JPH07142701A - 半導体量子箱の作製方法 - Google Patents
半導体量子箱の作製方法Info
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- JPH07142701A JPH07142701A JP29163993A JP29163993A JPH07142701A JP H07142701 A JPH07142701 A JP H07142701A JP 29163993 A JP29163993 A JP 29163993A JP 29163993 A JP29163993 A JP 29163993A JP H07142701 A JPH07142701 A JP H07142701A
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- Japan
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- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高価で複雑な装置を必要としないで、しかも
加工精度が高く大量生産の可能な半導体量子箱の作製方
法を提供する。 【構成】 半導体基板１１面に多孔質薄膜１２ａを形成
する第１の工程と、この多孔質薄膜の孔１３を有する多
孔質薄膜をエッチングマスクとして半導体基板１１をエ
ッチングしてエッチング孔１５を形成する第２の工程
と、このエッチング孔に半導体コア層１６を選択成長す
る第３の工程と、多孔質薄膜を除去する第４の工程と、
半導体コア層を埋め込む埋め込み層１７を成長する第５
の工程とを有する半導体量子箱の作製方法。
加工精度が高く大量生産の可能な半導体量子箱の作製方
法を提供する。 【構成】 半導体基板１１面に多孔質薄膜１２ａを形成
する第１の工程と、この多孔質薄膜の孔１３を有する多
孔質薄膜をエッチングマスクとして半導体基板１１をエ
ッチングしてエッチング孔１５を形成する第２の工程
と、このエッチング孔に半導体コア層１６を選択成長す
る第３の工程と、多孔質薄膜を除去する第４の工程と、
半導体コア層を埋め込む埋め込み層１７を成長する第５
の工程とを有する半導体量子箱の作製方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体量子箱の作製方法
に関し、特に電子デバイス、光デバイス等の半導体デバ
イスの高性能化に適用される半導体微細構造の内の半導
体量子箱の作製方法に関するものである。
に関し、特に電子デバイス、光デバイス等の半導体デバ
イスの高性能化に適用される半導体微細構造の内の半導
体量子箱の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】上述の半導体微細構造としては、特に超
格子構造を応用した例えば量子井戸レーザ等に対してそ
の有効性が注目されているが、三次元バルク結晶（通常
の単結晶）の状態から一次元ずつ閉じ込め、量子薄膜構
造（二次元電子ガス状態）、量子細線構造（一次元電子
ガス状態）、量子箱構造（ゼロ次元電子ガス状態）の三
つの構造が考えられている。そして、量子閉じ込めの次
元数を増すにつれて状態密度の集中化が進み、例えばレ
ーザに応用した場合、利得スペクトルが狭くなるため、
より以上の低しきい値電流化が達成できる等の高性能化
が期待できるので、その研究開発が鋭意行われている。
格子構造を応用した例えば量子井戸レーザ等に対してそ
の有効性が注目されているが、三次元バルク結晶（通常
の単結晶）の状態から一次元ずつ閉じ込め、量子薄膜構
造（二次元電子ガス状態）、量子細線構造（一次元電子
ガス状態）、量子箱構造（ゼロ次元電子ガス状態）の三
つの構造が考えられている。そして、量子閉じ込めの次
元数を増すにつれて状態密度の集中化が進み、例えばレ
ーザに応用した場合、利得スペクトルが狭くなるため、
より以上の低しきい値電流化が達成できる等の高性能化
が期待できるので、その研究開発が鋭意行われている。
【０００３】従来、この種の半導体微細構造の形成方法
として、下記の文献に開示されたものがある。 （１）J.Vac.Sci.Technol.B6(4),Jul/Aug,1988,America
n Vacuum Society (USA):T.Fukui & H.Saito;(AlAs)(Ga
As) fractional-layer super lattices grownon (001)
vicinal GaAs substrates by metal-organic chemical
