JPH07147096A - センス回路 - Google Patents

センス回路

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JPH07147096A
JPH07147096A JP29190893A JP29190893A JPH07147096A JP H07147096 A JPH07147096 A JP H07147096A JP 29190893 A JP29190893 A JP 29190893A JP 29190893 A JP29190893 A JP 29190893A JP H07147096 A JPH07147096 A JP H07147096A
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牧  隆史
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正浩 松尾
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ビットラインデータが“1”→“0”に変化
する場合及びビットラインデータが“0”→“1”に変
化する場合の双方のセンス時間を短くできるセンス回路
を提供することを目的とする。 【構成】 ビットラインにおけるデータ“0”のレベル
とデータ“1”のレベルとの間にリファレンスレベルを
設定してメモリデバイスの読み出しを行うようにしたセ
ンス回路において、データ“0”のレベル寄りのref
1にて出力を反転させる第1のセンスアンプ2と、デー
タ“1”のレベル寄りのref2にて出力を反転する第
2のセンスアンプ3と、前回のセンス動作時の前記両セ
ンスアンプ2,3の出力データに基づいて両センスアン
プ2,3のうち早く反転する方のセンスアンプ出力を選
択する出力切替え器4とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等で用
いられるセンス回路に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、EP−ROMには、本体ROM
と同じ回路構成のダミーセル及びこのダミーセルによる
リファレンスレベルと本体ROMとの出力を検出するセ
ンスアンプから成るメモリ読出のためのセンス回路が設
けられている(特公平2−49519号公報(G11C
17/18)参照)。
【0003】そして、従来のセンス回路では、ビットラ
インデータにおける“0”のレベルと“1”のレベルと
の略中間値に一つのリファレンスレベルを設定してい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記センス
回路におけるセンス時間を短くするために、例えばリフ
ァレンスレベルをビットラインデータにおける“1”の
レベルに近づけることにより、ビットラインデータが
“1”→“0”に変化する場合のセンス時間を短縮する
ことができるが、これでは、ビットラインデータが
“0”→“1”に変化する場合のセンス時間が長くなっ
てしまう。また、その逆に、リファレンスレベルをビッ
トラインデータにおける“0”のレベルに近づけると、
ビットラインデータが“0”→“1”に変化する場合の
センス時間が短くなるが、ビットラインデータが“1”
→“0”に変化する場合のセンス時間が長くなってしま
う。
【0005】本発明は、上記の事情に鑑み、ビットライ
ンデータが“1”→“0”に変化する場合及びビットラ
インデータが“0”→“1”に変化する場合の双方のセ
ンス時間を短くできるセンス回路を提供することを目的
とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のセンス回路は、
上記の課題を解決するために、ビットラインにおけるデ
ータ“0”のレベルとデータ“1”のレベルとの間にリ
ファレンスレベルを設定してメモリデバイスの読み出し
を行うようにしたセンス回路において、データ“0”の
レベル寄りの第1のリファレンスレベルにて出力を反転
させる第1のセンスアンプと、データ“1”のレベル寄
りの第2のリファレンスレベルにて出力を反転する第2
のセンスアンプと、前回のセンス動作時の前記両センス
アンプの出力データに基づいて両センスアンプのうち早
く反転する方のセンスアンプ出力を選択する出力切替え
器とを備えていることを特徴とする。
【0007】また、前記の出力切替え器は、前回のセン
ス動作時のセンスアンプ出力をラッチするラッチ部と、
第1のセンスアンプと出力バッファとの間に配置された
第1のトランスファーゲートと、第2のセンスアンプと
出力バッファとの間に配置された第2のトランスファー
ゲートとを備え、前記ラッチ部の出力にて早く動作する
方のセンスアンプに接続されているトランスファーゲー
トをONにするように構成されていてもよい。
【0008】また、前記の出力切替え器は、ビットライ
ンの振幅が十分でないためにセンス動作で前記両センス
アンプのうち一方しか反転しなかった場合に次のセンス
