JPH07140639A - マスク - Google Patents

マスク

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JPH07140639A
JPH07140639A JP1919193A JP1919193A JPH07140639A JP H07140639 A JPH07140639 A JP H07140639A JP 1919193 A JP1919193 A JP 1919193A JP 1919193 A JP1919193 A JP 1919193A JP H07140639 A JPH07140639 A JP H07140639A
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勝征 原田
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 斜入射照明方式による投影露光に用いるマス
クにおいて、周期パタンの終端部や非周期パタンエッジ
部に原理的に生じるパタン歪や位置ずれを除去または減
少させ、併せてコントラストを向上させることにより、
微細で精度の高いパタンを得ることができるようにす
る。 【構成】 目的とするパタン101の端部に、解像不能
な補助パタン103からなる補助パタン群102を形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、LSI等の加工でマス
クと投影レンズを用いてウエハなどの基板上に微細パタ
ンを形成する斜入射照明方式を用いた投影露光法で使用
するマスクに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来よりLSI等の微細パタンを形成す
るための投影露光装置には、高い解像力が要求され、最
近では、光の波長から決まる理論限界に近い解像度を有
するまでに至っている。近年、LSIパタンのさらなる
微細化に対応するため、マスク上の隣合う光透過部に1
80度に近い位相差を設けることにより遮光部での光強
度を0に近づけて解像度を向上させる位相シフト法が提
案され、解像度向上が図られてきている。しかし、位相
シフト法は、L&Sパタン(ラインアンドスペースパタ
ン)のように隣合う光透過部で180度の位相差を取れ
る周期性の高いパタンでは大きな微細化の効果が得られ
るのに対して、ランダムパタンではこの条件を満たすこ
とが難しくなるに従って効果も低下する。すなわち、パ
タンの種類や配置の仕方により解像性向上の効果が異な
る。このため、位相シフト法は、効果的なシフタ配置法
を始め、欠陥のないシフタ製作技術およびその検査、修
正技術など多くの技術的困難性を有していること、これ
らによりマスク製作費が大幅に増加するなどの欠点があ
った。
【0003】これに対して、特願平3−99822号
「微細パタン投影露光装置」は、レチクルに入射する光
を投影光学系の開口数に対応した角度だけ光軸から傾け
て照射することにより位相シフト法と同等の解像性を実
現した発明である。この方法は、従来マスクがそのまま
使えるため、位相シフト法に比べて大きな利点を有して
いる。マスク照明光を光軸から傾けて照明するため、特
願平3−157401号「微細パタン投影露光方法」で
は、円環や4点,多点などの光源を発明し提供してい
る。このような斜入射照明ではマスクパタンにより回折
する回折光の片側だけを像形成に利用するため、両側回
折光を用いる従来法に比べ、0次回折光が概略2倍とな
る。この余分の0次光はコントラストを低下させる要因
となるため、特願平3−157401号「微細パタン投
影露光方法」では、マスクがない場合開口絞り位置に結
像する光源形状に対応する部分およびその周辺に0次光
調整フィルタを配置する方法を、また、特願平3−17
7816号「マスクとそれを用いた投影露光方法」で
は、マスクの遮光部が半透明でかつ、遮光部の透過光に
透明部の透過光と半波長の位相差を持たせる0次光調整
マスクによりそれぞれ0次光を調整しコントラストの向
上を図っている。
