JP3280619B2 - Circuit board manufacturing method - Google Patents
Circuit board manufacturing methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、平面又は三次元立体の
絶縁性基材の表面に回路を形成することによって得られ
る回路板の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a circuit board obtained by forming a circuit on the surface of a planar or three-dimensional insulating substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】絶縁性基材の表面に回路を形成すること
によって回路板を製造するにあたって、回路間の絶縁部
となる非回路部の箇所にレーザ等を照射することによっ
てこの箇所にめっきがおこなわれないように処理し、そ
してこの後に回路形成用のめっきを施すようにした技術
が、特開平４−２６３４９０号公報や特開昭６１−６８
９２号公報、特開平３−１２２２８７号公報で提供され
ている。2. Description of the Related Art In manufacturing a circuit board by forming a circuit on the surface of an insulating base material, a portion of a non-circuit portion serving as an insulating portion between the circuits is irradiated with a laser or the like so that plating is applied to this portion. Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-263490 and Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 61-68 disclose a technique in which processing is performed so as not to be performed, and thereafter plating for forming a circuit is performed.
92, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-122287.
【０００３】すなわち特開平４−２６３４９０号公報は
「薄膜回路の製造方法」に関するものであり、絶縁材の
基板の上に導体薄膜を形成し、パターン形成したホトマ
スクを通して導体薄膜にレーザ光を照射して導体薄膜を
除去し、導体薄膜のパターンに無電解めっきあるいは電
気めっきして導体を堆積させることによってめっき導体
パターンを形成するようにしてある。[0003] That is, JP-A-4-263490 relates to a "method of manufacturing a thin film circuit", in which a conductive thin film is formed on an insulating substrate, and the conductive thin film is irradiated with a laser beam through a patterned photomask. The conductive thin film is removed by electroless plating or electroplating on the conductive thin film pattern to deposit a conductor, thereby forming a plated conductive pattern.
【０００４】また特開昭６１−６８９２号公報は「プリ
ント回路の製造方法」に関するものであり、化学めっき
反応用触媒を表面に設けた基板にパターン状にレーザ光
等の高強度光を照射して触媒作用を低下乃至消失させた
後、化学めっき処理して高強度光の非照射部に選択的に
めっきすることによってプリント回路を形成するように
してある。Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-6892 relates to "a method for manufacturing a printed circuit", in which a substrate provided with a catalyst for a chemical plating reaction on its surface is irradiated with high-intensity light such as laser light in a pattern. After the catalytic action is reduced or eliminated, a printed circuit is formed by selectively plating a non-irradiated portion with high intensity light by chemical plating.
【０００５】さらに特開平３−１２２２８７号公報は
「基板の金属化方法」に関するものであり、基板の上に
触媒層を被着し、区域的に紫外線照射して触媒層を活性
化又は不動態化した後に、活性化区域にめっき等をする
ようにしてある。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-122287 relates to a "method of metallizing a substrate", in which a catalyst layer is deposited on a substrate, and the catalyst layer is activated or passivated by irradiating ultraviolet rays locally. After the activation, the activation area is plated or the like.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記のように特開平４
−２６３４９０号公報や特開昭６１−６８９２号公報、
特開平３−１２２２８７号公報のものでは、絶縁性基材
の非回路部にレーザや紫外線等を照射する工程を設けて
回路板を製造するようにしているが、いずれのものにあ
っても、非回路部の領域全面にめっきがなされないよう
にレーザや紫外線等を非回路部の領域の全面に照射する
ようにしている。しかしこのように非回路部の広い領域
の全面にレーザや紫外線等を照射すると、レーザや紫外
線等の照射処理時間が長く必要になって回路板の生産性
が低下するという問題があった。As described above, Japanese Patent Laid-Open No.
-263490 and JP-A-61-6892,
In Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-122287, a circuit board is manufactured by providing a step of irradiating a non-circuit portion of an insulating base material with a laser, ultraviolet light, or the like. A laser, ultraviolet light, or the like is applied to the entire surface of the non-circuit portion so that plating is not performed on the entire surface of the non-circuit portion. However, when the entire surface of the wide area of the non-circuit portion is irradiated with the laser, the ultraviolet light, or the like, there is a problem that the irradiation time of the laser, the ultraviolet light, or the like is long and the productivity of the circuit board is reduced.
【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、レーザ等の電磁波の照射処理時間を短縮して生産
性を高めることができる回路板の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and has as its object to provide a method of manufacturing a circuit board capable of shortening the irradiation time of an electromagnetic wave such as a laser and improving productivity. Things.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性基材１
の表面にめっき用触媒、めっき用触媒の化合物、金属膜
などのようなめっき下地層２を形成し、絶縁性基材１の
回路部３と非回路部４の境界領域に、非回路部４のパタ
ーンに対応してレーザ等の電磁波を照射することによっ
て、非照射部を残してレーザ等の電磁波を照射した照射
部のめっき下地層２を除去した後、非照射部のめっき下
地層２のうち回路部３のめっき下地層２にめっきを施す
ようにした回路板の製造方法において、ＣＡＤによって
回路設計するにあたって、ＣＡＤ情報に基づいて上記の
レーザ等の電磁波の照射をおこなうことを特徴とするも
のである。The present invention relates to an insulating substrate 1
Plating catalyst on the surface, the compounds of the plating catalyst to form a plating underlying layer 2, such as a metal film, the boundary region of the circuit portion 3 and the non-circuit portion 4 of the insulating substrate 1, a non-circuit portion By irradiating an electromagnetic wave such as a laser corresponding to the pattern 4 to remove the plating base layer 2 of the irradiated portion irradiated with the electromagnetic wave such as the laser while leaving the non-irradiated portion,
In a method of manufacturing a circuit board in which plating is applied to the plating base layer 2 of the circuit portion 3 in the ground layer 2, when designing a circuit by CAD, it is necessary to irradiate the electromagnetic wave such as the laser based on the CAD information based on the CAD information. It is a feature.
【０００９】さらに本発明は、レーザ等の電磁波の照射
部の幅を非回路部の幅の最小値に設定して、電磁波の照
射をおこなうことを特徴とするものである。さらに本発
明は、レーザ等の電磁波を移動させながら照射するにあ
たって、照射移動中に照射ビーム径を可変にすることを
特徴とするものである。さらに本発明は、レーザ等の電
磁波ビームを離間した複数スポットにして照射すること
を特徴とするものである。Further, the present invention is characterized in that the irradiation of the electromagnetic wave is performed by setting the width of the irradiation part of the electromagnetic wave such as a laser to the minimum value of the width of the non-circuit part. Further, the present invention is characterized in that when irradiating an electromagnetic wave such as a laser while moving it, the irradiation beam diameter is made variable during the irradiation movement. Further, the present invention is characterized in that an electromagnetic wave beam such as a laser is irradiated into a plurality of spaced spots.
【００１０】さらに本発明は、周辺のエネルギー分布が
急峻なビームモードのレーザ等の電磁波を用いて、電磁
波の照射をおこなうことを特徴とするものである。さら
に本発明は、レーザ等の電磁波の照射スポット形状を角
型、長角型、長円型のいずれかに形成して、電磁波の照
射をおこなうことを特徴とするものである。Further, the present invention is characterized in that the electromagnetic wave is irradiated by using an electromagnetic wave such as a laser in a beam mode in which a peripheral energy distribution is steep. Further, the present invention is characterized in that an irradiation spot shape of an electromagnetic wave such as a laser is formed into any one of a square shape, an oblong shape, and an elliptical shape, and irradiation with the electromagnetic wave is performed.
【００１１】さらに本発明は、レーザ等の電磁波の照射
スポットを回路部３と非回路部４との境界線と平行に振
動させながら、回路部３と非回路部４との境界に沿って
移動させて電磁波を照射することを特徴とするものであ
る。Further, according to the present invention, the irradiation spot of the electromagnetic wave such as a laser is moved along the boundary between the circuit section 3 and the non-circuit section 4 while vibrating in parallel with the boundary line between the circuit section 3 and the non-circuit section 4. And irradiating them with electromagnetic waves.
