイミド、ABS、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー、アルミナセラミックス等の平面表面や凹凸表面
の絶縁基材の表面をプラズマ処理で粗化する。
Example 5 In Example 5, in the selective plating process, as shown in FIG. 10, the surface of the substrate 1 is irradiated with an electromagnetic wave beam through a beam shaping mask that shields the edges of the electromagnetic wave beam. To get the circuit board. The surface of the insulating base material such as polyimide, ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, and alumina ceramics having a flat surface or an uneven surface is roughened by plasma treatment.

【0043】 スパッタリング等で基材表面にCu,
Ni,Pd,Cr,Ag等の金属(導電)膜を0.1〜
2μmの厚みに形成し、めっき下地用の金属膜とする。 基材の表面のめっき不要域の輪郭に沿いレーザ(例
えば、QスイッチYAGレーザ)ビームを例えばガルバ
ノミラーを介してレンズで集光して照射してゆき、絶縁
基材表面を走査する。このとき、回路パターンと同じパ
ターンの遮光部分を有するとともに、めっき不要域とほ
ぼ同じ形のパターンで窓の開いたビーム整形用マスクを
介してレーザビームを照射する。そうすると、レーザビ
ームの周縁のエネルギーの低い部分がカットされ、レー
ザビームの照射部と非照射部の境界が明確となる。レー
ザパワーは、例えば、0.05〜1J/cm2 程度であ
る。金属膜と同時に基材の一部を削るようにしてもよ
い。
Cu on the surface of the substrate by sputtering,
Add a metal (conductive) film of Ni, Pd, Cr, Ag, etc.
It is formed to have a thickness of 2 μm and is used as a metal film for a plating base. A laser (for example, a Q-switch YAG laser) beam is focused by a lens through a galvanometer mirror and irradiated along the contour of the non-plating area on the surface of the base material to scan the surface of the insulating base material. At this time, a laser beam is emitted through a beam shaping mask having a light-shielding portion having the same pattern as the circuit pattern and a window having an almost same shape as the plating unnecessary area. Then, the low-energy portion of the periphery of the laser beam is cut, and the boundary between the laser beam irradiation portion and the non-irradiation portion becomes clear. The laser power is, for example, about 0.05 to 1 J / cm 2 . A part of the base material may be cut at the same time as the metal film.

【0044】なお、図11にみるように、レーザビーム
の照射がパルス状(間歇的)で隣接するスポット同士の
上下で隙間があく場合でもその部分はカットされ端縁は
直線状となる。このレーザビーム照射でめっき不要域の
金属膜は除去され、回路パターンのめっき必要域にのみ
金属膜が残る。
As shown in FIG. 11, even if the laser beam is pulsed (intermittently) and there is a gap above and below adjacent spots, that portion is cut and the edge is linear. By this laser beam irradiation, the metal film in the plating unnecessary area is removed, and the metal film remains only in the plating area of the circuit pattern.

【0045】 残存の金属膜を陰極として電気めっき
を選択的に行う。めっきの必要な全ての部分に通電され
るように、レーザビーム照射時に、給電のためのブリッ
ジパターンを形成しておき、この部分にめっき付着防止
用のレジストをインクジェットやディスペンサーで塗布
したのち電気めっきするとよい。電気めっき後、レジス
トを剥離し、ライトエッチングで絶縁面上の金属膜を除
去する。
Electroplating is selectively performed using the remaining metal film as a cathode. A bridge pattern for power supply is formed during laser beam irradiation so that all parts requiring plating are energized, and a resist to prevent plating adhesion is applied to this part with an inkjet or dispenser and then electroplating. Good to do. After electroplating, the resist is peeled off and the metal film on the insulating surface is removed by light etching.

【0046】電気めっきは例えば、銅めっき(厚み10
μm)とする。必要に応じて、ソルダーレジスト、Ni
めっき、Auめっきを施す。例えば、上記工程で銅めっ
きの後、ソルダーレジストを塗布、パターンニングして
Niめっき必要部および/またはAuめっき必要部を露
出させて無電解めっきでNiめっきおよび/またはAu
めっきを行うとよい。
The electroplating is, for example, copper plating (thickness 10
μm). If necessary, solder resist, Ni
Apply plating and Au plating. For example, after the copper plating in the above step, a solder resist is applied and patterned to expose the Ni-plating required portion and / or the Au-plating required portion, and perform the electroless plating for Ni-plating and / or Au-plating.
It is good to plate.

【0047】実施例5では、レーザビームの縁をマスク
でカットすることで、境界の明確なレーザビームとして
いるため、パルス状の照射を行うレーザビームを用いる
場合であっても、めっき終了後のめっき域と非めっき域
の境界が明瞭で仕上げ精度が向上する。 −実施例6− 実施例6では、選択めっき過程において、電磁波ビーム
3のスポット形状を、図12の(a)のごとく四角型と
するか、図12の(b)のごとく長四角型とするか、図
12の(c)のごとく長円型として回路板を得る。この
ようなレーザビーム3の各種スポット形状は、アパチ
ァ、マスク、レンズまたはプリズム等の光学素子を用い
て作成する。なお、長辺の方向を変えるには、アパチ
ァ、マスク、レンズまたはプリズム等の光学素子を回転
させればよい。
In the fifth embodiment, the edge of the laser beam is cut with a mask to form a laser beam with a clear boundary. Therefore, even when a laser beam for performing pulsed irradiation is used, after the plating is completed, The boundary between the plated and non-plated areas is clear and the finishing accuracy is improved. -Example 6-In Example 6, in the selective plating process, the spot shape of the electromagnetic wave beam 3 is a square shape as shown in FIG. 12 (a) or a long square shape as shown in FIG. 12 (b). Alternatively, as shown in FIG. 12C, an elliptic circuit board is obtained. Such various spot shapes of the laser beam 3 are created by using an optical element such as an aperture, a mask, a lens or a prism. The direction of the long side can be changed by rotating an optical element such as an aperture, a mask, a lens or a prism.

【0048】 ポリイミド、ABS、ポリエーテルイ
ミド、液晶ポリマー、アルミナセラミックス等の平面表
面や凹凸表面の絶縁基材の表面をプラズマ処理で粗化す
る。 スパッタリング等で基材表面にCu,Ni,Pd,
Cr,Ag等の金属(導電)膜を0.1〜2μmの厚み
に形成し、めっき下地用の金属膜とする。 基材の表面のめっき不要域の輪郭線沿いなどにレー
ザ(例えば、QスイッチYAGレーザ)ビームを、例え
ばガルバノミラーを介してレンズで集光して照射し、絶
縁基材表面を走査してゆく。このとき、ビーム拡大レン
ズとシリンドリカルレンズの組み合わせ等でレーザビー
ムのスポット形状を長四角型にするとともに、ビームの
移動方向と長四角の長辺が一致するようにシリンドリカ
ルレンズを回転させる。
The surface of the insulating base material such as polyimide, ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, alumina ceramics or the like having a flat surface or an uneven surface is roughened by plasma treatment. Cu, Ni, Pd,
A metal (conductive) film of Cr, Ag or the like is formed to a thickness of 0.1 to 2 μm, and is used as a metal film for a plating base. A laser (eg, Q-switch YAG laser) beam is focused by a lens, for example, via a galvanometer mirror, and irradiated along a contour line of a plating-free area on the surface of the base material to scan the surface of the insulating base material. . At this time, the spot shape of the laser beam is made into a rectangular shape by a combination of a beam expanding lens and a cylindrical lens, and the cylindrical lens is rotated so that the moving direction of the beam coincides with the long side of the rectangular shape.

【0049】レーザパワーは、例えば、0.05〜1J
/cm2 程度である。金属膜と同時に基材の一部を削る
ようにしてもよい。このレーザビーム照射でめっき不要
域の金属膜は除去され、回路パターンのめっき必要域に
のみ金属膜が残る。 残存の金属膜を陰極として電気めっきを選択的に行
う。めっきの必要な全ての部分に通電されるように、レ
ーザビーム照射時に、給電のためのブリッジパターンを
形成しておき、この部分にめっき付着防止用のレジスト
をインクジェットやディスペンサーで塗布したのち電気
めっきするとよい。電気めっき後、レジストを剥離し、
ライトエッチングで絶縁面上の金属膜を除去する。
The laser power is, for example, 0.05 to 1 J.
It is about / cm 2 . A part of the base material may be cut at the same time as the metal film. By this laser beam irradiation, the metal film in the plating unnecessary area is removed, and the metal film remains only in the plating area of the circuit pattern. Electroplating is selectively performed using the remaining metal film as a cathode. A bridge pattern for power supply is formed during laser beam irradiation so that all parts requiring plating are energized, and a resist to prevent plating adhesion is applied to this part with an inkjet or dispenser and then electroplating. Good to do. After electroplating, remove the resist,
The metal film on the insulating surface is removed by light etching.

【0050】電気めっきは、例えば銅めっき(厚み10
μm)とする。必要に応じて、ソルダーレジスト、Ni
めっき、Auめっきを施す。例えば、上記工程で銅めっ
きの後、ソルダーレジストを塗布、パターンニングして
Niめっき必要部および/またはAuめっき必要部を露
出させて無電解めっきでNiめっきおよび/またはAu
めっきを行うとよい。
The electroplating is carried out, for example, by copper plating (thickness 10
μm). If necessary, solder resist, Ni
Apply plating and Au plating. For example, after the copper plating in the above step, a solder resist is applied and patterned to expose the Ni-plating required portion and / or the Au-plating required portion, and perform the electroless plating for Ni-plating and / or Au-plating.
It is good to plate.

【0051】実施例6では、レーザビームのスポット形
状を四角型、長四角型ないし長円型とするため、照射パ
ターンの角部のエッジ形状が出せるし、パルス状の照射
を行うレーザビームを用いる場合でも、めっき終了後の
めっき域と非めっき域の境界が明瞭で仕上げ精度が向上
する上、スポット形状の長辺の方向にレーザビームを移
動させる時は高速で描画(走査)できる。
In the sixth embodiment, since the spot shape of the laser beam is a square shape, an oblong shape or an elliptic shape, the edge shape of the corner portion of the irradiation pattern can be obtained, and a laser beam for performing pulsed irradiation is used. Even in this case, the boundary between the plated area and the non-plated area after the plating is clear and the finishing accuracy is improved, and when the laser beam is moved in the direction of the long side of the spot shape, high-speed drawing (scanning) is possible.

【0052】−実施例7− 実施例7では、選択めっき過程において、図13にみる
ように、基材と電磁波ビーム3の相対的な移動に加えて
平面に沿った方向の相対的な振動をも行って最終的に回
路板を得る。 ABS、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、アル
ミナセラミックス等の絶縁基材の表面をクロム酸液、K
OH水溶液、リン酸等で処理して粗化する。
Example 7 In Example 7, in the selective plating process, as shown in FIG. 13, in addition to the relative movement of the base material and the electromagnetic wave beam 3, relative vibration in the direction along the plane was observed. Also go to finally get the circuit board. The surface of the insulating base material such as ABS, polyether imide, liquid crystal polymer, alumina ceramics is coated with chromic acid solution, K
It is roughened by treatment with an OH aqueous solution, phosphoric acid and the like.

