JPH07145381A - コ−クス製造方法およびその製造設備 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明は、室式コ−クス炉とＣＤＱとの組合
せ工程でコ−クスを製造すること、特にＣＤＱプレチャ
ンバ−での加熱、昇温の促進を均一化してコ−クス品質
を満たすため、半成コ−クス（コ−クス）層のレベル変
化に適合する状態で空気を供給できるように、加熱、燃
焼による昇温促進の均一化、室式コ−クス炉の炉命延命
も図れること等多くの工業的規模の効果を意図する。 【構成】室式コ−クス炉で装入炭を低温乾留して半成コ
−クス化して低温窯出し、これをＣＤＱのプレチャンバ
−でコ−クス化するとき、該プレチャンバ−内の三次元
に設ける空気供給管からの供給空気を、半成コ−クス
（コ−クス）層のレベル変化に適合する状態で供給する
よう構成する。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、室式コ−クス炉で装入
炭を低温度で乾留して半成コ−クス化して窯出し、該半
成コ−クスを乾式消火設備（以下、これをＣＤＱと言
う。）へ装入し、加熱、焼成して製品となるコ−クス製
造方法およびその製造設備に関するものである。換言す
ると、室式コ−クス炉で低温乾留、窯出した半成コ−ク
スを、本来は製品となるコ−クスを消火するための機能
を発揮するＣＤＱを用いて、ここで製品となるコ−クス
を製造する方法およびその製造設備を提供せんとするも
のである。

【０００２】ここで半成コ−クスとは、室式コ−クス炉
の炭化室内で６００〜９００℃で乾留を終え、装入炭に
由来する残留揮発分（ＶＭ）を１〜５％有する乾留途中
のコ−クスを言う。ここで、窯出温度とは、装入孔直下
の炭化室高さ１／２で測定した炭中中心温度の平均温度
である。またコ−クスとは、高炉用コ−クス、鋳物用コ
−クス、非鉄金属精錬用コ−クス、その他の使途のコ−
クスを意味するが、以下の説明では便宜的に高炉用コ−
クスを一例として説明する。

【０００３】

【従来技術】高炉用コ−クスの製造は、室式コ−クス炉
の操業において製造するのが一般的で、また銑鋼一貫製
鐵所においては溶銑の吹製は高炉法によるのが通例であ
る。然るに製造コストの低減を図る等のため、最近では
電炉法に代替する動きも耳にする。しかし生産量の規
模、品質等は高炉法がまだ有利とする背景もあって、高
炉法による生産は、一挙に代替されることはないものと
推察する。

【０００４】従って高炉に装入するコ−クスは、今後も
室式コ−クス炉によって製造しなければならないことに
なるが、室式コ−クス炉の稼働開始年月からみて、その
炉命は多くの場合、先が見える炉命に至っているのが現
状で、コ−クス品質、製造コスト等の維持または向上を
図りながら、コ−クス炉の寿命を延命することも図らな
ければならないことは当業者間の共通する技術的課題の
一つでもある。また昨今報道されている地球温暖化の改
善の視点からみても、コ−クス炉での装入炭の乾留温度
を低温化できれば、計り知れない温暖化抑止効果が期待
できるので、従来のコ−クス製造方式を改めることも当
業者の使命とでも言えよう。

【０００５】欺様な課題をいち早く察知する本発明出願
人は、既に特願平１−１３１３８号「高炉用コ−クスの
製造方法」を提案している。これは、コ−クスの製造
を、室式コ−クス炉で８００〜９００℃で乾留して窯出
し、そのコ−クスをＣＤＱへ装入して加熱、焼成して製
品となるコ−クスを製造するものである。従って窯出温
度が低温で、乾留所要時間が従来の室式コ−クス炉での
コ−クス製造方式に比較して、例えば置き時間を皆無す
る等のため、その所要時間だけ短時間になり、結局は室
式コ−クス炉の稼働を軽減でき、その分だけ炉寿命を延
命することを期待するものである。また製造コストも当
然、その分だけ改善効果を期待できるばかりか、その他
多くの効果を期待できる。

【０００６】欺様に先行技術例を含めて、コ−クス炉の
炭化室で低温度で乾留し、窯出してＣＤＱへ装入し、加
熱して焼成してコ−クスを製造する方式では、コ−クス
炉の炭化室での装入炭の乾留進行のバラツキが工業的規
模での成否を左右する。何故ならば、低温度で窯出する
ことは、押出機での押出し作用に耐えるだけの強度を有
しなければ、低温度での窯出を実施できないからであ
る。

