JPH07145382A - コ−クス製造方法およびその製造設備 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明は、室式コ−クス炉とＣＤＱとの組合
せ工程でコ−クスを製造すること、特にＣＤＱプレチャ
ンバ−での加熱、昇温の促進を均一化してコ−クス品質
を満たすため、半成コ−クス（コ−クス）層表面挙動に
適合する状態で空気を供給して加熱、燃焼による昇温促
進の均一化、室式コ−クス炉の炉命延命も図れること等
多くの工業的規模の効果を意図する。 【構成】室式コ−クス炉で装入炭を低温乾留して半成コ
−クス化して低温窯出し、これをＣＤＱのプレチャンバ
−でコ−クス化するとき、該プレチャンバ−に可変部を
開口に挿入して設け、且つ該可変部を制御弁を有する導
管を介して空気供給装置と繋げ、演算比較制御装置の機
能で空気供給流速を制御して意図するコ−クス層表面の
区域の加熱、燃焼を促進し、半径方向の昇温バラツキ等
を低減できるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、室式コ−クス炉で装入
炭を低温度で乾留して半成コ−クス化して窯出し、該半
成コ−クスを乾式消火設備（以下、これをＣＤＱと言
う。）へ装入し、加熱、焼成して製品となるコ−クス製
造方法およびその製造設備に関するものである。換言す
ると、室式コ−クス炉で低温乾留、窯出した半成コ−ク
スを、本来は製品となるコ−クスを消火するための機能
を発揮するＣＤＱを用いて、ここで製品となるコ−クス
を製造する方法およびその製造設備を提供せんとするも
のである。

【０００２】ここで半成コ−クスとは、室式コ−クス炉
の炭化室内で６００〜９００℃で乾留を終え、装入炭に
由来する残留揮発分（ＶＭ）を１〜５％有する乾留途中
のコ−クスを言う。ここで窯出温度とは、装入孔直下の
炭化室高さ１／２で測定した炭中中心温度の平均温度で
ある。またコ−クスとは、高炉用コ−クス、鋳物用コ−
クス、非鉄金属精錬用コ−クス、その他の使途のコ−ク
スを意味するが、以下の説明では便宜的に高炉用コ−ク
スを一例として説明する。

【０００３】

【従来技術】高炉用コ−クスの製造は、室式コ−クス炉
の操業において製造するのが一般的で、また銑鋼一貫製
鐵所においては溶銑の吹製は高炉法によるのが通例であ
る。然るに製造コストの低減を図る等のため、最近では
電炉法に代替する動きも耳にする。しかし生産量の規
模、品質等は高炉法がまだ有利とする背景もあって、高
炉法による生産は、一挙に代替されることはないものと
推察する。

【０００４】従って高炉に装入するコ−クスは、今後も
室式コ−クス炉によって製造しなければならないことに
なるが、室式コ−クス炉の稼働開始年月からみて、その
炉命は多くの場合、先が見える炉命に至っているのが現
状で、コ−クス品質、製造コスト等の維持または向上を
図りながら、コ−クス炉の寿命を延命することも図らな
ければならないことは当業者間の共通する技術的課題の
一つでもある。また昨今報道されている地球温暖化の改
善の視点からみても、コ−クス炉での装入炭の乾留温度
を低温化できれば、計り知れない温暖化抑止効果が期待
できるので、従来のコ−クス製造方式を改めることも当
業者の使命とでも言えよう。

【０００５】欺様な課題をいち早く察知する本発明出願
人は、既に特願平１−１３１３８号「高炉用コ−クスの
製造方法」を提案している。これは、コ−クスの製造
を、室式コ−クス炉で８００〜９００℃で乾留して窯出
し、そのコ−クスをＣＤＱへ装入して加熱、焼成して製
品となるコ−クスを製造するものである。従って窯出温
度が低温で、乾留所要時間が従来の室式コ−クス炉での
コ−クス製造方式に比較して、例えば置き時間を皆無す
る等のため、その所要時間だけ短時間になり、結局は室
式コ−クス炉の稼働を軽減でき、その分だけ炉寿命を延
命することを期待するものである。また製造コストも当
然、その分だけ改善効果を期待できるばかりか、その他
多くの効果を期待できる。

