JPH07142445A - ドライエッチング装置 - Google Patents

ドライエッチング装置

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JPH07142445A
JPH07142445A JP28489493A JP28489493A JPH07142445A JP H07142445 A JPH07142445 A JP H07142445A JP 28489493 A JP28489493 A JP 28489493A JP 28489493 A JP28489493 A JP 28489493A JP H07142445 A JPH07142445 A JP H07142445A
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JP
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etching
gas
reactive species
reaction species
plasma
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JP28489493A
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Shinichi Urano
新一 浦野
Naoto Okazaki
尚登 岡崎
Seiichi Ogino
誠一 荻野
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Nissin Electric Co Ltd
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Nissin Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 従来、外部から制御された量を供給すること
が困難であったエッチング用反応種を、導入量を制御し
つつ、容易にエッチング処理真空容器内へ供給して所望
のドライエッチングを行えるドライエッチング装置を提
供する。 【構成】 真空容器1内にエッチング用ガスを導入し、
このガスを所定真空状態下で電力印加によりプラズマ化
させ、このプラズマの下で被処理物S1表面をドライエ
ッチングするエッチング装置において、真空容器1に、
2以上の物質を反応させることによりガス状のエッチン
グ用反応種を所定量生成し供給する反応種供給部8を連
設したことを特徴とするドライエッチング装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチング用ガスを電
力印加によりプラズマ化させ、該プラズマの下で被処理
物をドライエッチングするドライエッチング装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】エッチング用ガスを電力印加によりプラ
ズマ化させ、該プラズマの下で被処理物をエッチングす
るドライエッチング処理は、例えば半導体を利用した薄
膜トランジスタ、LSI、太陽電池等の各種デバイスを
製造するにあたり、基体上に形成された金属膜を配線パ
ターン、電極パターン等を残してエッチングしたり、基
体上に形成された半導体膜を所定パターンを残してエッ
チングしたりすること等に広く利用されている。
【0003】前記のドライエッチング処理は、例えば図
3に示す反応性イオンエッチング(RIE)に用いる平
行平板型のエッチング装置を用いて行われる。このエッ
チング装置は、真空容器1を備え、その中には、エッチ
ング対象膜を形成した基体S3を設置する基体ホルダを
兼ねる電極2及び電極2に対向配置された電極3を備え
ている。
【0004】電極2は、電極3との間に導入されるエッ
チング用ガスに高周波電力や直流電力を印加してプラズ
マ化させるための電力印加電極として使用され、図示の
例ではマッチングボックス21を介して高周波電源22
に接続されている。電極3は接地電極であり、電極の一
部を構成するガスノズル31の開口部に多孔電極板32
を設けたもので、電極板32には直径0.5mm程度の
ガス供給孔を多数形成してあり、ガスノズル31から供
給されるガスが該孔から両電極間に全体的に放出される
ようになっている。
【0005】真空容器1には、さらに、開閉弁71を介
して排気ポンプ72を配管接続した排気装置7が接続さ
れているとともに、前記ガスノズル31にはガス供給部
6を配管接続してある。ガス供給部6には、1又は2以
上のマスフローコントローラ611、612・・・・及
び開閉弁621、622・・・・を介して所要量のエッ
チング用ガスを供給するガス源631、632・・・・