【0004】以上説明した斜入射照明方式はいずれも、
隣合うパタン間に斜めからの照明により位相差を与え、
位相シフト法と同じ解像度向上の効果を得るものである
ことから、周期性の高いパタンでは高い解像度が得られ
るが、周期性の低いランダムパタンや周期パタンの周期
が終わる端部、周期性のない孤立パタンや大パタンでは
解像度が低下したり、結像パタンが歪んだりする欠点を
有していた。
【0005】そこで、まず、これらの従来の斜入射照明
方式の欠点を従来照明方式とも対比させながら説明す
る。図13は従来照明と種々の斜入射照明方式について
代表的な光源形状および開口絞り部でのフィルタ配置、
標準光学パラメータを示したものである。ここでは投影
レンズの開口数(NA)で規格化した開口絞りの半径を
1と置いた。従来照明法の円光源半径をσとした。円環
光源、0次光調整フィルタ方式の光源では円環中心まで
の半径をR、円環の幅を2σΔとした。4点光源では点
光源の中心までの半径をR、点光源の直径を2σΔとし
た。0次光調整フィルタ方式の開口絞り部のフィルタは
開口絞り部に結像する光源像と同じ円環部分の振幅透過
率をT1 ,光源像より外部の部分をT2 とした。なお、
光源形状はハッチング部が光源。開口絞り内のハッチン
グ部以外の振幅透過率は1.0である。
【0006】本発明は光源の波長(λ)や用いる投影レ
ンズの開口数(NA)によらず効果が発揮できるため、
パタンの寸法やマスク内の距離およびデフォーカス量は
次のように規格化したUおよびZの単位を用いた。 パタンの寸法やマスク内の距離の単位・・・U=λ/2(NA) デフォーカス量の単位・・・・・・・・・・Z=λ/2(NA)2 以下の説明では、それぞれの光学系に対して図14に併
記した標準パラメータを用いた。また、デフォーカス量
はすべて、Zの0,1,1.5および2倍の4水準とし
た。
【0007】次に、本発明を適用しない場合の代表的な
斜入射照明方式である0次光調整フィルタ方式によるパ
タン歪など問題点の所在について従来照明法と比較しな
がら説明する。図14(A),(B),(C),(D)
は、典型的な周期パタンについて、(E),(F)は、
周期性のないパタンについて本発明を適用しない場合の
露光強度のプロファイルのシミュレーション結果を示し
たものである。周期パタンは16本の無限長ラインから
なるL&Sパタン(ラインアンドスペースパタン)で、
ラインおよびスペースいずれも幅がUである。横軸はU
の単位で表したパタン内の距離、縦軸は規格化露光強度
で無限に大きな大パタン中央部の露光強度を1として規
格化してある。パタンエッジの設計値はUの単位で、4
から35まで、デフィーカス量はZの0,1,1.5お
よび2倍の4水準に対してそれぞれ実線,短い点線,長
い点線および一点鎖線で示してある。
【0008】通常、現像では露光強度が0.3レベル付
近でパタンが形成される。したがって、露光強度プロフ
ァイルが露光強度0.3のレベルと交わる点と設計エッ
ジとの横方向のずれ量が小さい、すなわちパタン歪が小
さいことと、このずれ量の小さい領域が上下でどれ位あ
るかの現像マージンが大きいこと、さらに、デフォーカ
ス量が大きくなってもこのマージンが小さくならないこ
とが重要である。(A)と(B)を比較すると、従来照
明法はデフォーカス量が大きくなるにつれて解像度が低
下して現像マージンが小さくなり、パタン形成が困難で
あることを示している。これに対して、0次光調整フィ
ルタ方式は、デフォーカス量が大きくなっても良好な解
像性を示し、大きな焦点深度でパタン形成が可能である
ことがわかる。しかし、16本のパタンの露光強度を比
較すると、従来照明法ではほとんどフラットであるのに
対して、0次光調整フィルタ方式は特に周期パタン端部
で露光強度の変化が大きい。これらは実際のパタン形成
でパタン幅が中央部と端部で異なる結果となって現れ
る。(C),(D)は(A),(B)の右側の拡大図で
ある。0次光調整フィルタ方式は右端のパタンでデフォ
ーカスによる露光強度プロファイルの迫り出しが顕著で
ある。これは実際のパタン形成でパタンエッジの位置ず