vapor deposition, P.1373 ：文献１ （２）特開平４−７８１２８号公報：文献２
として、下記の文献に開示されたものがある。 （１）J.Vac.Sci.Technol.B6(4),Jul/Aug,1988,America
n Vacuum Society (USA):T.Fukui & H.Saito;(AlAs)(Ga
As) fractional-layer super lattices grownon (001)
vicinal GaAs substrates by metal-organic chemical
vapor deposition, P.1373 ：文献１ （２）特開平４−７８１２８号公報：文献２
【０００４】図２は上述の文献１に開示された従来の分
数原子層超格子の模式斜視図である。図２において、
（ＡｌＡｓ）1/2 （ＧａＡｓ）1/2 で示される分数原子
層超格子２１の単位がαなる角度で微傾斜したＧａＡｓ
基板２２の（００１）面に周期ｄｓをもって成長した有
様の理想的な形態を示している。この場合、ｄｓは角度
αによって表される傾斜を形成する分数原子層超格子２
１のステップの平均長である。従来は、この成長を分子
線エピタキシーで実施していたが、横方向の成長が期待
通りに達成できなかったので、良好な量子細線（Quantu
m Wire）が得られなかった。しかし、本文献の著者ら
は、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）により、上記の横
方向成長の問題を解決することにより、量子細線の形成
を有効的に達成したものである。そして、量子細線や量
子箱（Quantum Box ）を作製するために、上記のような
微傾斜基板のステップを利用した方法、選択成長を利用
した方法をいくつか提案している。また、上述の文献２
には、詳細説明は同文献に譲るが、基板上に形成した多
孔質薄膜を利用して、この孔の内部に半導体コア層を埋
め込むことにより、量子箱を作製する方法が開示されて
いる。
数原子層超格子の模式斜視図である。図２において、
（ＡｌＡｓ）1/2 （ＧａＡｓ）1/2 で示される分数原子
層超格子２１の単位がαなる角度で微傾斜したＧａＡｓ
基板２２の（００１）面に周期ｄｓをもって成長した有
様の理想的な形態を示している。この場合、ｄｓは角度
αによって表される傾斜を形成する分数原子層超格子２
１のステップの平均長である。従来は、この成長を分子
線エピタキシーで実施していたが、横方向の成長が期待
通りに達成できなかったので、良好な量子細線（Quantu
m Wire）が得られなかった。しかし、本文献の著者ら
は、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）により、上記の横
方向成長の問題を解決することにより、量子細線の形成
を有効的に達成したものである。そして、量子細線や量
子箱（Quantum Box ）を作製するために、上記のような
微傾斜基板のステップを利用した方法、選択成長を利用
した方法をいくつか提案している。また、上述の文献２
には、詳細説明は同文献に譲るが、基板上に形成した多
孔質薄膜を利用して、この孔の内部に半導体コア層を埋
め込むことにより、量子箱を作製する方法が開示されて
いる。
【０００５】上記のような量子細線や量子箱等の構造
は、よく知られている超格子を進展させたもので半導体
微細構造と呼ばれているが、構造の寸法が半導体の電子
波長（通常数１００オングストローム）以下になると、
一次元あるいはゼロ次元に閉じ込められた電子による量
子効果が現れるようになる。この効果を利用することに
より、量子細線、量子箱等の量子化された電子の新しい
現象を応用し、従来にない特性をもつ電子デバイスや光
デバイス（例えば、低しきい値レーザ、電子波干渉デバ
イス）の開発の試みが行われている。
は、よく知られている超格子を進展させたもので半導体
微細構造と呼ばれているが、構造の寸法が半導体の電子
波長（通常数１００オングストローム）以下になると、
一次元あるいはゼロ次元に閉じ込められた電子による量
子効果が現れるようになる。この効果を利用することに
より、量子細線、量子箱等の量子化された電子の新しい
現象を応用し、従来にない特性をもつ電子デバイスや光
デバイス（例えば、低しきい値レーザ、電子波干渉デバ
イス）の開発の試みが行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の半