【０００７】本発明者等は、欺様な炭化室での装入炭の
乾留進行のバラツキを解決する発明を別に提案するが、
その他の成否要件の一つとして、半成コ−クスを装入し
たＣＤＱでの加熱、焼成条件、またＣＤＱ設備条件があ
る。すなわちＣＤＱでは半成コ−クスを製品コ−クスに
するために加熱、焼成するが、バラツキなく実施できる
か否かが工業的規模で実施できるか否かがその成否を左
右する。

【０００８】これまでのＣＤＱの機能は、所謂コ−クス
を乾式状態で消火する機能が主流であるから、半成コ−
クスを製品コ−クスにするための加熱、焼成条件を記
載、開示するものは無かった。また多くのＣＤＱは、蒸
気回収増加を目的とするために空気を導入するものであ
るから、本発明に係わる低温乾留、窯出による残留揮発
分を１〜５％を有する半成コ−クスを加熱、焼成して製
品コ−クスにすることの仔細適正条件については何等触
れられていない。換言すると、コ−クス品質を満足す
る、ＣＤＱプレチャンバ−での加熱、焼成条件の公知例
は皆無である。

【０００９】本発明者等は欺様な現状に鑑み、室式コ−
クス炉とＣＤＱとの組合せ方式で製品コ−クスを開発す
るパイオニヤとして、次世代コ−クス製造技術として提
案できる方式の開発に努めているが、その成果の一つと
して、上記の半成コ−クスを製品コ−クスの品質を満た
す工業的規模での製造条件を開発することができたの
で、ここに提案するものである。以下本発明の技術的課
題を列挙する。

【００１０】

【発明の技術的課題】 ＣＤＱに装入した半成コ−クスの加熱、焼成をバラツ
キなく工業的規模で実施し、製品となるコ−クスの品質
も満足できること。 半成コ−クスから製品となるコ−クスになる最高到達
温度、昇温速度を均一化することにより、コ−クスの品
質改善効果を一定としてコ−クス品質バラツキを低減で
きること。 特にＣＤＱプレチャンバ−内を降下する半成コ−クス
（コ−クス）層の表面レベルの変化に対応する区域に均
一な空気を供給し、装入炭に由来する半コ−クスが持ち
込む残留揮発分（ＶＭ）を原料とする可燃性ガスの燃焼
を適正にできること。 上記に基づき、主に可燃性ガスを燃焼させ、コ−ク
ス自身の焼失を最低限に抑えることができること。 上記に基づき、プレチャンバ−内の半成コ−クス
（コ−クス）層の表面の半径方向、円周方向の昇温バラ
ツを抑制できること。 上記、等に基づき、コ−クス顕熱の上昇を適正化
して蒸気回収設備での蒸気発生量を増加できること。 低温度で乾留し、低温度で窯出する半成コ−クスは、
残留揮発分（ＶＭ）を１〜５％を有し、窯出し後のＣＤ
Ｑでのコ−クス化のための加熱、焼成の主要熱源として
物理的機能を発揮できること。 室式コ−クス炉での乾留所要時間を短縮できること。 コ−クス品質を、少なくとも室式コ−クス炉のみの乾
留によるコ−クス製造と同様の物理的性状を維持して高
炉操業の安定化に寄与できること。 ▲まる１０▼コ−クスの塊状の程度を、使途に適合する
大きさにできること。 ▲まる１１▼乾留所要時間の短縮により、炉体寿命の延
命に寄与できること。 ▲まる１２▼乾留所要時間の短縮により、製造コストの
低減を図れること。 ▲まる１３▼乾留所要時間の短縮により炉体保守作業の
減少を図ると共に、保守費用の低減を図ること。