れやパタン形状の歪となって現れると共に、現像がゆら
げば大きな寸法変動となることを意味している。
(E),(F)の非周期性パタンはUの単位で0と10
に設計エッジをもつ無限長パタンである。デフォーカス
条件は周期パタンと同じである。従来照明法による露光
強度プロファイル(E)では規格化露光強度0.3と設
計エッジの交点でデフォーカスによるずれはほとんどな
いの対して、0次光調整フィルタ方式(F)では、デフ
ォーカス量が大きくなるにつれて位置ずれが大きくなっ
ている。これは実際のパタン形成で、パタンの細り(ポ
ジ形レジストの場合)や太り(ネガ形レジストの場合)
となって現れる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
斜入射照明方式では周期性パタンの周期が終わる部分に
ついて、露光強度の不揃いや露光強度プロファイルの変
形が起こり、これがパタンの歪や位置ずれとなり、精度
を低下させる欠点があった。
【0010】本発明は上記したような従来の問題点に鑑
みてなされたもので、その目的とするところは、斜入射
照明方式による投影露光に用いるマスクにおいて、周期
パタンの終端部や非周期パタンエッジ部に原理的に生じ
るパタン歪や位置ずれを除去または減少させ、併せてコ
ントラストを向上させることにより、微細で精度の高い
パタンを得ることができるマスクを提供することにあ
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第1の本発明は、斜入射照明方式による投影露光に
用いるマスクにおいて、目的とするパタンと、解像不能
な補助パタンを備えたものである。第2の発明は、第1
の発明において、目的とするパタンの配置が周期性を有
する場合、その周期性を保存するように解像不能な補助
パタンまたは補助パタン群を形成したものである。第3
の発明は、第1の発明において、目的とするパタンの配
置に周期性がない場合、目的とするパタンに周期性を付
与するように、解像不能な補助パタンまたは補助パタン
群を形成したものである。第4の発明は、第2の発明に
おいて、λを照明光の波長、NAを投影レンズの開口数
とするとき、光透過部(または遮光部)からなる目的と
するパタンの幅が、λ/2NA付近以上の場合、周期の
終わるマスク透過部(または遮光部)エッジから0.8
×λ/2NA〜1.4×λ/2NAのピッチで光透過部
(または遮光部)からなる解像不能な補助パタンを1つ
以上形成したものである。第5の発明は、第3の発明に
おいて、目的とするパタンが周期性のない孤立の光透過
部からなるパタンで、かつその幅がλ/2NA付近以上
の場合、片側または両側に、目的とするパタンエッジか
ら0.8×λ/2NA〜1.2×λ/2NAのピッチで
光透過部(または遮光部)からなる解像不能な補助パタ
ンを1つ以上形成したものである。
【0012】
【作用】解像不能な補助パタンにより目的パタンの周期
性が助長される、または周期性が付与されることによ
り、結像パタン露光強度プロファイルの歪が低減し、コ
ントラスト向上が図られる。これにより、より微細で、
精度の高いパタン形成が可能となる。
【0013】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図1(A)は周期性パタンの場合につ
いて、本発明による補助パタン群または補助パタンの基
本配置を示したものである。101は光透過部からなる
目的パタン、102は本発明による光透過部からなる補
助パタン群、103は補助パタン群を構成する補助パタ
ンである。白抜きの部分が光透過部、ハッチング部分が
光遮光部を示す。周期性の終わる端部に補助パタン10
3からなる補助パタン群102を配置し、周期性が継続
する条件を作り出すことにより、斜入射照明方式の周期
終端部に現れる露光強度プロファイルの歪を低減させる
ものである。この場合、補助パタン103は目的パタン
101の周期性が端部でも持続するように配置すること
と、現像後にパタンとして残らない、解像不能な補助パ
タンまたは補助パタン群であることの両立が必要であ