導体量子箱の作製方法では、そのいずれの方法であって
も、精確な結晶成長技術、例えば原子層オーダーの膜厚
制御が必要であり、高価で複雑な製造装置が必要であっ
た。従って、加工精度が高く、かつ大量生産が可能な半
導体量子箱の作製方法は得られていなかった。
導体量子箱の作製方法では、そのいずれの方法であって
も、精確な結晶成長技術、例えば原子層オーダーの膜厚
制御が必要であり、高価で複雑な製造装置が必要であっ
た。従って、加工精度が高く、かつ大量生産が可能な半
導体量子箱の作製方法は得られていなかった。
【０００７】また、上記の文献２の公報に開示された方
法は比較的最新の優れた半導体量子箱の製造方法を教示
するものとなっている。しかし、この方法であっても、
図３に示したように、ＧａＡｓ基板２２上に形成された
多孔質薄膜を構成するｐ型Ｓｉ薄膜２３の孔２４の特に
深さ方向の形状は複雑であって、必ずしも垂直に綺麗な
孔とはなっていないので、その内部に半導体コア層を完
璧に埋め込むことは不可能な場合が多い。特に多孔質膜
と埋め込もうとする半導体との結晶形の関係や、格子定
数、熱膨張率の違いによっては、良好な結晶性を有する
半導体コア層を形成することは困難であって、そのた
め、技術的に満足される半導体量子箱の作製方法が確立
されていないという問題があつた。
法は比較的最新の優れた半導体量子箱の製造方法を教示
するものとなっている。しかし、この方法であっても、
図３に示したように、ＧａＡｓ基板２２上に形成された
多孔質薄膜を構成するｐ型Ｓｉ薄膜２３の孔２４の特に
深さ方向の形状は複雑であって、必ずしも垂直に綺麗な
孔とはなっていないので、その内部に半導体コア層を完
璧に埋め込むことは不可能な場合が多い。特に多孔質膜
と埋め込もうとする半導体との結晶形の関係や、格子定
数、熱膨張率の違いによっては、良好な結晶性を有する
半導体コア層を形成することは困難であって、そのた
め、技術的に満足される半導体量子箱の作製方法が確立
されていないという問題があつた。
【０００８】本発明は上記のような問題点を解決するた
めになされたもので、高価で複雑な装置を必要としない
で、しかも加工精度が高く大量生産の可能な半導体量子
箱の作製方法を提供することを目的とするものである。
めになされたもので、高価で複雑な装置を必要としない
で、しかも加工精度が高く大量生産の可能な半導体量子
箱の作製方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体量子
箱の作製方法は、半導体基板面に多孔質薄膜を形成する
第１の工程と、この多孔質薄膜をエッチングマスクとし
て半導体基板をエッチングしてエッチング孔を形成する
第２の工程と、このエッチング孔に半導体コア層を選択
成長する第３の工程と、多孔質薄膜を除去する第４の工
程と、半導体コア層を埋め込む埋め込み層を成長する第
５の工程とを有するものである。ここで、多孔質薄膜
は、半導体基板面に半導体薄膜を形成した後に陽極酸化
を行い多孔質化することにより形成されるのがよく、か
つこの半導体薄膜はシリコン膜であることが好都合であ
る。さらに、エッチング孔は陽極酸化法によるエッチン
グによって形成されることが好ましい。そして、陽極酸
化法のエッチングによるエッチング孔の形成において、
シリコン膜も同時に一部酸化されるようにすることが望
ましい。
箱の作製方法は、半導体基板面に多孔質薄膜を形成する
第１の工程と、この多孔質薄膜をエッチングマスクとし
て半導体基板をエッチングしてエッチング孔を形成する
第２の工程と、このエッチング孔に半導体コア層を選択
成長する第３の工程と、多孔質薄膜を除去する第４の工
程と、半導体コア層を埋め込む埋め込み層を成長する第
５の工程とを有するものである。ここで、多孔質薄膜
は、半導体基板面に半導体薄膜を形成した後に陽極酸化
を行い多孔質化することにより形成されるのがよく、か
つこの半導体薄膜はシリコン膜であることが好都合であ
る。さらに、エッチング孔は陽極酸化法によるエッチン
グによって形成されることが好ましい。そして、陽極酸
化法のエッチングによるエッチング孔の形成において、
シリコン膜も同時に一部酸化されるようにすることが望
ましい。
【００１０】
【作用】この発明においては、半導体基板（第一の半導
体層）上に多孔質薄膜を形成し、これをマスクとして下
地基板をエッチングして微細孔を形成し、この孔に第二
の半導体層をコア層として埋め込み、多孔質薄膜を除去
した後、更に第三の半導体層を埋め込み層として成長さ
せるから、上記のコア層は第一の半導体層と第三の半導
体層とによって独立して囲まれるようになる。従って、
