JPH07142542A - プローブ装置 - Google Patents
プローブ装置Info
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- JPH07142542A JPH07142542A JP5283299A JP28329993A JPH07142542A JP H07142542 A JPH07142542 A JP H07142542A JP 5283299 A JP5283299 A JP 5283299A JP 28329993 A JP28329993 A JP 28329993A JP H07142542 A JPH07142542 A JP H07142542A
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- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 プローブ装置において、プローブテスト時の
接触圧力を均一に調整し接触不良を減少し、半導体装置
の外部端子の損傷を減少する。プローブ装置において、
プローブテスト時の接触圧力の調整を可能にする。 【構成】 プローブ装置において、傾斜測定用プローブ
針１０及び電流発生源及び電流検出器を有する傾斜測定
ユニット２０を備える。前記プローブ装置において、傾
斜測定ユニット２０、傾斜演算ユニット３１及び傾斜角
度修正手段（３２及び３３）を備える。
接触圧力を均一に調整し接触不良を減少し、半導体装置
の外部端子の損傷を減少する。プローブ装置において、
プローブテスト時の接触圧力の調整を可能にする。 【構成】 プローブ装置において、傾斜測定用プローブ
針１０及び電流発生源及び電流検出器を有する傾斜測定
ユニット２０を備える。前記プローブ装置において、傾
斜測定ユニット２０、傾斜演算ユニット３１及び傾斜角
度修正手段（３２及び３３）を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プローブ装置に関し、
特に半導体装置の外部端子にプローブ針を接触して半導
体装置に搭載された回路の電気的特性を測定するプロー
ブ装置に関する。
特に半導体装置の外部端子にプローブ針を接触して半導
体装置に搭載された回路の電気的特性を測定するプロー
ブ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置は製品の出
荷前にプローブテストを行う。このプローブテストはプ
ローブ装置で行われる。プローブ装置は、半導体装置の
外部端子にプローブ針を接触し、このプローブ針を通し
て半導体装置に搭載された回路の電気的特性を測定す
る。
荷前にプローブテストを行う。このプローブテストはプ
ローブ装置で行われる。プローブ装置は、半導体装置の
外部端子にプローブ針を接触し、このプローブ針を通し
て半導体装置に搭載された回路の電気的特性を測定す
る。
【０００３】前記プローブ装置において、プローブ針は
半導体装置の外部端子１個に対して１本の割合で設けら
れ、複数個の外部端子に各々対応して設けられる複数本
のプローブ針は１枚のプローブカードに配列される。実
際のプローブテストは、半導体装置の複数個の外部端子
にプローブカードの複数本のプローブ針を各々接触する
ことにより行われる。
半導体装置の外部端子１個に対して１本の割合で設けら
れ、複数個の外部端子に各々対応して設けられる複数本
のプローブ針は１枚のプローブカードに配列される。実
際のプローブテストは、半導体装置の複数個の外部端子
にプローブカードの複数本のプローブ針を各々接触する
ことにより行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
プローブ装置においては以下の点の配慮がなされていな
い。
プローブ装置においては以下の点の配慮がなされていな
い。
【０００５】現在、半導体装置は数百を超える外部端子
数を有する。プローブテストはこの半導体装置の複数個
の外部端子にプローブカードの複数本のプローブ針を各
々同時に接触させるので、接触に高い精度が要求され
る。この接触の精度はプローブ装置のメンテナンスにお
いて維持される。メンテナンスは、外部端子にプローブ
針を接触した際に形成される針跡の測定に基づき、プロ
ーブカードの傾斜角度の調整又はプローブ針の接触角度
の調整により行われる。前記針跡は、深くかつ細長いほ
ど接触圧力（測定圧力）が高いことを示し、浅くかつ点
に近いほど接触圧力が小さいことを示す。この針跡の測
定はメンテナンス作業者の目視で行われる。
数を有する。プローブテストはこの半導体装置の複数個
の外部端子にプローブカードの複数本のプローブ針を各