【００１１】本発明は、欺る技術的課題を満たすため、
以下の手段を特徴とする。

【第１特徴】 室式コ−クス炉で装入炭を乾留して半成
コ−クス化して窯出し、該半成コ−クスを乾式消火設備
へ装入し、加熱、焼成して製品となるコ−クスを製造す
るに際し、 ａ）装入炭を乾留して、装入炭に由来する残留揮発分
（ＶＭ）を有する状態の半成コ−クスとし、該半成コ−
クスをその低温度のまま窯出した後に乾式消火設備のプ
レチャンバ−に装入し、 ｂ）装入後の半成コ−クス層表面のレベルの変化に対応
させ、供給する空気の高さ区域を変更しつつ該半成コ−
クス層表面全域に空気を均一供給し、 ｃ）該半成コ−クスが有する残留揮発分（ＶＭ）を原料
とする可燃性ガスを燃焼させて半径方向および円周方向
へ均一な昇温、焼成を行うことを特徴とする、コ−クス
製造方法。

【第２特徴】 室式コ−クス炉で装入炭を低温度で乾留
して半成コ−クス化して窯出し、該半成コ−クスを乾式
消火設備へ装入し、加熱、焼成して製品となるコ−クス
を製造する乾式消火設備において、乾式消火設備のプレ
チャンバ−内に空気供給管を３次元に設け、これ等の空
気供給管を制御弁を設ける導管を介して空気供給装置と
繋げて構成することを特徴とする、コ−クス製造設備。

【００１２】次に、本発明の特徴とする必須構成要件の
限定理由を説明する。

【装入炭を低温度で乾留して、装
入炭に由来する残留揮発分（ＶＭ）を有する状態の半成
コ−クスとし、該半成コ−クスをその低温度のまま窯出
した後に乾式消火設備のプレチャンバ−に装入する理由
について】本発明の技術的課題のひとつは、コ−クス炉
の炉命を延命すること、短時間で乾留すること、その他
上記のとおりである。従ってこの点からも装入炭を低温
度で乾留し、窯出することが必須条件となる。また本発
明は、ＣＤＱで製品とするコ−クスを得ることも主要な
技術的課題である。従って室式コ−クス炉での乾留、窯
出を低温度でおこない装入炭を半成コ−クス化し、装入
炭に由来する残留揮発分を有するようにし、この残留揮
発分をＣＤＱで半成コ−クスを加熱、焼成する際の主要
な可燃性ガス源とする必要がある。而て欺様な可燃性ガ
ス源は、加熱、焼成の際にはコ−クス化する品質に支障
を与えない可燃性ガスとなるから必須条件として限定す
る。

【００１３】この場合、半成コ−クスが有する装入炭に
由来する残留揮発分（ＶＭ）の量は、１〜５％であるこ
とが望ましい。何故なら、この残留揮発分（ＶＭ）は、
ＣＤＱのプレチャンバ−に装入した後に、可燃性ガス原
料として供給する空気と共に燃焼して半成コ−クスを製
品となるコ−クスにする機能を発揮するためでる。

【００１４】また本発明では上記のとおり低温度で乾留
し、窯出するが、このときの温度は６００〜９００℃で
ある。すなわち、ＣＤＱプレチャンバ−で半成コ−クス
をコ−クス化する際の主要燃料は、この半成コ−クスが
持ち込む装入炭に由来する残留揮発分（ＶＭ）である。
従って熱源に必要な量だけ持ち込むようにしなければな
らない。その必要量は１〜５％であり、該量を半成コ−
クスに残し、且つ低温度で窯出できる押出強度を満たす
乾留、窯出温度が６００〜９００℃である。

【００１５】

【装入後の半成コ−クス層表面のレベルの
変化に対応させ、供給する空気の高さ区域を変更しつつ
該半成コ−クス層表面全域に空気を均一供給する理由に
ついて】ＣＤＱのプレチャンバ−内の半成コ−クス（コ
−クス）は、コ−クス化の進行程度、室式コ−クス炉の
低温度窯出スケジュ−ル等の相互作用を考慮して、その
レベルを経時と共に変化する。このレベル変化に適合す
るプレチャンバ−の高さ方向の区域で、可燃性ガスを燃
焼させるための空気を供給できるようにすれば、変化に
適合しない空気供給方式よりも、半成コ−クス（コ−ク
ス）表面の半径方向区域、円周方向区域での昇温バラツ
キの発生を抑制できる。本発明の技術的課題は、欺様な
昇温バラツキやコ−クス品質のバラツキを低減するこ
と、また主に可燃性ガスを燃焼させてコ−クス自身の焼
失を適正化すること等も意図しているので、この条件を
限定する。