第二の半導体層のコア層は、ゼロ次元（点状態）に閉じ
込められた電子ガス状態である所の超格子状態が形成さ
れるから、半導体微細構造の内の重要な１つとして注目
されている半導体量子箱が構成される。
体層）上に多孔質薄膜を形成し、これをマスクとして下
地基板をエッチングして微細孔を形成し、この孔に第二
の半導体層をコア層として埋め込み、多孔質薄膜を除去
した後、更に第三の半導体層を埋め込み層として成長さ
せるから、上記のコア層は第一の半導体層と第三の半導
体層とによって独立して囲まれるようになる。従って、
第二の半導体層のコア層は、ゼロ次元（点状態）に閉じ
込められた電子ガス状態である所の超格子状態が形成さ
れるから、半導体微細構造の内の重要な１つとして注目
されている半導体量子箱が構成される。
【００１１】
【実施例】図１は本発明による半導体量子箱の作製工程
を示す模式工程図である。図のａ〜ｅ工程図の順に形成
手順を説明する。まず、ｐ−ＧａＡｓ基板１１上に例え
ばシリコン（以下Ｓｉとする）を堆積してＳｉ薄膜１２
を形成する（ａ工程図参照）。次いで、例えば陽極酸化
法によりＳｉ薄膜１２を多孔質化してＳｉ多孔質膜１２
ａに無数の孔１３を形成する（ｂ，ｂ−２工程図参照、
但しｂ−２図はｂ工程断面図の上面図）。その後、Ｓｉ
多孔質膜１２ａをマスクとして、ｐ−ＧａＡｓ基板１１
のエッチングを行い、ｐ−ＧａＡｓ基板１１上にエッチ
ング孔１５を形成する（ｃ工程図参照）。次に、Ｓｉ多
孔質膜１２ａの表面を酸化して、ＳｉＯ２酸化膜１４を
形成する（ｃ工程図参照）。ＳｉＯ２酸化膜１４は、次
工程のコア層成長時のマスクとして使用するものであ
り、自然酸化膜であってもよい。
を示す模式工程図である。図のａ〜ｅ工程図の順に形成
手順を説明する。まず、ｐ−ＧａＡｓ基板１１上に例え
ばシリコン（以下Ｓｉとする）を堆積してＳｉ薄膜１２
を形成する（ａ工程図参照）。次いで、例えば陽極酸化
法によりＳｉ薄膜１２を多孔質化してＳｉ多孔質膜１２
ａに無数の孔１３を形成する（ｂ，ｂ−２工程図参照、
但しｂ−２図はｂ工程断面図の上面図）。その後、Ｓｉ
多孔質膜１２ａをマスクとして、ｐ−ＧａＡｓ基板１１
のエッチングを行い、ｐ−ＧａＡｓ基板１１上にエッチ
ング孔１５を形成する（ｃ工程図参照）。次に、Ｓｉ多
孔質膜１２ａの表面を酸化して、ＳｉＯ２酸化膜１４を
形成する（ｃ工程図参照）。ＳｉＯ２酸化膜１４は、次
工程のコア層成長時のマスクとして使用するものであ
り、自然酸化膜であってもよい。
【００１２】この後、上記のエッチング孔１５にこの場
合は第二の半導体層としてｐ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ
（ｘ＝０．３）を埋め込むように選択成長させて、コア
層のｐ−ＡｌＧａＡｓ１６を形成する（ｄ工程図参
照）。さらに、マスクとして使用したＳｉＯ２酸化膜１
４及びＳｉ多孔質膜１２ａを除去して表面洗浄を行った
後、第三の半導体としてアンドープＧａＡｓを成長し
て、コア層のｐ−ＡｌＧａＡｓ１６を埋め込むように、
アンドープＧａＡｓ埋め込み層１７を形成する（ｅ工程
図参照）。以上の工程によって、半導体量子箱を構成す
る半導体微細構造の形成が完成する。
合は第二の半導体層としてｐ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ
（ｘ＝０．３）を埋め込むように選択成長させて、コア
層のｐ−ＡｌＧａＡｓ１６を形成する（ｄ工程図参
照）。さらに、マスクとして使用したＳｉＯ２酸化膜１
４及びＳｉ多孔質膜１２ａを除去して表面洗浄を行った
後、第三の半導体としてアンドープＧａＡｓを成長し
て、コア層のｐ−ＡｌＧａＡｓ１６を埋め込むように、
アンドープＧａＡｓ埋め込み層１７を形成する（ｅ工程
図参照）。以上の工程によって、半導体量子箱を構成す
る半導体微細構造の形成が完成する。
【００１３】上記の工程中、ｂ工程において行うｐ−Ｇ
ａＡｓ基板１１のエッチングは、陽極酸化によって実施
してもよい。ＧａＡｓの陽極酸化膜は塩酸ＨＣｌ等によ
って容易に除去でき、膜厚の制御性も非常によく、数ｎ
ｍ程度の制御は十分に可能だからである。さらに、電解
液を選ぶことにより、同時にＳｉ多孔質膜１２ａの表面
も一部が酸化されて生じたＳｉＯ２酸化膜１４が、後工
程の選択成長の際のマスクとして使用可能であるという
利点も持っている。また、Ｓｉ多孔質膜１２ａを単にマ
スクとして扱っているため、コア層の形状は多孔質膜の
孔の形状によらず一定となるため、さらに量子効果が大
きくなる。その上、多孔質膜として他の種々の材料を用