【0053】 絶縁基材をPdを含有する液に浸漬し
てから活性化してPd核付けを行う(めっき触媒機能を
付与する)。 絶縁基材の表面のめっき不要域にレーザ(例えば、
YAGレーザ)ビームを照射する。レーザをレンズで集
光して照射する一方、基材とレーザビームの間で相対的
な移動を行い、絶縁基材表面のめっき不要域パターン全
域を走査するようにする。そして、実施例7では、この
時、図13にみるように、通常の移動に加えて相対的な
平面に沿った方向の相対的な振動を重畳させる。なお、
振動の周期は、半周期の倍数がレーザビームの1パルス
となるように選ぶのが好ましい。
The insulating base material is immersed in a liquid containing Pd and then activated to carry out Pd nucleation (to impart a plating catalyst function). A laser (for example,
YAG laser) beam is applied. The laser is focused by a lens and irradiated, while the substrate and the laser beam are moved relative to each other to scan the entire area of the non-plating area on the surface of the insulating substrate. Then, in the seventh embodiment, at this time, as shown in FIG. 13, in addition to the normal movement, the relative vibration in the direction along the relative plane is superimposed. In addition,
The oscillation period is preferably selected so that a multiple of the half period is one pulse of the laser beam.

【0054】通常の移動(走査)と加える振動の向きを
同じにすると、図13にみるように、パルス状のレーザ
ビームを使用した場合でも、端縁が直線状となる。通常
の移動(走査)と加える振動の向きを非同一、例えば直
交の場合、振動の周期を半周期の倍数がレーザビームの
1パルスとなるように選ぶか、連続発振レーザを用いる
と、振動の振幅+スポット系の太さのパターンが一度の
走査で描ける。
If the direction of the vibration to be applied is the same as that of the normal movement (scanning), the edge becomes linear even when a pulsed laser beam is used, as shown in FIG. When the direction of the vibration to be applied is not the same as that of the normal movement (scanning), for example, orthogonal, the vibration period is selected so that a multiple of half cycle is one pulse of the laser beam, or if a continuous wave laser is used, A pattern of amplitude + thickness of spot system can be drawn with one scan.

【0055】このレーザビーム照射でめっき不要域のP
dは除去されるか不活性化され、触媒機能を消失する。 触媒機能の消失後、無電解銅めっき液に浸漬して、
レーザビーム未照射のめっき必要域のみに無電解銅めっ
きを施すと、回路板が得られる。実施例7では、レーザ
ビームの照射幅の方を制御しなくても、パルス状の照射
を行うレーザビームを用いる場合でも、めっき終了後の
めっき域と非めっき域の境界が明瞭で仕上げ精度が向上
するし、また、スポット系より太い照射パターンが一度
の走査で描ける。
With this laser beam irradiation, P
d is removed or deactivated and loses its catalytic function. After the catalytic function disappears, dip it in an electroless copper plating solution,
A circuit board can be obtained by performing electroless copper plating only on the plating-required area that has not been irradiated with the laser beam. In Example 7, even when the irradiation width of the laser beam was not controlled, the boundary between the plated area and the non-plated area after plating was clear and the finishing accuracy was high even when a laser beam for pulsed irradiation was used. Moreover, the irradiation pattern thicker than the spot system can be drawn by one scanning.

【0056】−実施例8− 実施例8では、選択めっき過程において、図14の
(a)または(b)にみるように、パルス状(間歇的)
に照射する電磁波ビーム3を、その移動方向に隣り合う
ビームスポット(スポット状に照射された痕)同士がそ
れぞれの外周で一部重なって続くようにして最終的に回
路板を得る。例えば、得られる回路板では、回路保護用
サージアレスタが形成される。
Example 8 In Example 8, in the selective plating process, as shown in FIG. 14 (a) or 14 (b), pulsed (intermittent).
The circuit board is finally obtained by making the beam spots (marks of spots) adjacent to each other in the moving direction of the electromagnetic wave beam 3 irradiating the laser beam partially overlap each other on their outer circumferences. For example, in the obtained circuit board, a surge arrester for circuit protection is formed.

【0057】 ポリイミド、ABS、ポリエーテルイ
ミド、液晶ポリマー、アルミナセラミックス等の平面表
面や凹凸表面の絶縁基材の表面をプラズマ処理で粗化す
る。 スパッタリング等で基材表面にW,Cu,Ni,P
d,Cr,Ag等の金属膜を0.1〜2μmの厚みに形
成し、めっき下地用の金属膜とする。 基材の表面のめっき不要域にレーザ(例えば、Qス
イッチYAGレーザ)ビームを、例えばガルバノミラー
を介してレンズで集光して照射し、絶縁基材表面を走査
するようにする。このとき、図14の(a)の一点鎖線
のごとく、パルス状に間歇的に)生起させるスポット形
状四角形のレーザビームを傾けて照射して隣り合う四角
形のビームスポット痕同士をそれぞれの外周で一部重な
らせるか、図14の(b)の一点鎖線のごとく、パルス
状に生起させるスポット形状円形のレーザビームを照射
して隣り合う円形のビームスポット痕同士をそれぞれの
外周で一部重ならせるかする。なお、スポット形状四角
形のレーザビームの場合は、向き合う周縁全体が重なる
位置関係にしないようにする。
The surface of the insulating base material such as polyimide, ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, alumina ceramics, etc. having a flat surface or an uneven surface is roughened by plasma treatment. W, Cu, Ni, P on the substrate surface by sputtering etc.
A metal film of d, Cr, Ag, or the like is formed to a thickness of 0.1 to 2 μm to form a metal film for a plating base. A laser (for example, a Q-switch YAG laser) beam is focused onto a non-plating area on the surface of the base material by a lens, for example, via a galvanometer mirror, and the insulating base material surface is scanned. At this time, as indicated by the alternate long and short dash line in FIG. 14A, the spot-shaped quadrangular laser beam that is generated intermittently in a pulse shape is inclined and irradiated, and adjacent quadrangular beam spot traces are formed on each outer periphery. If the laser beams of spot-shaped circular laser beams that are pulse-shaped are irradiated so as to overlap each other or partially overlap each other at the outer circumferences of the circular beam spots, as shown by the dashed line in FIG. Do it It should be noted that in the case of a laser beam having a spot-shaped quadrilateral, the positional relationship is such that the entire facing edges are not overlapped.

【0058】レーザパワーは、例えば、0.05〜1J
/cm2 程度である。金属膜と同時に基材の一部を削る
ようにしてもよい。このレーザビーム照射でめっき不要
域の金属膜は除去され、回路パターンのめっき必要域に
のみ金属膜が残る。 残存の金属膜を陰極として電気めっきを選択的に行
い回路板を得る。めっき物質は仕事関数の価の小さい金
属または化合物とする。
The laser power is, for example, 0.05 to 1 J.
It is about / cm 2 . A part of the base material may be cut at the same time as the metal film. By this laser beam irradiation, the metal film in the plating unnecessary area is removed, and the metal film remains only in the plating area of the circuit pattern. Using the remaining metal film as a cathode, electroplating is selectively performed to obtain a circuit board. The plating substance is a metal or compound having a low work function value.

【0059】実施例8で得られた回路板では、回路4に
おけるビームスポット同士の重なりの位置14では、先
端の尖った金属膜の対面構造で出来る。先端の形状、角
度、向かい合う位置関係、距離は、レーザビームのスポ
ット形状や大きさ、重ね方で調整できる。この対面構造
では、高電圧ノイズが印加されるた際、先端で生じる電
解集中で簡単に放電が起こるため、この対面構造を回路
保護用サージアレスタとすることができる。
In the circuit board obtained in Example 8, at the position 14 where the beam spots overlap each other in the circuit 4, it is possible to form a facing structure of a metal film having a sharp tip. The shape of the tip, the angle, the positional relationship facing each other, and the distance can be adjusted by the spot shape and size of the laser beam and the stacking method. In this face-to-face structure, when high-voltage noise is applied, discharge easily occurs due to electrolytic concentration at the tip, so this face-to-face structure can be used as a circuit protection surge arrester.

【0060】−実施例9− 実施例9では、選択めっき方法過程において、図15に
みるように、パルス状(間歇的)で照射する電磁波ビー
ム3を、その移動方向に隣り合うビームスポット(スポ
ット状に照射された痕)同士がそれぞれの外周で一部重
なって続くようにするとともに、隣り合う列の間でのビ
ームスポットの間歇移動は互いの移動ピッチが1/2ピ
ッチずつずれるようにして行い最終的に回路板を得る。
Embodiment 9 In Embodiment 9, as shown in FIG. 15, in the process of the selective plating method, the electromagnetic wave beam 3 radiated in a pulse shape (intermittently) is irradiated with a beam spot (spot) adjacent to the moving direction. Marks are continuously irradiated with each other, and the intermittent movement of the beam spots between adjacent rows is such that the movement pitches of the beam spots are shifted by 1/2 pitch. Finally, the circuit board is obtained.

【0061】 ABS、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー、アルミナセラミックス等の絶縁基材の表面をク
ロム酸液、KOH水溶液、リン酸等で処理して粗化す
る。 絶縁基材をPdを含有する液に浸漬してから活性化
してPd核付けを行う(めっき触媒機能を付与する)。 絶縁基材の表面のめっき不要域にレーザ(例えば、
YAGレーザ)ビームを照射する。レーザをレンズで集
光して照射する一方、基材とレーザビームの間で相対的
な移動を行い、絶縁基材表面のめっき不要域パターン全
域を走査するようにする。そして、実施例9では、この
とき、パルス状で照射する電磁波ビーム3の照射の移動
を2列以上の複数列で行うとともに、電磁波ビーム3の
照射を移動方向で隣接するビームスポット痕同士が外周
の一部のみで重なるとともに、隣り合う列の間でのビー
ムスポットの間歇移動は互いの移動ピッチが1/2ピッ
チずつずれるようにする。
The surface of an insulating base material such as ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, or alumina ceramics is roughened by treating with a chromic acid solution, KOH aqueous solution, phosphoric acid or the like. The insulating base material is dipped in a liquid containing Pd and then activated to carry out Pd nucleation (adding a plating catalyst function). A laser (for example,
YAG laser) beam is applied. The laser is focused by a lens and irradiated, while the substrate and the laser beam are moved relative to each other to scan the entire area of the non-plating area on the surface of the insulating substrate. Then, in the ninth embodiment, at this time, the irradiation movement of the electromagnetic wave beam 3 that is pulsed is performed in a plurality of rows of two or more rows, and the irradiation of the electromagnetic wave beam 3 is performed by the beam spot traces adjacent to each other in the movement direction. , And the intermittent movement of the beam spots between adjacent columns is such that the movement pitches of the beam spots are shifted by 1/2 pitch.