が含まれている。
【0006】このエッチング装置によると、エッチング
対象基体S3が容器1内の高周波電極2上に設置され、
該容器1内が排気装置7の運転にて所定エッチング真空
度とされ、ガス供給部6からエッチング用ガスがノズル
31及び電極板32のガス供給孔を介して導入される。
また、電極2に高周波電源22から高周波電圧が印加さ
れ、それによって導入されたガスがプラズマ化され、こ
のプラズマの下に基体S3上の膜がエッチングされる。
なお、電極2は、必要に応じ、水冷装置20等の温度制
御装置で温度制御されることもある。
【0007】また前記のエッチング装置を用いたRIE
において、エッチング用ガスとして、例えば、配線、電
極等を形成するためにアルミニウム(Al)又はAl合
金膜を所定のパターンに従いドライエッチングする場
合、代表的には四塩化炭素(CCl4 )、三塩化ホウ素
(BCl3 )、四塩化シリコン(SiCl4 )、塩素
(Cl2 )等の塩素(Cl)元素含有ガス又はこれらの
ガスに窒素(N2 )ガス等を混合したガスが用いられて
いる。
【0008】配線や電極を形成するためのAl合金には
一般にシリコン(Si)や銅(Cu)が含まれているこ
とが多いが、前記のCl元素含有ガスをエッチング用ガ
スとして用いた場合、Cuは該ガスに含まれるClと反
応して銅塩化物を生成し、この銅塩化物の蒸気圧が低い
ためにエッチング残渣として残ることが多い。特に、C
u含有率が高いAl合金膜や高温で成膜されてCuが下
方に偏析したAl合金膜では前記の残渣が多く、精度の
よいドライエッチングが困難であった。
【0009】特開平4−208526号公報によると、
エッチング用ガスとして、Al合金中に含まれるAlと
反応して塩化アルミニウム(AlCl3 )を生成させる
ようなガス、又は該ガスに加えてAlCl3 ガスを用い
る場合、前記銅塩化物はAlCl3 と反応して銅・アル
ミニウム塩化物を生成し、該化合物の蒸気圧が高いため
に残渣が容易に蒸発することが開示されている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エッチ
ング用ガスとしてAlと反応してAlCl3 を生成させ
るようなCl元素含有ガスを用いる場合、AlCl3
成量を制御することは困難である。また、AlCl3
スを恒温槽等で固体状のAlCl3 を予め加熱蒸発させ
ることにより生成してエッチング処理室へ供給する場合
でも、AlCl3ガス生成量を制御することは容易では
ない。その他、エッチング処理室内に被処理物以外のA
l含有物質を設置しておき、エッチング用ガスとしてC
l元素含有ガスを導入することによりAlCl3 ガスを
発生させることも考えられるが、被処理物に含まれるA
lやAl含有物質に含まれるAlに消費されるCl量を
制御し、ひいてはAlCl3 生成量を制御することは困
難である。
【0011】このような問題は銅含有アルミニウム合金
のエッチングにおいて、AlCl3ガスを用いる場合に
限らず、広く一般に、外部から制御された量を供給する
ことが困難であるエッチング用反応種を採用するときに
つきまとう問題である。そこで本発明は、従来、外部か
ら制御された量を供給することが困難であったエッチン
グ用反応種を、導入量を制御しつつ、容易にエッチング
処理真空容器内へ供給して所望のドライエッチングを行
えるドライエッチング装置を提供することを課題とす
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明のドライエッチング装置は、真空容器内にエッチング
用ガスを導入し、該ガスを所定真空状態下で電力印加に
よりプラズマ化させ、該プラズマの下で被処理物表面を
ドライエッチングするドライエッチング装置において、
該真空容器に、2以上の物質を反応させることによりエ
ッチング用反応種を所定量生成し供給する反応種供給部
を連設したことを特徴とする。
【0013】本発明ドライエッチング装置において、2
以上の物質を反応させてエッチング用反応種を生成し供
給する反応種供給部としては、固体状物質と気体状物質
とを反応させるもの、固体状物質とプラズマとを反応さ
せるもの等が考えられる。この場合、反応生成物の蒸発
を促進するため、固体状物質又はその周辺を加熱するヒ
ータを、前記固体状物質に接して、又はその近傍に設け
ておくことができる。
【0014】前記の反応種供給部は、他のエッチング用
ガスのガス供給部とは別に前記真空容器に直接配管接続
されていても、又、他のエッチング用ガスと同一の配管
を介して前記真空容器に接続されていてもよい。前記の
固体状物質と気体状物質の反応によりエッチング用反応
種を生成し供給する反応種供給部としては、反応種生成
室内に固体状物質を予め配置するとともに気体状物質を