々同時に接触させるので、接触に高い精度が要求され
る。この接触の精度はプローブ装置のメンテナンスにお
いて維持される。メンテナンスは、外部端子にプローブ
針を接触した際に形成される針跡の測定に基づき、プロ
ーブカードの傾斜角度の調整又はプローブ針の接触角度
の調整により行われる。前記針跡は、深くかつ細長いほ
ど接触圧力（測定圧力）が高いことを示し、浅くかつ点
に近いほど接触圧力が小さいことを示す。この針跡の測
定はメンテナンス作業者の目視で行われる。
【０００６】ところが、傾斜角度の調整は外部端子にプ
ローブ針を繰り返し接触させて行うので、プローブ針に
よる外部端子の損傷が重なって針跡が複雑化し、針跡の
目視に基づく接触圧力の測定の精度が低下する。このた
め、充分なメンテナンスが行えず、プローブテストにお
いて半導体装置に対しプローブカードが傾斜する場合が
多発し、一部の外部端子とプローブ針との間の接触が充
分に行われない接触不良が発生する。
ローブ針を繰り返し接触させて行うので、プローブ針に
よる外部端子の損傷が重なって針跡が複雑化し、針跡の
目視に基づく接触圧力の測定の精度が低下する。このた
め、充分なメンテナンスが行えず、プローブテストにお
いて半導体装置に対しプローブカードが傾斜する場合が
多発し、一部の外部端子とプローブ針との間の接触が充
分に行われない接触不良が発生する。
【０００７】また、前記プローブ装置はプローブテスト
中に傾斜角度の調整を行えない。
中に傾斜角度の調整を行えない。
【０００８】さらに、前記プローブテスト終了後におい
て、半導体装置の外部端子はプローブ針に起因する損傷
が著しい。
て、半導体装置の外部端子はプローブ針に起因する損傷
が著しい。
【０００９】本発明は、このような問題点を解決するこ
とを課題としてなされたものであり、プローブ装置にお
いて、プローブテスト時の接触圧力を均一に調整し接触
不良を減少するとともに、外部端子の損傷を減少する技
術の提供を目的とする。
とを課題としてなされたものであり、プローブ装置にお
いて、プローブテスト時の接触圧力を均一に調整し接触
不良を減少するとともに、外部端子の損傷を減少する技
術の提供を目的とする。
【００１０】また、本発明は、プローブ装置において、
プローブテスト時の接触圧力の調整ができる技術の提供
を目的とする。
プローブテスト時の接触圧力の調整ができる技術の提供
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、請求項１に係る発明は、半導体装置の外部端
子にプローブ針を接触し、前記半導体装置に搭載された
回路の電気的特性を測定するプローブ装置において、前
記半導体装置の１つの外部端子に一端側が接触しかつ双
方が電気的に絶縁された２本のプローブ針で構成される
傾斜測定用プローブ針と、前記２本のプローブ針の他端
側の間に電流発生源及び電流検出器が電気的に直列に接
続された傾斜測定ユニットと、を備えたことを特徴とす
る。
るために、請求項１に係る発明は、半導体装置の外部端
子にプローブ針を接触し、前記半導体装置に搭載された
回路の電気的特性を測定するプローブ装置において、前
記半導体装置の１つの外部端子に一端側が接触しかつ双
方が電気的に絶縁された２本のプローブ針で構成される
傾斜測定用プローブ針と、前記２本のプローブ針の他端
側の間に電流発生源及び電流検出器が電気的に直列に接
続された傾斜測定ユニットと、を備えたことを特徴とす
る。
【００１２】また、請求項２に係る発明は、前記プロー
ブ装置において、前記傾斜測定ユニットで測定された電
流値に基づき半導体装置とプローブカードとの間の相対
的傾斜角度を算出する傾斜演算ユニットと、前記傾斜演
算ユニットで算出された相対的傾斜角度に基づき半導体
装置又はプローブカードの傾斜角度を修正する傾斜角度
修正手段と、を備えたことを特徴とする。
ブ装置において、前記傾斜測定ユニットで測定された電
流値に基づき半導体装置とプローブカードとの間の相対
的傾斜角度を算出する傾斜演算ユニットと、前記傾斜演
算ユニットで算出された相対的傾斜角度に基づき半導体
装置又はプローブカードの傾斜角度を修正する傾斜角度
修正手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
【作用】前記請求項１に係る発明は、プローブ装置にお
いて、半導体装置の外部端子にプローブ針が接触した時
の接触抵抗に基づく電流値の変化で接触圧力を測定し、
予め設定された所定電流値に達するまで接触圧力を調整
するので、外部端子とプローブ針との接触状態は確実に
維持され、しかも双方の接触回数を繰り返す必要がなく
なる。
いて、半導体装置の外部端子にプローブ針が接触した時
の接触抵抗に基づく電流値の変化で接触圧力を測定し、