【００１２】[0012]
【作用】絶縁性基材１の非回路部４の回路部３との境界
領域に沿ってレーザ等の電磁波を照射することによっ
て、非回路部４の領域の全面に電磁波を照射するような
必要なく、回路５を形成することができる。そして非回
路部４にめっきがなされても、回路部３とはレーザ等の
電磁波の照射で分離絶縁されており、回路板の回路性能
に特に問題は生じない。[Action], as irradiated by irradiating an electromagnetic wave such as laser along the boundary region between the circuits 3 of the non-circuit portion 4 of the insulating substrate 1, the entire surface electromagnetic waves of the non-circuit portion 4 region The circuit 5 can be formed without necessity. Even if the non-circuit portion 4 is plated, the circuit portion 3 is separated and insulated from the circuit portion 3 by irradiation of an electromagnetic wave such as a laser, so that there is no particular problem in the circuit performance of the circuit board.
【００１３】[0013]
【実施例】以下本発明を実施例によって詳述する。図１
は本発明の一実施例を示すものであり、絶縁性基材１と
してはポリイミド、ＡＢＳ、ポリエーテルイミド、液晶
ポリマー、アルミナセラミックス等の電気絶縁材料によ
って形成したものを用いるものであり、図１（ａ）のよ
うに平面状に形成したものの他に、三次元立体状に作成
したものを用いることができる。そして先ず、この絶縁
性基材１の表面をクロム酸液やＫＯＨ水溶液、リン酸液
等で処理することによって、図１（ｂ）のように微細な
凹凸１１を付与する粗面化処理をおこなう。The present invention will be described below in detail with reference to examples. FIG.
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, in which an insulating substrate 1 is formed of an electrically insulating material such as polyimide, ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, and alumina ceramics. In addition to those formed in a planar shape as in (a), those formed in a three-dimensional three-dimensional shape can be used. First, the surface of the insulating base material 1 is treated with a chromic acid solution, a KOH aqueous solution, a phosphoric acid solution, or the like to perform a roughening treatment for providing fine irregularities 11 as shown in FIG. .
【００１４】次に、絶縁性基材１の表面の全面に図１
（ｃ）のようにめっき下地層２を形成する。めっき下地
層２はめっき用触媒やめっき用触媒の化合物を絶縁性基
材１の表面に付着させたり、金属膜を絶縁性基材１の表
面に設けたりすることによって形成することができる
が、図１の実施例では、無電解めっきの触媒となるＰｄ
を含有する液に絶縁性基材１を浸漬した後に、活性化処
理して、絶縁性基材１の表面にＰｄ核付けをおこなうこ
とによって、めっき下地層２を形成するようにしてあ
る。Next, FIG. 1 shows the entire surface of the insulating substrate 1.
The plating underlayer 2 is formed as shown in FIG. The plating base layer 2 can be formed by attaching a plating catalyst or a compound of the plating catalyst to the surface of the insulating base material 1 or providing a metal film on the surface of the insulating base material 1. In the embodiment shown in FIG. 1, Pd serving as a catalyst for electroless plating is used.
After the insulating substrate 1 is immersed in a liquid containing, a Pd nucleation is performed on the surface of the insulating substrate 1 to form the plating underlayer 2.
【００１５】次に、絶縁性基材１の表面にレーザ等の電
磁波を照射して電磁波を照射した部分のめっき下地層２
を除去する。電磁波としてはレーザの他に、Ｘ線や紫外
線等を用いることができるが、レーザが最も好適である
ので、以下主として電磁波としてレーザを用いたものに
ついて説明する。このレーザとしては例えばＱスイッチ
ＹＡＧレーザを用いることができるものであり、ガルバ
ノミラー等で操作することによってレーザを絶縁性基材
１の表面に移動させつつ照射するようにしてある。ガル
バノミラーはガルバノメータを用いて角度可変に形成し
たミラーであり、高速でビーム移動が可能であると共に
レーザスポット径も数十μｍを得ることが可能である。
またレーザの照射は、絶縁性基材１の表面のうち回路５
を形成する箇所である回路部３以外の部分、すなわち回
路部３間の絶縁スペースとなる非回路部４においておこ
なわれるものであり、非回路部４の回路部３との境界領
域に非回路部４のパターンに沿ってレーザを移動（走
査）させながら照射することによって、非回路部４の回
路部３との境界領域のめっき下地層２を除去するもので
ある。従って図１（ｄ）に示すように、非回路部４のめ
っき下地層２のうち、レーザの照射部である回路部３と
の境界部分のめっき下地層２は除去され、非回路部４の
めっき下地層２のうちレーザの非照射部は、回路部３の
めっき下地層２と共に除去されずに残されることにな
る。レーザの照射エネルギーは例えば１０〜３００μＪ
／ｐｕｌｓｅ程度が好ましく、めっき下地層２と共に絶
縁性基材１の表面部を同時に除去するようにしてもよ
い。ここで、非回路部４の幅（隣合う回路部３間の幅）
が照射レーザのスポット径（例えばφ１００μｍ）と同
等の場合には、非回路部４に沿ってレーザを１回照射す
ることによって、非回路部４の両側の境界領域のめっき
下地層２を除去することができる。Next, the surface of the insulating substrate 1 is irradiated with an electromagnetic wave such as a laser, and
Is removed. As the electromagnetic waves, X-rays, ultraviolet rays, and the like can be used in addition to lasers. Since lasers are most suitable, those using lasers as electromagnetic waves will be mainly described below. As this laser, for example, a Q-switched YAG laser can be used, and the laser is irradiated while moving to the surface of the insulating substrate 1 by operating with a galvanomirror or the like. The galvanometer mirror is a mirror formed to be variable in angle using a galvanometer, and can move a beam at a high speed and obtain a laser spot diameter of several tens of μm.
Laser irradiation is performed on the surface of the insulating substrate 1 by the circuit 5.
Portions other than circuit portions 3 is a portion that forms a, that is intended to be performed in the non-circuit portion 4 formed of an insulating space between the circuit portion 3, non-circuit in the boundary region between the circuits 3 of the non-circuit portion 4 By irradiating while moving (scanning) the laser along the pattern of the portion 4, the plating base layer 2 in the boundary region between the non-circuit portion 4 and the circuit portion 3 is removed. Therefore, as shown in FIG. 1D, the plating underlayer 2 at the boundary with the circuit portion 3, which is the portion irradiated with the laser, is removed from the plating underlayer 2 of the non-circuit portion 4. The non-irradiated portion of the laser in the plating underlayer 2 is left without being removed together with the plating underlayer 2 of the circuit portion 3. The irradiation energy of the laser is, for example, 10 to 300 μJ.
/ Pulse is preferable, and the surface portion of the insulating substrate 1 may be removed simultaneously with the plating base layer 2. Here, the width of the non-circuit portion 4 (the width between adjacent circuit portions 3)
Is equal to the spot diameter of the irradiation laser (for example, φ100 μm), the laser is irradiated once along the non-circuit portion 4 to remove the plating base layer 2 in the boundary region on both sides of the non-circuit portion 4. be able to.
【００１６】上記のようにしてレーザを絶縁性基材１の
表面の非回路部４に回路部３との境界領域に照射した
後、無電解銅めっき液等の無電解めっき浴に絶縁性基材
１を浸漬等することによって、レーザが照射されず絶縁
性基材１の表面に残っているめっき下地層２に銅等の無
電解めっき層１２を１０μｍ程度の厚みで析出させる。
このように無電解めっき層１２を回路部３のめっき下地
層２の上に設けることによって、パターン形状の回路５
を形成することができるものである。無電解めっき層１
２は非回路部４に残留するめっき下地層２にも設けられ
ることになるが、回路部３のめっき下地層２と非回路部
４のめっき下地層２との境界部分はレーザ照射によって
除去されているために、回路５の絶縁性は確保されてお
り、性能上特に問題は生じない。[0016] After irradiating the boundary region between the non-circuit portion 4 twice path portion 3 of the above-described manner the laser insulating substrate 1 of the surface, insulating the electroless plating bath, such as an electroless copper plating solution By immersing the substrate 1 or the like, an electroless plating layer 12 of copper or the like is deposited to a thickness of about 10 μm on the plating base layer 2 remaining on the surface of the insulating substrate 1 without being irradiated with the laser.
