JPH07149770A - シラシクロヘキサン化合物の製造方法 - Google Patents

シラシクロヘキサン化合物の製造方法

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JPH07149770A
JPH07149770A JP5326227A JP32622793A JPH07149770A JP H07149770 A JPH07149770 A JP H07149770A JP 5326227 A JP5326227 A JP 5326227A JP 32622793 A JP32622793 A JP 32622793A JP H07149770 A JPH07149770 A JP H07149770A
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JP
Japan
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group
chemical
formula
compound
substituted
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Application number
JP5326227A
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English (en)
Inventor
Tsutomu Ogiwara
勤 荻原
Takaaki Shimizu
孝明 清水
Takeshi Kanou
剛 金生
Toshinobu Ishihara
俊信 石原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 効率的にシラシクロヘキサンを製造すること
ができる製造方法を提供する。 【構成】 一般式 で表わされる5−ハロ−3−置換−1−ペンテン化合物
と、一般式 で表わされるシラン化合物とを、遷移金属触媒の存在
下、ハイドロシリレーション反応によって、一般式 で表わされる5−ハロ−3−置換ペンチルシラン化合物
を得る第1工程と、一般式(III)で表わされる化合物
と金属を反応させて、分子内でのケイ素−炭素結合生成
反応により、一般式 で表わされる4−置換シラシクロヘキサン化合物を得る
第2工程の2つの工程とからなることを特徴とする4−
置換シラシクロヘキサン化合物の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に用いる
液晶組成物に含有するシラシクロヘキサン化合物の製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】シラシクロヘキサン環を有するシラシク
ロヘキサン化合物は、液晶表示装置に用いる液晶組成物
の構成成分として有用である。シラシクロヘキサン環を
合成する方法としては、West(J.Amer.Ch
em.Soc.,76,6012(1954))によっ
て行われた1,5−ジハロペンタンから誘導されるビス
グリニヤール試薬とケイ素上に脱離基を持つシランとの
反応が知られている。しかし、4位に置換基を持つシラ
シクロヘキサンの合成例は少ない。
【0003】桜井らは、シラシクロヘキサン系での立体
化学の研究のために、4−tert−ブチルシラシクロ
ヘキサン化合物を合成し、各種誘導体に導いた(Bul
l.Chem.Soc.Jpn.,49,3185(1
976))。これらの合成例では、求核置換を受けるケ
イ素原子上にアルキル基が存在して脱離基である塩素原
子が減少すると、環化した目的物の収率が著しく低下す
ることが報告されている。従って、シラシクロヘキサン
化合物を工業的規模で経済的に製造する方法としては適
当な方法とは言えず、効率的にシラシクロヘキサンを製
造する方法が望まれていた。
【0004】そこで本発明は、効率的にシラシクロヘキ
サンを製造することができる新規な製造方法を提供する
ことを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記の目的を解決するた
め鋭意検討した結果、本発明者らは次の第1工程及び第
2工程の2工程により、4−置換シラシクロヘキサン化
合物を工業的規模で経済的に製造できることを見出し、
本発明を完成させるに至った。
【0006】(1)第1工程 一般式
【化14】 (式中において、Zは水素原子、ハロゲン原子、シア
ノ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ
基、ジフルオロメトキシ基、R基又はOR基(Rは炭素
数1〜10のアルキル基、又はアルコキシアルキル
基)、Zはフッ素原子、Kは0〜2の整数、L及びM
は0又は1、
【化15】 は、
【化16】
【化17】
【化18】
【化19】
【化20】 または
【化21】 (Jは0〜2の整数を表わす。))で表わされる5−ハ
ロ−3−置換−1−ペンテン化合物と、一般式
【化22】 (式中において、X及びXは、各々独立にハロゲン
原子又は炭素数1〜4のアルコキシ基、Yは水素原子、
炭素数1〜10のアルキル基、アルコキシアルキル基、
又はXを表わす。)で表わされるシラン化合物と
を、遷移金属触媒の存在下、ハイドロシリレーション反
応によって、一般式
【化23】 (式中において、Zは水素原子、ハロゲン原子、シア
ノ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ
基、ジフルオロメトキシ基、R基又はRO基(Rは炭素
数1〜10のアルキル基、又はアルコキシアルキル
基)、Zはフッ素原子、Kは0〜2の整数、Lは0〜
2の整数、Mは0又は1、
【化24】 は、前述と同じものを表わす。)で表わされる5−ハロ
−3−置換ペンチルシラン化合物を得る工程
【0007】(2)第2工程 前記一般式(III)で表わされる化合物と金属を反応さ
せて、分子内でのケイ素−炭素結合形成反応により、一
般式
【化25】 (式中において、Zは水素原子、ハロゲン原子、シア