【０００６】欺様に先行技術例を含めて、コ−クス炉の
炭化室で低温度で乾留し、窯出してＣＤＱへ装入し、加
熱して焼成してコ−クスを製造する方式では、コ−クス
炉の炭化室での装入炭の乾留進行のバラツキが工業的規
模での成否を左右する。何故ならば、低温度で窯出する
ことは、押出機での押出し作用に耐えるだけの強度を有
しなければ、低温度での窯出を実施できないからであ
る。

【０００７】本発明者等は、欺様な炭化室での装入炭の
乾留進行のバラツキを解決する発明を別に提案するが、
その他の成否要件の一つとして、半成コ−クスを装入し
たＣＤＱでの加熱、焼成条件、またＣＤＱ設備条件があ
る。すなわちＣＤＱでは半成コ−クスを製品コ−クスに
するために加熱、焼成するが、バラツキなく実施できる
か否かが工業的規模で実施できるか否かがその成否を左
右する。

【０００８】これまでのＣＤＱの機能は、所謂コ−クス
を乾式状態で消火する機能が主流であるから、半成コ−
クスを製品コ−クスにするための加熱、焼成条件を記
載、開示するものは無かった。また多くのＣＤＱは、蒸
気回収増加を目的とするために空気を導入するものであ
るから、本発明に係わる低温乾留、窯出による残留揮発
分を１〜５％を有する半成コ−クスを加熱、焼成して製
品コ−クスにすることの仔細適正条件については何等触
れられていない。換言すると、コ−クス品質を満足す
る、ＣＤＱプレチャンバ−での加熱、焼成条件の公知例
は皆無である。

【０００９】本発明者等は欺様な現状に鑑み、室式コ−
クス炉とＣＤＱとの組合せ方式で製品コ−クスを開発す
るパイオニヤとして、次世代コ−クス製造技術として提
案できる方式の開発に努めているが、その成果の一つと
して、上記の半成コ−クスを製品コ−クスの品質を満た
す工業的規模での製造条件を開発することができたの
で、ここに提案するものである。以下本発明の技術的課
題を列挙する。

【００１０】

【発明の技術的課題】 ＣＤＱに装入した半成コ−クスの加熱、焼成をバラツ
キなく工業的規模で実施し、製品となるコ−クスの品質
も満足できること。 半成コ−クスから製品となるコ−クスになる最高到達
温度、昇温速度を均一化することにより、コ−クスの品
質改善効果を一定としてコ−クス品質バラツキを低減で
きること。 特にＣＤＱプレチャンバ−内に装入後の半成コ−クス
層表面の挙動に対応させ、空気供給流速を制御し半成コ
−クス層表面の到達半径方向距離を変えて被加熱区域を
選択し、特に該被加熱区域の半成コ−クスが有する残留
揮発分（ＶＭ）を主原料とする可燃性ガスを燃焼して半
径方向へ均一な加熱、燃焼を行うことができるようにす
ること。 特にＣＤＱプレチャンバ−内に装入後の半成コ−クス
層表面の挙動に対応させて空気供給を適正化し、半成コ
−クスが有する残留揮発分（ＶＭ）を主原料とする可燃
性ガスを主に燃焼させ、半成コ−クス（コ−クス）自身
の焼失を抑制して製品となるコ−クス歩留を維持できる
こと。 上記に基づき、プレチャンバ−内の半成コ−クス
（コ−クス）層の表面の半径方向、円周方向の昇温バラ
ツキを抑制できること。 上記、等に基づき、コ−クス顕熱の上昇を適正化
して蒸気回収設備での蒸気発生量を増加できること。 低温度で乾留し、低温度で窯出する半成コ−クスは、
残留揮発分（ＶＭ）を１〜５％を有し、窯出し後のＣＤ
Ｑでのコ−クス化のための加熱、焼成の主要熱源として
物理的機能を発揮できること。 室式コ−クス炉での乾留所要時間を短縮できること。 コ−クス品質を、少なくとも室式コ−クス炉のみの乾
留によるコ−クス製造と同様の物理的性状を維持して高
炉操業の安定化に寄与できること。 ▲まる１０▼コ−クスの塊状の程度を、使途に適合する
大きさにできること。 ▲まる１１▼乾留所要時間の短縮により、炉体寿命の延
命に寄与できること。 ▲まる１２▼乾留所要時間の短縮により、製造コストの
低減を図れること。 ▲まる１３▼乾留所要時間の短縮により炉体保守作業の
減少を図ると共に、保守費用の低減を図ること。