By providing the electroless plating layer 12 on the plating base layer 2 of the circuit section 3 in this manner, the circuit
Can be formed. Electroless plating layer 1
2 is also provided on the plating underlayer 2 remaining in the non-circuit portion 4, but the boundary portion between the plating underlayer 2 of the circuit portion 3 and the plating underlayer 2 of the non-circuit portion 4 is removed by laser irradiation. Therefore, the insulation of the circuit 5 is ensured, and there is no particular problem in performance.
【００１７】このように回路部３のめっき下地層２にめ
っきをして回路形成した後、必要に応じてソルダーレジ
スト、Ｎｉめっき、Ａｕめっきを施すことによって、回
路板として仕上げることができる。上記のようにして回
路板を製造するにあたって、レーザの照射は絶縁性基材
１の非回路部４の回路部３との境界領域におこなってい
るだけであり、非回路部４の全面にレーザを走査させて
照射する必要はないので、非回路部４の広い領域の全面
にレーザを描画して照射する場合に比べてレーザの照射
処理時間を短縮することができ、回路板の生産性を高め
ることが可能になるものである。尚、上記実施例ではレ
ーザ照射後にめっきをおこなって回路形成するにあたっ
て、無電解めっきをおこなうようにしたが、無電解めっ
きの他に、電気めっきやＣＶＤ（化学蒸着）、ＰＶＤ
（物理蒸着）等の任意のめっき手段を用いて回路形成を
することができるものである。After the circuit is formed by plating the plating underlayer 2 of the circuit section 3 as described above, a solder resist, Ni plating, and Au plating are applied as necessary to complete the circuit board. In manufacturing a circuit board as described above, irradiation of the laser is only being performed in the boundary region between the circuits 3 of the non-circuit portion 4 of the insulating substrate 1, the entire surface of the non-circuit portion 4 Since there is no need to scan and irradiate the laser, it is possible to shorten the laser irradiation processing time as compared with the case where the laser is drawn and illuminated over the entire wide area of the non-circuit section 4, thereby improving the circuit board productivity. Can be increased. In the above embodiment, electroless plating is performed when forming a circuit by performing plating after laser irradiation. However, in addition to electroless plating, electroplating, CVD (chemical vapor deposition), PVD
The circuit can be formed using any plating means such as (physical vapor deposition).
【００１８】上記の実施例のように、絶縁性基材１の表
面の非回路部４に回路部３との境界線に沿ってレーザを
照射するにあたって、レーザの照射ビーム径を可変にし
て、レーザの照射をおこなうようにすることができる。
すなわち、レーザの照射ビームの径が大きいと広い面積
でレーザビームを照射することができるために、速い速
度で広い面積を照射することができるが、微細な描画を
しながら照射をおこなうことはできない。逆にレーザの
照射ビームの径が小さいと微細な描画で照射をおこなう
ことができるが、照射面積が小さいので速い速度で広い
面積を照射することができない。このようにレーザの照
射ビーム径が一定であれば一長一短があるが、レーザを
走査しながらレーザの照射ビーム径を変化させることに
よって、長所のみを得ることができるものである。As in the above embodiment, when irradiating the laser to the non-circuit portion 4 on the surface of the insulating base material 1 along the boundary line with the circuit portion 3, the laser irradiation beam diameter is made variable. Laser irradiation can be performed.
That is, when the diameter of the laser irradiation beam is large, the laser beam can be irradiated over a wide area, so that a large area can be irradiated at a high speed. However, irradiation cannot be performed while performing fine drawing. . Conversely, when the diameter of the laser irradiation beam is small, irradiation can be performed with fine drawing. However, since the irradiation area is small, a large area cannot be irradiated at a high speed. As described above, there are advantages and disadvantages when the irradiation beam diameter of the laser is constant. However, by changing the irradiation beam diameter of the laser while scanning the laser, only the advantages can be obtained.
【００１９】図２はレーザの照射ビーム径を可変にし
て、使い分けながら照射をおこなうようにした一例を示
すものであり、回路パターンのラインとスペースの幅が
標準的な２００μｍ／２００μｍ、すなわち回路部３の
幅が２００μｍで回路部３間の非回路部４の幅が２００
μｍの場合、レーザの照射ビーム径を制御してスポット
半径を１００μｍにし、非回路部４の中心線に沿って照
射ビームを移動させることによって（図２に照射ビーム
の大径のスポットをＳ1 の円で図示する）、このビーム
径の大きいレーザの一回の照射で非回路部４の両側の境
界線を同時に照射することができ、高速描画でレーザ照
射をおこなうことができる。また半径１００μｍ以下の
小さなアールやピン間のような小さい幅の非回路部４に
レーザ照射する場合には、レーザを小さいビーム径に制
御して照射することによって（図２に照射ビームの小径
のスポットをＳ2 の円で図示する）、微細な描画をしな
がら照射をおこなうことができる。このようにレーザの
照射ビーム径を変えて使い分けるにあたっては、後述す
るＣＡＤ／ＣＡＭの情報に基づいておこなうようにする
ことができる。図３はレーザの照射ビーム径を変えて使
い分けながら照射をおこなうようにした他例を示すもの
であり、大きい径のビーム（スポットＳ1 ）で高速描画
して照射すると共に、細部は細いビーム（スポット
Ｓ2 ）で描画して照射するようにしてある。FIG. 2 shows an example in which the irradiation beam diameter of the laser is made variable and irradiation is performed while using the laser beam properly. The width of the line and space of the circuit pattern is a standard 200 μm / 200 μm, that is, the circuit section. 3 is 200 μm and the width of the non-circuit portion 4 between the circuit portions 3 is 200 μm.
For [mu] m, the spot radius 100μm by controlling the laser illumination beam diameter, by moving the illumination beam along the center line of the non-circuit portion 4 (S 1 a large diameter spot of the illumination beam in FIG. 2 The laser beam can be irradiated at a high speed by simultaneously irradiating the boundary lines on both sides of the non-circuit portion 4 with one irradiation of the laser having a large beam diameter. In the case of irradiating the laser to the non-circuit portion 4 having a small radius such as a radius of 100 μm or less and a small width between pins, the laser is controlled to have a small beam diameter (FIG. 2 shows the small diameter of the irradiation beam). the spot shown in circle S 2), it can be irradiated with a fine drawing. When the laser irradiation beam diameter is changed and used as described above, it can be performed based on CAD / CAM information described later. FIG. 3 shows another example in which the irradiation is performed while changing the irradiation beam diameter of the laser, and the irradiation is performed at a high speed with a large-diameter beam (spot S 1 ) and the detail is a narrow beam (spot S 1 ). Drawing and irradiation are performed at the spot S 2 ).
【００２０】上記のようにレーザの照射ビーム径を調整
するにあたっては、例えばデフォーカス量を制御するこ
とによっておこなうことができる。すなわち、図４
（ａ）のようにレーザのビームＢの焦点を照射面に合わ
せてデフォーカス量を０にすると、照射ビーム径を小さ
くすることができ（この場合は照射ビームの移動速度は
高速になる）、また図４（ｂ）のようにレーザのビーム
Ｂの焦点を照射面からずらしてデフォーカス量を大きく
すると、照射ビーム径を大きくすることができる（この
場合は照射ビームの移動速度は低速になる）。また図５
に示すように、なだらかな強度分布を持つビームモード
のレーザの発振エネルギーを変化させるように制御する
ことによって、レーザの照射ビーム径Ｌ1 , Ｌ2 を調整
することもできる。さらに図６に示すように、なだらか
な強度分布を持つビームモードのレーザの走査速度を変
化させたり、あるいは照射時間を変化させたりすること
によっても、レーザの照射ビーム径Ｌ1 , Ｌ2 を調整す
ることができる。勿論、レーザの照射ビーム径の調整は
これらの方法に限定されるものではなく、任意の方法を
採用することができるものである。Adjustment of the laser beam diameter as described above can be performed, for example, by controlling the amount of defocus. That is, FIG.