予め設定された所定電流値に達するまで接触圧力を調整
するので、外部端子とプローブ針との接触状態は確実に
維持され、しかも双方の接触回数を繰り返す必要がなく
なる。
【００１４】また、請求項２に係る発明は、プローブ装
置において、傾斜測定ユニットで測定された電流値に基
づいて半導体装置とプローブカードとの間の相対的傾斜
角度を自動的に修正できる。この結果、プローブテスト
中において、接触圧力が修正できる。
置において、傾斜測定ユニットで測定された電流値に基
づいて半導体装置とプローブカードとの間の相対的傾斜
角度を自動的に修正できる。この結果、プローブテスト
中において、接触圧力が修正できる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について、図面
を使用し説明する。
を使用し説明する。
【００１６】図１に、本発明の一実施例であるプローブ
装置に備えた傾斜測定用プローブ針及び傾斜測定ユニッ
トの概略システム構成を示す。
装置に備えた傾斜測定用プローブ針及び傾斜測定ユニッ
トの概略システム構成を示す。
【００１７】図１に示すように、プローブ装置は傾斜測
定用プローブ針１０及び傾斜測定用ユニット２０を備え
る。
定用プローブ針１０及び傾斜測定用ユニット２０を備え
る。
【００１８】前記傾斜測定用プローブ針１０は半導体装
置１の１つの外部端子（ボンディングパッド）３に接触
する少なくとも２本のプローブ針１１及び１３で構成さ
れる。この２本のプローブ針１１と１３との間は絶縁体
１２を介在し電気的に絶縁される。つまり、傾斜測定用
プローブ針１０は傾斜測定用ユニット２０と外部端子３
との間の電流経路を構成する。この傾斜測定用プローブ
針１０の２本のプローブ針１１及び１３は、導電性を有
し、かつ外部端子３に比べて硬度が高く、しかも耐摩耗
性が高い材料、例えばタングステンで形成される。
置１の１つの外部端子（ボンディングパッド）３に接触
する少なくとも２本のプローブ針１１及び１３で構成さ
れる。この２本のプローブ針１１と１３との間は絶縁体
１２を介在し電気的に絶縁される。つまり、傾斜測定用
プローブ針１０は傾斜測定用ユニット２０と外部端子３
との間の電流経路を構成する。この傾斜測定用プローブ
針１０の２本のプローブ針１１及び１３は、導電性を有
し、かつ外部端子３に比べて硬度が高く、しかも耐摩耗
性が高い材料、例えばタングステンで形成される。
【００１９】前記傾斜測定用ユニット２０は電流発生源
２２及び電流測定器２１を主体に構成される。この電流
発生源２２及び電流測定器２１は傾斜測定用プローブ針
１０の２本のプローブ針１１と１３との間に電気的に直
列に接続される。
２２及び電流測定器２１を主体に構成される。この電流
発生源２２及び電流測定器２１は傾斜測定用プローブ針
１０の２本のプローブ針１１と１３との間に電気的に直
列に接続される。
【００２０】図１中、半導体装置１において、符号２は
半導体基板、符号４はパッシベーション膜、符号４Ｈは
ボンディング開口である。前記外部端子３は、アルミニ
ウム、アルミニウム合金等で形成される。
半導体基板、符号４はパッシベーション膜、符号４Ｈは
ボンディング開口である。前記外部端子３は、アルミニ
ウム、アルミニウム合金等で形成される。
【００２１】図２に、外部端子３に傾斜測定用プローブ
針１０が接触した状態を示す。図２（Ａ）は外部端子３
と傾斜測定用プローブ針１０との接触圧力が小さい場合
を示す。この場合、双方の間が点接触になるので、接触
抵抗値が大きくなり、傾斜測定用ユニット２０からの電
流量は減少する。一方、図２（Ｂ）は外部端子３と傾斜
測定用プローブ針１０との接触圧力が大きい場合を示
す。この場合、双方の間が面接触になるので、接触抵抗
値が小さくなり、傾斜測定用ユニット２０からの電流量
は増加する。本発明は、このような基本原理に基づき、
電流値の変化から接触圧力を測定する。
針１０が接触した状態を示す。図２（Ａ）は外部端子３
と傾斜測定用プローブ針１０との接触圧力が小さい場合
を示す。この場合、双方の間が点接触になるので、接触
抵抗値が大きくなり、傾斜測定用ユニット２０からの電
流量は減少する。一方、図２（Ｂ）は外部端子３と傾斜
測定用プローブ針１０との接触圧力が大きい場合を示
す。この場合、双方の間が面接触になるので、接触抵抗
値が小さくなり、傾斜測定用ユニット２０からの電流量
は増加する。本発明は、このような基本原理に基づき、
電流値の変化から接触圧力を測定する。
【００２２】図３（Ａ）に、プローブテストを行う一例
の半導体装置１の平面レイアウトを示す。この半導体装
置１はゲートアレイ、マスタスライス、スタンダードセ
ル等のいわゆる特定用途向け半導体装置である。図中、