動作は反転した側のセンスアンプを選択するように構成
されていてもよい。請求項1又は2に記載のセンス回
路。
【0009】また、第1及び第2のセンスアンプをカレ
ントミラー型で構成するとともに、そのビットライン側
構成部分は一つとしリファレンス側構成部分は第1及び
第2のリファレンスレベルの各々を生成する二つの回路
部分により構成してもよいものである。
【0010】
【作用】上記第1の構成によれば、ビットラインが
“1”→“0”に変化する場合には、データ“1”のレ
ベル寄りの第2のリファレンスレベルが設定されている
第2のセンスアンプの方が第1のセンスアンプよりも早
く動作し、その逆にビットラインが“0”→“1”に変
化する場合には、データ“0”のレベル寄りの第1のリ
ファレンスレベルが設定されている第1のセンスアンプ
の方が第2のセンスアンプよりも早く動作し、両センス
アンプのうち早く動作した方が選択されてその出力がセ
ンス出力とされるため、ビットラインの変化の方向にか
かわらずセンス時間の短縮が図れることになる。
【0011】上記第2の構成によれば、センスアンプ出
力がトランスファーゲートを通して出力バッファに予め
接続されているため、出力切替えに要する時間を省くこ
とができる。
【0012】上記第3の構成によれば、ビットラインの
振幅が十分でないために、センスアンプの一方のみが反
転する状態を経て再びその前回の状態に戻ったとして
も、前記一方のみが反転した状態におけるセンス出力が
なされるとともにセンスアンプの切替えは行われないこ
とによって、前回の状態に戻る際のセンス動作も正確に
早く行われることになる。
【0013】上記第4の構成によれば、カレントミラー
型で構成したセンスアンプのビットライン側構成部分を
共用するので、二つのセンスアンプをフルセットで構成
する場合の消費電力の増大が回避されることになる。
【0014】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図に基づい
て説明する。
【0015】図1は、本発明のセンス回路1の概略構成
を示したブロック図である。このセンス回路1は、ビッ
トラインデータにおける“0”レベルと“1”レベルと
の間にリファレンスレベルを設定してメモリデバイスの
読み出しを行うものであり、第1のセンスアンプ2と、
第2のセンスアンプ3と、出力切替え器4とを備えて構
成されている。
【0016】第1のセンスアンプ2は、ビットラインデ
ータにおける“0”レベル寄りの第1のリファレンスレ
ベル(以下、ref1と略記する)にて反転するように
なっている。また、第2のセンスアンプ3は、ビットラ
インデータにおける“1”レベル寄りの第2のリファレ
ンスレベル(以下、ref2と略記する)にて反転する
ようになっている。
【0017】出力切替え器4は、第1のセンスアンプ2
の出力(OUT1)及び第2のセンスアンプ3の出力
(OUT2)を入力し、センス動作前の両センスアンプ
2,3の出力データに基づいて両センスアンプ2,3の
うち早く動作する方のセンスアンプ出力を選択してセン
ス出力とするようになっている。
【0018】図2は、上記の出力切替え器4の構成を示
したブロック図である。第1のトランスファーゲート5
(以下、TG5と略記する)は第1のセンスアンプ2の
出力部に、第2のトランスファーゲート6(以下、TG
6と略記する)は第2のセンスアンプ3の出力部に各々
接続されるとともに他端側は出力バッファ(図示せず)
に接続され、更に、これらTG5,TG6は、ラッチ部
7の出力及びインバータ8による反転出力によってどち
らか一方だけがONするようになっている。具体的に
は、上記ラッチ部7の出力(OUT)が“0”のときは
TG5がONでTG6はOFFとなり、“1”のときは
TG6がONでTG5がOFFとなる。このように、セ
ンスアンプ出力がTG5,6を通して出力バッファに予
め接続されているため、出力切替えに要する時間を省く
ことができる。
【0019】図3は、上記のラッチ部7の構成を示した
回路図である。ラッチ部7は、TG5,6に入力部(I
N)が接続された第1のC−MOSゲート(以下、CI
1と略記する)と、このCI1の出力部に接続された第
1ラッチ部10と、この第1のラッチ部10の出力部に
接続された第3のC−MOSゲート(以下、CI3と略
記する)と、このCI3の出力部に接続された第2のラ
ッチ部11とを備え、この第2のラッチ部11の出力
(OUT)を前記TG2,3における選択信号とするよ
うになっている。
【0020】第1のラッチ部10は、インバータ10a
と二つのNORゲート10b,10cと第2のC−MO
Sゲート(以下、CI2と略記する)とを備える。ま
た、第2のラッチ部11は、インバータ11aと第4の
C−MOSゲート(以下、CI4と略記する)とを備え
ている。
【0021】上記のCI1〜4のうち、CI1とCI4
は、αが“1”のときONし、αが“0”のときOFF
する(即ち、回路からの切り離される)ようになってい
る。一方、CI2とCI3は、αが“0”のときON
し、αが“1”のときOFFする(即ち、回路からの切