導入するもの等が考えられる。また、固体状物質とプラ
ズマとの反応によりエッチング用反応種を生成し供給す
る反応種供給部としては、固体状物質を設置した反応種
生成室にプラズマ生成室を連設し、該プラズマ室で生成
したプラズマを反応種生成室へ導入し、該プラズマと該
固体状物質との反応によりエッチング用反応種を生成す
るようにしたものや、固体状物質を設置した反応種生成
室にプラズマ原料ガスを導入し、該反応種生成室内での
電力印加によりプラズマを発生させ、該プラズマの下で
該固体状物質表面をエッチングして得られるエッチング
生成物を、目的とするエッチング用反応種として用いる
ようにしたもの等が考えられる。
【0015】
【作用】本発明装置によると、ドライエッチング処理に
おいて、エッチング用ガスのうちエッチング処理真空容
器内に制御された量を容易に供給することができないエ
ッチング用反応種を、該エッチング処理真空容器に連設
された反応種供給部において2以上の物質を反応させる
ことにより所定量生成し供給する。
【0016】ここで、主に反応種供給部における反応種
生成室内の反応系への物質供給量を制御することによ
り、該エッチング処理真空容器内に導入されるエッチン
グ用反応種の量を制御できる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は本発明の1実施例であるRIEに用いるエ
ッチング装置であって、固体状物質と気体状物質との反
応によりエッチング用反応種を生成する反応種供給部8
をエッチング処理真空容器1に連設したものを示してい
る。
【0018】この装置は図3に示す従来のエッチング装
置において、ガス供給部6に加えてエッチング用反応種
供給部8をガスノズル31を介さず容器1に直接配管接
続したものである。反応種供給部8はガスノズル31に
配管接続されていてもよい。反応種供給部8は反応種生
成室81を備え、反応種生成室81には反応種生成のた
めの固体状原料82が所定の位置に設置されており、該
原料82を加熱するヒータ84が配置されている。また
反応種生成室81には反応種生成のための気体状原料供
給部83が接続されているが、該気体状原料供給部83
はマスフローコントローラ831及び開閉弁832を介
してガス源833が、この例では、各1つずつ接続され
たものである。その他の構成は図3に示す装置と同様で
ある。
【0019】以上説明したエッチング装置によると、図
示しない基体搬送装置によりエッチング対象基体S1が
真空容器1内に搬入されて、基体ホルダを兼ねる高周波
電極2上に載置された後、容器1内が排気装置7の運転
にて所定のエッチング真空度とされるとともにガス供給
部6からエッチング用ガスがノズル31及び電極板32
のガス供給孔を介して真空容器1内に導入されると同時
に、反応種生成室81内に気体状原料供給部83から、
エッチング用反応種を生成するための気体状原料が導入
され、該気体状原料は反応種生成室81内に予め設置さ
れ、加熱された固体状原料82と反応してガス状のエッ
チング用反応種が生成する。該反応種は、容器1内が真
空引きされているため真空容器1内に導入される。ま
た、電極2にマッチングボックス21を介して高周波電
源22から高周波電圧が印加され、それよってガス供給
部6から導入されたエッチング用ガス及び反応種供給部
8から導入された気体状のエッチング用反応種がプラズ
マ化され、このプラズマの下に基体S1上の膜がエッチ
ングされる。
【0020】真空容器1内への反応種の供給量の制御
は、反応種生成室81への該反応種の気体状原料の供給
量を、マスフローコントローラ831及び開閉弁832
にて制御することにより行う。次に、図1に示すエッチ
ング装置を用いて、酸化シリコン(SiO2 )膜が被覆
されたシリコン(Si)基体上に形成されたAl合金膜
をドライエッチングした具体例について説明する。
【0021】予め固体状原料82として純度5N(9
9.999%)%のAlを400g反応種生成室内に設
置し、ヒータ84により250℃に保った。表面に厚さ
1μmのSiO2 膜を形成し、さらにその外側に厚さ1
μmのAl合金(Al:Si:Cuの重量比が195:
1:4)膜を形成し、さらにその上にレジストにて配線
パターンを描いた直径150mm、厚さ0.65mmの
Si基体S1を容器1内に搬入し、電極2上に載置し
た。次いで真空容器1内を0.2Torrの真空度とし
た後、容器1内へガス供給部6からエッチング用ガスと
して塩素(Cl2 )ガスを流量30sccmで導入し
た。同時に、反応種生成室82内へ気体状原料供給部8
3からCl2 ガスを流量15sccmで導入し、AlC
3 ガスを生成させ、容器1内へ流入させた。また、周
波数13.56MHz、電力200Wの高周波電力を電