符号５は入出力回路領域、符号６は論理回路領域であ
る。外部端子３は最も周辺領域において複数個、例えば
１４４個配置される。
の半導体装置１の平面レイアウトを示す。この半導体装
置１はゲートアレイ、マスタスライス、スタンダードセ
ル等のいわゆる特定用途向け半導体装置である。図中、
符号５は入出力回路領域、符号６は論理回路領域であ
る。外部端子３は最も周辺領域において複数個、例えば
１４４個配置される。
【００２３】また、図中、符号３Ｔは外部端子３である
が接触圧力の測定用に使用される外部端子である。この
外部端子３Ｔは、本実施例において、半導体装置１の４
つの角部分に各々配置される合計４個の外部端子３を使
用し構成される。半導体装置１又は後述するプローブカ
ード１６の傾斜角度を測定するためには、少なくとも３
箇所以上の測定点が必要となる。
が接触圧力の測定用に使用される外部端子である。この
外部端子３Ｔは、本実施例において、半導体装置１の４
つの角部分に各々配置される合計４個の外部端子３を使
用し構成される。半導体装置１又は後述するプローブカ
ード１６の傾斜角度を測定するためには、少なくとも３
箇所以上の測定点が必要となる。
【００２４】図３（Ｂ）に、半導体装置１とプローブカ
ード１６との間に発生する相対的な傾斜の関係について
示す。本実施例のプローブ装置は、半導体装置１の表面
が水平面に一致していると仮定した場合、プローブカー
ド１６の傾斜角度θＰ若くはθＭを修正し、プローブカ
ード１６のカード基板１５表面を水平面に一致できる。
つまり、半導体装置１の表面とプローブカード１６のカ
ード基板１５表面とを実質的に平行に修正できる。ま
た、本発明は、半導体装置１の傾斜角度θｐ若くはθｍ
を修正しても、同様の効果を奏する。
ード１６との間に発生する相対的な傾斜の関係について
示す。本実施例のプローブ装置は、半導体装置１の表面
が水平面に一致していると仮定した場合、プローブカー
ド１６の傾斜角度θＰ若くはθＭを修正し、プローブカ
ード１６のカード基板１５表面を水平面に一致できる。
つまり、半導体装置１の表面とプローブカード１６のカ
ード基板１５表面とを実質的に平行に修正できる。ま
た、本発明は、半導体装置１の傾斜角度θｐ若くはθｍ
を修正しても、同様の効果を奏する。
【００２５】前記プローブカード１６は半導体装置１の
複数個の外部端子３に対応した位置に各々複数本のプロ
ーブ針１４をカード基板１５に備える。このプローブカ
ード１６は半導体装置１の測定用に使用される外部端子
３Ｔに対応する位置において傾斜測定用プローブ針１０
を配備する。
複数個の外部端子３に対応した位置に各々複数本のプロ
ーブ針１４をカード基板１５に備える。このプローブカ
ード１６は半導体装置１の測定用に使用される外部端子
３Ｔに対応する位置において傾斜測定用プローブ針１０
を配備する。
【００２６】次に、図４にプローブ装置の概略システム
構成を示す。図に示すように、プローブ装置は、ベース
基板３０、プローブカード１６、傾斜測定ユニット２
０、傾斜演算ユニット３１、駆動制御ユニット３２、傾
斜駆動ユニット３３及びプローブテスタ３４を主体に構
成される。
構成を示す。図に示すように、プローブ装置は、ベース
基板３０、プローブカード１６、傾斜測定ユニット２
０、傾斜演算ユニット３１、駆動制御ユニット３２、傾
斜駆動ユニット３３及びプローブテスタ３４を主体に構
成される。
【００２７】ベース基板３０は半導体装置１を搭載し保
持する。傾斜測定ユニット２０は、前述したように電流
値を測定し、プローブカード１６に装備された傾斜測定
用プローブ針１０と外部端子３Ｔとの間の接触圧力を測
定する。傾斜演算ユニット３１は、傾斜測定ユニット２
０の測定結果に基づき、半導体装置１に対するプローブ
カード１６の傾斜角度を算出する。駆動制御ユニット３
２は、前記傾斜角度の算出結果に基づいて、傾斜駆動ユ
ニット３３の駆動源を制御する。傾斜駆動ユニット３３
は、駆動制御ユニット３２の制御に基づいて駆動源を駆
動し、プローブカード１６の傾斜角度を修正する。駆動
制御ユニット３２の駆動源は、少なくとも水平面のＸ軸
に対してプローブカード１６の傾斜角度を修正する駆動
源及び水平面のＹ軸に対してプローブカード１６の傾斜
角度を修正する駆動源を備える。プローブテスタ３４
は、プローブカード１６に装備された複数本のプローブ
針１４を通して、半導体装置１に搭載された回路の電気
的特性を測定する。
持する。傾斜測定ユニット２０は、前述したように電流
値を測定し、プローブカード１６に装備された傾斜測定
用プローブ針１０と外部端子３Ｔとの間の接触圧力を測
定する。傾斜演算ユニット３１は、傾斜測定ユニット２
０の測定結果に基づき、半導体装置１に対するプローブ