ノ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ
基、ジフルオロメトキシ基、R基又はOR基(Rは炭素
数1〜10のアルキル基、又はアルコキシアルキル
基)、Zはフッ素原子、Kは0〜2の整数、L及びM
は0又は1、
【化26】 は、前述と同じものを表わす。)で表わされる4−置換
シラシクロヘキサン化合物を得る工程
【0008】本発明により製造されたシラシクロヘキサ
ン化合物類は、分子内にケイ素原子を持つ液晶化合物の
合成中間体として利用価値は非常に高い。
【0009】次に本発明をさらに詳細に説明する。
【0010】(1)第1工程 一般式(I)で表わされる5−ハロ−3−置換−1−ペ
ンテン化合物
【化27】 は、L=0、M=0のとき、
【化28】 となる。
【0011】このとき、Z1はR又はORであるのが好
ましい。
【0012】Rとしては、以下の(a)〜(c)が好ま
しい。 (a)C1〜C10の直鎖状のアルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基、n−デシル基 (b)C3〜C8の分枝状のアルキル基、即ち、イソプ
ロピル基、sec−ブチル基、イソブチル基、1−メチ
ルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル
基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3
−メチルペンチル基、1−エチルペンチル基、1−メチ
ルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキ
シル基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキシル
基、1−メチルヘプチル基、2−メチルヘプチル基、3
−メチルヘプチル基 (c)アルコキシアルキル基、即ち、メトキシメチル
基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシ
メチル基、ペントキシメチル基、メトキシエチル基、エ
トキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル
基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポ
キシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチル
基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基
【0013】またX1はCl、Br又はIが好ましい。
【0014】特に好ましくは、Rとしては、n−プロピ
ル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル
基、n−ヘプチル基、イソプロピル基、sec−ブチル
基、イソブチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブ
チル基、3−メチルブチル基、1−メチルペンチル基、
2−メチルペンチル基、2−エチルヘキシル基<メトキ
シメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、
メトキシペンチル基、エトキシメチル基、エトキシエチ
ル基、プロポキシメチル基、ペントキシメチル基が好ま
しく、XはCl、Br又はIが好ましい。
【0015】L=1,M=0のとき、前記一般式(I)
で表わされる5−ハロ−3−置換−1−ペンテン化合物
は、
【化29】 となる。
【0016】Z1はF、Cl、Br、OCF3、OCHF
2、CF3、CN、R又はORが好ましい。
【0017】Rとしては以下の(a)〜(c)が好まし
い。 (a)C1〜C10の直鎖状のアルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基、n−デシル基 (b)C3〜C8の分枝状のアルキル基、即ち、イソプ
ロピル基、sec−ブチル基、イソブチル基、1−メチ
ルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル
基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3
−メチルペンチル基、1−エチルペンチル基、1−メチ
ルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキ
シル基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキシル
基、1−メチルヘプチル基、2−メチルヘプチル基、3
−メチルヘプチル基 (c)アルコキシアルキル基、即ち、メトキシメチル
基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシ
メチル基、ペントキシメチル基、メトキシエチル基、エ
トキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル
基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポ
キシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチル
基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基
【0018】Z2はF又はCNが好ましい。Kは0〜2
が好ましい。X1はCl、Br又はlが好ましい。
【0019】前記一般式(VI)で表わされる5−ハロ−
3−置換−1−ペンテン化合物として、具体的には以下
の〔化30〕〜〔化46〕が好ましい。
【化30】
【化31】
【化32】
【化33】
【化34】
【化35】
【化36】
【化37】
【化38】
【化39】
【化40】
【化41】
【化42】
【化43】
【化44】
【化45】
【化46】
【0020】前記一般式(VI)で表わされる5−ハロ−
3−置換−1−ペンテン化合物として、特に〔化3