【００１１】本発明は、欺る技術的課題を満たすため、
以下の手段を特徴とする。

【第１特徴】 室式コ−クス炉で装入炭を乾留して半成
コ−クス化して窯出し、該半成コ−クスを乾式消火設備
へ装入し、加熱、焼成して製品となるコ−クスを製造す
るに際し、 ａ）装入炭を乾留して、装入炭に由来する残留揮発分
（ＶＭ）を有する状態の半成コ−クスとし、該半成コ−
クスをその低温度のまま窯出した後に乾式消火設備のプ
レチャンバ−に装入し、 ｂ）装入後の半成コ−クス層表面の挙動に対応させ、空
気供給流速を制御し半成コ−クス層表面の到達半径方向
距離を変えて被加熱区域を選択し、 ｃ）特に該被加熱区域の半成コ−クスが有する残留揮発
分（ＶＭ）を主原料とする可燃性ガスを燃焼して半径方
向へ均一な加熱、燃焼を行うことを特徴とする、コ−ク
ス製造方法。

【第２特徴】 室式コ−クス炉で装入炭を乾留して半成
コ−クス化して窯出し、該半成コ−クスを乾式消火設備
へ装入し、加熱、焼成して製品となるコ−クスを製造す
る乾式消火設備において、プレチャンバ−の炉頂空間部
に当たる外周部に開口を設け、該開口に吐出角度を調整
自在な可変部を設け、且つ制御弁を設ける導管を介して
空気供給装置と繋げて構成することを特徴とする、コ−
クス製造設備。

【第３特徴】 プレチャンバ−の炉頂空間部に当たる外
周部に開口を設け、該開口に半成コ−クス層表面挙動情
報把握要素を設け、また他の開口に吐出角度を調整自在
な可変部を設け、該可変部を制御弁を設ける導管を介し
て空気供給装置と繋げ、且つ半成コ−クス層表面挙動情
報把握要素、可変部、制御弁、空気供給装置を比較演算
制御装置と電気的に接続して構成することを特徴とす
る、コ−クス製造設備。

【００１２】次に、本発明の特徴とする必須構成要件の
限定理由を説明する。

【装入炭を低温度で乾留して、装
入炭に由来する残留揮発分（ＶＭ）を有する状態の半成
コ−クスとし、該半成コ−クスをその低温度のまま窯出
した後に乾式消火設備のプレチャンバ−に装入する理由
について】本発明の技術的課題のひとつは、コ−クス炉
の炉命を延命すること、短時間で乾留すること、その他
上記のとおりである。従ってこの点からも装入炭を低温
度で乾留し、窯出することが必須条件となる。また本発
明は、ＣＤＱで製品とするコ−クスを得ることも主要な
技術的課題である。従って室式コ−クス炉での乾留、窯
出を低温度でおこない装入炭を半成コ−クス化し、装入
炭に由来する残留揮発分を有するようにし、この残留揮
発分をＣＤＱで半成コ−クスを加熱、焼成する際の主要
な可燃性ガス源とする必要がある。而て欺様な可燃性ガ
ス源は、加熱、焼成の際にはコ−クス化する品質に支障
を与えない可燃性ガスとなるから必須条件として限定す
る。

【００１３】また本発明では上記のとおり低温度で乾留
し、窯出するが、このときの温度は６００〜９００℃で
ある。すなわち、ＣＤＱプレチャンバ−で半成コ−クス
をコ−クス化する際の主要燃料は、この半成コ−クスが
持ち込む装入炭に由来する残留揮発分（ＶＭ）である。
従って熱源に必要な量だけ持ち込むようにしなければな
らない。その必要量は１〜５％であり、該量を半成コ−
クスに残し、且つ低温度で窯出できる押出強度を満たす
乾留、窯出温度が６００〜９００℃である。