カード１６の傾斜角度を算出する。駆動制御ユニット３
２は、前記傾斜角度の算出結果に基づいて、傾斜駆動ユ
ニット３３の駆動源を制御する。傾斜駆動ユニット３３
は、駆動制御ユニット３２の制御に基づいて駆動源を駆
動し、プローブカード１６の傾斜角度を修正する。駆動
制御ユニット３２の駆動源は、少なくとも水平面のＸ軸
に対してプローブカード１６の傾斜角度を修正する駆動
源及び水平面のＹ軸に対してプローブカード１６の傾斜
角度を修正する駆動源を備える。プローブテスタ３４
は、プローブカード１６に装備された複数本のプローブ
針１４を通して、半導体装置１に搭載された回路の電気
的特性を測定する。
【００２８】このように構成されるプローブ装置におい
て、以下のようにプローブカード１６の傾斜が修正され
る。
て、以下のようにプローブカード１６の傾斜が修正され
る。
【００２９】まず、第１に、傾斜測定用プローブ針１０
及び傾斜測定ユニット２０で少なくとも４箇所の接触圧
力が測定される。第２に、この４箇所の接触圧力に差が
ある（半導体装置１に対してプローブカード１６が傾斜
している）と、予め設定された電流値つまり接触圧力で
あって４箇所の接触圧力が均一になるまでプローブカー
ド１６の傾斜を修正する。プローブカード１６の傾斜の
修正は、傾斜演算ユニット３１、駆動制御ユニット３２
及び傾斜駆動ユニット３３によって行われる。第３に、
プローブカード１６の傾斜が修正される、つまり半導体
装置１に対するプローブカード１６の傾斜が実質的にな
くなった時点において、プローブテストを行う。プロー
ブテストはプローブテスタ３４により行われる。
及び傾斜測定ユニット２０で少なくとも４箇所の接触圧
力が測定される。第２に、この４箇所の接触圧力に差が
ある（半導体装置１に対してプローブカード１６が傾斜
している）と、予め設定された電流値つまり接触圧力で
あって４箇所の接触圧力が均一になるまでプローブカー
ド１６の傾斜を修正する。プローブカード１６の傾斜の
修正は、傾斜演算ユニット３１、駆動制御ユニット３２
及び傾斜駆動ユニット３３によって行われる。第３に、
プローブカード１６の傾斜が修正される、つまり半導体
装置１に対するプローブカード１６の傾斜が実質的にな
くなった時点において、プローブテストを行う。プロー
ブテストはプローブテスタ３４により行われる。
【００３０】このように、プローブ装置において、半導
体装置１の外部端子３Ｔにプローブ針１０が接触した時
の接触抵抗に基づく電流値の変化で接触圧力を測定し、
予め設定された所定電流値に達するまで接触圧力を調整
するので、外部端子３とプローブ針１４との接触状態は
確実に維持され、しかも双方の接触回数を繰り返す必要
がなくなる。
体装置１の外部端子３Ｔにプローブ針１０が接触した時
の接触抵抗に基づく電流値の変化で接触圧力を測定し、
予め設定された所定電流値に達するまで接触圧力を調整
するので、外部端子３とプローブ針１４との接触状態は
確実に維持され、しかも双方の接触回数を繰り返す必要
がなくなる。
【００３１】また、プローブ装置において、傾斜測定ユ
ニット２０で測定された電流値に基づいて半導体装置１
とプローブカード１６との間の相対的傾斜角度を自動的
に修正できる。この結果、プローブテスト中において、
接触圧力が修正できる。
ニット２０で測定された電流値に基づいて半導体装置１
とプローブカード１６との間の相対的傾斜角度を自動的
に修正できる。この結果、プローブテスト中において、
接触圧力が修正できる。
【００３２】なお、本発明は、前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種
々変更できる。
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種
々変更できる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１にかかる
発明によれば、プローブ装置において、プローブテスト
時の接触圧力を均一に調整し接触不良を減少できるとと
もに、外部端子の損傷を減少する技術が提供できる。
発明によれば、プローブ装置において、プローブテスト
時の接触圧力を均一に調整し接触不良を減少できるとと
もに、外部端子の損傷を減少する技術が提供できる。
【００３４】また、請求項２に係る発明は、プローブ装
置において、プローブテスト時の接触圧力の調整ができ
る技術が提供できる。
置において、プローブテスト時の接触圧力の調整ができ
る技術が提供できる。
【図１】 本発明の一実施例であるプローブ装置に備え
た傾斜測定用プローブ針及び傾斜測定ユニットの概略シ
ステム構成図である。
た傾斜測定用プローブ針及び傾斜測定ユニットの概略シ
ステム構成図である。