極2に印加して、前記のCl2 ガス及び反応種供給部8
から容器1内に導入されたAlCl3 ガスをプラズマ化
させ、基体S1のAl合金膜をエッチングした。
【0022】この結果、必要量のAlCl3 ガスが一定
流量で容器1内に供給されてプラズマ化されたため、基
体S1上のAl合金膜に含有されていたCuがエッチン
グ残渣として残らず、配線パターンに従い精度の良いエ
ッチングが行えた。また、この例ではエッチング用ガス
と別途生成したエッチング用反応種とを同時に真空容器
1内へ導入し、プラズマ化させたが、高温で成膜するこ
とによりCuが下方に偏析したAl合金膜で被覆された
基体S1をエッチングする場合には、始めはエッチング
用ガスのCl2 のみをプラズマ化させてCuを殆ど含有
しない層のエッチングを行い、次いで、反応種生成室8
1でAlCl3 ガスを生成させプラズマ化させて、Cu
を多く含有する層のエッチングを行うこともできる。こ
れにより、AlCl3 の容器1内壁への付着量を低減す
ることができる。
【0023】次に、図2は本発明の他の実施例であるR
IEに用いるエッチング装置であって、固体状物質とプ
ラズマとの反応によりエッチング用反応種を生成する反
応種供給部9をエッチング処理真空容器1に連設したも
のを示している。この装置は図1に示すエッチング装置
において、エッチング用反応種供給部8に代えて反応種
供給部9を備えたものである。反応種供給部9は平行平
板型のドライエッチング装置であり、真空容器である反
応種生成室91を有し、その中には、反応種生成のため
の固体状原料92を載置した原料ホルダ兼電極93及び
電極93に対向配置された接地電極94を備えている。
【0024】電極94は電極93との間に導入される気
体に高周波電圧や直流電圧を印加してプラズマ化させる
ための電力印加電極として使用され、図示の例ではマッ
チングボックス931を介して高周波電源932に接続
されている。接地電極94はその一部を構成するガスノ
ズル941の開口部に多孔電極板942を設けたもの
で、電極板942には直径0.5mm程度のガス供給孔
を多数形成してあり、ガスノズル941から供給される
ガスが該孔から両電極間に全体的に放出されるようにな
っている。
【0025】容器91には、マスフローコントローラ9
51及び開閉弁952を介して排気ポンプ953を配管
接続した排気装置95が接続されているとともに、前記
ガスノズル941にはプラズマ原料ガスのガス供給部9
6が配管接続してある。ガス供給部96には、この例で
は、マスフローコントローラ961、及び開閉弁962
を介して接続されたガス源963が各1つずつ含まれて
いる。
【0026】このエッチング装置によると、図示しない
基体搬送装置によりエッチング対象基体S2が容器1内
に搬入されて、基体ホルダを兼ねる高周波電極2上に載
置された後、容器1内が排気装置7の運転にて所定のエ
ッチング真空度とされる。また、予め固体状原料92が
電極93上に載置された反応種生成室91内が排気装置
95の運転にて所定のエッチング真空度とされる。
【0027】次いで、ガス供給部6からエッチング用ガ
スがノズル31及び電極板32のガス供給孔を介して容
器1内に導入される。一方、ガス供給部96からノズル
941及び多孔電極板942のガス供給孔を介して反応
種生成室91内へプラズマ原料ガスが導入されると同時
に、電極94にマッチングボックス931を介して高周
波電源932から高周波電圧が印加され、それによって
プラズマ原料ガスがプラズマ化され、このプラズマの下
に固体状原料表面がエッチングされる。これにより、基
体S1のエッチングに供される目的とするエッチング用
反応種がエッチング生成物として生成する。該エッチン
グ生成物は容器1内が容器91内より高い真空度に維持
されていることにより、容器1内へ導入される。
【0028】また、電極2にマッチングボックス21を
介して高周波電源22から高周波電圧が印加され、それ
によってガス供給部6から導入されたエッチング用ガス
及び反応種供給部9から導入された気体状のエッチング
用反応種がプラズマ化され、このプラズマの下に基体S
2上の膜がエッチングされる。真空容器1内への反応種
の供給量の制御は、反応種生成室91へのプラズマ原料
ガスの供給量、電極93の高周波電力印加に際しての電
力の大きさや電力印加時間長さ、容器1及び容器91の
真空度の差を制御することにより行う。
【0029】次に図2に示すエッチング装置を用いて、
SiO2 が被覆されたSi基体上に形成されたAl合金
膜をドライエッチングした具体例について説明する。表
面に厚さ1μmのSiO2 膜を形成し、さらにその外側
に厚さ1μmのAl合金(Al:Si:Cuの重量比が
195:1:4)膜を形成し、さらにその上にレジスト