【0062】このレーザビーム照射でめっき不要域のP
dは除去されるか不活性化され、触媒機能を消失する。 触媒機能の消失後、無電解銅めっき液に浸漬して、
レーザビーム未照射のめっき必要域のみに無電解銅めっ
きを施すと、回路板が得られる。実施例9で得られた回
路板では、回路4におけるビームスポット同士の周縁部
の重なりの位置14では、金属膜部分が尖った状態で突
き出しており、電解が集中して放電が起こり易く、絶縁
劣化の原因となる。しかし、この場合、隣あ合う列の間
ではビームスポットの間歇移動は互いの移動ピッチが1
/2ピッチずつずれるようにしており、この結果、金属
膜部分の尖った部分の間隔が長くなるため、放電が起こ
り難く、絶縁劣化が抑えられる。
With this laser beam irradiation, P
d is removed or deactivated and loses its catalytic function. After the catalytic function disappears, dip it in an electroless copper plating solution,
A circuit board can be obtained by performing electroless copper plating only on the plating-required area that has not been irradiated with the laser beam. In the circuit board obtained in Example 9, at the position 14 where the peripheral portions of the beam spots in the circuit 4 overlap with each other, the metal film portion protrudes in a sharp state, and the electrolysis is likely to be concentrated to cause discharge, resulting in insulation. It causes deterioration. However, in this case, the intermittent movement of beam spots between adjacent rows has a mutual movement pitch of 1
The pitches are shifted by 1/2 pitch, and as a result, the interval between the sharp portions of the metal film portion becomes longer, so that discharge is less likely to occur and insulation deterioration is suppressed.

【0063】−実施例10− 実施例10では、図16の(a)にみるように、めっき
必要域1aのみが選択的に粗化されている基材1を用い
て、回路板を得る。 ポリイミド、ABS、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー、アルミナセラミックス等の絶縁基材の表面のめ
っき必要域のみに、図16の(a)にみるように、Ar
Fエキシマレーザを0.1〜0.5J/cm2 の強度で
照射して選択的に粗化する。この選択粗化は、成形金型
の選択めっきを施す部分の表面を粗化しておいて、それ
を転写する方法で行ってもよい。
Example 10 In Example 10, as shown in FIG. 16 (a), a circuit board is obtained by using the substrate 1 in which only the plating required area 1a is selectively roughened. As shown in FIG. 16 (a), Ar is applied only to the required plating area on the surface of the insulating base material such as polyimide, ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, and alumina ceramics.
Irradiation with F excimer laser at an intensity of 0.1 to 0.5 J / cm 2 is performed to selectively roughen. This selective roughening may be performed by a method of roughening the surface of the portion of the molding die to be subjected to selective plating and transferring it.

【0064】 粗化の後、図16の(b)にみるよう
に、絶縁基材をPdを含有する液に浸漬してから活性化
してPd核付けを行う(めっき触媒機能を付与する)。 図16の(c)にみるように、絶縁基材の表面のめ
っき不要域にレーザ(例えば、YAGレーザ)ビーム
を、実施例1〜9と同様の方法で照射する。このレーザ
ビーム照射でめっき不要域のPdは除去されるか不活性
化され、触媒機能を消失する。
After the roughening, as shown in FIG. 16B, the insulating base material is dipped in a liquid containing Pd and then activated to carry out Pd nucleation (adding a plating catalyst function). As shown in FIG. 16C, a laser (for example, YAG laser) beam is applied to the non-plating area on the surface of the insulating base material by the same method as in Examples 1 to 9. By this laser beam irradiation, Pd in the plating unnecessary area is removed or inactivated, and the catalytic function disappears.

【0065】 触媒機能の消失後、図16の(c)に
みるように、無電解銅めっき液に浸漬して、レーザビー
ム未照射のめっき必要域のみに無電解銅めっきを施す
と、回路板が得られる。この他、以下のようにして回路
板を得てもよい。上のと同様にして絶縁基板を選択的
に粗化する。
After disappearance of the catalytic function, as shown in FIG. 16 (c), the circuit board is immersed in an electroless copper plating solution, and electroless copper plating is applied only to a plating-required area not irradiated with a laser beam. Is obtained. In addition, the circuit board may be obtained as follows. The insulating substrate is selectively roughened in the same manner as above.

【0066】 スパッタリング等で基材表面にCu,
Ni,Pd,Cr,Ag等の金属(導電)膜を0.1〜
2μmの厚みに形成し、めっき下地用の金属膜とする。 絶縁基材の表面のめっき不要域にレーザ(例えば、
QスイッチYAGレーザ)ビームを、実施例1〜9と同
様の方法で照射する。このレーザビーム照射でめっき不
要域の金属膜は除去され、回路パターンのめっき必要域
にのみ金属膜が残る。
Cu on the surface of the substrate by sputtering or the like,
Add a metal (conductive) film of Ni, Pd, Cr, Ag, etc.
It is formed to have a thickness of 2 μm and is used as a metal film for a plating base. A laser (for example,
A Q-switched YAG laser beam is applied in the same manner as in Examples 1-9. By this laser beam irradiation, the metal film in the plating unnecessary area is removed, and the metal film remains only in the plating area of the circuit pattern.

【0067】 残存の金属膜を陰極として電気めっき
を選択的に行い回路板を得る。実施例10の場合、触媒
機能を消失させる部分や金属膜を除去する部分では粗化
がされていないため、触媒の除去、不活性化あるいは金
属除去が確実になされめっき不要域にはめっき膜が生成
されず、また、めっき必要域は粗化面であるためめっき
膜が強固に付着している。
Using the remaining metal film as a cathode, electroplating is selectively performed to obtain a circuit board. In the case of Example 10, since the portion where the catalytic function is lost and the portion where the metal film is removed are not roughened, the removal of the catalyst, the deactivation or the metal removal is surely performed, and the plating film is not formed in the plating unnecessary area. It is not generated, and since the plating required area is a roughened surface, the plating film is firmly attached.

【0068】−実施例11− 実施例11では、図17の(b)にみるように、レーザ
ビームの照射の際に基材1の一部も削りとるようにして
回路板を得る。 ABS、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、アル
ミナセラミックス等の絶縁基材の表面をクロム酸、KO
H水溶液、リン酸等で処理して粗化する。
-Embodiment 11-In Embodiment 11, as shown in FIG. 17 (b), a circuit board is obtained by shaving a part of the base material 1 upon irradiation with a laser beam. The surface of the insulating base material such as ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, alumina ceramics is coated with chromic acid or KO.
It is roughened by treatment with an aqueous solution of H, phosphoric acid and the like.

【0069】 粗化のあと、図17の(a)にみるよ
うに、絶縁基材1をPdを含有する液に浸漬してから活
性化してPd核付けを行う(めっき触媒機能を付与す
る)。 図17の(b)にみるように、絶縁基材の表面のめ
っき不要域にレーザ(例えば、YAGレーザ)ビーム
を、実施例1〜10と同様の方法で照射する。このレー
ザビーム照射は、絶縁基材のめっき不要域部分の表面を
Pdとともに削りとるように行うもので、レーザ照射エ
ネルギーは、5〜50J/cm2 程度とする。
After the roughening, as shown in FIG. 17A, the insulating base material 1 is dipped in a liquid containing Pd and then activated to perform Pd nucleation (adding a plating catalyst function). . As shown in FIG. 17B, a laser (for example, YAG laser) beam is applied to the non-plating area on the surface of the insulating base material in the same manner as in Examples 1 to 10. This laser beam irradiation is performed so as to scrape the surface of the insulating base material in the unnecessary plating region together with Pd, and the laser irradiation energy is set to about 5 to 50 J / cm 2 .

【0070】 Pd除去後、図17の(c)にみるよ
うに、無電解銅めっき液に浸漬して、レーザビーム未照
射のめっき必要域のみに無電解銅めっきを施すと、回路
板が得られる。この他、以下のようにして回路板を得て
もよい。 ポリイミド、ABS、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー、アルミナセラミックス等の絶縁基材の表面をプ
ラズマ処理して粗化する。
After removing Pd, as shown in FIG. 17C, the circuit board is obtained by immersing in an electroless copper plating solution and performing electroless copper plating only on the plating-required area not irradiated with the laser beam. To be In addition, the circuit board may be obtained as follows. The surface of an insulating base material such as polyimide, ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, or alumina ceramics is plasma-treated to be roughened.

【0071】 スパッタリング等で基材表面にCu,
Ni,Pd,Cr,Ag等の金属膜を0.1〜2μmの
厚みに形成し、めっき下地用の金属膜とする。 絶縁基材の表面のめっき不要域にレーザ(例えば、
QスイッチYAGレーザ)ビームを、実施例1〜10と
同様の方法で照射する。このレーザビーム照射は、絶縁
基材のめっき不要域部分の表面を金属膜とともに削りと
るように行うもので、レーザ照射エネルギーは、50〜
500μJ/pulseとする。
Cu on the surface of the substrate by sputtering or the like,
A metal film of Ni, Pd, Cr, Ag, or the like is formed to a thickness of 0.1 to 2 μm to form a metal film for a plating base. A laser (for example,
A Q-switched YAG laser beam is applied in the same manner as in Examples 1-10. This laser beam irradiation is carried out so as to scrape off the surface of the non-plating area of the insulating base material together with the metal film.
500 μJ / pulse.

【0072】このレーザビーム照射でめっき不要域の金
属膜は除去され、回路パターンのめっき必要域にのみ金
属膜が残る。 残存の金属膜を陰極として電気めっきを選択的に行
い回路板を得る。実施例10の場合、絶縁基材の一部を
も削るようにするため、触媒の除去あるいは金属膜除去
が確実になされ、めっき不要域にはめっき膜が生成され
るようなことはない。
By this laser beam irradiation, the metal film in the plating unnecessary region is removed, and the metal film remains only in the plating required region of the circuit pattern. Using the remaining metal film as a cathode, electroplating is selectively performed to obtain a circuit board. In the case of Example 10, since the insulating base material is also partially scraped, the removal of the catalyst or the removal of the metal film is ensured, and the plating film is not formed in the plating unnecessary area.

【0073】−実施例12− 実施例12では、図18の(c)にみるように、表面に
電磁波吸収率の高い層(酸化層22)を形成した基材を
用い、電磁波吸収率の高い層の上へ電磁波ビームを照射
する。基材表面にPd,Ag,Au,Cu,Ni,C
r,その合金のうちの少なくともいずれかの層をめっき
用触媒物質層やめっき下地用の金属膜として形成するの
であるが、これらの層は電磁波吸収率が低いために改善
した状態でビームを照射するのである。
Example 12 In Example 12, as shown in FIG. 18C, a base material having a layer (oxide layer 22) having a high electromagnetic wave absorption rate on the surface was used, and the electromagnetic wave absorptivity was high. Irradiate an electromagnetic beam onto the layer. Pd, Ag, Au, Cu, Ni, C on the substrate surface
At least one of r and its alloys is formed as a plating catalyst material layer or a metal film for a plating base, but these layers have a low electromagnetic wave absorptivity, so that they are irradiated with a beam in an improved state. To do.