る。前者に対しては、補助パタン103の幅(Lo)が
なるべく大きくて、補助パタン群102の幅(Wa)の
中にできるだけ多くの補助パタン103を配置するほう
が大きな効果が得られる。しかし、後者に対しては、逆
にLoがなるべく小さく、補助パタン103の数が少な
いほうが現像マージンが大きくなることから、最適化す
る必要がある。また、図14(B)から分かるように、
特に、周期端部から1つ目と2つ目のパタンの露光強度
が大きな影響を受けていることから、補助パタン群10
2の数は2つ程度が最適であるが、1つでも3つでも本
発明による効果は得られる。また、補助パタン群102
の中の補助パタン103の数も1つ以上であれば、本発
明による効果が発揮できる。
【0014】図2(A)は図1(A)からなる本発明を
適用した場合で、図14(A),(B)と同じパタンの
右端にPa=2×U,Lo=0.25×Uの補助パタン
2つからなる補助パタン群を2つ配置したもので、0次
光調整マスク方式による露光強度プロファイルを示す。
図2(B)は比較のために示した本発明を適用しない場
合の0次光調整マスク方式による露光強度プロファイル
で、図14(D)と同じものである。両者の比較から、
周期の端部における露光強度不揃いの改善と、特に、最
端パタンの露光強度プロファイルの迫り出しが殆どなく
なっていることがわかる。また、補助パタン群による露
光強度は0.2以下であることから、現像後、補助パタ
ン群はパタンとなって残ることはない。
【0015】次に、図1(A)の基本配置を変形または
応用した実施例について説明する。図3(A)は、目的
とする周期パタンが光遮光部からなる場合で、丁度、図
1(A)を反転させたパタンである。301は遮光部か
らなる目的パタン、302は遮光部からなる補助パタン
群、303は補助パタン群を構成する補助パタンであ
る。この場合、周期端部に、図1(A)の光透過部から
なる補助パタン103とは逆に、光遮光部からなる補助
パタン303または補助パタン群302を配置すること
により、図1(A)と同様の効果を得ることができる。
【0016】図4(A)は図3(A)の実施例で、図1
4の(A)または(B)と同一寸法の16本からなる無
限長のL&Sのパタンを反転させたパタンの右側にLc
=0.2×Uからなる補助パタン2本から構成する補助
パタン群を2組配置したもので、0次光調整マスク方式
による露光強度プロファイルである。
【0017】図4(B)は比較のため、同じパタンで本
発明による補助パタンを適用しない例を示した。現像後
パタンが形成される露光強度0.3の付近に着目する
と、本発明を適用しない場合、デフォーカス量が増すに
したがってパタンエッジが内側へ迫り出してくる現像が
顕著であるが、本発明の適用により、これがかなり改善
されていることがわかる。また、補助パタンによる露光
強度は0.55付近まで下がっているが、パタン形成さ
れる露光強度の0.3とは十分なマージンを有してい
る。前にも説明したように、本発明による効果とこの現
像マージンは相反する。すなわち、Lcを大きくする
か、補助パタン群の中の補助パタンの数を増やすと効果
は増すがマージンは低下してくる。これより、補助パタ
ン配置の条件は現像との兼ね合いで最適化する必要があ
る。
【0018】図5は図1(A)の基本配置の変形で、補
助パタン群および補助パタン群の中の補助パタンの数が
1つの場合である。5本の無限長L&Sの両端にLo=
0.3×Uからなる補助パタン1つをPaを変えて配置
した場合の0次光調整マスク方式による露光強度が示し
てある。(A)は補助パタンのない場合で、露光強度の
不揃いと、両端のパタンの外側で露光強度プロファイル
の迫り出しが見られる。(B)〜(F)を比較すると、
Pa=Pに一番近い(D)で効果が最も大きい。各パタ
ンの露光強度がほぼ等しく、特に、両端のパタンのコン
トラストが改善され、露光強度プロファイルの迫り出し
が減少している。(C)と(E)は、PaがP−W/2
<Pa<P+W/2の範囲に設定されているもので、比
較的良好な効果を示している。(B)または(F)はP