【００１４】

【装入炭を低温度で乾留して、装入炭に由
来する残留揮発分（ＶＭ）を有する状態の半成コ−クス
とし、該半成コ−クスをその低温度のまま窯出した後に
乾式消火設備のプレチャンバ−に装入する理由につい
て】本発明の技術的課題は上述のとおりである。従って
ＣＤＱのプレチャンバ−で主に燃焼させる可燃性ガス
は、半成コ−クスを製品となるコ−クス化に支障となら
ない組成であるべきである。そこで本発明では装入炭の
乾留、窯出条等の工業的規模での条件も配慮して検討し
た結果、半成コ−クスが有する装入炭に由来する残留揮
発分（ＶＭ）の量は、上記のとおり１〜５％であること
を確認した。

【００１５】何故なら、この残留揮発分（ＶＭ）は、プ
レチャンバ−に装入した後に可燃性ガス原料として、外
部から供給する空気と共に燃焼して半成コ−クスを製品
となるコ−クス化する機能を発揮すると共に、その品質
を室式コ−クス炉のものと同程度にできるためでもあ
る。

【００１６】

【装入後の半成コ−クス層表面の挙動に対
応させ、空気供給流速を制御し半成コ−クス層表面の到
達半径方向距離を変えて被加熱区域を選択し、特に該被
加熱区域の半成コ−クスが有する残留揮発分（ＶＭ）を
主原料とする可燃性ガスを燃焼して半径方向へ均一な加
熱、燃焼を行う理由について】本発明の技術的課題は上
述のとおりである。従って例えば、コ−クス品質、加
熱、昇温、温度、燃焼等のバラツキを低減するには、プ
レチャンバ−内の半成コ−クス（コ−クス）層の表面挙
動に適合する加熱、燃焼条件を選択することで、本発明
は、この条件として空気供給流速を制御し半成コ−クス
層表面の到達半径方向距離を変えて被加熱区域を選択す
ることを限定する。またこれ等のバラツキを解決するに
は、燃焼する可燃性ガス組成が支配要因の一つとなる。
本発明では、半成コ−クス（コ−クス）が有する装入炭
に由来する残留揮発物（ＶＭ）を主な原料とする可燃性
ガスを必要とする区域で特に燃焼するよう、空気供給流
速を制御して、半成コ−クス層表面の到達半径方向距離
を変えて被加熱区域を選択することで解決するので該条
件を限定する。

【００１７】

【プレチャンバ−の炉頂空間部に当たる外
周部に開口を設け、該開口に吐出角度を調整自在な可変
部を設け、且つ制御弁を設ける導管を介して空気供給装
置と繋げて構成する理由について】本発明は、半成コ−
クス層表面の挙動に対応させ、空気供給流速を制御し半
成コ−クス層表面の到達半径方向距離を変えて被加熱区
域を選択し、特に該被加熱区域の半成コ−クスが有する
残留揮発分（ＶＭ）を主原料とする可燃性ガスを燃焼し
て半径方向へ均一な加熱、燃焼を行うことが必須条件で
ある。従って可燃性ガスの燃焼のために供給する空気
は、意図する区域に指向する状態で供給しなければなら
ない。本発明では、この意図する区域に指向する状態で
供給する構成要素として、開口に吐出角度を調整自在な
可変部を設け、且つ制御弁を設ける導管を介して空気供
給装置と繋げて構成することを限定する。欺様な構成は
プレチャンバ−内に、意図する区域へ指向する状態で供
給する構成要素を設けるよりも簡便、確実等の優位性が
ある。

【００１８】

【プレチャンバ−の炉頂空間部に当たる外
周部に開口を設け、該開口に半成コ−クス層表面挙動情
報把握要素を設け、また他の開口に吐出角度を調整自在
な可変部を設け、該可変部を制御弁を設ける導管を介し
て空気供給装置と繋げ、且つ半成コ−クス層表面挙動情
報把握要素、可変部、制御弁、空気供給装置を比較演算
制御装置と電気的に接続して構成する理由について】工
業的規模で実施するには室式コ−クス炉とＣＤＱの操業
タイミング、ＣＤＱプレチャンバ−の操業条件、該プレ
チャンバ−内の半成コ−クス（コ−クス）層の降下、装
入に伴う上昇等半成コ−クス（コ−クス）層表面の挙動
に適合できるようにして実施するのが賢明な施策であ
る。また実施に際しては簡便、確実な方式である程成果
が得られる。本発明は上述の技術的課題を達成すること
を意図するものであるから、これを簡便、確実な方式に
構成するために、比較演算制御装置の機能を活用できる
よう、半成コ−クス層表面挙動情報把握要素、可変部、
制御弁、空気供給装置等を電気的に接続して機能するよ
うに限定する。