【００１６】

【半成コ−クスが有する残留揮発分（Ｖ
Ｍ）を原料とする可燃性ガスを燃焼させて半径方向およ
び円周方向へ均一な昇温、焼成を行う理由について】本
発明の技術的課題は既述のとおりである。従って本発明
では、ＣＤＱのプレチャンバ−内での半成コ−クスのコ
−クス化に際しては、コ−クス品質に無害な燃焼条件を
維持できなければならない。またコ−クス化する際にコ
−クス自身が程度を越えて焼失しないようにすることも
重要なことである。そこで本発明では、装入炭に由来す
る残留揮発分（ＶＭ）１〜５％を半成コ−クスがＣＤＱ
に持ち込むことができるよう低温度乾留し、窯出して、
これを原料とする可燃性ガスを主に燃焼させることで満
たすようにしている。従ってこの条件が必須なので限定
する。

【００１７】

【コ−クスを製造する乾式消火設備におい
て、乾式消火設備のプレチャンバ−内に空気供給管を３
次元に設け、これ等の空気供給管を制御弁を設ける導管
を介して空気供給装置と繋げて構成する理由について】
上述のとおりＣＤＱのプレチャンバ−内の半成コ−クス
（コ−クス）層の表面レベルは上昇したり降下してりし
てレベルを変化しつつコ−クス化する。これは半成コ−
クスの装入量、コ−クス化の所要時間等、様々な操業条
件が要因となる。しかし欺るレベルの変化は回避できな
いので、該レベルの変化に適合するように空気を供給し
なければ昇温、燃焼進行は不均一になる。本発明では、
この解決手段として空気供給管をプレチャンバ−内に三
次元に設け、これ等の空気供給管を制御弁を設ける導管
を介して空気供給装置と繋げて構成することを限定す
る。従ってコ−クス（コ−クス）層の表面レベルの変化
に適合する、可燃性ガスの燃焼促進のための空気を供給
することができる。

【００１８】なお上記の空気の供給は、プレチャンバ−
の圧力調整による負圧導入または押し込みブロワ−によ
り行うことが簡便な方式であるから推奨する。

【００１９】欺様な本発明の加熱、焼成は方式は、約４
０℃／ｍｉｎ以上で昇温して１０００℃以上にすること
ができ、コ−クス品質を満足できるので、欺る昇温条件
を上記の限定条件に付加することは、一層好ましい操業
条件として推奨できる。以下、本発明を図面に示す一実
施例に基づき説明する。

【００２０】

【実施例】図１は、本発明を実施するための製造設備を
平面からみた概説説明図で、室式コ−クス炉１は、例え
ば押出機２、装炭車３、半成コ−クスス受け取り車４、
半成コ−クス装入設備５、ＣＤＱ６、蒸気回収設備７、
コ−クス搬出設備８等からなる。なおＣＤＱ６と蒸気回
収設備７は閉鎖循環経路９を繋げており、ＣＤＱ６から
の蒸気の供給と蒸気回収設備７からの使用済みのガスを
ＣＤＱへ送り出しができるようになっている。

【００２１】欺様に本発明のコ−クスの製造は、室式コ
−クス炉１での乾留を低温度の６００〜９００℃で行
い、装入炭を半成コ−クス化（すなわち残留揮発分（Ｖ
Ｍ）を１〜５％有する状態のコ−クスを言う。）し、且
つ該低温度の範囲で半成コ−クスを窯出して半成コ−ク
ス装入設備５でＣＤＱ６のプレチャンバ−１０内へ装入
し、該半成コ−クスが持ち込む残留揮発分（ＶＭ）１〜
５％を供給する空気と共に燃焼させ、半成コ−クスを加
熱、焼成してコ−クス化する。この加熱焼成は、約４０
℃／ｍｉｎ以上で昇温して１０００℃以上にするのでコ
−クス品質等がよい。

【００２２】欺様な昇温およびプレチャンバー内偏流等
に起因する昇温バラツキ（加熱、焼成進行バラツキ）の
抑制等は、ＣＤＱ６を図２のとおり構成することで達成
できる。図２は図１の主にプレチャンバ−１０を拡大し
て断面で示す説明図である。該プレチャンバ−１０に装
入した半成コ−クス層表面との頂部空間部１１の外周部
１２近傍から該プレチャンバ−１０の下方向の外周部に
複数の空気供給管取付け口１３、１３ａ、１３ｂ、１３
ｃ、１３ｄ、・・・を設ける。