0〕、〔化31〕、〔化33〕〜〔化37〕、〔化3
9〕〜〔化41〕、〔化43〕、〔化45〕及び〔化4
6〕が実用上好ましい。
【0021】Rとしては、n−プロピル基、n−ブチル
基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル
基、イソプロピル基、sec−ブチル基、イソブチル
基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メ
チルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペン
チル基、2−エチルヘキシル基、メトキシメチル基、メ
トキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシペンチ
ル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、プロポキ
シメチル基、ペントキシメチル基が実用上望ましい。
【0022】L=0,M=1のとき、前記一般式(I)
で表わされる5−ハロ−3−置換−1−ペンテン化合物
は、
【化47】
【化48】
【化49】
【化50】
【化51】 または
【化52】 となる。上記のうち特に好ましいのは、〔化47〕、
〔化49〕及び〔化52〕である。
【0023】〔化47〕及び〔化49〕においては、Z
1はRが好ましい。Rとしては、以下の(a)〜(c)
が好ましい。 (a)C1〜C10の直鎖状のアルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基、n−デシル基 (b)C3〜C8の分枝状のアルキル基、即ち、イソプ
ロピル基、sec−ブチル基、イソブチル基、1−メチ
ルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル
基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3
−メチルペンチル基、1−エチルペンチル基、1−メチ
ルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキ
シル基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキシル
基、1−メチルヘプチル基、2−メチルヘプチル基、3
−メチルヘプチル基 (c)アルコキシアルキル基、即ち、メトキシメチル
基、エトキシメチル基、プロポキシルメチル基、ブトキ
シメチル基、ペントキシメチル基、メトキシエチル基、
エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチ
ル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロ
ポキシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチル
基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基 X1はCl、Br又はIが好ましい。
【0024】〔化52〕においては、Z1はF、Cl、
Br、OCF3、OCHF2、CF3、CN、R又はOR
が好ましい。Rとしては、以下の(a)〜(c)が好ま
しい。 (a)C1〜C10の直鎖状のアルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基、n−デシル基、 (b)C3〜C8の分枝状のアルキル基、即ち、イソプ
ロピル基、sec−ブチル基、イソブチル基、1−メチ
ルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル
基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3
−メチルペンチル基、1−エチルペンチル基、1−メチ
ルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキ
シル基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキシル
基、1−メチルヘプチル基、2−メチルヘプチル基、3
−メチルヘプチル基 (c)アルコキシアルキル基、即ち、メトキシメチル
基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシ
メチル基、ペントキシメチル基、メトキシエチル基、エ
トキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル
基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポ
キシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチル
基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基 Z2はフッ素原子が好ましい。J及びKは0〜2である
のが好ましい。X1はCl、Br又はIが好ましい。
【0025】〔化52〕として、特に以下の〔化53〕
〜〔化69〕が好ましい。
【化53】
【化54】
【化55】
【化56】
【化57】
【化58】
【化59】
【化60】
【化61】
【化62】
【化63】
【化64】
【化65】
【化66】
【化67】
【化68】
【化69】
【0026】Rとしては、n−プロピル基、n−ブチル
基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル
基、イソプロピル基、sec−ブチル基、イソブチル
基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メ
チルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペン
チル基、2−エチルヘキシル基、メトキシメチル基、メ
トキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシペンチ
ル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、プロポキ
シメチル基、ペントキシメチル基が実用上特に好まし
い。X1はC、Br又はIが好ましい。
【0027】L=1,M=1のとき、前記一般式(I)
で表わされる5−ハロ−3−置換−1−ペンテン化合物
は、以下の〔化70〕〜〔化75〕となる。
【化70】
【化71】
【化72】
【化73】
【化74】 または
【化75】
【0028】Z1は、F、Cl、Br、OCF3、OCH
2、CF3、CN、R又はORが好ましい。Rとして
は、以下の(a)〜(c)が好ましい。 (a)C1〜C10の直鎖状のアルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基、n−デシル基、 (b)C3〜C8の分枝状のアルキル基、即ち、イソプ
ロピル基、sec−ブチル基、イソブチル基、1−メチ
ルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル
基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3
−メチルペンチル基、1−エチルペンチル基、1−メチ
ルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキ
シル基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキシル
基、1−メチルヘプチル基、2−メチルヘプチル基、3
−メチルヘプチル基 (c)アルコキシアルキル基、即ち、メトキシメチル
基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシ
メチル基、ペントキシメチル基、メトキシエチル基、エ
トキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル
基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポ
キシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチル
基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基 Z2はフッ素原子が好ましい。J及びKは0〜2が好ま
しい。X1はCl、Br又はIが好ましい。
【0029】〔化70〕として特に好ましくは、以下の
〔化76〕〜〔化92〕である。
【化76】
【化77】
【化78】
【化79】
【化80】
【化81】
【化82】
【化83】
【化84】
【化85】
【化86】
【化87】
【化88】
【化89】
【化90】
【化91】
【化92】
【0030】〔化71〕として特に好ましくは、以下の
〔化93〕〜〔化109〕である。
【化93】
【化94】
【化95】
【化96】
【化97】
【化98】
【化99】
【化100】
【化101】
【化102】
【化103】
【化104】
【化105】
【化106】
【化107】
【化108】
【化109】
【0031】〔化72〕として特に好ましくは、以下の
〔化110〕〜〔化126〕である。
【化110】
【化111】
【化112】
【化113】
【化114】
【化115】
【化116】
【化117】
【化118】
【化119】
【化120】
【化121】
【化122】
【化123】
【化124】
【化125】
【化126】
【0032】〔化73〕として特に好ましくは、以下の
〔化127〕〜〔化157〕である。
【化127】
【化128】
【化129】
【化130】
【化131】
【化132】
【化133】
【化134】
【化135】
【化136】
【化137】
【化138】
【化139】
【化140】
【化141】
【化142】
【化143】
【化144】
【化145】
【化146】
【化147】
【化148】
【化149】
【化150】
【化151】
【化152】
【化153】
【化154】
【化155】
【化156】
【化157】
【0033】〔化74〕として特に好ましくは、以下の
〔化158〕〜〔化174〕である。
【化158】
【化159】
【化160】
【化161】
【化162】
【化163】
【化164】
【化165】
【化166】
【化167】
【化168】
【化169】
【化170】
【化171】
【化172】
【化173】
【化174】
【0034】〔化75〕として特に好ましくは、以下の
〔化175〕〜〔化205〕である。
【化175】
【化176】
【化177】
【化178】
【化179】
【化180】
【化181】
【化182】
【化183】
【化184】
【化185】
【化186】
【化187】
【化188】
【化189】
【化190】
【化191】
【化192】
【化193】
【化194】
【化195】
【化196】
【化197】
【化198】
【化199】
【化200】
【化201】
【化202】
【化203】
【化204】
【化205】
【0035】Rとしては、n−プロピル基、n−ブチル
基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル
基、イソプロピル基、sec−ブチル基、イソブチル
基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メ
チルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペン
チル基、2−エチルヘキシル基、メトキシメチル基、メ
トキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシペンチ
ル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、プロポキ
シメチル基、ペントキシメチル基が実用上特に好まし
い。XはC、Br又はIが好ましい。
【0036】シランとしては
【化206】 (式中において、X2及びX3は各々独立に、ハロゲン原