【0074】 ポリイミド、ABS、ポリエーテルイ
ミド、液晶ポリマー、アルミナセラミックス等の図18
の(a)に示すような絶縁基材の表面をプラズマ処理し
て粗化する。 スパッタリング等で基材表面に上記Cu等を0.1
〜2μmの厚みに堆積し、図18の(b)に示すよう
に、金属膜21を形成する。
FIG. 18 shows polyimide, ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, alumina ceramics, etc.
The surface of the insulating base material as shown in (a) of FIG. 0.1% of Cu etc. on the substrate surface by sputtering etc.
Deposited to a thickness of ˜2 μm, and a metal film 21 is formed as shown in FIG.

【0075】 このCu等の金属膜表面を大気中で約
100℃に約1分加熱し、図18の(c)に示すよう
に、金属膜表面に酸化層22を電磁波吸収率の高い層と
して形成する。なお、酸化層22は、金属膜形成終了期
のスパッタ中に酸素ガスを導入する等の他の方法で金属
膜に重ね連続形成するようにしてもよい。 絶縁基材の表面のめっき不要域にレーザ(例えば、
QスイッチYAGレーザ)ビームを、図18の(d)に
示すように、実施例1〜11と同様の方法で照射する。
The surface of the metal film of Cu or the like is heated to about 100 ° C. in the atmosphere for about 1 minute, and as shown in FIG. 18C, the oxide layer 22 is formed on the surface of the metal film as a layer having a high electromagnetic wave absorption rate. Form. The oxide layer 22 may be continuously formed on the metal film by another method such as introducing oxygen gas during sputtering at the end of the metal film formation. A laser (for example,
A Q-switched YAG laser beam is applied in the same manner as in Examples 1 to 11, as shown in FIG.

【0076】このレーザビーム照射のエネルギーは、1
0〜300μJ/pulseとする。絶縁基材のめっき
不要域部分の表面を金属膜とともに削りとるように行っ
てもよい。このレーザビーム照射でめっき不要域の金属
膜は除去され、回路パターンのめっき必要域にのみ金属
膜が残る。
The energy of this laser beam irradiation is 1
It is set to 0 to 300 μJ / pulse. You may carry out so that the surface of the plating unnecessary area part of an insulating base material may be shaved off with a metal film. By this laser beam irradiation, the metal film in the plating unnecessary area is removed, and the metal film remains only in the plating area of the circuit pattern.

【0077】 残存の金属膜を陰極として電気めっき
を選択的に行い回路板を得る。この他、下記のようにし
て回路板を得てもよい。上記と同様に絶縁基材の表面
を粗化する。 スパッタリング等で基材表面に上記Cu,Ni,P
d,Cr,Ag等の金属膜を0.1〜2μmの厚みに形
成し、金属膜を形成する。
Electroplating is selectively performed using the remaining metal film as a cathode to obtain a circuit board. Alternatively, the circuit board may be obtained as follows. Similar to the above, the surface of the insulating base material is roughened. Cu, Ni, P on the surface of the substrate by sputtering etc.
A metal film of d, Cr, Ag or the like is formed to a thickness of 0.1 to 2 μm to form a metal film.

【0078】 そして、金属膜がCuならNiを、N
iならカーボンブラックを電磁波吸収率の高い層として
形成する。この後、上記,と同様にして回路板を得
る。実施例12の場合、レーザビーム吸収率が高くなる
ため、低いエネルギーのレーザビームでも、触媒の除去
や不活性化あるいは金属除去が確実になされるとともに
基材の損傷がなく、基材損傷に伴う非照射域端の凹凸形
成や金属膜あるいはめっき膜の剥離がない。
If the metal film is Cu, Ni
If i, carbon black is formed as a layer having a high electromagnetic wave absorption rate. After this, a circuit board is obtained in the same manner as above. In the case of Example 12, since the laser beam absorptance is high, even if the laser beam of low energy is used, the removal of the catalyst, the deactivation, and the removal of the metal are surely performed, and the base material is not damaged. No unevenness is formed at the edge of the non-irradiated area or the metal film or plating film is not peeled off.

【0079】−実施例13− 実施例13では基材表面にPd,Ag,Au,Cu,N
i,Crと熱伝導率を低下させる元素および/または融
点が低く蒸気圧の高い元素との合金を用いて、めっき触
媒機能の付与処理ないし金属膜形成処理を行い、回路板
を得る。 ポリイミド、ABS、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー、アルミナセラミックス等の絶縁基材の表面をプ
ラズマ処理して粗化する。
Example 13 In Example 13, Pd, Ag, Au, Cu and N were formed on the surface of the base material.
An alloy of i, Cr and an element that reduces thermal conductivity and / or an element that has a low melting point and a high vapor pressure is used to perform a plating catalyst function imparting process or a metal film forming process to obtain a circuit board. The surface of an insulating base material such as polyimide, ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, or alumina ceramics is plasma-treated to be roughened.

【0080】 スパッタリング等で基材表面に、例え
ば、Cu−10%〜20%Zn合金の金属(導電)膜を
0.1〜2μmの厚みに形成し、図19の(a)に示す
ように、金属膜22を形成する。プラズマ処理のあと大
気にさらすことなく金属膜22を形成することが望まし
い。 絶縁基材の表面のめっき不要域にレーザ(例えば、
QスイッチYAGレーザ)ビームを、図19の(b)に
示すように、実施例1〜11と同様の方法で照射する。
A metal (conductive) film of, for example, Cu-10% to 20% Zn alloy is formed to a thickness of 0.1 to 2 μm on the surface of the base material by sputtering or the like, and as shown in FIG. , The metal film 22 is formed. It is desirable to form the metal film 22 after plasma treatment without exposing it to the atmosphere. A laser (for example,
A Q-switched YAG laser beam is applied in the same manner as in Examples 1 to 11, as shown in FIG.

【0081】このレーザビーム照射のエネルギーは、1
0〜300μJ/pulseとする。絶縁基材のめっき
不要域部分の表面を金属膜とともに削りとるように行っ
てもよい。このレーザビーム照射でめっき不要域の金属
膜は除去され、回路パターンのめっき必要域にのみ金属
膜が残る。
The energy of this laser beam irradiation is 1
It is set to 0 to 300 μJ / pulse. You may carry out so that the surface of the plating unnecessary area part of an insulating base material may be shaved off with a metal film. By this laser beam irradiation, the metal film in the plating unnecessary area is removed, and the metal film remains only in the plating area of the circuit pattern.

【0082】 残存の金属膜を陰極として電気めっき
を行うか、あるいは無電解めっきを行い回路板を得る。
この他、下記のようにして回路板を得てもよい。上記
と同様にして絶縁基材の表面を粗化する。 スパッタリング等で基材表面に、例えば、Cu−A
l合金等の熱伝導率の低い金属膜を0.1〜2μmの厚
みで形成する。
The remaining metal film is used as a cathode for electroplating or electroless plating to obtain a circuit board.
Alternatively, the circuit board may be obtained as follows. The surface of the insulating base material is roughened in the same manner as described above. For example, Cu-A on the substrate surface by sputtering or the like.
A metal film having a low thermal conductivity such as a 1-alloy is formed with a thickness of 0.1 to 2 μm.

【0083】上記と同様にしてレーザビームの照射を
行い、回路パターンのめっき必要域にのみ金属膜を残
す。上記と同様にめっきを行い回路板を得る。実施例
13の場合、熱伝導率の低下で照射エネルギーが拡散し
にくくなり、融点が低く蒸気圧の高い元素(例えばZn
やSnなど)の添加で比較的低温で金属層等の除去が可
能となるため、低エネルギーのレーザビームでも、触媒
の除去や不活性化あるいは金属膜除去が確実にできると
ともに、基材の損傷がなく、基材損傷に伴う非照射域端
の凹凸形成や金属膜あるいはめっき膜等の剥離がない。
Laser beam irradiation is performed in the same manner as described above, and the metal film is left only in the plating-required area of the circuit pattern. Plating is performed in the same manner as above to obtain a circuit board. In the case of Example 13, an element having a low melting point and a high vapor pressure (for example, Zn
(Sn, Sn, etc.) makes it possible to remove the metal layer, etc. at a relatively low temperature. Therefore, even with a low-energy laser beam, it is possible to reliably remove the catalyst, deactivate it, or remove the metal film, and damage the substrate. There is no unevenness at the edge of the non-irradiated area or peeling of the metal film or plating film due to damage to the base material.

【0084】−実施例14− 実施例14では、選択めっき過程での電磁波ビームの照
射制御用データとして、基材表面に形成する回路パター
ンのCAD情報を用いる。CAD情報を照射位置やスポ
ット径(照射幅)を決定する基礎データとして使うので
ある。 回路部中心線データ、回路幅データより回路/非回
路境界線を算出する。
Example 14 In Example 14, CAD information of the circuit pattern formed on the surface of the base material is used as the irradiation control data of the electromagnetic beam in the selective plating process. The CAD information is used as basic data for determining the irradiation position and the spot diameter (irradiation width). The circuit / non-circuit boundary line is calculated from the circuit part center line data and the circuit width data.

【0085】 非回路部幅の最小値を算出する。 レーザスポット径の非回路幅の最小値以下に調整す
る。 レーザスポット径の半径に相当するオフセット量を
算出する。 回路/非回路境界線より非回路部にオフセットした
レーザ照射中心線を算出する。
The minimum value of the non-circuit part width is calculated. Adjust so that the laser spot diameter is less than the minimum non-circuit width. An offset amount corresponding to the radius of the laser spot diameter is calculated. A laser irradiation center line offset from the circuit / non-circuit boundary line to the non-circuit portion is calculated.

【0086】 レーザ停止期間が最小となるように
(照射する連続した輪郭線から他の輪郭線へのレーザ照
射を伴わない照射位置の移動長さの合計が最小となるよ
うに)照射順序を決定する。 ,のデータをガルバノミラー制御装置に入力
し、レーザ走査を行う。以上を、図20にフローチャー
ト化して示す。
The irradiation order is determined so that the laser stop period is minimized (the total movement length of irradiation positions from the continuous contour line to be irradiated to another contour line without laser irradiation is minimized). To do. The data of and are input to the galvanometer mirror control device to perform laser scanning. The above is shown as a flowchart in FIG.

【0087】実施例14では、電磁波ビームの照射制御
用データとして、基材表面に形成する回路パターンのC
AD情報を用いるため、必要な照射位置やスポット径
(照射幅)の決定が迅速に行え、全体の処理時間の短縮
が図れる。 −実施例15− 実施例15では、基材がレーザ透過性材料からなる基材
を用いて選択めっきを行い回路板を得る。
In the fourteenth embodiment, C of the circuit pattern formed on the surface of the substrate is used as the irradiation control data of the electromagnetic wave beam.
Since the AD information is used, the necessary irradiation position and spot diameter (irradiation width) can be quickly determined, and the overall processing time can be shortened. -Example 15-In Example 15, a circuit board is obtained by performing selective plating by using a base material whose base material is a laser-transmissive material.