aがPa<P−W/2とPa>P+W/2の条件で配置
されているもので、本発明による効果が小さくなってい
る。本発明からなる配置では、WaはなるべくWに等し
く、PaはなるべくPに等しくした条件で高い効果が発
揮できる。さらに、やむを得ず、補助パタン群の中の補
助パタンの数が増やせない場合もPa=Pの条件で最も
高い効果が得られるが、PaがP−W/2<Pa<P+
W/2の範囲に補助パタンを配置すれば本発明による効
果を得ることができる。
【0019】図3(B)も、図1(A)の基本配置の変
形で、補助パタン群が1個の補助パタンよりなり、か
つ、W>Uの場合に適用する例である。304は光透過
部からなる目的パタン、305は光透過部からなる補助
パタンである。この場合、補助パタン505を目的パタ
ン504の端からピッチSで配置するとともに、Sをな
るべくUに近づけた配置とするものである。
【0020】図6(A)がこの配置による実施例を示
す。W=2×U,P=4×Uからなる9本のL&Sパタ
ンの右端にS=1.2×UでLo=0.4×Uからなる
補助パタンを1つ配置した場合の0次光調整マスク方式
による露光強度プロファイルを示したものである。図6
(C)は比較のために、本発明を適用しない場合の0次
光調整マスク方式による露光強度プロファイルを示した
ものである。本発明により露光強度0.3付近でデフォ
ーカス増加による露光強度プロファイルの迫り出しが押
さえられ、エッジ位置ずれが低減されている。この場
合、SはU付近で最も効果が高くなるが、0.8<S<
1.4であれば本発明による効果が認められる。図6
(B)は最端の光透過部からなる目的パタンの中央にL
c=0.2×Uからなる光遮蔽の補助パタンを配置した
もので、最端目的パタンの位置ずれと現像マージンが図
6(A)よりさらに改善されていることがわかる。
【0021】図1(B)は目的パタンが非周期性の場合
について、本発明による補助パタンの基本配置を示した
ものである。104は遮光部からなる補助パタン、10
5は光透過部からなる補助パタンである。パタンエッジ
に着目し、これと補助パタンによりパタンエッジに周期
性を付与したものである。白抜きの部分が光透過部を示
すが、この場合、目的パタンは光透過部であっても、光
遮蔽部であってもかまわない。図7(A),(B)は本
発明の適用例で、Pb=U,Lo=0.4×U,Lc=
0.2×Uで、(A)では両側に2つづつ、(B)では
両側に1つづつ補助パタンが配置してある。(C)は比
較のために示した本発明を適用しない場合で、図14
(F)と同じである。現像後、パタン形成の目安となる
露光強度0.3付近に注目すると、デフォーカスが増え
るにしたがって、大きく迫り出していたプロファイル
が、本発明の適用により改善され位置ずれが殆ど見られ
なくなっている。また、補助パタンの数は両側1つづつ
より、2つづつの方が効果が大きいことも明白である
が、パタン周囲の状況で補助パタンが配置出来ない場
合、両側1つづつ、あるいは片側1つでも本発明による
効果を得ることができる。
【0022】図1(C)は目的パタンが孤立のパタンの
場合について、本発明による補助パタンの基本配置を示
したものである。106は光透過部からなる目的パタ
ン、107は補助パタン群、108は光透過部からなる
補助パタンである。この場合、孤立パタンの両側に補助
パタン108を配置し、周期性のない孤立パタンに周期
性を付与するものである。図8(A)は図1(C)の実
施例で、0次光調整マスク方式による露光強度プロファ
イルである。この場合補助パタン群は両側1つづつ、そ
れぞれ2つの補助パタンからなる。図8(B)には比較
のため本発明を適用してない場合が示してある。両者の
比較から、本発明の適用により全般にコントラストが向
上していることが確認できる。
【0023】図9は図1(C)の基本装置の応用例で、
目的パタンが遮光部からなる場合に大きな効果が得られ
る。901は遮光部からなる目的パタン、902は遮光
部からなる補助パタンである。この場合、W≦UではS
がなるべくWに近い条件が、W>UではSがなるべくU