子又は炭素数1〜4のアルコキシ基、Yは水素原子、炭
素数1〜10のアルキル基、アルコキシアルキル基、X
2又はX3を表わす。)が挙げられる。
【0037】X2及びX3として、メトキシ基、エトキシ
基、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子が好ましい。Y
は以下の(a)〜(c)が好ましい。 (a)C1〜C10の直鎖状のアルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−
ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オ
クチル基、n−ノニル基、n−デシル基 (b)C3〜C8の分枝状のアルキル基、即ち、イソプ
ロピル基、sec−ブチル基、イソブチル基、1−メチ
ルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル
基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3
−メチルペンチル基、1−エチルペンチル基、1−メチ
ルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキ
シル基、2−エチルヘキシル基、3−エチルヘキシル
基、1−メチルヘプチル基、2−メチルヘプチル基、3
−メチルヘプチル基 (c)アルコキシアルキル基、即ち、メトキシメチル
基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシ
メチル基、ペントキシメチル基、メトキシエチル基、エ
トキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル
基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポ
キシプロピル基、メトキシブチル基、エトキシブチル
基、メトキシペンチル基、エトキシペンチル基
【0038】アルコキシ基としてメトキシ基又はエトキ
シ基が好ましく、ハロゲン原子としてフッ素原子、塩素
原子又は臭素原子が好ましい。
【0039】さらに上記のうち、n−プロピル基、n−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、イソプロピル基、sec−ブチル基、イソブチ
ル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−
メチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペ
ンチル基、2−エチルヘキシル基、メトキシメチル基、
メトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシペン
チル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、プロポ
キシメチル基、ペントキシメチル基、メトキシ基、エト
キシ基、フッ素原子、塩素原子が実用上特に好ましい。
【0040】ハイドロシリレーション用遷移金属触媒と
して、白金、パラジウム、ロジウム及びルテニウムの化
合物がよい。例えば、塩化白金酸、塩化ルテニウム、硝
酸パラジウム、塩化ロジウムカルボニル、塩化トリス
(トリフェニルホスフィン)ロジウム等が挙げられる。
好ましくは白金化合物であり、より好ましくは塩化白金
酸である。
【0041】使用される触媒の量としては10ppm〜
1.2wt%、好ましくは50〜100ppmである。
ハイドロシリレーション反応は、大抵の場合溶媒を使用
しなくてもよいが、反応原料の種類により使用する場合
もある。このとき、溶媒としては、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の炭化水素系の溶媒が好ましい。反応温
度として0℃〜200℃が好ましく、特に20℃〜12
0℃が好ましい。反応圧力は使用するシランの蒸気圧に
より変わるが、0〜1MPa(ゲージ圧)が好ましく、
特に0〜0.5MPa(ゲージ圧)が好ましい。このと
き、常圧ならば反応装置として開放系の装置でもよい
が、加圧条件下であればオートクレーブ等の密閉系の装
置を使用してもよい。
【0042】(2)第2工程 環化反応は、次の反応式に示されているように進行す
る。
【化207】
【0043】金属とハロゲン化アルキルが反応して有機
金属化合物を生成する。すると、直ちに分子内のケイ素
原子を求核攻撃してX3が脱離し、ケイ素−炭素結合が
形成される。
【0044】この反応に使用される金属として、リチウ
ム、マグネシウム、ナトリウム、カリウム、亜鉛及び銅
−亜鉛合金が好ましい。特にマグネシウム、亜鉛及び銅
−亜鉛合金が好ましい。
【0045】反応に使用される溶媒として、ジエチルエ
ーテル、ジ−n−ブチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ジメトシキエタン等のエーテル類やn−ヘキサン、
n−ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン
等の炭化水素類を単独あるいは混合して用いることがで
きる。
【0046】反応の開始や促進のために、加熱下で反応
を行ったり超音波を与えたりすることも有効である。反
応温度は0℃〜150℃程度の範囲が好ましいが、反応
速度や収率を考慮すると50℃〜120℃の範囲がより
好ましい。
【0047】得られたシラシクロヘキサン化合物は、反
応混合物から反応溶媒を蒸留等の方法で除去した後、反
応で生じた金属塩をろ別することで得られる。さらに目
的物の純度を高めたい場合には、減圧蒸留や再結晶等の
方法で精製することができる。
【0048】
【実施例】以下に実施例を示すが、本発明はこの実施例
の記載に限定されるものではない。
【0049】「実施例1」4−(4−フルオロフェニ
ル)−1−クロロ−1−シラシクロヘキサンの合成5−
クロロ−3−(4−フルオロフェニル)−1−ペンテン
19.9g(100mmol)、ジクロロシラン12.