【0088】 ポリエーテルイミド等のYAGレーザ
を透過する絶縁基材の表面をプラズマ処理して粗化す
る。 スパッタリング等で基材表面に上記Cu等の金属膜
を0.1〜2μmの厚みに形成する。プラズマ処理後、
大気にさらすことなく金属膜形成を行うことが望まし
い。
The surface of the insulating base material that transmits a YAG laser such as polyetherimide is roughened by plasma treatment. The metal film of Cu or the like is formed to a thickness of 0.1 to 2 μm on the surface of the base material by sputtering or the like. After plasma treatment,
It is desirable to form the metal film without exposing it to the atmosphere.

【0089】 絶縁基材の表面のめっき不要域にレー
ザ(例えば、QスイッチYAGレーザ)ビームを、図2
1の(a)にみるように、前述の各実施例1〜14と同
様の方法で照射する。このレーザビーム照射のエネルギ
ーは、50〜500μJ/pulseとする。絶縁基材
のめっき不要域部分の表面を金属膜とともに削りとるよ
うに行ってもよい。レーザビーム照射でめっき不要域の
金属膜は除去され、回路パターンのめっき必要域にのみ
金属膜が残る。
A laser (for example, a Q-switch YAG laser) beam is applied to a non-plating area on the surface of the insulating base material as shown in FIG.
Irradiation is performed in the same manner as in each of Examples 1 to 14 described above, as shown in 1 (a). The energy of this laser beam irradiation is set to 50 to 500 μJ / pulse. You may carry out so that the surface of the plating unnecessary area part of an insulating base material may be shaved off with a metal film. The metal film in the plating unnecessary area is removed by the laser beam irradiation, and the metal film remains only in the plating required area of the circuit pattern.

【0090】 残存の金属膜を陰極として電気めっき
を行うか、あるいは、無電解めっきを行い回路板を得
る。金属膜等が除去されるよりも、多少大きなレーザビ
ームを照射しても基材に損傷がないため、条件コントロ
ールが容易である。この他、次のようにして回路板を得
てもよい。
Electroplating is performed using the remaining metal film as a cathode, or electroless plating is performed to obtain a circuit board. It is easier to control the conditions because the base material is not damaged even if a slightly larger laser beam is irradiated than when the metal film or the like is removed. Alternatively, the circuit board may be obtained as follows.

【0091】上記,と同様に粗化・金属膜形成を行
う。 絶縁基材のめっき不要域にレーザ(例えば、Qスイ
ッチYAGレーザ)ビームを、図21の(b)にみるよ
うに、基材裏面から前述の各実施例1〜14と同様の方
法で照射する。このレーザビーム照射のエネルギーは、
50〜500μJ/pulseとする。絶縁基材のめっ
き不要域部分の表面を金属膜とともに削りとるように行
ってもよい。レーザビーム照射でめっき不要域の金属膜
は除去され、回路パターンのめっき必要域にのみ金属膜
が残る。
Roughening and metal film formation are performed in the same manner as above. A non-plating area of the insulating base material is irradiated with a laser (for example, a Q-switch YAG laser) beam from the back surface of the base material in the same manner as in each of Examples 1 to 14 as shown in FIG. . The energy of this laser beam irradiation is
50 to 500 μJ / pulse. You may carry out so that the surface of the plating unnecessary area part of an insulating base material may be shaved off with a metal film. The metal film in the plating unnecessary area is removed by the laser beam irradiation, and the metal film remains only in the plating required area of the circuit pattern.

【0092】条件コントロールの容易性に加え、基材か
らでる飛散物がレーザのレンズ等光学系に付着したり、
光路を飛散物が妨害して入射エネルギーが変化すること
もない。上記と同様にして回路板を得る。さらに、次
のようにして回路板を得てもよい。
In addition to the ease of controlling the conditions, scattered matter from the substrate adheres to the optical system such as the lens of the laser,
The incident energy does not change due to the scattered matter obstructing the optical path. A circuit board is obtained in the same manner as above. Furthermore, you may obtain a circuit board as follows.

【0093】上記,と同様に粗化・金属膜形成を行
う。 絶縁基材2枚ないし複数枚を位置合わせして重ね、
めっき不要域にレーザ(例えば、QスイッチYAGレー
ザ)ビームを、図21の(c)にみるように、基材裏面
から前述の各実施例1〜14と同様の方法で照射する。
このレーザビーム照射のエネルギーは、50〜500μ
J/pulseとする。絶縁基材のめっき不要域部分の
表面を金属膜とともに削りとるように行ってもよい。レ
ーザビーム照射でめっき不要域の金属膜は除去され、回
路パターンのめっき必要域にのみ金属膜が残る。
Roughening and metal film formation are performed in the same manner as above. Two or more insulating base materials are aligned and stacked,
A laser (for example, a Q-switch YAG laser) beam is applied to the non-plating area from the back surface of the base material in the same manner as in each of Examples 1 to 14 as shown in FIG.
The energy of this laser beam irradiation is 50 to 500 μ.
J / pulse. You may carry out so that the surface of the plating unnecessary area part of an insulating base material may be shaved off with a metal film. The metal film in the plating unnecessary area is removed by the laser beam irradiation, and the metal film remains only in the plating required area of the circuit pattern.

【0094】条件コントロールの容易性、飛散物の問題
解消に加え、複数枚の同時処理が可能となる。上記と
同様にして回路板を得る。実施例15の場合、照射条件
の緩和や、飛散物の問題解消、複数枚の同時処理が可能
となる。
In addition to the ease of condition control and the problem of scattered objects, it is possible to process a plurality of sheets at the same time. A circuit board is obtained in the same manner as above. In the case of the fifteenth embodiment, it becomes possible to relax the irradiation conditions, solve the problem of scattered objects, and simultaneously process a plurality of sheets.

【0095】−実施例16− 実施例16では、実施例1〜15のいずれかで用いた選
択めっき方法により、立体形状の基材表面に回路パター
ンを形成し回路板を得る。 ポリイミド、ABS、ポリエーテルイミド、液晶ポ
リマー、アルミナセラミックス等の絶縁基材の立体形状
の表面をプラズマ処理して粗化する。
Example 16 In Example 16, a circuit pattern is formed on the surface of a three-dimensional base material by the selective plating method used in any of Examples 1 to 15 to obtain a circuit board. A three-dimensional surface of an insulating base material such as polyimide, ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, or alumina ceramics is subjected to plasma treatment for roughening.

【0096】 スパッタリング等で基材表面にCu,
Ni,Pd,Cr,Ag等の金属膜を0.1〜2μmの
厚みに形成し、めっき下地用の金属膜とする。 そして、図22にみるように、基材1をXYテーブ
ルにのせ、位置決めした立体形状の基材表面のめっき不
要域の輪郭線沿いや内側などにレーザ(例えば、Qスイ
ッチYAGレーザ)ビームを、例えばガルバノミラー
(又はポリゴンミラー)を介して照射し、基材1の表面
を走査するようにする。ガルバノミラーの視点から見え
ない範囲は、XYテーブルで視野範囲となるように基材
の移動を行い、同様にレーザビームを照射する。
Cu on the surface of the substrate by sputtering or the like,
A metal film of Ni, Pd, Cr, Ag, or the like is formed to a thickness of 0.1 to 2 μm to form a metal film for a plating base. Then, as shown in FIG. 22, the substrate 1 is placed on an XY table, and a laser (for example, Q-switch YAG laser) beam is emitted along or inside the contour line of the plating-free region on the surface of the positioned three-dimensional substrate. For example, irradiation is performed through a galvano mirror (or polygon mirror) to scan the surface of the base material 1. In the range that cannot be seen from the viewpoint of the galvanometer mirror, the base material is moved so as to be in the visual field range on the XY table, and the laser beam is similarly irradiated.

【0097】レーザパワーは、例えば、10〜300μ
J/pulseとする。また、金属膜と同時に基材の一
部を削るようにしてもよい。レーザビーム照射でめっき
不要域の金属膜は除去され、回路パターンのめっき必要
域にのみ金属膜が残る。 残存の金属膜を陰極として電気めっきを選択的に行
えば、立体回路板が得られる。
The laser power is, for example, 10 to 300 μm.
J / pulse. Further, a part of the base material may be shaved at the same time as the metal film. The metal film in the plating unnecessary area is removed by the laser beam irradiation, and the metal film remains only in the plating required area of the circuit pattern. A three-dimensional circuit board can be obtained by selectively performing electroplating using the remaining metal film as a cathode.

【0098】また、以下のようにして回路板を得ること
も出来る。上の,と同様に粗化および金属膜形成を
行う。 そして、図23にみるように、位置決めした立体形
状の基材表面のめっき不要域の輪郭線沿いや内側などに
レーザ(例えば、QスイッチYAGレーザ)ビームを、
例えばガルバノミラー(又はポリゴンミラー)を介して
照射し、ガルバノミラーの視点から見える範囲、およ
び、Zミラーを介して見える範囲を走査する。
The circuit board can be obtained as follows. Similar to the above, roughening and metal film formation are performed. Then, as shown in FIG. 23, a laser (for example, Q-switch YAG laser) beam is emitted along or along the contour line of the plating-free area on the surface of the positioned three-dimensional base material,
For example, irradiation is performed through a galvano mirror (or polygon mirror), and a range visible from the viewpoint of the galvano mirror and a range visible through the Z mirror are scanned.

【0099】レーザパワーは、例えば、10〜300μ
J/pulseとする。また、金属膜と同時に基材の一
部を削るようにしてもよい。レーザビーム照射でめっき
不要域の金属膜は除去され、回路パターンのめっき必要
域にのみ金属膜が残る。上記と同様に電気めっきを行
えば、立体回路板が得られる。さらに、以下のようにし
て回路板を得ることも出来る。
The laser power is, for example, 10 to 300 μm.
J / pulse. Further, a part of the base material may be shaved at the same time as the metal film. The metal film in the plating unnecessary area is removed by the laser beam irradiation, and the metal film remains only in the plating required area of the circuit pattern. If electroplating is performed in the same manner as above, a three-dimensional circuit board can be obtained. Further, the circuit board can be obtained as follows.