に近いほうが効果は高くなる。
【0024】図10(A)は図9の実施例で、0次光調
整マスク方式による露光強度プロファイルである。この
場合補助パタン両側2つづつからなる。図10(B)に
は比較のため本発明を適用しない場合が示してある。両
者の比較から、本発明の適用により全般にコントラスト
が向上していることが確認できる。
【0025】以上説明したように、図1(C)の孤立パ
タンに対する本発明の適用では、周期性のないパタンに
補助パタン群または補助パタンを配置して新たに周期性
を付与することにより、特にコントラスト改善の効果を
得ることができる。
【0026】次に本発明をこれまで主に説明してきた0
次光調整マスク方式以外の斜入射照明方式に適用した場
合について説明する。図11(A),(C)は円環照明
方式に適用した例である。0次光調整マスク方式で示し
た図2(A),図4(A)と同じ補助パタン群配置であ
る。また図11(B),(D)は(A),(C)に対し
て本発明を適用しない場合で、比較のため示した。円環
照明方式にも0次光調整マスク方式で説明したものと同
様の欠点、すなわち、端部パタン露光強度の不揃いや露
光強度プロファイルの迫り出しが生じており、結果とし
て形成パタンの位置ずれや寸法精度劣化を引き起こす。
本発明からなる補助パタン群を適用することにより0次
光調整マスク方式と同様の効果が得られることがわか
る。
【0027】図12(A),(C)は4点照明方式に本
発明を適用した例である。0次光調整マスク方式で示し
た図2(A),図4(A)と同じ補助パタン群配置であ
る。また図12(B),(D)は(A),(C)に対し
て本発明を適用しない場合で、比較のため示した。4点
照明方式にも0次光調整マスク方式で説明したものと同
様の欠点、すなわち、端部パタン露光強度の不揃いや露
光強度プロファイルの迫り出しが生じており、本発明か
らなる補助パタン群を適用することにより0次調整マス
ク方式と同様の効果が得られている。以上説明したよう
に、本発明は円環照明や4点照明などのいわゆる変形光
源を用いる斜入射照明方式において効果を発揮するもの
である。
【0028】
【発明の効果】本発明は斜入射照明方式による投影露光
で用いるマスクに関して、斜入射照明方式ではパタンの
周期性が高い程、高い解像度が得られることに着目し、
目的とするパタンの周期性がくずれる周期端部で周期性
が保持されるように、また、目的とするパタンに周期性
がない場合に周期性を付与するように、目的とするパタ
ンの周辺または内部に解像不能な寸法を有する補助パタ
ンを形成したもので、その結果としてパタン形成精度を
向上させることができる。実際にLSI等で使用される
パタンは2次元のパタンであり、その形状や寸法は無限
であることから、本発明の実施例では基本となる1次元
の無限長パタンを使ってその効果を示してきた。実際に
2次元パタンに本発明を実施する場合も、本発明による
補助パタンまたは補助パタン群の配置法を応用すること
により容易に実現可能である。また、補助パタンまたは
補助パタン群が残存してもLSI等の性能や機能に支障
がない場合は上述したLoやLcを大きくして高い効果
を得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A),(B),(C)は、本発明による補助
パタン群または補助パタンの基本配置を示す図で、
(A)は目的パタンが周期性を有する場合、(B)は目
的パタンが非周期性の場合、(C)は目的パタンが非周
期性の孤立パタンの場合である。
【図2】(A)は周期パタンに本発明を適用した実施例
で、(B)は比較のため示した同一パタンで本発明を適
用しない場合である。
【図3】(A),(B)は本発明による補助パタン群ま
たは補助パタンの配置例で、図1(A)の変形または応
用によるものである。
【図4】(A)は、本発明による補助パタン群配置であ
る図3(A)を用いた実施例で、(B)は比較のため示
した同一パタンで本発明を適用しない場合である。
【図5】(B)〜(F)は、本発明による補助パタン群