When the focus of the laser beam B is adjusted to the irradiation surface and the defocus amount is set to 0 as in (a), the irradiation beam diameter can be reduced (in this case, the movement speed of the irradiation beam becomes high), Also, as shown in FIG. 4B, when the focus of the laser beam B is shifted from the irradiation surface to increase the defocus amount, the irradiation beam diameter can be increased (in this case, the movement speed of the irradiation beam becomes low). ). FIG.
As shown in ( 1) , the laser irradiation beam diameters L 1 and L 2 can be adjusted by changing the oscillation energy of the laser in the beam mode having a gentle intensity distribution. Further, as shown in FIG. 6, the irradiation beam diameters L 1 and L 2 of the laser are also adjusted by changing the scanning speed of the laser in the beam mode having a gentle intensity distribution or by changing the irradiation time. can do. Of course, the adjustment of the laser irradiation beam diameter is not limited to these methods, and any method can be adopted.
【００２１】上記のようにレーザの照射ビーム径を調整
しながら、図１の方法を実施することができるものであ
り、非回路部４の幅の広い箇所ではレーザの照射ビーム
の径を大きく調整して照射をおこなうことによって、広
い面積でレーザビームを照射して照射時間を短縮するこ
とができ、また微細な描画を必要とする箇所ではレーザ
の照射ビームの径を小さく調整して照射をおこなうこと
によって、小さい面積で微細に描画して照射をおこなう
ことができるものである。The method shown in FIG. 1 can be performed while adjusting the diameter of the laser irradiation beam as described above, and the diameter of the laser irradiation beam is largely adjusted at a wide portion of the non-circuit portion 4. By irradiating the laser beam, the irradiation time can be shortened by irradiating the laser beam over a wide area, and the irradiation is performed by adjusting the diameter of the irradiation beam of the laser to be small in a place where fine drawing is required. Thus, irradiation can be performed by drawing finely in a small area.
【００２２】また、回路設計をＣＡＤ／ＣＡＭによって
おこなう場合、ＣＡＤ／ＣＡＭによる設計回路図の情報
に基づいて非回路部４の幅やその中心線等でデータを得
ることができる。そこでこの場合には、このデータに基
づいてレーザの照射位置やレーザの照射ビーム径を決定
しながら照射をおこなうことができる。すなわち図７の
フローチャートに示すように、回路部３の中心線データ
や回路部３の幅データから回路部３と非回路部４の境界
線を算出し、さらにこのデータに基づいて非回路部４の
幅の最小値を算出する。次にレーザの照射ビームのスポ
ット径を非回路部４の幅の最小値以下に調整し、レーザ
のスポット径の半径に相当するオフセット量を算出す
る。そして、回路部３と非回路部４の境界線よりも非回
路部４にオフセットしたレーザ照射中心線を算出し、さ
らにレーザの照射停止時間が最小となるように、つまり
照射する連続した輪郭線から他の輪郭線へのレーザ照射
を伴わない照射位置の移動長さの合計が最小となるよう
に、照射順序を決定し、これらのデータをガルバノミラ
ー制御装置に入力して、レーザの照射を制御することが
できる。When the circuit is designed by CAD / CAM, data can be obtained by the width of the non-circuit portion 4, the center line thereof, etc. based on the information of the design circuit diagram by CAD / CAM. Therefore, in this case, the irradiation can be performed while determining the irradiation position of the laser and the irradiation beam diameter of the laser based on this data. That is, as shown in the flowchart of FIG. 7, a boundary between the circuit section 3 and the non-circuit section 4 is calculated from the center line data of the circuit section 3 and the width data of the circuit section 3, and the non-circuit section 4 is calculated based on this data. Calculate the minimum value of the width of. Next, the spot diameter of the laser irradiation beam is adjusted to be equal to or smaller than the minimum value of the width of the non-circuit portion 4, and an offset amount corresponding to the radius of the laser spot diameter is calculated. Then, a laser irradiation center line offset to the non-circuit portion 4 from the boundary line between the circuit portion 3 and the non-circuit portion 4 is calculated, and the laser irradiation stop time is minimized, that is, a continuous contour line to be irradiated. The irradiation order is determined so that the total length of movement of the irradiation position without laser irradiation to other contour lines from the is minimized, and these data are input to the galvanomirror control device, and laser irradiation is performed. Can be controlled.
【００２３】具体的には例えば、非回路部４の幅が５０
〜２００μｍでレーザの照射ビーム径の取りうる最大径
が２００μｍの場合、ＣＡＤ／ＣＡＭデータに基づい
て、レーザの照射ビーム径を非回路部４の幅に一致させ
ながら、また照射ビームの中心を非回路部４の中心線と
一致させるように調整してレーザを照射することによっ
て、一回の照射で非回路部４の両側の境界領域を同時に
照射することができる。また非回路部４の幅が例えば３
００μｍで照射ビーム径の最大値以上であるときは、例
えば照射ビームの径を１５０μｍに調整して、非回路部
４の両側の境界領域に沿って二回に分けて照射をおこな
うようにすることができる。尚、レーザの照射エネルギ
ーは例えば０．０５〜１Ｊ／ｃｍ2 に設定するのが好ま
しい。Specifically, for example, the width of the non-circuit portion 4 is 50
When the maximum irradiation beam diameter of the laser is 200 μm at 200 μm, the laser irradiation beam diameter is made equal to the width of the non-circuit portion 4 and the center of the irradiation beam is shifted based on CAD / CAM data. By irradiating the laser with adjustment so as to coincide with the center line of the circuit portion 4, it is possible to simultaneously irradiate the boundary regions on both sides of the non-circuit portion 4 with one irradiation. The width of the non-circuit portion 4 is, for example, 3
When the irradiation beam diameter is equal to or more than the maximum value of 00 μm, for example, the irradiation beam diameter is adjusted to 150 μm so that irradiation is performed twice along the boundary regions on both sides of the non-circuit portion 4. Can be. The irradiation energy of the laser is preferably set to, for example, 0.05 to 1 J / cm 2 .
【００２４】上記のようにＣＡＤ／ＣＡＭによる設計回
路図の情報に基づいてレーザの照射ビーム径を調整しな
がら、図１の方法を実施することができるものであり、
照射ビーム径の制御は、既述したデフォーカス制御、強
度制御、速度又は照射時間制御等でおこなうことができ
るものである。このように、ＣＡＤ／ＣＡＭ情報からレ
ーザ等の電磁波の照射位置やスポット径を決定するため
に、短時間でレーザ等の操作データを作成して、作業時
間を短縮することができるものである。The method of FIG. 1 can be performed while adjusting the irradiation beam diameter of the laser based on the information of the design circuit diagram by CAD / CAM as described above.
The control of the irradiation beam diameter can be performed by the above-described defocus control, intensity control, speed or irradiation time control, or the like. As described above, in order to determine the irradiation position and spot diameter of an electromagnetic wave such as a laser from CAD / CAM information, operation data such as a laser can be created in a short time, and the working time can be reduced.
【００２５】また、ＣＡＤ／ＣＡＭ情報に基づいて上記
図７のフローチャートようにレーザの照射ビーム径を決
定しながら照射をおこなうにあたって、レーザの照射ビ
ームのスポット径を非回路部４の幅の最小値ｄに調整し
て図８のように照射をおこなうことによって（図８に照
射ビームのスポットをＳ1 の円で図示する）、回路５の
パターン間隔が狭い微細な回路であっても、容易に回路
パターン形成をおこなうことができるものである。In irradiating the laser beam while determining the laser beam diameter based on the CAD / CAM information as shown in the flow chart of FIG. 7, the laser beam spot diameter is set to the minimum value of the width of the non-circuit portion 4. was adjusted to d by performing irradiation as shown in FIG. 8 (a spot of the illumination beam is shown by a circle of S 1 in FIG. 8), also the pattern interval of the circuit 5 is a narrow fine circuit, easily A circuit pattern can be formed.