【図２】（Ａ）及び（Ｂ）は外部端子に傾斜測定用プロ
ーブ針が接触した状態を示す図である。
ーブ針が接触した状態を示す図である。
【図３】（Ａ）はプローブテストを行う一例の半導体装
置の平面レイアウト図、（Ｂ）は半導体装置とプローブ
カードとの間に発生する相対的な傾斜の関係について示
す図である。
置の平面レイアウト図、（Ｂ）は半導体装置とプローブ
カードとの間に発生する相対的な傾斜の関係について示
す図である。
【図４】前記プローブ装置の概略システム構成図であ
る。
る。
１ 半導体装置 ３ 外部端子 ３Ｔ 測定用外部端子 １０ 傾斜測定用プローブ針 １１，１３ プローブ針 １２ 絶縁体 ２０ 傾斜測定ユニット １５ カード基板 １６ プローブカード ３１ 傾斜演算ユニット ３２ 駆動制御ユニット ３３ 傾斜駆動ユニット ３４ プローブテスタ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置の外部端子にプローブ針を接
触し、前記半導体装置に搭載された回路の電気的特性を
測定するプローブ装置において、 前記半導体装置の１つの外部端子に一端側が接触しかつ
双方が電気的に絶縁された２本のプローブ針で構成され
た傾斜測定用プローブ針と、 前記２本のプローブ針の他端側の間に電流発生源及び電
流検出器が電気的に直列に接続された傾斜測定ユニット
と、 を備えたことを特徴とするプローブ装置。 - 【請求項２】 前記請求項１に記載されるプローブ装置
において、 前記傾斜測定ユニットで測定された電流値に基づき半導
体装置とプローブカードとの間の相対的傾斜角度を算出
する傾斜演算ユニットと、 前記傾斜演算ユニットで算出された相対的傾斜角度に基
づき半導体装置又はプローブカードの傾斜角度を修正す
る傾斜角度修正手段と、 を備えたことを特徴とするプローブ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5283299A JPH07142542A (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | プローブ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5283299A JPH07142542A (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | プローブ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142542A true JPH07142542A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=17663658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5283299A Pending JPH07142542A (ja) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | プローブ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142542A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003324133A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Agilent Technol Inc | プラナリゼーション装置および、プローブカードのプラナリティを得る方法 |
| KR100607766B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 검사용 프로브 카드의 프로브 니들 구조 및 제조방법 |
-
1993
- 1993-11-12 JP JP5283299A patent/JPH07142542A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003324133A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Agilent Technol Inc | プラナリゼーション装置および、プローブカードのプラナリティを得る方法 |
| KR100607766B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 검사용 프로브 카드의 프로브 니들 구조 및 제조방법 |
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