【0100】上の,と同様に粗化および金属膜形成
を行う。 そして、図24にみるように、位置決めした立体形
状の基材1の表面のめっき不要域の輪郭線沿いや内側な
どにレーザ(例えば、QスイッチYAGレーザ)ビーム
を、ハーフミラーで分割し、第1(左側)のガルバノミ
ラー(又はポリゴンミラー)を介して照射し、第1のガ
ルバノミラーの視点から見える範囲を走査するととも
に、第1のガルバノミラーの視点から見えない範囲を、
この範囲の見える視点に位置する第2(右側)のガルバ
ノミラー(又はポリゴンミラー)を介して照射し走査す
る。 第1のガルバノミラーによる照射のあと第2のガ
ルバノミラーによる照射を行うようにしてもよいし、2
台のレーザ発振機またはビームスプリッタで2本のビー
ムを得て、第1のガルバノミラーによる照射と第2のガ
ルバノミラーによる照射を同時に行うようにしてもよ
い。
Roughening and metal film formation are performed in the same manner as above. Then, as shown in FIG. 24, a laser (for example, a Q switch YAG laser) beam is split by a half mirror along or inside the contour line of the plating-free area on the surface of the positioned three-dimensional base material 1, and Irradiate through the 1 (left side) galvanometer mirror (or polygon mirror), scan the range visible from the viewpoint of the first galvanometer mirror, and scan the range not visible from the viewpoint of the first galvanometer mirror.
Irradiation and scanning are performed through a second (right) galvanometer mirror (or polygon mirror) located at a view point in this range. Irradiation by the second galvano-mirror may be performed after irradiation by the first galvano-mirror.
It is also possible to obtain two beams with a single laser oscillator or beam splitter and perform irradiation with the first galvanometer mirror and irradiation with the second galvanometer mirror at the same time.

【0101】レーザパワーは、例えば、10〜300μ
J/pulseとする。また、金属膜と同時に基材の一
部を削るようにしてもよい。レーザビーム照射でめっき
不要域の金属膜は除去され、回路パターンのめっき必要
域にのみ金属膜が残る。上記と同様に電気めっきを行
えば、立体回路板が得られる。以上の他、以下のように
して回路板を得ることも出来る。
The laser power is, for example, 10 to 300 μm.
J / pulse. Further, a part of the base material may be shaved at the same time as the metal film. The metal film in the plating unnecessary area is removed by the laser beam irradiation, and the metal film remains only in the plating required area of the circuit pattern. If electroplating is performed in the same manner as above, a three-dimensional circuit board can be obtained. In addition to the above, the circuit board can be obtained as follows.

【0102】上の,と同様に粗化および金属膜形成
を行う。 そして、図25にみるように、位置決めした立体形
状の基材1の表面のめっき不要域の輪郭線沿いや内側な
どにレーザ(例えば、QスイッチYAGレーザ)ビーム
を、XYガルバノミラー(又はポリゴンミラー)を介し
て照射し、XYガルバノミラーの視点から見える範囲お
よびZミラーを介して見える範囲を走査する。
Roughening and metal film formation are performed in the same manner as above. Then, as shown in FIG. 25, a laser (for example, a Q switch YAG laser) beam is emitted along an XY galvanometer mirror (or a polygon mirror) along or inside a contour line of an unnecessary plating area on the surface of the positioned three-dimensional base material 1. ) And scan the range visible from the viewpoint of the XY galvanometer mirror and the range visible via the Z mirror.

【0103】レーザパワーは、例えば、10〜300μ
J/pulseとする。また、金属膜と同時に基材の一
部を削るようにしてもよい。このレーザビーム照射でめ
っき不要域の金属膜は除去され、回路パターンのめっき
必要域にのみ金属膜が残る。この時、パターン形成域で
の段差以上の焦点しんど有するレンズを用いてレーザビ
ームを集光する。例えば、段差が±5mm程度であれ
ば、焦点距離がおよそ300mmのレンズで良いが、段
差が±10mm程度であれば、焦点距離がおよそ600
mmのレンズを使う。ここで、焦点深度とは、基材表面
とレンズの焦点距離からのずれの許容幅を意味し、許容
幅内にあれば金属膜が適切に除去されることになる。こ
の発明の場合、基材表面の凹凸形状に応じて電磁波ビー
ムの照射幅を制御する第3の形態の一態様として、この
実施例のように、基材表面の立体形状に合うレンズを選
択する形態が含まれるのである。
The laser power is, for example, 10 to 300 μm.
J / pulse. Further, a part of the base material may be shaved at the same time as the metal film. By this laser beam irradiation, the metal film in the plating unnecessary area is removed, and the metal film remains only in the plating area of the circuit pattern. At this time, the laser beam is focused by using a lens having a focus lens which is equal to or larger than the step in the pattern formation area. For example, if the step difference is about ± 5 mm, a lens having a focal length of about 300 mm may be used, but if the step difference is about ± 10 mm, the focal length is about 600 mm.
Use a mm lens. Here, the depth of focus means a permissible width of deviation from the focal length of the substrate surface and the lens, and within the permissible width, the metal film is appropriately removed. In the case of the present invention, as one aspect of the third mode for controlling the irradiation width of the electromagnetic wave beam according to the uneven shape of the base material surface, as in this embodiment, a lens suitable for the three-dimensional shape of the base material surface is selected. Morphology is included.

【0104】上記と同様に電気めっきを行えば、立体
回路板が得られる。実施例16では、立体回路板をレジ
ストマスクを使わずに得ることが出来る。
If electroplating is performed in the same manner as above, a three-dimensional circuit board can be obtained. In Example 16, a three-dimensional circuit board can be obtained without using a resist mask.

【0105】[0105]

【発明の効果】めっき不要域へ照射する電磁波ビームの
幅をビームのスポット形状や移動速度を変えてパターン
の太・細に合わせて照射ビームの幅を制御すると、太い
部分に必要以上に時間がかからず迅速に処理が行える。
めっき不要域へ照射する電磁波ビームの照射中または照
射直後に照射幅を計測し、この計測結果に基づき電磁波
ビームの照射幅を制御すると、照射ビームの幅が常に所
望の値に保たれるため、めっきパターンは正確である。
EFFECTS OF THE INVENTION If the width of the electromagnetic beam for irradiating the non-plating area is changed according to the pattern thickness or thinness by changing the beam spot shape or the moving speed, the width of the irradiation beam is controlled so that the thick portion takes longer time than necessary. It can be processed quickly without the need.
The irradiation width is measured during or immediately after the irradiation of the electromagnetic wave beam to the plating-free area, and if the irradiation width of the electromagnetic wave beam is controlled based on this measurement result, the width of the irradiation beam is always kept at the desired value. The plating pattern is accurate.

【0106】めっき不要域へ照射する電磁波ビームの照
射幅を基材表面の凹凸形状に応じて制御すると、照射ビ
ームの幅が所望の値に保たれるため、めっきパターンは
正確である。めっき不要域へ照射する電磁波ビームとし
て、エネルギー分布の周辺が急峻で境界がシャープなモ
ードのレーザビームを用いると、めっき終了後のめっき
域と非めっき域の境界が明瞭で仕上げ精度が向上する。
When the irradiation width of the electromagnetic wave beam for irradiating the non-plating area is controlled according to the uneven shape of the substrate surface, the width of the irradiation beam is maintained at a desired value, so that the plating pattern is accurate. When a laser beam with a sharp energy distribution periphery and a sharp boundary is used as an electromagnetic wave beam for irradiating the non-plating area, the boundary between the plated area and the non-plated area after plating is clear and the finishing accuracy is improved.

【0107】めっき不要域へ照射する電磁波ビームを、
電磁波ビームの縁を遮光するビーム整形用マスクを介し
て基材表面に照射すると、めっき終了後のめっき域と非
めっき域の境界が明瞭で仕上げ精度が向上する。めっき
不要域へ照射する電磁波ビームのスポット形状を、四角
型、長四角型、あるいは、長円型とすると、めっき終了
後のめっき域と非めっき域の境界が明瞭で仕上げ精度が
向上する上、スポット形状の長辺の方向にレーザビーム
を移動させる時は高速処理ができる。
The electromagnetic wave beam for irradiating the plating unnecessary area is
When the surface of the base material is irradiated through a beam shaping mask that shields the edges of the electromagnetic wave, the boundary between the plated area and the non-plated area after the plating is complete and the finishing accuracy is improved. If the spot shape of the electromagnetic wave beam that irradiates the non-plating area is square, oblong, or oval, the boundary between the plated and non-plated areas after plating is clear and the finishing accuracy is improved. High-speed processing can be performed when moving the laser beam in the direction of the long side of the spot shape.

【0108】めっき不要域へ照射する電磁波ビームと基
材の相対的な移動に対して相対的な振動を重畳させる
と、めっき終了後のめっき域と非めっき域の境界が明瞭
で仕上げ精度が向上するし、また、スポット系より太い
照射パターンが一度の走査で描ける。めっき不要域へパ
ルス状(間歇的)に照射する電磁波ビームを、その移動
方向に隣り合うビームスポット同士がそれぞれの外周で
一部重なるようにすると、回路保護用サージアレスタに
使える先端の尖った金属膜の対面構造で出来る。
When the relative vibration is superimposed on the relative movement of the electromagnetic wave beam irradiating the non-plating area and the base material, the boundary between the plated area and the non-plated area after the plating is completed is clear and the finishing accuracy is improved. Moreover, an irradiation pattern thicker than that of the spot system can be drawn by one scanning. A sharp-pointed metal that can be used for surge arresters for circuit protection, by making pulse spots (intermittently) irradiate the non-plating area in a pulse direction so that adjacent beam spots in the movement direction partially overlap each other on their outer circumferences. It can be formed by the facing structure of the membrane.

【0109】めっき不要域へパルス状(間歇的)に照射
する電磁波ビームを、その移動方向に隣り合うビームス
ポット同士がそれぞれの外周で一部重なるようにすると
ともに、隣り合う列の間でのピームスポットの間歇移動
は互いの移動ピッチが約1/2ピッチずつずれるように
して行うと、金属膜部分の尖った部分の向き合う距離が
長くなり、放電が起こり難く、絶縁劣化が抑えられる。
Electromagnetic beams for irradiating the non-plating area in a pulse shape (intermittently) are arranged such that beam spots adjacent to each other in the moving direction partially overlap each other on their outer circumferences, and the beam between adjacent columns is separated. If the spots are intermittently moved such that the movement pitches of the spots are shifted from each other by about 1/2 pitch, the facing distance of the pointed portions of the metal film becomes longer, discharge is less likely to occur, and insulation deterioration is suppressed.

【0110】基材として、めっき必要域のみが選択的に
粗化されている基材を用いると、めっき不要域にはめっ
き膜が生成されず、また、めっき必要域は粗化面である
ためめっき膜が強固に付着している。めっき不要域への
レーザビームの照射の際に基材の一部も削りとるように
すると、めっき不要域にはめっき膜が生成されることが
確実になくなる。
When a base material in which only the required plating area is selectively roughened is used as the base material, a plating film is not formed in the unnecessary plating area, and the required plating area is a roughened surface. The plating film is firmly attached. If a part of the base material is also scraped off when the laser beam is applied to the non-plating area, it is ensured that a plating film is not formed in the non-plating area.