り離される)ようになっている。なお、上記のαは、前
述のOUT1(図ではAとして表している)とOUT2
(図ではBとして表している)との排他的論理和であ
る。なお、上記αおよびその反転値α-1を生成する回路
は、図示を省略している。
【0022】また、前記の二つのNORゲート10b,
10cにおいて、NORゲート10bの一方の入力端子
にはインバータ10aの出力が入力され、他方の入力端
子にはOUT1とOUT2のアンド出力(A・B)が入
力される。そして、NORゲート10cの一方の入力端
子にはNORゲート10bの出力が入力され、他方の入
力端子にはOUT1とOUT2の各々の反転値のアンド
出力(A-1・B-1)が入力されるようになっている。な
お、上記アンド出力(A・B)及び各々の反転値のアン
ド出力(A-1・B-1)を生成する回路についてもその図
示を省略している。
【0023】次に、上記の如く構成されたラッチ部7の
動作を図4を用いて説明する。
【0024】図4において、(a)にはビットラインの
データのレベル変化を示し、(b)には第1のセンスア
ンプ2の出力であるOUT1のタイムチャートを示し、
(c)には第2のセンスアンプ3の出力であるOUT2
のタイムチャートを示し、(d)にはα,α-1,(A・
B),(A-1・B-1)の値を示し、(e)にはCI1〜
CI4のON・OFF状態を示し、(f)には前記ラッ
チ部7の主要なポイントにおける出力状態等を示し、
(g)にはセンス出力OUT3がOUT1とOUT2の
どちらの出力になっているか、即ち、AかBかを示し、
(h)にはセンス出力OUT3の出力状態を示してい
る。
【0025】(状態1)ビットラインデータが“0”レ
ベルから“1”レベルに変化しようとする状態であり、
OUT1もOUT2も“0”の状態である。このとき、
CI1はOFFであり回路から切り離され、また、CI
2はONであることから、N2点の出力は“0”にN1
点の出力は“1”になる。そして、CI3がONである
ため、N3はN2を反転した値“1”となり、CI4が
OFFでインバータ11aにより反転されるため、選択
信号であるOUTは“0”となる。このため、TG5が
選択されることになり、第1のセンスアンプ2の出力で
あるOUT1がセンス出力OUT3とされる状態とな
る。
【0026】そして、次の状態2に進むときにおいては
OUT1とOUT2のうち先にOUT1の方が“1”に
反転することになるが、上記のごとく、OUT1の出力
がセンス出力OUT3とされていることによって、次の
状態2に進むときのセンス動作が早く行われることにな
る。
【0027】(状態2)ビットラインデータがref1
に達すると、OUT1は“1”になり、上記の如く
“1”のセンス出力が早くなされることになる。また、
ビットラインデータはref2に達してはいないので、
OUT2は“0”のままである。このとき、CI1はO
NでCI2がOFFとなるので、INの値(ここではO
UT1の値)が反転されてN1は“0”に、N2も
“0”になるが、CI3がOFFされCI4がONして
いるため、前状態のOUT出力が維持されることにな
り、選択信号OUTは“0”のままである。このため、
TG5が選択されたままであり、第1のセンスアンプ2
の出力であるOUT1がセンス出力(OUT3)として
出力し続けられる。
【0028】(状態3)ビットラインデータがref2
に達すると、OUTは“1”のままで更にOUT2も
“1”となる。このとき、CI1はOFFでCI2がO
Nであることから、N2点の出力は“1”に、N1点の
出力は“0”になる。そして、CI3がONであるた
め、N3はN2を反転した値“0”となり、CI4がO
FFでインバータ11aにより反転されるため、選択信
号OUTは“1”となる。このため、TG6が選択され
ることになるが、このときTG6の出力であるOUT2
も“1”になっているため、センス出力OUT3には変
化はない。
【0029】そして、上記のごとく、TG6が選択され
てOUT2をセンス出力OUT3とする状態になってい
ることにより、次の状態4に進むときのセンス動作が早
く行われることになる。
【0030】(状態4)状態4では、ビットラインデー
タの振幅が不十分な場合を想定している。ビットライン
データがレベル“1”側からref2に達すると、OU
T2は“0”になり、上記の如く“0”のセンス出力が
早くなされることになる。また、ビットラインデータは
ref1に達してはいないので、OUT1は“1”のま
まである。このとき、CI1はONでCI2がOFFと
なるので、INの値(ここではOUT2の値)が反転さ
れてN1は“1”に、N2は“0”になるが、CI3が
OFFされCI4がONしているため、前状態のOUT
出力が維持されることになり、選択信号OUTは“1”
のままでTG6が選択されたままである。TG6の選択
状態は変わらないが、TG6の出力であるOUT2は
“0”になっているため、センス出力OUT3は“0”
になる。
【0031】そして、上記のごとく、TG6が選択され
てOUT2をセンス出力OUT3とする状態になってい