【００２６】上記の実施例のように、絶縁性基材１の表
面の非回路部４に回路部３との境界線に沿ってレーザを
照射するにあたって、レーザの移動操作（走査）をガル
バノミラーを用いておこなう場合、レーザの走査を高速
でおこなうと回路部３の角部にレーザを照射するに際し
て、ガルバノミラーの慣性で照射がオーバーシュートし
てしまうおそれがある。このために回路部３の角部では
レーザの走査速度を遅くすることによってこのような慣
性によるオーバーシュートがおこらないようにしている
が、レーザの走査速度を遅くすると回路部３の角部にレ
ーザエネルギーが集中し、絶縁性基材１に損傷を与える
ことがある。このために回路部３の角部では照射を一時
的に停止することがおこなわれているが、照射処理時間
が長くなってしまうものであった。As in the above embodiment, when irradiating the laser to the non-circuit portion 4 on the surface of the insulating substrate 1 along the boundary line with the circuit portion 3, the laser moving operation (scanning) is performed by a galvanomirror. When the laser scanning is performed at a high speed, when the laser is irradiated to the corner of the circuit unit 3, the irradiation may overshoot due to the inertia of the galvanomirror. For this reason, the laser scanning speed is reduced at the corners of the circuit section 3 to prevent such overshoot due to inertia. However, when the laser scanning speed is reduced, the laser Energy concentrates and may damage the insulating substrate 1. For this reason, the irradiation is temporarily stopped at the corners of the circuit section 3, but the irradiation processing time becomes long.
【００２７】そこでこの場合には、回路部３の角部では
非回路部４内でアールを描くようにガルバノミラー等に
よってレーザビームを走査させるようにするのがよい。
図９（ａ）は非回路部４の回路部３との境界線に沿って
レーザを走査させながら照射するにあたって、回路部３
の角部を過ぎると非回路部４内において一回転させるよ
うにアールを描かせて方向転換した後に、再度回路部３
との境界線に沿ってレーザを走査させるようにすること
によって、回路部３の角部を角張るよう仕上げるように
した実施例を示すものである。図９（ｂ）は非回路部４
の回路部３との境界線に沿ってレーザを走査させながら
照射するにあたって、回路部３の角部ではアールを描か
せるように曲線で走査させることによって、速度を一定
にして走査させることができるようにした実施例を示す
ものである。Therefore, in this case, it is preferable that the laser beam be scanned by a galvanomirror or the like at the corner of the circuit section 3 so as to draw a radius in the non-circuit section 4.
FIG. 9A shows a state in which irradiation is performed while scanning a laser along a boundary line between the non-circuit portion 4 and the circuit portion 3.
After passing through the corners, a circle is drawn so as to make one rotation in the non-circuit section 4 and the direction is changed.
This embodiment shows an embodiment in which the laser is scanned along the boundary between the two and the corners of the circuit section 3 are finished to be square. FIG. 9B shows the non-circuit section 4
When irradiating while scanning the laser along the boundary line with the circuit section 3, the corner section of the circuit section 3 can be scanned at a constant speed by scanning with a curve so as to draw a radius. This is an example of such an embodiment.
【００２８】上記のように回路部３の角部でアールを描
くようにレーザを移動させるようにしながら、図１の方
法を実施することができるものであり、回路部３の角部
に損傷を与えることなく、高速でレーザを移動させて、
照射処理時間を短くすることができるものである。尚、
アールの半径はガルバノミラーの加速、減速に必要な距
離、例えば３００μｍとほぼ同等である。またアールの
半径等はＣＡＤ／ＣＡＭによる設計回路図の情報に基づ
いて設定することができる。As described above, the method shown in FIG. 1 can be carried out while moving the laser so as to draw a radius at the corner of the circuit section 3. Move the laser at high speed without giving
The irradiation processing time can be shortened. still,
The radius of the radius is substantially equal to the distance required for acceleration and deceleration of the galvanomirror, for example, 300 μm. Further, the radius of the radius and the like can be set based on information of a design circuit diagram by CAD / CAM.
【００２９】また、絶縁性基材１の表面の非回路部４に
回路部３との境界線に沿ってレーザを照射するにあたっ
て、レーザの照射を各境界線毎に一本ずつおこなってい
たのでは照射処理の時間が長時間必要になる。そこで、
この非回路部４と回路部３との境界線が平行な箇所で
は、レーザを複数スポットに分割して、各離間したスポ
ットを平行に移動させることによって、複数箇所を同時
に照射することができる。図１０はその一例を示すもの
であり、レーザを二本のスポットに分割して各回路部３
の両側の境界に沿って平行に移動させながら照射するこ
とによって、回路部３の両側の境界領域へのレーザの照
射を同時におこなうことができるようにしてある（図１
０においてはレーザをデュアルスポットにして、イ矢印
箇所とイ矢印箇所の照射や、ロ矢印箇所とロ矢印箇所の
照射を同時におこなうようにしている）。Further, when irradiating the laser to the non-circuit portion 4 on the surface of the insulating substrate 1 along the boundary with the circuit portion 3, laser irradiation is performed one by one at each boundary. In this case, the irradiation process requires a long time. Therefore,
At a place where the boundary between the non-circuit part 4 and the circuit part 3 is parallel, the laser can be divided into a plurality of spots, and the separated spots can be moved in parallel to simultaneously irradiate a plurality of spots. FIG. 10 shows an example of this, in which the laser is divided into two spots and
Irradiation while moving in parallel along the boundaries on both sides of the circuit unit 3 allows simultaneous irradiation of the laser to the boundary regions on both sides of the circuit unit 3 (FIG. 1).
At 0, the laser is set to a dual spot, and irradiation at the positions indicated by the arrows A and B or irradiation at the positions indicated by the arrows B and B is performed simultaneously.
【００３０】ここで、レーザの照射の移動をＸ，Ｙガル
バノミラーで操作しておこなうにあたって、例えばレー
ザ発振機とガルバノミラーとの間に２焦点レンズ系を挿
入することによって、レーザを二本のスポットに成形し
て照射をおこなうことができる。二本のスポットの間隔
は回路部３の平行な輪郭線の間隔に応じて調整するもの
である。また、二本のスポットを上記のように回路部３
の両側に同時に照射する他に、非回路部４の両側輪郭に
同時に照射するようにしてもよく、一本以上の回路部３
や非回路部４を挟んだ二本の平行な輪郭に同時に照射す
るようにしてもよい。When the laser irradiation is moved by operating the X and Y galvanometer mirrors, for example, a bifocal lens system is inserted between the laser oscillator and the galvanometer mirror, so that the two lasers are used. Irradiation can be performed by forming into a spot. The interval between the two spots is adjusted according to the interval between the parallel contour lines of the circuit section 3. In addition, the two spots are connected to the circuit unit 3 as described above.
In addition to irradiating simultaneously on both sides of the non-circuit portion 4, it is also possible to simultaneously irradiate both side contours of the non-circuit portion 4.
Alternatively, two parallel contours sandwiching the non-circuit portion 4 may be irradiated simultaneously.
【００３１】図１１はレーザを二本のスポットに成形す
る一例を示すものであり、ピンホール１６あるいはスリ
ットを設けた二枚のマスク１７をレーザのビームＢの光
路に挿入することによって、レーザを各マスク１７のピ
ンホール１６を通過する二本のスポットに分割するよう
にしてある。このものでは、マスク１７，１７の相対位
置関係を変化させて、ピンホール１６，１６の間隔を調
整することによってレーザの二本のスポット間隔を設定
することができると共に、二枚のマスク１７，１７を一
体にして回転させることによってレーザの走査の向きを
方向転換することができる。FIG. 11 shows an example of forming the laser into two spots. The laser is formed by inserting a pinhole 16 or two masks 17 provided with slits into the optical path of the laser beam B. Each of the masks 17 is divided into two spots passing through the pinhole 16. In this device, the interval between the two laser spots can be set by changing the relative positional relationship between the masks 17 and 17 to adjust the interval between the pinholes 16 and 16, and the two masks 17 and 17 can be set. The direction of the laser scanning can be changed by rotating the unit 17 integrally.