【００２３】夫れ夫れの空気供給管取付け口１３、１３
ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄから、プレチャンバ−１０
の内部へ空気供給管１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１
４ｄを気密性を維持して挿入し、三次元状態に設ける。
これ等の空気供給管１４、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１
４ｄは、夫れ夫れに制御弁１５、１５ａ、１５ｂ、１５
ｃ、１５ｄを設け、導管１６を介して空気供給装置１７
と繋げる。

【００２４】これ等の各制御弁１５、１５ａ、１５ｂ、
１５ｃ、１５ｄは、図示しない比較演算制御装置と電気
的に接続し、また図示しないレベルセンサ−をプレチャ
ンバ−１０の高さ方向に設け、該センサ−とも電気的に
比較演算制御装置（図示しない）と接続している。従っ
てプレチャンバ−１０内の半成コ−クス（コ−クス）層
表面の変化は、該レベルセンサ−から比較演算制御装置
に入力され、比較演算した出力は電気信号として該当す
る制御弁１５、１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄの開度
制御に機能するので、空気は適正量だけ半成コ−クス
（コ−クス）層の変化する表面へ供給され、該層から発
生する装入炭に由来する残留揮発分（ＶＭ）が原料とな
る可燃性ガスをバラツキなく燃焼し、半径方向、周方向
へ均一に昇温する。１８はその被加熱区域、１９は燃焼
区域を示す。

【００２５】欺様に適正な加熱、燃焼は半成コ−クスか
ら製品となるコ−クス化に機能し、且つ昇温されたガス
は閉鎖循環経路９を経由して蒸気回収設備７へ至り、蒸
気回収の効率をたかめるのに寄与する。

【００２６】欺様な本発明は、次の比較試験によってさ
らに優位性が分かる。この試験は、生産設備である室式
コ−クス炉１を用いて行ったものである。室式コ−クス
炉１の操業条件は、本発明者等が別に提案する乾留バラ
ツキを低減する発明を基に設定した。なお、比較例とし
て同じ条件で装入したものを本発明の操業条件を外れる
状態で試みた。室式コ−クス炉１としては、炉高５１５
０ｍｍ、炉幅４５０ｍｍ、炉長１４８００ｍｍのものを
使用した。

【００２７】この結果、本発明の条件では半成コ−クス
の窯出しは工業的規模で安定して実施できた。これに対
して比較例は、半成コ−クスの窯出し温度にバラツキを
生じるため、炭中中心温度６００℃では押出しは可能で
あったが不安定であり、炉蓋部よりの発塵、発煙が認め
られ、工業的規模での実施は無理だった。

【００２８】上記の条件で窯出した半成コ−クスの残留
揮発分（ＶＭ）は、次のとおりである。

【００２９】上記のとおり窯出した半成コ−クスを、Ｃ
ＤＱ６のプレチャンバ−内に装入し空気を供給して加
熱、焼成し半成コ−クスをコ−クス化した。このときの
操業条件は表１のとおりである。表中のＰ／Ｃはプレチ
ャンバーを意味する。なお、ここでの比較例１は、前出
の比較例の方法で製造したコークスを通常操業条件のＣ
ＤＱで処理した場合であり、比較例２は本発明により製
造した半成コークスを通常のＣＤＱ設備で焼成を行った
場合のものである。

【００３０】上記ＣＤＱ６での半成コークスのコークス
化の結果は、次の品質を有するコークスを製造できた。
その結果を表２に示す。（以下この頁余白）

【００３１】

【表１】

【００３２】

【表２】

【００３３】図３は本発明と比較例のプレチャンバ−内
の温度分布を示す。この比較例は、空気供給管１４、１
４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄをプレチャンバ−１０の
内部に三次元に設けないで、頂部空間部内へ指向する空
気供給口と空気供給装置を導管で繋げた構成の方式（前
述比較例２）である。図３のとおり本発明に係わる方式
（すなわち図２の構成に係わる方式）は、半成コ−クス
（コ−クス）層のレベル変化に左右されることなく、略
均一な昇温分布を呈していることが分かる。

