JPH0713282Y2 - バンドエルミネーションフィルタ - Google Patents
バンドエルミネーションフィルタInfo
- Publication number
- JPH0713282Y2 JPH0713282Y2 JP12659188U JP12659188U JPH0713282Y2 JP H0713282 Y2 JPH0713282 Y2 JP H0713282Y2 JP 12659188 U JP12659188 U JP 12659188U JP 12659188 U JP12659188 U JP 12659188U JP H0713282 Y2 JPH0713282 Y2 JP H0713282Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- dielectric
- conductive film
- electrode
- band
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、バンドエルミネーションフィルタに関し、殊
に、内表面又は外表面に導電膜が形成されたセラミック
ケース内の空胴に誘電体柱を設けてなる誘電体共振器を
用いたバンドエルミネーションフィルタに関する。
に、内表面又は外表面に導電膜が形成されたセラミック
ケース内の空胴に誘電体柱を設けてなる誘電体共振器を
用いたバンドエルミネーションフィルタに関する。
従来の技術及び課題 従来のバンドエルミネーションフィルタは、通常、誘電
体同軸共振器又は同軸ケーブルを用いて構成されてい
る。
体同軸共振器又は同軸ケーブルを用いて構成されてい
る。
しかしながら、この構成のバンドエルミネーションフィ
ルタは、周波数が例えば、800MHzのときにおいて、Ｑが
1500乃至2000程度と低いため、特に段数の少ないバンド
エルミネーションフィルタの場合には、減衰量を大きく
とれないという問題があった。
ルタは、周波数が例えば、800MHzのときにおいて、Ｑが
1500乃至2000程度と低いため、特に段数の少ないバンド
エルミネーションフィルタの場合には、減衰量を大きく
とれないという問題があった。
ところで、この問題は、よりＱが高いTMモードの誘電体
共振器を使用すれば解決できると考えられるが、現実的
にはこの誘電体共振器ではバンドエルミネーションフィ
ルタにすることが困難であった。即ち、バンドエルミネ
ーションフィルタを構成するには、共振器に直列にリア
クタンスを接続したものをλ/4線路にブランチさせて接
続しなければならないのであるが、TMモードの誘電体共
振器は、内表面又は外表面に導電膜が形成されたセラミ
ックケース内の空胴に、両端をケースに接触させて誘電
体柱が設けられた密閉構造をしているので、硬くてもろ
いセラミックケースに孔あけ加工しない限り、外部と接
触することが出来ないのである。
共振器を使用すれば解決できると考えられるが、現実的
にはこの誘電体共振器ではバンドエルミネーションフィ
ルタにすることが困難であった。即ち、バンドエルミネ
ーションフィルタを構成するには、共振器に直列にリア
クタンスを接続したものをλ/4線路にブランチさせて接
続しなければならないのであるが、TMモードの誘電体共
振器は、内表面又は外表面に導電膜が形成されたセラミ
ックケース内の空胴に、両端をケースに接触させて誘電
体柱が設けられた密閉構造をしているので、硬くてもろ
いセラミックケースに孔あけ加工しない限り、外部と接
触することが出来ないのである。
本考案は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、よ
りＱの高い誘電体共振器を孔あけ加工等することなく用
いた構成としてある。減衰特性の良いバンドエルミネー
ションフィルタを提供することを目的とする。
りＱの高い誘電体共振器を孔あけ加工等することなく用
いた構成としてある。減衰特性の良いバンドエルミネー
ションフィルタを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本考案に係るバンドエルミネーションフィルタは、内表
面又は外表面に導電膜が形成されたセラミックケース内
の空胴に誘電体柱を設けてなるTMモードの誘電体共振器
を少なくとも１個以上備え、この誘電体共振器の前記ケ
ースに、前記導電膜とは非接触の状態で電極が設けられ
てあり、この電極にλ/4長の伝送ラインが接続されてい
ることを特徴とする。
面又は外表面に導電膜が形成されたセラミックケース内
の空胴に誘電体柱を設けてなるTMモードの誘電体共振器
を少なくとも１個以上備え、この誘電体共振器の前記ケ
ースに、前記導電膜とは非接触の状態で電極が設けられ
てあり、この電極にλ/4長の伝送ラインが接続されてい