にて配線パターンを描いた直径150mm、厚さ0.6
5mmのSi基体S2を容器1内に搬入し、電極2上に
載置した後、容器1内を0.2Torrの真空度とし
た。一方、純度5N(99.999%)のAlペレット
92を電極93上に載置した後、反応種生成室91内を
0.2Torrの真空度とした。
【0030】次いで容器1内へガス供給部6からCl2
ガスを流量30sccmで導入した。一方、反応種生成
室91内へガス供給部96からCl2 ガスを流量15s
ccmで導入すると同時に、周波数13.56MHz、
電力150Wの高周波電力を電極93に印加して、前記
の反応種生成室91内へ導入したCl2 ガスをプラズマ
化させ、Alペレット92表面をエッチングした。エッ
チング生成物であるAlCl3 ガスは、容器1内と容器
91内との圧力差により容器1内に導入された。
【0031】次いで電極2に周波数13.56MHz、
電力200Wの高周波電力を印加して、前記のCl2
ス及びAlCl3 ガスをプラズマ化させ、基体S2表面
のAl合金膜をエッチングした。この結果、必要量のA
lCl3 ガスが一定流量で容器1内に供給されてプラズ
マ化されたため、基体S2上のAl合金膜に含有されて
いたCuがエッチング残渣として残らず、配線パターン
に従い精度の良いエッチングが行えた。
【0032】また、この例ではエッチング用ガスと別途
生成したエッチング用反応種とを同時に真空容器1内へ
導入し、プラズマ化させたが、高温で成膜することによ
りCuが下方に偏析したAl合金膜で被覆された基体S
1をエッチングする場合には、始めはエッチング用ガス
のCl2 のみをプラズマ化させてCuを殆ど含有しない
層のエッチングを行い、次いで、反応種生成室91でA
lCl3 ガスを生成させプラズマ化させて、Cuを多く
含有する層のエッチングを行うこともできる。これによ
り、AlCl3 の容器1内壁への付着量を低減すること
ができる。
【0033】なお、以上二つの実施例装置を示し、これ
ら実施例ではエッチング用反応種供給部8、9は真空容
器1に配管接続されているが、気体状態のAlCl3
冷却して固体となり配管に付着することがないように、
該配管はできるだけ短くすることが考えられ、又は該配
管を加熱ヒータ等で加熱することによりAlCl3 を気
体状態に維持することも考えられる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、従
来、外部から制御された量を供給することが困難であっ
たエッチング用反応種を、導入量を制御しつつ、容易に
エッチング処理真空容器内へ供給できるドライエッチン
グ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例であるドライエッチング装置
の概略構成を示す図である。
【図2】本発明の他の実施例であるドライエッチング装
置の概略構成を示す図である。
【図3】従来のドライエッチング装置例の概略構成を示
す図である。
【符号の説明】
1 真空容器 2 基体ホルダ兼高周波電極 20 水冷装置 21、931 マッチングボックス 22、932 高周波電源 3、94 接地電極 31、941 ガスノズル 32、942 多孔電極板 6 エッチング用ガス供給部 7、95 排気装置 8、9 反応種供給部 81、91 反応種生成室 82、92 固体状原料 83 気体状原料供給部 84 ヒータ 93 原料ホルダ兼高周波電極 96 プラズマ原料ガス供給部 S1、S2、S3 基体

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空容器内にエッチング用ガスを導入
    し、該ガスを所定真空状態下で電力印加によりプラズマ
    化させ、該プラズマの下で被処理物表面をドライエッチ
    ングするドライエッチング装置において、該真空容器
    に、2以上の物質を反応させることによりガス状エッチ
    ング用反応種を所定量生成し供給する反応種供給部を連
    設したことを特徴とするドライエッチング装置。
  2. 【請求項2】 前記反応種供給部が、固体状物質と気体
    状物質との反応によりエッチング用反応種を生成するも
    のである請求項1記載のドライエッチング装置。
  3. 【請求項3】 前記反応種供給部が、固体状物質とプラ
    ズマとの反応によりエッチング用反応種を生成するもの
    である請求項1記載のドライエッチング装置。
JP28489493A 1993-11-15 1993-11-15 ドライエッチング装置 Withdrawn JPH07142445A (ja)

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