【００３４】

【発明の効果】本発明は、以上のとおり構成、作用する
ので、次に列挙するとおり従来の室式コ−クス炉のみで
のコ−クス製造では得られない顕著な効果がある。 ＣＤＱに装入した半成コ−クスの加熱、焼成をバラツ
キなく工業的規模で実施し、製品となるコ−クスの品質
も満足できる。 半成コ−クスから製品となるコ−クスになる最高到達
温度、昇温速度を均一化することにより、コ−クスの品
質改善効果を一定としてコ−クス品質バラツキを低減で
きる。 特にＣＤＱプレチャンバ−内を降下する半成コ−クス
（コ−クス）層の表面レベルの変化に対応する区域に均
一な空気を供給し、装入炭に由来する半コ−クスが持ち
込む残留揮発分（ＶＭ）を原料とする可燃性ガスの燃焼
を適正にできる。 上記に基づき、主に可燃性ガスを燃焼させ、コ−ク
ス自身の焼失を最低限に抑えることができる。 上記に基づき、プレチャンバ−内の半成コ−クス
（コ−クス）層の表面の半径方向、円周方向の昇温バラ
ツキを抑制できる。 上記、等に基づき、コ−クス顕熱の上昇を適正化
して蒸気回収設備での蒸気発生量を増加できる。 低温度で乾留し、低温度で窯出する半成コ−クスは、
残留揮発分（ＶＭ）を１〜５％を有し、窯出し後のＣＤ
Ｑでのコ−クス化のための加熱、焼成の主要熱源として
物理的機能を発揮できる。 室式コ−クス炉での乾留所要時間を短縮できる。 コ−クス品質を、少なくとも室式コ−クス炉のみの乾
留によるコ−クス製造と同様の物理的性状を維持して高
炉操業の安定化に寄与できる。 ▲まる１０▼コ−クスの塊状の程度を、使途に適合する
大きさにできる。 ▲まる１１▼乾留所要時間の短縮により、炉体寿命の延
命に寄与できる。 ▲まる１２▼乾留所要時間の短縮により、製造コストの
低減を図れる。 ▲まる１３▼乾留所要時間の短縮により炉体保守作業の
減少を図ると共に、保守費用の低減を図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる室式コ−クス炉とＣＤＱの組合
せ工程でコ−クスを製造する設備を平面からみた説明
図。

【図２】図１のＣＤＱの要部を拡大して断面で示す説明
図。

【図３】本発明と比較例のＣＤＱプレチャンバ−内の温
度分布を示すグラフ。

【符号の説明】

１ 室式コ−クス炉 ２ 押出機 ３ 装炭車 ４ 半成コ−クス受け取り車 ５ 半成コ−クス装入設備 ６ ＣＤＱ ７ 蒸気回収設備 ８ コ−クス搬出設備 ９ 閉鎖循環経路 １０ プレチャンバ− １１ 頂部空間部 １２ 外周部 １３ 空気供給管取り付け口 １４ 空気供給管 １５ 制御弁 １６ 導管 １７ 空気供給装置 １８ 被加熱区域 １９ 燃焼区域

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 室式コ−クス炉で装入炭を乾留して半成
   コ−クス化して窯出し、該半成コ−クスを乾式消火設備
   へ装入し、加熱、焼成して製品となるコ−クスを製造す
   るに際し、 ａ）装入炭を乾留して、装入炭に由来する残留揮発分
   （ＶＭ）を有する状態の半成コ−クスとし、該半成コ−
   クスをその低温度のまま窯出した後に乾式消火設備のプ
   レチャンバ−に装入し、 ｂ）装入後の半成コ−クス層表面のレベルの変化に対応
   させ、供給する空気の高さ区域を変更しつつ該半成コ−
   クス層表面全域に空気を均一供給し、 ｃ）該半成コ−クスが有する残留揮発分（ＶＭ）を原料
   とする可燃性ガスを燃焼させて半径方向および円周方向
   へ均一な昇温、焼成を行うことを特徴とする、コ−クス
   製造方法。
2. 【請求項２】 室式コ−クス炉で装入炭を低温度で乾留
   して半成コ−クス化して窯出し、該半成コ−クスを乾式
   消火設備へ装入し、加熱、焼成して製品となるコ−クス
   を製造する乾式消火設備において、乾式消火設備のプレ
   チャンバ−内に空気供給管を３次元に設け、これ等の空
   気供給管を制御弁を設ける導管を介して空気供給装置と
   繋げて構成することを特徴とする、コ−クス製造設備。 【０００１】