ることにより、次の状態5に進むときのセンス動作が早
く行われることになる。また、ノイズ等によりビットラ
インレベルが一時的にref1とref2の中間に入
り、再び元のレベルに戻った場合でも、第1ラッチ部1
0で直列に接続された2個のNOR回路10b,10c
によりOUTの極性が決定されるため、OUTの極性は
正しく保たれる。
【0032】(状態5)ビットラインデータがref1
に至らないままref2に達すると、OUT1が“1”
でOUT2も“1”となり、前述の状態3と同じ状態と
なる。この状態では、状態4に引き続いてOUTが
“1”でTG6が選択されている。TG6の選択状態は
変わらないが、TG6の出力であるOUT2は“1”に
なっているため、センス出力OUT3は“1”になる。
【0033】そして、上記の如く、TG6が選択されて
OUT2をセンス出力OUT3とする状態になっている
ことにより、次の状態6に進むときのセンス動作が早く
行われることになる。
【0034】(状態6)ビットラインデータがレベル
“1”側からref2に達すると、OUT2は“0”に
なり、そのセンス出力が早くなされることになる。ま
た、ビットラインデータはref1に達してはいないの
で、OUT1は“1”のままである。このとき、前状態
のOUT出力が維持されることになり、OUTは“1”
のままでTG6が選択されたままである。TG6の選択
状態は変わらないが、TG6の出力であるOUT2は
“0”になるため、センス出力OUT3は“0”にな
る。
【0035】(状態7)状態7では、前述の状態1と同
じ状態、即ち、OUT1もOUT2も“0”の状態であ
り、TG5が選択されることになる。TGの選択状態は
状態6とで異なることになるが、TG5の出力であるO
UT1は“0”であるのでセンス出力OUT3は“0”
のままである。
【0036】そして、上記の如く、TG5が選択されて
OUT1をセンス出力OUT3とする状態となることに
より、次の状態8に進むときのセンス動作が早く行われ
ることになる。
【0037】(状態8)状態8では、前記状態4とは逆
の方向に変化する場合でビットラインデータの振幅が不
十分な場合を想定している。ビットラインデータがレベ
ル“0”側からref1に達すると、OUT1は“1”
になり、この“1”のセンス出力が早くなされることに
なる。また、ビットラインデータはref2に達しては
いないので、OUT2は“0”のままである。従って、
前状態のOUT出力が維持されることになり、OUTは
“0”のままでTG5が選択されたままである。TG5
の選択状態は変わらないが、TG5の出力であるOUT
1は“1”になっているため、センス出力OUT3は
“1”になる。
【0038】そして、上記のごとく、TG5が選択され
てOUT1をセンス出力OUT3とする状態になってい
ることにより、次の状態9に進むときのセンス動作が早
く行われることになる。
【0039】(状態9)ビットラインデータがref2
に至らないままref1に達すると、OUT1が“0”
でOUT2も“0”となり、前述の状態7と同じ状態と
なる。この状態では、状態8に引き続いてOUTが
“0”でTG5が選択されている。TG5の選択状態は
変わらないが、TG5の出力であるOUT1は“0”に
なっているため、センス出力OUT3は“0”になる。
【0040】そして、上記の如く、TG5が選択されて
OUT1をセンス出力OUT3とする状態になっている
ことにより、次の状態に進むときのセンス動作が早く行
われることになる。
【0041】以上説明した状態1〜状態9の動作で明ら
かなように、ビットラインが“1”→“0”に変化する
場合には、“1”レベル寄りのref2が設定されてい
る第2のセンスアンプ3の方が第1のセンスアンプ2よ
りも早く動作し、その逆にビットラインが“0”→
“1”に変化する場合には、“0”レベル寄りのref
1が設定されている第1のセンスアンプ2の方が第2の
センスアンプ3よりも早く動作し、両センスアンプ2,
3のうち早く動作した方が選択されてその出力がセンス
出力とされるため、ビットラインの変化の方向にかかわ
らずセンス時間の短縮が図れることになる。
【0042】更に、ビットラインデータの振幅が不十分
な場合、即ち、前述の状態4、或いは状態8で示したよ
うに、二つのセンスアンプ2,3のうち一方しか反転し
なかった場合、センス出力は行うが出力切替えは行わな
いことにより、次回のセンス反転時にも早くセンス動作
を行うことができる。
【0043】また、上記の実施例では、二つのフルセッ
ト構成のセンスアンプ2,3を用いているが、図5に示
すように、センスアンプを電流センスタイプのカレント
ミラー型で構成するとともに、そのビットライン側構成
部分20は一つとし、リファレンス側構成部分は、第1
リファレンスレベル(ref1)を生成する回路部分2
1と、第2のリファレンスレベル(ref2)を生成す
る回路部分22とにより構成するようにしてもよいもの
である。別言すれば、通常のカレントミラー型のセンス
アンプ構成(20,21)に、別のリファレンス側構成