【００３２】図１２の実施例では二焦点レンズ２８をレ
ーザのビームＢの光路に挿入することによって、レーザ
を二焦点のスポットに分割するようにしてあり、このも
のでは二焦点レンズ２８を回転させることによってレー
ザの走査の向きを方向転換することができる。図１３は
レーザを二本のスポットに成形する他例を示すものであ
り、レーザのビームＢの光路にプリズム１８を挿入して
光路を二本に分割し、分割した各光路に傾斜角度を調整
自在な可動ミラー１９，２０が挿入してあり、さらにＡ
Ｏスイッチ２１やレンズ２２が挿入してある。プリズム
１８と可動ミラー１９，２０、ＡＯスイッチ２１、レン
ズ２２は全体が一体となって水平に回転されるようにな
っている。そしてこのものにあって、レーザはプリズム
１８によって二本に分割され、さらに可動ミラー１９，
２０で反射されてＡＯスイッチ２１及びレンズ２２を通
って絶縁性基材１の表面に照射される。このようにして
レーザを二本の平行なスポットにして同時に照射するこ
とができるものであり、平行線の方向が変化する箇所で
は各スポットの向きを同時に変えるようにして照射をお
こなうものである。また回路部３が交叉する箇所や回路
部３の端部など、二本の平行線のうち一方が不要なとき
は、一方の可動ミラー２０のみを傾動させたり（図１３
に想像線で示す）、ＡＯスイッチ２１などのシャッター
で一方のレーザビームの照射をオフにしたりして、照射
をおこなうようにすることができるものである。In the embodiment shown in FIG. 12, the laser is divided into bifocal spots by inserting the bifocal lens 28 into the optical path of the laser beam B. In this embodiment, the bifocal lens 28 is rotated. This can change the direction of laser scanning. FIG. 13 shows another example in which the laser is shaped into two spots. The prism 18 is inserted into the optical path of the laser beam B to divide the optical path into two, and the inclination angle is adjusted for each of the divided optical paths. Flexible mirrors 19 and 20 are inserted, and A
The O switch 21 and the lens 22 are inserted. The prism 18, the movable mirrors 19 and 20, the AO switch 21, and the lens 22 are integrally and horizontally rotated. In this device, the laser is split into two laser beams by a prism 18, and the movable mirror 19,
The light is reflected by 20 and irradiates the surface of the insulating substrate 1 through the AO switch 21 and the lens 22. In this way, the laser can be irradiated into two parallel spots at the same time, and the irradiation is performed by simultaneously changing the direction of each spot at a place where the direction of the parallel line changes. Further, when one of the two parallel lines is unnecessary, such as where the circuit section 3 crosses or an end of the circuit section 3, only one movable mirror 20 is tilted (FIG. 13).
The irradiation can be performed by turning off the irradiation of one of the laser beams by a shutter such as the AO switch 21 or the like.
【００３３】上記のようにレーザを複数スポットに分割
して、各スポットを平行に移動させながら照射すること
によって、上記図１の方法を実施することができるもの
であり、一回のレーザ操作で複数本のレーザ照射をおこ
なうことができ、照射時間を短縮することができるもの
である。また、上記各実施例のように、絶縁性基材１の
表面の非回路部４に回路部３との境界線に沿ってレーザ
を照射するにあたって、周辺のエネルギー分布が急峻な
ビームモードのレーザを用いることによって、レーザの
照射によるめっき下地層２の除去の効果が照射部と非照
射部、すなわち非回路部４と回路部３との境界で明確な
差となってあらわれ、境界のにじみやぼけがなくなり、
回路部３の端縁部の仕上げ精度を高く得ることができ
る。By dividing the laser into a plurality of spots and irradiating the spots while moving them in parallel as described above, the method shown in FIG. 1 can be performed. A plurality of laser irradiations can be performed, and the irradiation time can be shortened. Further, as in the above embodiments, when irradiating the laser to the non-circuit portion 4 on the surface of the insulating base material 1 along the boundary line with the circuit portion 3, the laser in the beam mode in which the energy distribution in the periphery is steep. Is used, the effect of removing the plating underlayer 2 by laser irradiation appears as a clear difference between the irradiated part and the non-irradiated part, that is, at the boundary between the non-circuit part 4 and the circuit part 3, and the boundary blurs. The blur disappears,
The finishing accuracy of the edge of the circuit section 3 can be obtained with high accuracy.
【００３４】図１４は周辺のエネルギー分布が急峻なビ
ームモードのレーザを得る一例を示すものであり、円錐
プリズム２４の廻りに円錐台の内周を鏡面として形成し
た円錐ミラー２５を配置し、円錐ミラー２５の下方に上
下複数枚のリング状のシリンドリカルレンズ２６が配置
してある。このものにあって、円錐プリズム２４の頂部
上方からレーザを照射すると、レーザビームＢは円錐プ
リズム２４の外方へ放射されると共に円錐ミラー２５で
リング状に反射され、さらにシリンドリカルレンズ２６
で絞られた後に、環状ビームとして絶縁性基材１に照射
されることになる。このようにして得られる環状ビーム
は、周辺のエネルギー分布が急峻なビームモードになっ
ている。FIG. 14 shows an example of obtaining a laser in a beam mode in which the peripheral energy distribution is steep. A conical mirror 25 formed around the conical prism 24 and having the inner periphery of a truncated cone as a mirror surface is arranged. A plurality of upper and lower ring-shaped cylindrical lenses 26 are arranged below the mirror 25. In this case, when a laser beam is irradiated from above the top of the conical prism 24, the laser beam B is emitted to the outside of the conical prism 24, is reflected in a ring shape by the conical mirror 25, and is further formed into a cylindrical lens 26.
After that, the insulating substrate 1 is irradiated as an annular beam. The annular beam obtained in this manner is in a beam mode in which the peripheral energy distribution is steep.
【００３５】上記のように周辺のエネルギー分布が急峻
なビームモードのレーザを用いて照射をおこなうことに
よって、上記図１の方法を実施することができるもので
あり、レーザの照射によるめっき下地層２の除去の効果
が非回路部４と回路部３との境界で明確な差となってあ
らわれ、回路部３の端縁部の仕上げ精度を高く得ること
ができるものである。As described above, the method shown in FIG. 1 can be carried out by irradiating with the laser in the beam mode in which the peripheral energy distribution is steep. The effect of the removal is clearly seen at the boundary between the non-circuit portion 4 and the circuit portion 3, and the finishing accuracy of the edge portion of the circuit portion 3 can be obtained with high accuracy.
【００３６】また、上記各実施例のように、絶縁性基材
１の表面の非回路部４に回路部３との境界線に沿ってレ
ーザ等の電磁波を照射するにあたって、レーザ等の電磁
波の照射スポット形状を図１５（ａ）のような角型、図
１６（ｂ）のような長角型、あるいは図１７（ｃ）のよ
うな長円型のいずれかに形成して（各スポットをＳで示
す）、このスポットＳを移動させることによって、照射
パターンの角部をエッジ形状に仕上げることができるも
のである。レーザ等の電磁波の照射スポット形状を角
型、長角型、長円型に成形するには、アパーチャやプリ
ズム、シリンドリカルレンズ等を用いておこなうことが
できる。またパルス状のレーザを用いて走査をおこなう
と、走査して照射した縁部がジグザグになるが、照射ス
ポット形状を上記のように角型、長角型、長円型に成形
して、スポット形状の長辺が非回路部４と回路部３との
間の境界線に一致するように走査しながら照射をおこな
うと、照射の縁部のジグザグが小さくなり、回路部３の
境界端面を直線状に仕上げることができるものである。When the non-circuit portion 4 on the surface of the insulating substrate 1 is irradiated with an electromagnetic wave such as a laser along the boundary with the circuit portion 3 as in the above embodiments, The irradiation spot shape is formed into a square shape as shown in FIG. 15A, an oblong shape as shown in FIG. 16B, or an oval shape as shown in FIG. By moving the spot S, the corners of the irradiation pattern can be finished in an edge shape. The irradiation spot shape of an electromagnetic wave such as a laser beam can be formed into a square shape, a rectangular shape, or an elliptical shape using an aperture, a prism, a cylindrical lens, or the like. When scanning is performed using a pulsed laser, the scanned and illuminated edge becomes zigzag, but the irradiation spot shape is formed into a square shape, a rectangular shape, an elliptical shape as described above, and the spot is formed. When the irradiation is performed while scanning so that the long side of the shape coincides with the boundary line between the non-circuit portion 4 and the circuit portion 3, the zigzag of the irradiation edge becomes small, and the boundary end surface of the circuit portion 3 is straightened. It can be finished in a shape.