【００１９】欺様な本発明の加熱、焼成は方式は、約４
０℃／ｍｉｎ以上で昇温して１０００℃以上にすること
ができ、コ−クス品質を満足できるので、欺る昇温条件
を上記の限定条件に付加することは、一層好ましい操業
条件として推奨できる。以下、本発明を図面に示す一実
施例に基づき説明する。

【００２０】

【実施例】図１は、本発明を実施するための製造設備を
平面からみた概説説明図で、室式コ−クス炉１は、例え
ば押出機２、装炭車３、半成コ−クスス受け取り車４、
半成コ−クス装入設備５、ＣＤＱ６、蒸気回収設備７、
コ−クス搬出設備８等からなる。なおＣＤＱ６と蒸気回
収設備７は閉鎖循環経路９を繋げており、ＣＤＱ６から
の蒸気の供給と蒸気回収設備７からの使用済みのガスを
ＣＤＱへ送り出しができるようになっている。

【００２１】欺様に本発明のコ−クスの製造は、室式コ
−クス炉１での乾留を低温度の６００〜９００℃で行
い、装入炭を半成コ−クス化（すなわち残留揮発分（Ｖ
Ｍ）を１〜５％有する状態のコ−クスを言う。）し、且
つ該低温度の範囲で半成コ−クスを窯出して半成コ−ク
ス装入設備５でＣＤＱ６のプレチャンバ−１０内へ装入
し、該半成コ−クスが持ち込む残留揮発分（ＶＭ）１〜
５％を供給する空気と共に燃焼させ、半成コ−クスを加
熱、焼成してコ−クス化する。この加熱焼成は、約４０
℃／ｍｉｎ以上で昇温して１０００℃以上にするのでコ
−クス品質等がよい。

【００２２】欺様な昇温およびプレチャンバー内偏流等
に起因する昇温バラツキ（加熱、焼成進行バラツキ）の
抑制等は、ＣＤＱ６を図２のとおり構成することで達成
できる。図２は図１の主にプレチャンバ−１０を拡大し
て断面で示す説明図である。該プレチャンバ−１０の装
入した半成コ−クス層表面との頂部空間部１１の外周部
１２に開口１３、１３ａ（同図の場合は２ケであるが、
４ケ以上が均一化を図る上で望ましい。）を設ける。こ
れ等の開口１３、１３ａには半成コ−クス（コ−クス）
層表面挙動情報把握要素、例えばレベルセンサ−１４、
１４ａを設ける。また他の開口１３、１３ａには可変部
１５、１５ａを調整自在に気密状態を維持できるよう挿
入して設ける。該可変部１５、１５ａは、制御弁１６を
設ける導管１７を介して空気供給装置１８に設ける。こ
れ等の可変部１５、１５ａ、制御弁１６、空気供給装置
１８は比較演算制御装置１９と電気的に接続して自動的
に機能するよう構成する。なお２０は半成コ−クス（コ
−クス）層表面の被加熱区域、２１は可燃性ガスと供給
空気の作用等で燃焼する燃焼区域を示す。

【００２３】欺様な本発明設備は、次のとおり作用す
る。半成コ−クス（コ−クス）層表面挙動情報把握要素
１４、１４ａは、経時と共に変化する半成コ−クス（コ
−クス）層表面の挙動を比較演算制御装置１９へ電気的
に伝える。該制御装置１９はその機能を発揮して半成コ
−クス（コ−クス）層表面の挙動に適合する昇温（加
熱）区域へ可変部１５、１５ａが指向するよう制御およ
び／または制御弁１６も制御して空気供給流速を制御す
る。これによって半成コ−クス（コ−クス）層表面の選
択する被加熱区域２１へ特に空気が供給され、装入炭に
由来する残留揮発分（ＶＭ）が主原料となる可燃性ガス
を燃焼して該当する区域の昇温（加熱）を図る。半成コ
−クス（コ−クス）の半径方向の温度分布、昇温分布等
が均一化されてコ−クス化品質のバラツキを低減する。
また可燃性ガスの燃焼は該当する区域の燃焼促進を図る
ため、コ−クスの不要な焼失を抑制して製品となるコ−
クスの歩留を高位安定化する。