部分(22)を付加する構成としてもよい。
【0044】このように構成することにより、カレント
ミラー型で構成したセンスアンプのビットライン側構成
部分20を共用することになるので、ビットライン側ロ
ードの電流iが半減でき、二つのセンスアンプをフルセ
ットで構成する場合の消費電力の増大が回避されること
になる。
【0045】また、センスアンプを電圧センスタイプの
カレントミラー型で構成する場合には、図5中のゲート
入力(図中のX点で示す)に直接ビットライン及びダミ
ーラインを接続することにより、同様の効果が得られ
る。
【0046】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ビット
ラインデータが“1”→“0”に変化する場合及びビッ
トラインデータが“0”→“1”に変化する場合の双方
のセンス時間を短くできる。また、その出力切替えに要
する時間を省くことができる。更に、ビットラインデー
タの振幅が不十分となる場合でもセンス時間短縮を確保
することができる。また、二種類のリファレンスレベル
を設定するためにフルセットのセンスアンプを設ける場
合の消費電力増大といった問題も回避することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のセンス回路を示すブロック図である。
【図2】図1の出力切替え器を示すブロック図である。
【図3】図2のラッチ部を示す回路図である。
【図4】図3のラッチ部の動作等を説明するための説明
図である。
【図5】本発明のセンス回路で用いることができる省電
力消費型のセンスアンプを示す回路図である。
【符号の説明】
1 センス回路 2 第1のセンスアンプ 3 第2のセンスアンプ 4 出力切替え器 5 第1のトランスファーゲート 6 第2のトランスファーゲート 7 ラッチ部 10 第1ラッチ部 11 第2ラッチ部 20 ビットライン側構成部分 21 第1のリファレンスレベルを生成する回路部分 22 第2のリファレンスレベルを生成する回路部分

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ビットラインにおけるデータ“0”のレ
    ベルとデータ“1”のレベルとの間にリファレンスレベ
    ルを設定してメモリデバイスの読み出しを行うようにし
    たセンス回路において、データ“0”のレベル寄りの第
    1のリファレンスレベルにて出力を反転させる第1のセ
    ンスアンプと、データ“1”のレベル寄りの第2のリフ
    ァレンスレベルにて出力を反転する第2のセンスアンプ
    と、前回のセンス動作時の前記両センスアンプの出力デ
    ータに基づいて両センスアンプのうち早く反転する方の
    センスアンプ出力を選択する出力切替え器とを備えてい
    ることを特徴とするセンス回路。
  2. 【請求項2】 前記の出力切替え器は、前回のセンス動
    作時のセンスアンプ出力をラッチするラッチ部と、第1
    のセンスアンプと出力バッファとの間に配置された第1
    のトランスファーゲートと、第2のセンスアンプと出力
    バッファとの間に配置された第2のトランスファーゲー
    トとを備え、前記ラッチ部の出力にて早く動作する方の
    センスアンプに接続されているトランスファーゲートを
    ONにするように構成されていることを特徴とする請求
    項1に記載のセンス回路。
  3. 【請求項3】 前記の出力切替え器は、ビットラインの
    振幅が十分でないためにセンス動作で前記両センスアン
    プのうち一方しか反転しなかった場合に次のセンス動作
    は反転した側のセンスアンプを選択するように構成され
    ていることを特徴とする請求項1又は2に記載のセンス
    回路。
  4. 【請求項4】 第1及び第2のセンスアンプをカレント
    ミラー型で構成するとともに、そのビットライン側構成
    部分は一つとしリファレンス側構成部分は第1及び第2
    のリファレンスレベルの各々を生成する二つの回路部分
    により構成していることを特徴とする請求項1乃至3の
    いずれかに記載のセンス回路。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001312886A (ja) * 2000-04-27 2001-11-09 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
KR100377169B1 (ko) * 2000-12-28 2003-03-26 주식회사 하이닉스반도체 데이터 버스라인 센스앰프
JP2020009508A (ja) * 2018-07-03 2020-01-16 富士通セミコンダクター株式会社 抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの制御方法

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