【0111】基材の表面に電磁波吸収率の高い層を形成
した状態で電磁波ビームを照射すると、低いエネルギー
のレーザビームでも、触媒の除去や不活性化あるいは金
属除去が確実に行える。基材表面にPd,Ag,Au,
Cu,Ni,Crと熱伝導率を低下させる元素および/
または融点が低く蒸気圧の高い元素との合金を用いて、
めっき触媒機能の付与処理ないし金属膜形成処理を行う
と、触媒層や金属膜が除去され易くなるため、低エネル
ギーのレーザビームでも、触媒の除去や不活性化あるい
は金属膜除去が確実にできるようになる。
When the electromagnetic wave beam is applied in the state where the layer having a high electromagnetic wave absorptivity is formed on the surface of the base material, the removal of the catalyst, the deactivation, and the removal of the metal can be surely performed even with the laser beam of low energy. Pd, Ag, Au,
Cu, Ni, Cr and elements that lower the thermal conductivity and /
Or using an alloy with an element having a low melting point and a high vapor pressure,
When the plating catalyst function imparting process or the metal film forming process is performed, the catalyst layer and the metal film are easily removed, so that it is possible to reliably remove the catalyst, deactivate it, or remove the metal film even with a low-energy laser beam. become.

【0112】電磁波ビームの照射制御用データとして、
基材表面に形成する回路パターンのCAD情報を用いる
と、CAD情報を照射位置やスポット径(照射幅)を迅
速に決定することができる。基材がレーザ透過性材料か
らなる基材を用いると、レーザビーム照射条件コントロ
ールの容易性、さらには、飛散物の問題解消や複数枚の
同時処理が可能となる。
As the irradiation control data of the electromagnetic beam,
By using the CAD information of the circuit pattern formed on the surface of the base material, the irradiation position and spot diameter (irradiation width) of the CAD information can be quickly determined. When a base material made of a laser-transmissive material is used, it is possible to easily control the laser beam irradiation conditions, solve the problem of scattered matter, and simultaneously process a plurality of sheets.

【0113】この発明の選択めっき方法で立体形状の基
材表面にめっきを行えば、立体回路板を得ることができ
る。
A three-dimensional circuit board can be obtained by plating the surface of a three-dimensional base material by the selective plating method of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 デフォーカス量調整によるレーザビーム照射
幅の制御の説明図。
FIG. 1 is an explanatory diagram of control of a laser beam irradiation width by adjusting a defocus amount.

【図2】 エネルギー強度調整によるレーザビーム照射
幅の制御の説明図。
FIG. 2 is an explanatory diagram of control of a laser beam irradiation width by adjusting energy intensity.

【図3】 移動速度調整によるレーザビームの照射幅の
制御の説明図。
FIG. 3 is an explanatory diagram of control of an irradiation width of a laser beam by adjusting a moving speed.

【図4】 実施例1での基板表面へのレーザビーム照射
を示す説明図。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing laser beam irradiation on a substrate surface in Example 1.

【図5】 実施例2での基板表面へのレーザビーム照射
を示す説明図。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing laser beam irradiation on a substrate surface in Example 2.

【図6】 実施例3での基板表面へのレーザビーム照射
を示す説明図。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing laser beam irradiation on the substrate surface in Example 3.

【図7】 実施例3での基板表面におけるZ位置算出の
説明図。
FIG. 7 is an explanatory diagram of Z position calculation on the substrate surface in the third embodiment.

【図8】 実施例4におけるレーザビームのモード説明
図。
FIG. 8 is an explanatory diagram of a laser beam mode according to the fourth embodiment.

【図9】 実施例4で使う環状レーザビームを示す説明
図。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing an annular laser beam used in a fourth embodiment.

【図10】 実施例5での基板表面へのレーザビーム照射
を示す説明図。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing laser beam irradiation on a substrate surface in Example 5.

【図11】 実施例5での基板表面への他のレーザビーム
照射を示す説明図。
FIG. 11 is an explanatory diagram showing another laser beam irradiation on the substrate surface in the fifth embodiment.

【図12】 実施例6でのレーザビーム照射軌跡を示す説
明図。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a laser beam irradiation trajectory in the sixth embodiment.

【図13】 実施例7でのレーザビーム照射軌跡を示す説
明図。
FIG. 13 is an explanatory diagram showing a laser beam irradiation trajectory in the seventh embodiment.

【図14】 実施例8での回路パターンを示す説明図。FIG. 14 is an explanatory diagram showing a circuit pattern according to an eighth embodiment.

【図15】 実施例9での回路パターンを示す説明図。FIG. 15 is an explanatory diagram showing a circuit pattern according to a ninth embodiment.

【図16】 実施例10での回路板製造過程を示す説明
図。
FIG. 16 is an explanatory diagram showing a circuit board manufacturing process according to the tenth embodiment.

【図17】 実施例11での回路板製造過程を示す説明
図。
FIG. 17 is an explanatory diagram showing a circuit board manufacturing process in Example 11.

【図18】 実施例12での回路板製造過程を示す説明
図。
FIG. 18 is an explanatory diagram showing a circuit board manufacturing process according to a twelfth embodiment.

【図19】 実施例13でのレーザビーム照射経過を示す
説明図。
FIG. 19 is an explanatory diagram showing a laser beam irradiation process in Example 13.

【図20】 実施例14での照射制御データ決定過程を示
すフローチャート
FIG. 20 is a flowchart showing an irradiation control data determination process in the fourteenth embodiment.

【図21】 実施例15での基板へのレーザビーム照射を
示す説明図。
21 is an explanatory diagram showing laser beam irradiation on a substrate in Example 15. FIG.

【図22】 実施例16での基板表面へのレーザビーム照
射を示す説明図。
FIG. 22 is an explanatory diagram showing laser beam irradiation on the substrate surface in Example 16.

【図23】 実施例16での他の基板表面へのレーザビー
ム照射を示す説明図
FIG. 23 is an explanatory diagram showing laser beam irradiation to another substrate surface in Example 16.

【図24】 実施例16での他の基板表面へのレーザビー
ム照射を示す説明図
FIG. 24 is an explanatory diagram showing laser beam irradiation to another substrate surface in Example 16.

【図25】 実施例16での他の基板表面へのレーザビー
ム照射を示す説明図
FIG. 25 is an explanatory diagram showing laser beam irradiation to another substrate surface in Example 16.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁基材 5 回路パターン 6 細いビーム 7 太いビーム 1 Insulating substrate 5 Circuit pattern 6 Thin beam 7 Thick beam

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内野々 良幸 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 中嶋 勲二 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 鈴木 俊之 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 北村 啓明 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoshiyuki Uchino, 1048 Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture, Matsushita Electric Works Co., Ltd. (72) Keiji Nakajima, 1048, Kadoma, Kadoma City, Osaka, Matsuda Electric Works (72) Inventor Toshiyuki Suzuki, 1048, Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture, Matsushita Electric Works Co., Ltd. (72) Hiroaki Kitamura, 1048, Kadoma, Kadoma City, Osaka, Matsushita Electric Works, Ltd.