【００２４】欺様に適正な加熱、燃焼は半成コ−クスか
ら製品となるコ−クス化に機能し、且つ昇温されたガス
は閉鎖循環経路９を経由して蒸気回収設備７へ至り、蒸
気回収の効率を高めるのに寄与する。

【００２５】欺様な本発明は、次の比較試験によってさ
らに優位性が分かる。この試験は、生産設備である室式
コ−クス炉１を用いて行ったものである。室式コ−クス
炉１としては、炉高５１５０ｍｍ、炉幅４５０ｍｍ、炉
長１４８００ｍｍのものを使用した。

【００２６】室式コークス炉１の操業条件は、本発明者
等が別に提案する乾留バラツキを低減する発明を基に設
定した。なお、比較例として同じ条件で装入したものを
本発明の操業条件を外れる状態で試みた。

【００２７】この結果、本発明の条件では半成コ−クス
の窯出しは工業的規模で安定して実施できた。これに対
して比較例は、半成コ−クスの窯出し温度にバラツキを
生じるため、炭中中心温度６００℃では押出しトラブル
を発生し、８００℃では押出しは可能であったが不安定
であり、炉蓋部よりの発塵、発煙が認められ、工業的規
模での実施は無理だった。

【００２８】窯出した半成コ−クスの残留揮発分（Ｖ
Ｍ）は、次のとおりである。

【００２９】上記のとおり窯出しした半成コ−クスを、
ＣＤＱ６のプレチャンバ−内に装入し空気を供給して加
熱、焼成し半成コ−クスをコ−クス化した。その操業条
件を表１に示す。表中Ｐ／Ｃはプレチャンバーを意味す
る。なお、ここでの比較例１は、前出の比較例の方法で
製造したコークスを通常操業条件のＣＤＱで処理した場
合であり、比較例２は本発明により製造した半成コーク
スを通常のＣＤＱ設備で焼成を行った場合のものであ
る。

【００３０】上記ＣＤＱ６での半成コークスのコークス
化の結果は、次の品質を有するコークスを製造できた。
その結果を表２に示す。（以下この頁余白）

【００３１】

【表１】

【００３２】

【表２】

【００３３】図３は本発明と比較例のプレチャンバ−内
の温度分布を示す。この比較例は、可変部１５が動作せ
ず固定して空気供給流速も制御できない方式（前述比較
例２）である。図３のとおり本発明に係わる方式（すな
わち図２の構成に係わる方式）は、半成コ−クス（コ−
クス）層のレベル変化に左右されることなく、略均一な
昇温分布を呈していることが分かる。