いることができる利点も生ずる。
ａＡｓ基板１１のエッチングは、陽極酸化によって実施
してもよい。ＧａＡｓの陽極酸化膜は塩酸ＨＣｌ等によ
って容易に除去でき、膜厚の制御性も非常によく、数ｎ
ｍ程度の制御は十分に可能だからである。さらに、電解
液を選ぶことにより、同時にＳｉ多孔質膜１２ａの表面
も一部が酸化されて生じたＳｉＯ２酸化膜１４が、後工
程の選択成長の際のマスクとして使用可能であるという
利点も持っている。また、Ｓｉ多孔質膜１２ａを単にマ
スクとして扱っているため、コア層の形状は多孔質膜の
孔の形状によらず一定となるため、さらに量子効果が大
きくなる。その上、多孔質膜として他の種々の材料を用
いることができる利点も生ずる。
【００１４】また、工程上、ホトリソグラフィー工程及
び薄膜エッチング工程のような通常のエッチング用マス
ク作製工程がなくなるにも拘らず、微細な孔がそのまま
基板に転写されるから、容易に微細加工精度の向上が達
成される。また、第二の半導体層となる埋め込みコア層
を基板内に埋め込むようにしたため、ヘテロエピタキシ
ャル成長における両者の物性定数の差を小さくすること
ができると共に、以後の製造工程でその界面が雰囲気中
に暴露されることがない。このため、良好な界面特性を
示すことが期待できる。さらに、高度な膜厚制御や複雑
な結晶成長手段を必要としないため、高価で精巧な結晶
成長装置等の設備がなくても、加工精度が高く、かつ大
量生産が可能な量子箱の作製方法が実現できる。
び薄膜エッチング工程のような通常のエッチング用マス
ク作製工程がなくなるにも拘らず、微細な孔がそのまま
基板に転写されるから、容易に微細加工精度の向上が達
成される。また、第二の半導体層となる埋め込みコア層
を基板内に埋め込むようにしたため、ヘテロエピタキシ
ャル成長における両者の物性定数の差を小さくすること
ができると共に、以後の製造工程でその界面が雰囲気中
に暴露されることがない。このため、良好な界面特性を
示すことが期待できる。さらに、高度な膜厚制御や複雑
な結晶成長手段を必要としないため、高価で精巧な結晶
成長装置等の設備がなくても、加工精度が高く、かつ大
量生産が可能な量子箱の作製方法が実現できる。
【００１５】なお、上記の実施例では、半導体微細構造
の一例として特にｐ−ＡｌＧａＡｓの量子箱作製方法に
ついて説明したがこれに限定されず、また、この方法は
量子細線等の微細加工を必要とする量子デバイスの作製
にも使用できるものであることは言うまでもない。
の一例として特にｐ−ＡｌＧａＡｓの量子箱作製方法に
ついて説明したがこれに限定されず、また、この方法は
量子細線等の微細加工を必要とする量子デバイスの作製
にも使用できるものであることは言うまでもない。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体基
板面に多孔質薄膜を形成し、この多孔質薄膜をエッチン
グマスクとして半導体基板をエッチングしてエッチング
孔を形成し、このエッチング孔に半導体コア層を選択成
長させ、多孔質薄膜を除去した後、半導体コア層を埋め
込む埋め込み層を成長する工程からなる半導体量子箱の
作製方法であるから、工程構成として通常のエッチング
用マスク作製工程（ホトリソグラフィー工程及び薄膜エ
ッチング工程）の必要がなくなり、また、微細な孔がそ
のまま基板に転写されることから、微細加工精度の向上
も達成される。また、第二の半導体層となる埋め込みコ
ア層を基板内に埋め込むようにしたため、ヘテロエピタ
キシャル成長における両者の物性定数の差を小さくする
ことができると共に、以後の製造工程でその界面が雰囲
気中に暴露されることがないので、良好な界面特性を示
すことが期待できる効果がある。さらに、多孔質膜は単
にマスクとして扱っているため、コア層の形状は多孔質
膜の孔の形状によらず一定となるため、さらに量子効果
が大きくなると共に、多孔質膜の材料を種々選択して採
用できる利点が得られる。さらに、高度な膜厚制御や複
雑な結晶成長手段を必要としないため、高価で精巧な分
子線エピタキシー装置のような結晶成長装置等の設備が
なくても、加工精度が高く、かつ大量生産が可能な量子
箱等の半導体微細構造の作製方法が実現できる効果が得
られる。
板面に多孔質薄膜を形成し、この多孔質薄膜をエッチン
グマスクとして半導体基板をエッチングしてエッチング
孔を形成し、このエッチング孔に半導体コア層を選択成
長させ、多孔質薄膜を除去した後、半導体コア層を埋め
込む埋め込み層を成長する工程からなる半導体量子箱の
作製方法であるから、工程構成として通常のエッチング