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基材表面に対しめっき触媒機能を付与す
る処理または金属膜を形成する処理を施した後、基材表
面のめっき不要域上に電磁波ビームを照射することによ
りめっき不要域のめっき触媒機能または金属膜を選択的
に消失させてから、前記基材表面における電磁波ビーム
未照射のめっき必要域上に選択的にめっき膜を形成する
選択めっき方法において、前記基材と電磁波ビームの相
対的な移動によりめっき不要域上における電磁波ビーム
の照射位置の移動を行うとともに、前記電磁波ビームの
スポット形状および移動速度のうちの少なくとも一方を
変えることにより電磁波ビームの照射幅を制御するよう
にすることを特徴とする選択めっき方法。
1. A plating in an unplated area by irradiating an electromagnetic wave beam onto the unplated area on the substrate surface after performing a treatment for imparting a plating catalyst function or a treatment for forming a metal film on the substrate surface. In the selective plating method of selectively eliminating the catalytic function or the metal film, and then selectively forming a plating film on the plating-required area on the surface of the base material which has not been irradiated with the electromagnetic wave beam, in the relative plating of the base material and the electromagnetic wave beam, Of the irradiation position of the electromagnetic wave beam on the unnecessary plating area by moving the electromagnetic wave and controlling the irradiation width of the electromagnetic wave beam by changing at least one of the spot shape and the moving speed of the electromagnetic wave beam. Selective plating method characterized by.
【請求項2】 基材表面に対しめっき触媒機能を付与す
る処理または金属膜を形成する処理を施した後、基材表
面のめっき不要域上に電磁波ビームを照射することによ
りめっき不要域のめっき触媒機能または金属膜を選択的
に消失させてから、前記基材表面における電磁波ビーム
未照射のめっき必要域上に選択的にめっき膜を形成する
選択めっき方法において、前記基材と電磁波ビームの相
対的な移動によりめっき不要域上における電磁波ビーム
の照射位置の移動を行うとともに、基材表面上の電磁波
ビームの照射幅を照射中または照射直後に計測し、この
計測結果に基づいて電磁波ビームの照射幅を制御するこ
とを特徴とする選択めっき方法。
2. Plating in an unnecessary plating area by irradiating an electromagnetic wave beam onto the unnecessary plating area on the surface of the base material after the surface of the base material is subjected to a treatment for imparting a plating catalyst function or a treatment for forming a metal film. In the selective plating method of selectively eliminating the catalytic function or the metal film, and then selectively forming a plating film on the plating-required area on the surface of the base material which has not been irradiated with the electromagnetic wave beam, in the relative plating of the base material and the electromagnetic wave beam, The moving position of the electromagnetic wave beam on the plating unnecessary area is moved by the automatic movement, and the irradiation width of the electromagnetic wave beam on the substrate surface is measured during or immediately after the irradiation, and the electromagnetic wave beam is irradiated based on this measurement result. A selective plating method characterized by controlling the width.
【請求項3】 基材表面に対しめっき触媒機能を付与す
る処理または金属膜を形成する処理を施した後、基材表
面のめっき不要域上に電磁波ビームを照射することによ
りめっき不要域のめっき触媒機能または金属膜を選択的
に消失させてから、前記基材表面における電磁波ビーム
未照射のめっき必要域上に選択的にめっき膜を形成する
選択めっき方法において、前記基材と電磁波ビームの相
対的な移動によりめっき不要域上における電磁波ビーム
の照射位置の移動を行うとともに、基材表面が凹凸形状
であり、この凹凸形状に応じて電磁波ビームの照射幅を
制御することを特徴とする選択めっき方法。
3. A plating in an unnecessary plating area by irradiating an electromagnetic wave beam onto the unnecessary plating area on the surface of the base material after performing a treatment for imparting a plating catalyst function or a treatment for forming a metal film to the surface of the base material. In the selective plating method of selectively eliminating the catalytic function or the metal film, and then selectively forming a plating film on the plating-required area on the surface of the base material which has not been irradiated with the electromagnetic wave beam, in the relative plating of the base material and the electromagnetic wave beam, Selective plating characterized in that the irradiation position of the electromagnetic wave beam is moved on the unnecessary plating area by the automatic movement, and the base material surface is uneven, and the irradiation width of the electromagnetic wave beam is controlled according to this uneven shape. Method.
【請求項4】 基材表面に対しめっき触媒機能を付与す
る処理または金属膜を形成する処理を施した後、基材表
面のめっき不要域上に電磁波ビームを照射することによ
りめっき不要域のめっき触媒機能または金属膜を選択的
に消失させてから、前記基材表面における電磁波ビーム
未照射のめっき必要域上に選択的にめっき膜を形成する
選択めっき方法において、前記基材と電磁波ビームの相
対的な移動によりめっき不要域上における電磁波ビーム
の照射位置の移動を行うとともに、電磁波ビームとして
エネルギー分布の周辺が急峻なビームモードのレーザビ
ームを用いることを特徴とする選択めっき方法。
4. The plating of the non-plating area is performed by irradiating an electromagnetic wave beam on the non-plating area of the base material surface after a treatment of imparting a plating catalyst function to the surface of the base material or a treatment of forming a metal film. In the selective plating method, in which the catalytic function or the metal film is selectively eliminated, and then the plating film is selectively formed on the plating-required area on the surface of the base material that has not been irradiated with the electromagnetic wave, The selective plating method is characterized in that the irradiation position of the electromagnetic wave beam is moved on the non-plating unnecessary area by a mechanical movement and a laser beam of a beam mode having a sharp energy distribution periphery is used as the electromagnetic wave beam.
【請求項5】 基材表面に対しめっき触媒機能を付与す
る処理または金属膜を形成する処理を施した後、基材表
面のめっき不要域上に電磁波ビームを照射することによ
りめっき不要域のめっき触媒機能または金属膜を選択的
に消失させてから、前記基材表面における電磁波ビーム
未照射のめっき必要域上に選択的にめっき膜を形成する
選択めっき方法において、前記基材と電磁波ビームの相
対的な移動によりめっき不要域上における電磁波ビーム
の照射位置の移動を行うとともに、電磁波ビームの縁を
遮光するビーム整形用マスクを介して電磁波ビームの照
射を行うことを特徴とする選択めっき方法。
5. A plating in an unnecessary plating area is performed by irradiating an electromagnetic wave beam onto the unnecessary plating area on the surface of the base material after performing a treatment for imparting a plating catalyst function or a treatment for forming a metal film on the surface of the base material. In the selective plating method of selectively eliminating the catalytic function or the metal film, and then selectively forming a plating film on the plating-required area on the surface of the base material which has not been irradiated with the electromagnetic wave beam, in the relative plating of the base material and the electromagnetic wave beam, The selective plating method is characterized in that the irradiation position of the electromagnetic beam on the unnecessary plating area is moved by a specific movement, and the electromagnetic beam is irradiated through a beam shaping mask that shields the edges of the electromagnetic beam.
【請求項6】 基材表面に対しめっき触媒機能を付与す
る処理または金属膜を形成する処理を施した後、基材表
面のめっき不要域上に電磁波ビームを照射することによ
りめっき不要域のめっき触媒機能または金属膜を選択的
に消失させてから、前記基材表面における電磁波ビーム
未照射のめっき必要域上に選択的にめっき膜を形成する
選択めっき方法において、前記基材と電磁波ビームの相
対的な移動によりめっき不要域上における電磁波ビーム
の照射位置の移動を行うとともに、前記電磁波ビームの
スポット形状を四角型、長四角型および長円型のうちの
いずれかとすることを特徴とする選択めっき方法。
6. A plating in an unnecessary plating area by irradiating an electromagnetic wave beam onto the unnecessary plating area on the surface of the base material after performing a treatment for imparting a plating catalyst function or a treatment for forming a metal film to the surface of the base material. In the selective plating method of selectively eliminating the catalytic function or the metal film, and then selectively forming a plating film on the plating-required area on the surface of the base material which has not been irradiated with the electromagnetic wave beam, in the relative plating of the base material and the electromagnetic wave beam, The selective plating is characterized in that the irradiation position of the electromagnetic wave beam is moved on the unnecessary plating area by a mechanical movement and the spot shape of the electromagnetic wave beam is any one of a square shape, an oblong shape and an oval shape. Method.
【請求項7】 基材表面に対しめっき触媒機能を付与す
る処理または金属膜を形成する処理を施した後、基材表
面のめっき不要域上に電磁波ビームを照射することによ
りめっき不要域のめっき触媒機能または金属膜を選択的
に消失させてから、前記基材表面における電磁波ビーム
未照射のめっき必要域上に選択的にめっき膜を形成する
選択めっき方法において、前記基材と電磁波ビームの相
対的な移動によりめっき不要域上における電磁波ビーム
の照射位置の移動を行うとともに、前記基材と電磁波ビ
ームの相対的な移動に対し相対的な振動を重畳させるこ
とを特徴とする選択めっき方法。
7. A plating in an unnecessary plating area is performed by irradiating an electromagnetic wave beam onto the unnecessary plating area on the surface of the base material after the surface of the base material is subjected to a treatment for imparting a plating catalyst function or a treatment for forming a metal film. In the selective plating method, in which the catalytic function or the metal film is selectively eliminated, and then the plating film is selectively formed on the plating-required area on the surface of the base material that has not been irradiated with the electromagnetic wave, The selective plating method is characterized in that the irradiation position of the electromagnetic wave beam is moved on the unnecessary plating area by a specific movement, and relative vibration is superimposed on the relative movement of the base material and the electromagnetic wave beam.
【請求項8】 基材表面に対しめっき触媒機能を付与す
る処理または金属膜を形成する処理を施した後、基材表
面のめっき不要域上に電磁波ビームを照射することによ
りめっき不要域のめっき触媒機能または金属膜を選択的
に消失させてから、前記基材表面における電磁波ビーム
未照射のめっき必要域上に選択的にめっき膜を形成する
選択めっき方法において、前記基材と電磁波ビームの相
対的な移動によりめっき不要域上における電磁波ビーム
の照射位置の移動を行うとともに、前記電磁波ビームの
照射は、パルス状に行い、その移動方向において隣り合
うビームスポット同士がそれぞれの外周で一部重なるよ
うにすることを特徴とする選択めっき方法。
8. A plating in an unplated area by irradiating an electromagnetic wave beam on the unplated area on the substrate surface after performing a treatment for imparting a plating catalyst function or a treatment for forming a metal film on the substrate surface. In the selective plating method, in which the catalytic function or the metal film is selectively eliminated, and then the plating film is selectively formed on the plating-required area on the surface of the base material that has not been irradiated with the electromagnetic wave, The moving position of the electromagnetic wave beam on the plating unnecessary area is moved by a mechanical movement, and the irradiation of the electromagnetic wave beam is performed in a pulse shape so that adjacent beam spots in the moving direction partially overlap each other on their outer circumferences. A selective plating method characterized by:
【請求項9】 基材表面に対しめっき触媒機能を付与す
る処理または金属膜を形成する処理を施した後、基材表
面のめっき不要域上に電磁波ビームを照射することによ
りめっき不要域のめっき触媒機能または金属膜を選択的
に消失させてから、前記基材表面における電磁波ビーム
未照射のめっき必要域上に選択的にめっき膜を形成する
選択めっき方法において、前記基材と電磁波ビームの相
対的な移動によりめっき不要域上における電磁波ビーム
の照射位置の移動を行い、前記電磁波ビームの照射は、
パルス状に行い、その移動方向において隣り合うビーム
スポット同士がそれぞれの外周で一部重なるようにする
とともに、隣り合う列の間でのビームスポットの間歇移
動は互いの移動ピッチが約1/2ピッチずつずれるよう
にして行うことを特徴とする選択めっき方法。
9. A plating in an unnecessary plating area by irradiating an electromagnetic wave beam on the unnecessary plating area on the surface of the base material after performing a treatment for imparting a plating catalyst function or a treatment for forming a metal film on the surface of the base material. In the selective plating method, in which the catalytic function or the metal film is selectively eliminated, and then the plating film is selectively formed on the plating-required area on the surface of the base material that has not been irradiated with the electromagnetic wave, By moving the electromagnetic wave irradiation position on the plating-free area, the irradiation of the electromagnetic wave beam,
It is performed in a pulse shape so that adjacent beam spots in the moving direction partially overlap each other on their outer circumferences, and the intermittent movement of the beam spots between adjacent columns is about 1/2 pitch. A selective plating method characterized in that they are performed so that they are offset from each other.
【請求項10】 基材として、めっき必要域のみが選択的
に粗化されている基材を用いる請求項1から9までのい
ずれかに記載の選択めっき方法。
10. The selective plating method according to claim 1, wherein a base material in which only a plating required area is selectively roughened is used as the base material.
【請求項11】 電磁波ビームの照射により基材の一部を
も同時に除去する請求項1から10までのいずれかに記
載の選択めっき方法。
11. The selective plating method according to claim 1, wherein a part of the base material is simultaneously removed by irradiation with an electromagnetic wave beam.
【請求項12】 基材は、その表面に電磁波ビームに対す
る吸収率の高い層を有する請求項1から11までのいず
れかに記載の選択めっき方法。
12. The selective plating method according to claim 1, wherein the base material has a layer having a high absorption rate for an electromagnetic wave beam on the surface thereof.
【請求項13】 めっき触媒機能を付与する処理または金
属膜を形成する処理を、Pd,Ag,Au,Cu,N
i,Crと、熱伝導率を低下させる元素および/または
融点が低く蒸気圧の高い元素との合金を用いて行う請求
項1から11までのいずれかに記載の選択めっき方法。
13. The process of imparting a plating catalyst function or the process of forming a metal film is performed by using Pd, Ag, Au, Cu, N.
The selective plating method according to any one of claims 1 to 11, which is carried out using an alloy of i, Cr and an element that lowers thermal conductivity and / or an element that has a low melting point and a high vapor pressure.
【請求項14】 電磁波ビームの照射制御用データとし
て、基材表面に形成する回路パターンのCAD情報を用
いる請求項1から13までのいずれかに記載の選択めっ
き方法。
14. The selective plating method according to claim 1, wherein CAD information of a circuit pattern formed on the surface of the substrate is used as the irradiation control data of the electromagnetic wave beam.
【請求項15】 基材がレーザ透過性材料からなる基材で
ある請求項1から14までのいずれかに記載の選択めっ
き方法。
15. The selective plating method according to claim 1, wherein the base material is a base material made of a laser transmissive material.
【請求項16】 請求項1から15までのいずれかに記載
の選択めっき方法により、立体形状の基材表面に所定の
回路パターンのめっき膜を形成するようにする回路板の
製造方法。
16. A method of manufacturing a circuit board, which comprises forming a plating film having a predetermined circuit pattern on the surface of a three-dimensional base material by the selective plating method according to claim 1.
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