【００３４】

【発明の効果】本発明は、以上のとおり構成、作用する
ので、次に列挙するとおり従来の室式コ−クス炉のみで
のコ−クス製造では得られない顕著な効果がある。 ＣＤＱに装入した半成コ−クスの加熱、焼成をバラツ
キなく工業的規模で実施し、製品となるコ−クスの品質
も満足できる。 半成コ−クスから製品となるコ−クスになる最高到達
温度、昇温速度を均一化することにより、コ−クスの品
質改善効果を一定としてコ−クス品質バラツキを低減で
きる。 特にＣＤＱプレチャンバ−内に装入後の半成コ−クス
層表面の挙動に対応させ、空気供給流速を制御し半成コ
−クス層表面の到達半径方向距離を変えて被加熱区域を
選択し、特に該被加熱区域の半成コ−クスが有する残留
揮発分（ＶＭ）を主原料とする可燃性ガスを燃焼して半
径方向へ均一な加熱、燃焼を行うことができる。 特にＣＤＱプレチャンバ−内に装入後の半成コ−クス
層表面の挙動に対応させて空気供給を適正化し、半成コ
−クスが有する残留揮発分（ＶＭ）を主原料とする可燃
性ガスを主に燃焼させ、半成コ−クス（コ−クス）自身
の焼失を抑制して製品となるコ−クス歩留を維持でき
る。 上記に基づき、プレチャンバ−内の半成コ−クス
（コ−クス）層の表面の半径方向、円周方向の昇温バラ
ツキを抑制できる。 上記、等に基づき、コ−クス顕熱の上昇を適正化
して蒸気回収設備での蒸気発生量を増加できる。 低温度で乾留し、低温度で窯出する半成コ−クスは、
残留揮発分（ＶＭ）を１〜５％を有し、窯出し後のＣＤ
Ｑでのコ−クス化のための加熱、焼成の主要熱源として
物理的機能を発揮できる。 室式コ−クス炉での乾留所要時間を短縮できる。 コ−クス品質を、少なくとも室式コ−クス炉のみの乾
留によるコ−クス製造と同様の物理的性状を維持して高
炉操業の安定化に寄与できる。 ▲まる１０▼コ−クスの塊状の程度を、使途に適合する
大きさにできる。 ▲まる１１▼乾留所要時間の短縮により、炉体寿命の延
命に寄与できる。 ▲まる１２▼乾留所要時間の短縮により、製造コストの
低減を図れる。 ▲まる１３▼乾留所要時間の短縮により炉体保守作業の
減少を図ると共に、保守費用の低減を図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる室式コ−クス炉とＣＤＱの組合
せ工程でコ−クスを製造する設備を平面からみた説明
図。

【図２】図１のＣＤＱの要部を拡大して断面で示す説明
図。

【図３】本発明と比較例のＣＤＱプレチャンバ−内の温
度分布を示すグラフ。

【符号の説明】

１ 室式コ−クス炉 ２ 押出機 ３ 装炭車 ４ 半成コ−クス受け取り車 ５ 半成コ−クス装入設備 ６ ＣＤＱ ７ 蒸気回収設備 ８ コ−クス搬出設備 ９ 閉鎖循環経路 １０ プレチャンバ− １１ 頂部空間部 １２ 外周部 １３ 開口 １４ 半成コ−クス（コ−クス）層表面挙動情報把握要
素（レベル計） １５ 可変部 １６ 制御弁 １７ 導管 １８ 空気供給装置 １９ 比較演算制御装置 ２０ 被加熱区域 ２１ 燃焼区域

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 室式コ−クス炉で装入炭を乾留して半成
   コ−クス化して窯出し、該半成コ−クスを乾式消火設備
   へ装入し、加熱、焼成して製品となるコ−クスを製造す
   るに際し、 ａ）装入炭を乾留して、装入炭に由来する残留揮発分
   （ＶＭ）を有する状態の半成コ−クスとし、該半成コ−
   クスをその低温度のまま窯出した後に乾式消火設備のプ
   レチャンバ−に装入し、 ｂ）装入後の半成コ−クス層表面の挙動に対応させ、空
   気供給流速を制御し半成コ−クス層表面の到達半径方向
   距離を変えて被加熱区域を選択し、 ｃ）特に該被加熱区域の半成コ−クスが有する残留揮発
   分（ＶＭ）を主原料とする可燃性ガスを燃焼して半径方
   向へ均一な加熱、燃焼を行うことを特徴とする、コ−ク
   ス製造方法。
2. 【請求項２】 室式コ−クス炉で装入炭を乾留して半成
   コ−クス化して窯出し、該半成コ−クスを乾式消火設備
   へ装入し、加熱、焼成して製品となるコ−クスを製造す
   る乾式消火設備において、プレチャンバ−の炉頂空間部
   に当たる外周部に開口を設け、該開口に吐出角度を調整
   自在な可変部を設け、且つ制御弁を設ける導管を介して
   空気供給装置と繋げて構成することを特徴とする、コ−
   クス製造設備。
3. 【請求項３】 プレチャンバ−の炉頂空間部に当たる外
   周部に開口を設け、該開口に半成コ−クス層表面挙動情
   報把握要素を設け、また他の開口に吐出角度を調整自在
   な可変部を設け、該可変部を制御弁を設ける導管を介し
   て空気供給装置と繋げ、且つ半成コ−クス層表面挙動情
   報把握要素、可変部、制御弁、空気供給装置を比較演算
   制御装置と電気的に接続して構成することを特徴とす
   る、コ−クス製造設備。 【０００１】