1g(120mmol)及び触媒量の塩化白金酸の混合
物をオートクレーブ中で反応させて、5−クロロ−3−
(4−フルオロフェニル)ペンチルジクロロシラン2
7.8g(収率87%)を得た。続いて、得られた5−
クロロ−3−(4−フルオロフェニル)ペンチルジクロ
ロシラン15.0g(50mmol)とマグネシウム
1.5g(62mmol)をテトラヒドロフラン50m
l中で、環流下、8時間反応させた。得られた反応混合
物から反応溶媒を減圧下で除去した後、n−ヘキサンを
加え、生じた沈殿をろ別した。ろ液を濃縮し、減圧蒸留
により目的物9.1g(収率80%)を得た。分析結果
は以下の通りであった。 IR(CCl4溶液) 2925,2865,217
5,1610,1410,1235,990,885c
-1 GC−MS(EI) 172,200{(M−C2H
4)+},228(M+
【0050】実施例1と同様の手順で実施例2〜27の
シラシクロヘキサン化合物を合成した。
【0051】「実施例2」原料オレフィン:
【化208】 シラン: HSi(OCH33 金属: Li 生成物:
【化209】 収率: 85%
【0052】「実施例3」原料オレフィン:
【化210】 シラン: HSi(OCH33 金属: Mg 生成物:
【化211】 収率: 90%
【0053】「実施例4」原料オレフィン:
【化212】 シラン: HSiCl3 金属: Mg 生成物:
【化213】 収率: 80%
【0054】「実施例5」原料オレフィン:
【化214】 シラン: H2SiCl2 金属: Mg 生成物:
【化215】 収率: 87%
【0055】「実施例6」原料オレフィン:
【化216】 シラン: HSi(OCH33 金属: Mg 生成物:
【化217】 収率: 91%
【0056】「実施例7」原料オレフィン:
【化218】 シラン: C511SiHCl2 金属: Zn 生成物:
【化219】 収率: 70%
【0057】「実施例8」原料オレフィン:
【化220】 シラン: SiH(OCH33 金属: Mg 生成物:
【化221】 収率: 80%
【0058】「実施例9」原料オレフィン:
【化222】 シラン: H2SiCl2 金属: Mg 生成物:
【化223】 収率: 81%
【0059】「実施例10」原料オレフィン:
【化224】 シラン: C37SiHCl2 金属: Mg 生成物:
【化225】 収率: 68%
【0060】「実施例11」原料オレフィン:
【化226】 シラン: HSi(OCH33 金属: Mg 生成物:
【化227】 収率: 75%
【0061】「実施例12」原料オレフィン:
【化228】 シラン: H SiCl3 金属: Mg 生成物:
【化229】 収率: 78%
【0062】「実施例13」原料オレフィン:
【化230】 シラン: H2SiCl2 金属: Mg 生成物:
【化231】 収率: 82%
【0063】「実施例14」原料オレフィン:
【化232】 シラン: C37SiH(OCH32 金属: Zn−Cu 生成物:
【化233】 収率: 60%
【0064】「実施例15」原料オレフィン:
【化234】 シラン: H Si(OCH33 金属: Mg 生成物:
【化235】 収率: 81%
【0065】「実施例16」原料オレフィン:
【化236】 シラン: H SiCl3 金属: Mg 生成物:
【化237】 収率: 77%
【0066】「実施例17」原料オレフィン:
【化238】 シラン: H SiF3 金属: Mg 生成物:
【化239】 収率: 60%
【0067】「実施例18」原料オレフィン:
【化240】 シラン: (CH32CHCH2SiHCl2 金属: Mg 生成物:
【化241】 収率: 58%
【0068】「実施例19」原料オレフィン:
【化242】 シラン: H2SiCl2 金属: Mg 生成物:
【化243】 収率: 74%
【0069】「実施例20」原料オレフィン:
【化244】 シラン: H Si(OCH33 金属: Mg 生成物:
【化245】 収率: 77%
【0070】「実施例21」原料オレフィン:
【化246】 シラン: CH3OC36SiH(OCH32 金属: Mg 生成物:
【化247】 収率: 51%
【0071】「実施例22」原料オレフィン:
【化248】 シラン: H2SiCl2 金属: Mg 生成物:
【化249】 収率: 74%
【0072】「実施例23」原料オレフィン:
【化250】 シラン: H2SiCl2 金属: Mg 生成物:
【化251】 収率: 81%
【0073】「実施例24」原料オレフィン:
【化252】 シラン: H2SiCl2 金属: Mg 生成物:
【化253】 収率: 68%
【0074】「実施例25」原料オレフィン:
【化254】 シラン: H2SiCl2 金属: Mg 生成物:
【化255】 収率: 65%
【0075】「実施例26」原料オレフィン:
【化256】 シラン: H2SiCl2 金属: Mg 生成物:
【化257】 収率: 69%
【0076】「実施例27」原料オレフィン:
【化258】 シラン: H2SiCl2 金属: Mg 生成物:
【化259】 収率: 71%
【0077】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
ラシクロヘキサン化合物を工業的規模で効率的且つ経済
的に製造することができる。
フロントページの続き (72)発明者 金生 剛 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 石原 俊信 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 以下の第1工程及び第2工程の2つの工
    程とからなることを特徴とする4−置換シラシクロヘキ
    サン化合物の製造方法。 (1)第1工程 一般式 【化1】 (式中において、Z1は水素原子、ハロゲン原子、シア
    ノ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ
    基、ジフルオロメトキシ基、R基又はOR基(Rは炭素
    数1〜10のアルキル基、又はアルコキシアルキル
    基)、Z2はフッ素原子、Kは0〜2の整数、L及びM
    は0又は1、 【化2】 は、 【化3】 【化4】 【化5】 【化6】 【化7】 または 【化8】 (Jは0〜2の整数を表わす。))で表わされる5−ハ
    ロ−3−置換−1−ペンテン化合物と、一般式 【化9】 (式中において、X2及びX3は、各々独立にハロゲン原
    子又は炭素数1〜4のアルコキシ基、Yは水素原子、炭
    素数1〜10のアルキル基、アルコキシアルキル基、X
    2又はX3を表わす。)で表わされるシラン化合物とを、
    遷移金属触媒の存在下、ハイドロシリレーション反応に
    よって、一般式 【化10】 (式中において、Z1は水素原子、ハロゲン原子、シア
    ノ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ
    基、ジフルオロメトキシ基、R基又はOR基(Rは炭素
    数1〜10のアルキル基、又はアルコキシアルキル
    基)、Z2はフッ素原子、Kは0〜2の整数、Lは0〜
    2の整数、Mは0又は1、 【化11】 は、前述と同じものを表わす。)で表わされる5−ハロ
    −3−置換ペンチルシラン化合物を得る工程 (2)第2工程 前記一般式(III)で表わされる化合物と金属を反応さ
    せて、分子内でのケイ素−炭素結合生成反応により、一
    般式 【化12】 (式中において、Z1は水素原子、ハロゲン原子、シア
    ノ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ
    基、ジフルオロメトキシ基、R基又はOR基(Rは炭素
    数1〜10のアルキル基、又はアルコキシアルキル
    基)、Z2はフッ素原子、Kは0〜2の整数、L及びM
    は0又は1、 【化13】 は、前述と同じものを表わす。)で表わされる4−置換
    シラシクロヘキサン化合物を得る工程
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