【００３７】さらに、このようにレーザ等の電磁波を照
射するにあたって、図１６（ａ）に示すように照射スポ
ットＳを回路部３と非回路部４との境界線と平行に振動
させながら、図１６（ｂ）に示すように回路部３と非回
路部４との境界に沿って移動させるようにすることによ
って、丸いスポットであってもパルス状のレーザを用い
た場合のような照射の縁部のジグザグを小さくして、回
路部３の境界端面を直線状に仕上げることができるもの
である。この場合、１パルスの照射の時間内にビーム位
置がビーム径の１／１０〜１０倍の距離を動く程度に振
動させながら移動（走査）させるようにするのがよい。Further, when irradiating an electromagnetic wave such as a laser as described above, the irradiation spot S is vibrated in parallel with the boundary between the circuit portion 3 and the non-circuit portion 4 as shown in FIG. By moving along the boundary between the circuit section 3 and the non-circuit section 4 as shown in FIG. 16 (b), even if the spot is a round spot, the irradiation edge as in the case of using a pulsed laser is used. The zigzag of the section can be reduced, and the boundary end face of the circuit section 3 can be finished in a straight line. In this case, it is preferable that the beam position is moved (scanned) while being vibrated so that the beam position moves by a distance of 1/10 to 10 times the beam diameter within the irradiation time of one pulse.
【００３８】上記のようにレーザ等の電磁波の照射スポ
ット形状を角型や長角型、あるいは長円型のいずれかに
形成して照射したり、あるいは照射スポットを回路部３
と非回路部４との境界線と平行に振動させながら回路部
３と非回路部４との境界に沿って移動させて照射したり
することによって、上記図１の方法を実施することがで
きるものであり、照射パターンの角部をエッジ形状に仕
上げることができ、また照射の縁部のジグザグを小さく
して回路部３の境界端面を直線状に仕上げることができ
るものである。As described above, the irradiation spot shape of the electromagnetic wave such as a laser beam is formed into any one of a square shape, an oblong shape, and an elliptical shape, and the irradiation spot is formed.
The method shown in FIG. 1 can be implemented by moving along the boundary between the circuit unit 3 and the non-circuit unit 4 and irradiating the vibration while vibrating in parallel with the boundary line between the circuit unit 3 and the non-circuit unit 4. That is, the corners of the irradiation pattern can be finished in an edge shape, and the zigzag of the irradiation edge can be reduced so that the boundary end face of the circuit section 3 can be finished in a straight line.
【００３９】図１７乃至図１９は、非回路部４の回路部
３との境界輪郭部分のレーザの照射状態を示すものであ
り、図１７や図１８の実施例では小さい径の照射スポッ
トＳ 1 を走査させてレーザを照射するようにしてある。
また図１９の実施例では小さい径の照射スポットＳ1 を
走査させてレーザを照射する他に、大きい径の照射スポ
ットＳ2 を走査させてレーザを照射するようにしてあ
る。FIGS. 17 to 19 show the circuit section of the non-circuit section 4.
3 shows the laser irradiation state of the boundary contour portion with 3.
In the embodiment of FIGS. 17 and 18, the irradiation spot having a small diameter is used.
To S 1Is scanned to irradiate a laser.
In the embodiment of FIG. 19, the irradiation spot S having a small diameter is used.1To
In addition to scanning and irradiating the laser, the irradiation
STwoTo scan and irradiate the laser.
You.
【００４０】[0040]
【発明の効果】上記のように本発明は、絶縁性基材の表
面にめっき用触媒、めっき用触媒の化合物、金属膜など
のようなめっき下地層を形成し、絶縁性基材の回路部と
非回路部の境界領域に、非回路部のパターンに対応して
レーザ等の電磁波を照射することによって、非照射部を
残してレーザ等の電磁波を照射したこの照射部のめっき
下地層を除去した後、非照射部のめっき下地層のうち回
路部のめっき下地層にめっきを施すようにしたので、レ
ーザの照射は非回路部のうち回路部との境界領域におこ
なえば足りるものであり、非回路部の広い領域の全面に
レーザを照射する場合に比べてレーザの照射処理時間を
短縮することができ、またＣＡＤによって回路設計する
にあたって、ＣＡＤ情報に基づいてレーザ等の電磁波を
照射するようにしたので、ＣＡＤ情報から短時間でレー
ザ等の操作データを作成して作業時間を短縮することが
でき、回路板の生産性を高めることが可能になるもので
ある。As described above, according to the present invention, a plating base layer such as a plating catalyst, a compound of a plating catalyst, a metal film, etc. is formed on the surface of an insulating substrate, and a circuit portion of the insulating substrate is formed. and the boundary region of the non-circuit portion, by applying an electromagnetic wave such as laser to correspond to the pattern of the non-circuit portion, the plating seed layer of the irradiated portion irradiated with electromagnetic waves such as laser, leaving unirradiated portion After removal, the uncoated part of the plating underlayer
Since as plating the plating seed layer of the road section, the irradiation of the laser are those reporting may be made in the boundary region between the non-circuit portion sac Chi circuitry portion, a laser on the entire surface of the wide region of the non-circuit portion as compared with the case of irradiating the can shorten the laser irradiation processing time, when circuits designed by or CAD, since to irradiate an electromagnetic wave such as laser on the basis of the CAD information, short time CAD information in can save time by creating operation data, such as a laser, it is possible to such shall be enhanced the productivity of the circuit board.
【００４１】さらに、レーザ等の電磁波を移動させなが
ら照射するにあたって、照射移動中にビーム径を可変に
したので、非回路部の幅の広い箇所では照射ビームの径
を大きく調整して照射をおこなうことによって、広い面
積でレーザビームを照射して照射時間を短縮することが
でき、また微細な描画を必要する箇所ではレーザ等の照
射ビームの径を小さく調整して照射をおこなうことによ
って、小さい面積の照射で微細に描画して照射をおこな
うことができるものである。Further, when irradiating an electromagnetic wave such as a laser beam while moving it, the beam diameter is made variable during the irradiation movement, so that the irradiation beam is adjusted by increasing the diameter of the irradiation beam in a wide portion of the non-circuit portion. This makes it possible to reduce the irradiation time by irradiating a laser beam over a large area, and by adjusting the diameter of the irradiation beam of a laser or the like to a small area where a fine drawing is required, thereby achieving a small area. The irradiation can be performed by drawing finely by the irradiation.
【００４２】さらに、レーザ等の電磁波の照射部の幅を
非回路部の幅の最小値に設定して、電磁波の照射をおこ
なうようにしたので、回路のパターン間隔が狭い微細な
回路であっても容易に回路形成をおこなうことができる
ものである。さらに、レーザ等の電磁波ビームを複数ス
ポットにして、平行に移動させながら照射するようにし
たので、一回の操作で複数本の照射をおこなうことがで
き、照射時間を短縮することができるものである。Further, the width of the irradiating portion of the electromagnetic wave such as a laser is set to the minimum value of the width of the non-circuit portion so that the irradiating portion is irradiated with the electromagnetic wave. Can easily form a circuit. Furthermore, since irradiation is performed while moving an electromagnetic wave beam such as a laser beam into a plurality of spots and moving them in parallel, a plurality of irradiations can be performed in one operation, and the irradiation time can be reduced. is there.