配置である図3(B)を用いた実施例で、(A)は比較
のため示した同一パタンで本発明を適用しない場合であ
る。
【図6】(A),(B)は、本発明による補助パタン群
配置である図3(B)を用いた実施例で、(C)は比較
のため示した同一パタンで本発明を適用しない場合であ
る。
【図7】(A),(B)は、目的パタンが非周期性の場
合の本発明による補助パタン配置である図1(B)を適
用した実施例で、(C)は比較のため示した同一パタン
で本発明を適用しない場合である。
【図8】(A)は、目的パタンが非周期性で孤立パタン
の場合の本発明による補助パタン配置である図1(C)
を適用した実施例で、(B)は比較のため示した同一パ
タンで本発明を適用しない場合である。
【図9】本発明による補助パタンの配置例で、目的パタ
ンが非周期性で孤立パタンの場合の本発明による補助パ
タン配置である図1(C)の応用によるものである。
【図10】(A)は、本発明による補助パタン配置であ
る図9を用いた実施例を示したもので、(B)は比較の
ため示した同一パタンで本発明を適用しない場合であ
る。
【図11】(A),(C)は本発明を斜入射照明方式の
一つである円環照明法に適用した場合で、(B)と
(D)はそれぞれ(A)と(C)に対して比較のため示
した同一パタンで本発明を適用しない場合である。
【図12】(A),(C)は本発明を斜入射照明方式の
一つである4点照明法に適用した場合で、(B)と
(D)はそれぞれ(A)と(C)に対して比較のため示
した同一パタンで本発明を適用しない場合である。
【図13】本発明の説明に用いる従来照明法および種々
の斜入射照明方式における光源形状と開口絞り部での透
過率配置を示した図である。
【図14】従来技術の問題点を説明するための図で、従
来照明法と斜入射照明方式の一つである0次光調整フィ
ルタ方式で、代表的な周期パタン(A)〜(D)と非周
期パタン(E),(F)の露光強度プロファイルを示
す。
【符号の説明】
101 目的パタン 102 補助パタン群 103 補助パタン 301 目的パタン 302 補助パタン群 303 補助パタン

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 斜入射照明方式による投影露光に用いる
    マスクにおいて、目的とするパタンと、解像不能な補助
    パタンを備えたことを特徴とするマスク。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のマスクにおいて、目的と
    するパタンの配置が周期性を有する場合、その周期性を
    保存するように解像不能な補助パタンまたは補助パタン
    群を形成したことを特徴とするマスク。
  3. 【請求項3】 請求項1記載のマスクにおいて、目的と
    するパタンの配置に周期性がない場合、目的とするパタ
    ンに周期性を付与するように、解像不能な補助パタンま
    たは補助パタン群を形成したことを特徴とするマスク。
  4. 【請求項4】 請求項2記載のマスクにおいて、λを照
    明光の波長、NAを投影レンズの開口数とするとき、光
    透過部(または遮光部)からなる目的とするパタンの幅
    が、λ/2NA付近以上の場合、周期の終わるマスク透
    過部(または遮光部)エッジから0.8×λ/2NA〜
    1.4×λ/2NAのピッチで光透過部(または遮光
    部)からなる解像不能な補助パタンを1つ以上形成した
    ことを特徴とするマスク。
  5. 【請求項5】 請求項3記載のマスクにおいて、目的と
    するパタンが周期性のない孤立の光透過部からなるパタ
    ンで、かつその幅がλ/2NA付近以上の場合、片側ま
    たは両側に、目的とするパタンエッジから0.8×λ/
    2NA〜1.2×λ/2NAのピッチで光透過部(また
    は遮光部)からなる解像不能な補助パタンを1つ以上形
    成したことを特徴とするマスク。
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