用マスク作製工程（ホトリソグラフィー工程及び薄膜エ
ッチング工程）の必要がなくなり、また、微細な孔がそ
のまま基板に転写されることから、微細加工精度の向上
も達成される。また、第二の半導体層となる埋め込みコ
ア層を基板内に埋め込むようにしたため、ヘテロエピタ
キシャル成長における両者の物性定数の差を小さくする
ことができると共に、以後の製造工程でその界面が雰囲
気中に暴露されることがないので、良好な界面特性を示
すことが期待できる効果がある。さらに、多孔質膜は単
にマスクとして扱っているため、コア層の形状は多孔質
膜の孔の形状によらず一定となるため、さらに量子効果
が大きくなると共に、多孔質膜の材料を種々選択して採
用できる利点が得られる。さらに、高度な膜厚制御や複
雑な結晶成長手段を必要としないため、高価で精巧な分
子線エピタキシー装置のような結晶成長装置等の設備が
なくても、加工精度が高く、かつ大量生産が可能な量子
箱等の半導体微細構造の作製方法が実現できる効果が得
られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体量子箱の作製工程を示す模
式工程図である。
式工程図である。
【図２】従来の分数原子層超格子を示す模式斜視図であ
る。
る。
【図３】従来の半導体量子箱の作製工程での問題点を説
明する部分工程図である。
明する部分工程図である。
１１ ｐ−ＧａＡｓ基板 １２ Ｓｉ薄膜 １２ａ Ｓｉ多孔質膜 １３ 孔 １４ ＳｉＯ２酸化膜 １５ エッチング孔 １６ ｐ−ＡｌＧａＡｓ（コア層） １７ アンドープＧａＡｓ埋め込み層 ２１ 分数原子層超格子 ２２ ＧａＡｓ基板 ２３ ｐ型Ｓｉ薄膜 ２４ 孔
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板面に多孔質薄膜を形成する第
１の工程と、 この多孔質薄膜をエッチングマスクとして前記半導体基
板をエッチングしてエッチング孔を形成する第２の工程
と、 このエッチング孔に半導体コア層を選択成長する第３の
工程と、 前記多孔質薄膜を除去する第４の工程と、 前記半導体コア層を埋め込む埋め込み層を成長する第５
の工程とを有することを特徴とする半導体量子箱の作製
方法。 - 【請求項２】 前記多孔質薄膜は、前記半導体基板面に
半導体薄膜を形成した後に陽極酸化を行い多孔質化する
ことにより形成されることを特徴とする請求項１記載の
半導体量子箱の作製方法。 - 【請求項３】 前記半導体薄膜はシリコン膜であること
を特徴とする請求項２記載の半導体量子箱の作製方法。 - 【請求項４】 前記エッチング孔は陽極酸化法によるエ
ッチングによって形成されることを特徴とする請求項１
記載の半導体量子箱の作製方法。 - 【請求項５】 前記陽極酸化法のエッチングによる前記
エッチング孔の形成において、前記シリコン膜も同時に
一部酸化されることを特徴とする請求項３及び請求項４
記載の半導体量子箱の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29163993A JPH07142701A (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 半導体量子箱の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29163993A JPH07142701A (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 半導体量子箱の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142701A true JPH07142701A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17771559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29163993A Pending JPH07142701A (ja) | 1993-11-22 | 1993-11-22 | 半導体量子箱の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142701A (ja) |
-
1993
- 1993-11-22 JP JP29163993A patent/JPH07142701A/ja active Pending
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