【００４３】さらに、周辺のエネルギー分布が急峻なビ
ームモードのレーザ等の電磁波を用いて、電磁波を照射
するようにしたので、レーザの照射によるめっき下地層
の除去の効果が非回路部と回路部との境界で明確な差と
なってあらわれ、回路部の端縁部の仕上げ精度を高く得
ることができるものである。さらに、レーザ等の電磁波
の照射スポット形状を角型、長角型、長円型のいずれか
に形成して、電磁波を照射するようにしたので、照射パ
ターンの角部をエッジ形状に仕上げることができるもの
である。Furthermore, since the electromagnetic wave is radiated by using an electromagnetic wave such as a laser in a beam mode having a sharp energy distribution in the periphery, the effect of removing the plating underlayer by the laser irradiation is reduced in the non-circuit portion and the circuit portion. And a clear difference appears at the boundary with the above, and it is possible to obtain high finishing accuracy of the edge portion of the circuit portion. Furthermore, since the irradiation spot shape of the electromagnetic wave such as a laser is formed into any one of a square shape, an oblong shape, and an oval shape to irradiate the electromagnetic wave, the corner portion of the irradiation pattern can be finished in an edge shape. You can do it.
【００４４】さらに、レーザ等の電磁波の照射スポット
を回路部と非回路部との境界線と平行に振動させなが
ら、回路部と非回路部との境界に沿って移動させて電磁
波を照射するようにしたので、照射の縁部のジグザグを
小さくして回路部の境界端面を直線状に仕上げることが
できるものである。Further, while irradiating an irradiation spot of an electromagnetic wave such as a laser in parallel with a boundary line between the circuit section and the non-circuit section, it is moved along the boundary between the circuit section and the non-circuit section to irradiate the electromagnetic wave. Therefore, the zigzag at the irradiation edge can be reduced and the boundary end face of the circuit section can be finished in a straight line.
【図１】本発明の一実施例を示すものであり、（ａ）乃
至（ｅ）はそれぞれ斜視図である。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, and (a) to (e) are perspective views.
【図２】本発明の異なる径のビームを用いた実施例を示
す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of the present invention using beams having different diameters.
【図３】本発明の異なる径のビームを用いた他の実施例
を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing another embodiment of the present invention using beams having different diameters.
【図４】同上の実施例のデフォーカス量制御を示すもの
であり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ概略図である。FIG. 4 shows defocus amount control of the embodiment, and FIGS. 4A and 4B are schematic diagrams, respectively.
【図５】同上の実施例のビーム径の制御の他の例を示す
概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing another example of the beam diameter control of the embodiment.
【図６】同上の実施例のビーム径の制御のさらに他の例
を示す概略図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing still another example of the control of the beam diameter in the embodiment.
【図７】レーザ制御の手順を示すフローチャートであ
る。FIG. 7 is a flowchart illustrating a procedure of laser control.
【図８】同上の他の実施例を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing another embodiment of the above.
【図９】同上の他の実施例を示すものであり、（ａ）、
（ｂ）はぞれぞれ概略平面図である。FIG. 9 shows another embodiment of the above, wherein (a),
(B) is a schematic plan view, respectively.
【図１０】同上の他の実施例を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing another embodiment of the above.
【図１１】同上の他の実施例を示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing another embodiment of the above.
【図１２】同上の他の実施例を示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view showing another embodiment of the above.
【図１３】同上の他の実施例を示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing another embodiment of the above.
【図１４】同上の他の実施例を示す概略断面図である。FIG. 14 is a schematic sectional view showing another embodiment of the above.
【図１５】同上の他の実施例を示すものであり、
（ａ），（ｂ），（ｃ）は照射ビームの形状を示す概略
図である。FIG. 15 shows another embodiment of the above.
(A), (b), (c) is a schematic diagram showing the shape of an irradiation beam.
【図１６】同上の他の実施例を示すものであり、
（ａ），（ｂ）は照射ビームの態様を示す概略図であ
る。FIG. 16 shows another embodiment of the above.
(A), (b) is the schematic which shows the mode of an irradiation beam.
【図１７】同上の他の実施例を示す平面図である。FIG. 17 is a plan view showing another embodiment of the above.
【図１８】同上の他の実施例を示す平面図である。FIG. 18 is a plan view showing another embodiment of the above.
【図１９】同上の他の実施例を示す平面図である。FIG. 19 is a plan view showing another embodiment of the above.
１ 絶縁性基材 ２ めっき下地層 ３ 回路部 ４ 非回路部 ５ 回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating base material 2 Plating base layer 3 Circuit part 4 Non-circuit part 5 Circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内野々 良幸 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (72)発明者 鎌田 策雄 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (72)発明者 中嶋 勲二 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (72)発明者 鈴木 俊之 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−164105（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/18 H05K 3/08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoshiyuki Uchino 1048 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Works, Ltd. Inventor Isuji Nakajima 1048 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Pref. (72) Inventor Toshiyuki Suzuki 1048 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Pref. Matsushita Electric Works Co., Ltd. JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H05K 3/18 H05K 3/08
Claims (7)
き用触媒の化合物、金属膜などのようなめっき下地層を
形成し、絶縁性基材の回路部と非回路部の境界領域に、
非回路部のパターンに対応してレーザ等の電磁波を照射
することによって、非照射部を残してレーザ等の電磁波
を照射したこの照射部のめっき下地層を除去した後、非
照射部のめっき下地層のうち回路部のめっき下地層にめ
っきを施すようにした回路板の製造方法において、ＣＡ
Ｄによって回路設計するにあたって、ＣＡＤ情報に基づ
いて上記のレーザ等の電磁波の照射をおこなうことを特
徴とする回路板の製造方法。1. A catalyst for plating on the surface of the insulating substrate, the compounds of the plating catalyst to form a plating seed layer, such as a metal film, the boundary region of the circuit portion and the non-circuit portion of the insulating substrate To
By irradiating an electromagnetic wave such as laser to correspond to the pattern of the non-circuit portion, after removing the plating seed layer of the irradiated portion irradiated with electromagnetic waves such as laser, leaving unirradiated portion, the non
In a method of manufacturing a circuit board wherein plating is applied to a plating underlayer of a circuit portion among plating underlayers of an irradiation portion ,
A method of manufacturing a circuit board, comprising: irradiating an electromagnetic wave, such as a laser, based on CAD information when designing a circuit by using D.
部の幅の最小値に設定して、電磁波の照射をおこなうこ
とを特徴とする請求項１に記載の回路板の製造方法。2. The method for manufacturing a circuit board according to claim 1, wherein the irradiation of the electromagnetic wave is performed by setting the width of the irradiation part of the electromagnetic wave such as a laser to the minimum value of the width of the non-circuit part.
するにあたって、照射移動中に照射ビーム径を可変にす
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路板の製
造方法。3. The method for manufacturing a circuit board according to claim 1, wherein, when irradiating the electromagnetic wave such as a laser while moving it, the irradiation beam diameter is made variable during the irradiation movement.
スポットにして照射することを特徴とする請求項１乃至
３のいずれかに記載の回路板の製造方法。4. The method for manufacturing a circuit board according to claim 1, wherein an electromagnetic wave beam such as a laser beam is irradiated to a plurality of spaced spots.
ードのレーザ等の電磁波を用いて、電磁波の照射をおこ
なうことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載
の回路板の製造方法。5. The method for manufacturing a circuit board according to claim 1, wherein the irradiation of the electromagnetic wave is performed using an electromagnetic wave such as a laser in a beam mode in which a peripheral energy distribution is steep.
角型、長角型、長円型のいずれかに形成して、電磁波の
照射をおこなうことを特徴とする請求項１乃至５のいず
れかに記載の回路板の製造方法。6. The electromagnetic wave irradiation is performed by forming an irradiation spot shape of an electromagnetic wave such as a laser into one of a square shape, an oblong shape, and an elliptical shape. 3. The method for manufacturing a circuit board according to claim 1.
部と非回路部との境界線と平行に振動させながら、回路
部と非回路部との境界に沿って移動させて電磁波を照射
することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載
の回路板の製造方法。7. Irradiation of an electromagnetic wave by irradiating an electromagnetic wave irradiation spot such as a laser along a boundary between a circuit part and a non-circuit part while vibrating an irradiation spot in parallel with a boundary line between the circuit part and the non-circuit part. The method for manufacturing a circuit board according to claim 1, wherein:
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