ることを特徴とする。
作用 本考案にあっては、Ｑの高いTMモードの誘電体共振器の
セラミックケースに、λ/4長の伝送ラインを接続する電
極が導電膜とは非接触の状態で設けてあるので、これを
用いてもバンドエルミネーションフィルタの製造が可能
となる。
セラミックケースに、λ/4長の伝送ラインを接続する電
極が導電膜とは非接触の状態で設けてあるので、これを
用いてもバンドエルミネーションフィルタの製造が可能
となる。
実施例 以下本考案の一実施例を図面に基づき説明する。第１図
は、本考案に係るバンドエルミネーションフィルタを示
す斜視図である。このバンドエルミネーションフィルタ
は、外表面に導電膜1aが形成されたセラミックケース１
内の空胴２に、セラミック誘電体柱３がこの両端をケー
ス１と接触させて設けられている。つまり、TMモードの
誘電体共振器が用いられている。
は、本考案に係るバンドエルミネーションフィルタを示
す斜視図である。このバンドエルミネーションフィルタ
は、外表面に導電膜1aが形成されたセラミックケース１
内の空胴２に、セラミック誘電体柱３がこの両端をケー
ス１と接触させて設けられている。つまり、TMモードの
誘電体共振器が用いられている。
前記導電膜1aは、金属等の導電材料、例えばAgからな
り、誘電体柱３の上のケース部分Ａを除き、ケース１の
外表面全面にスクリーン印刷等の塗布を行ったのち焼付
することにより形成されている。前記ケース部分Ａに
は、導電膜1aとは非接触の状態で、同様の導電材料、例
えばAgからなる電極４が同じく塗布を行ったのち焼付す
ることにより形成されており、この電極４には、入・出
力用のλ/4長の伝送ライン5,6が接続されている。
り、誘電体柱３の上のケース部分Ａを除き、ケース１の
外表面全面にスクリーン印刷等の塗布を行ったのち焼付
することにより形成されている。前記ケース部分Ａに
は、導電膜1aとは非接触の状態で、同様の導電材料、例
えばAgからなる電極４が同じく塗布を行ったのち焼付す
ることにより形成されており、この電極４には、入・出
力用のλ/4長の伝送ライン5,6が接続されている。
したがって、セラミックケース１を介した電極４と誘電
体柱３上面との間においては、等価的にコンデンサを形
成する。よって、上記構造のものは、第２図に示すよう
に１段のバンドエルミネーションフィルタを構成する。
体柱３上面との間においては、等価的にコンデンサを形
成する。よって、上記構造のものは、第２図に示すよう
に１段のバンドエルミネーションフィルタを構成する。
第３図は、本考案を２段のバンドエルミネーションフィ
ルタに適用した場合の斜視図である。このフィルタは、
前同様に導電膜1aと電極４とを形成したTMモードの誘電
体共振器を２個使用し、一方の共振器の電極４に入力用
の伝送ライン５を接続し、他方の共振器の電極４に出力
用の伝送ライン６を接続すると共に、両方の共振器の電
極４にλ/4の伝送ライン７の両端を接続してある。
ルタに適用した場合の斜視図である。このフィルタは、
前同様に導電膜1aと電極４とを形成したTMモードの誘電
体共振器を２個使用し、一方の共振器の電極４に入力用
の伝送ライン５を接続し、他方の共振器の電極４に出力
用の伝送ライン６を接続すると共に、両方の共振器の電
極４にλ/4の伝送ライン７の両端を接続してある。
これは、２段のバンドエルミネーションフィルタである
が、上述のようにして誘電体共振器を多段化することに
より、減衰特性の更なる向上を図れる。
が、上述のようにして誘電体共振器を多段化することに
より、減衰特性の更なる向上を図れる。
第４図は、１つのセラミックケース１内が同一材料から
なるシールド効果のある仕切り板1bにて仕切られた２つ
の空胴２に夫々誘電体柱３が設けられた誘電体共振器
に、本考案に適用した場合の斜視図である。このフィル
タは、誘電体柱３の上の２箇所のケース部分Ａを除き、
外表面全面に導電膜1aが形成され、また、２箇所のケー
ス部分Ａには、導電膜1aとは非接触の状態で夫々電極４
が形成されており、一方の電極４に入力用の伝送ライン
５を接続し、他方の電極４に出力用の伝送ライン６を接
続すると共に、両方の電極４にλ/4の伝送ライン７の両
端を接続してある。
なるシールド効果のある仕切り板1bにて仕切られた２つ
の空胴２に夫々誘電体柱３が設けられた誘電体共振器
に、本考案に適用した場合の斜視図である。このフィル
タは、誘電体柱３の上の２箇所のケース部分Ａを除き、
外表面全面に導電膜1aが形成され、また、２箇所のケー
ス部分Ａには、導電膜1aとは非接触の状態で夫々電極４
が形成されており、一方の電極４に入力用の伝送ライン
５を接続し、他方の電極４に出力用の伝送ライン６を接
続すると共に、両方の電極４にλ/4の伝送ライン７の両
端を接続してある。
このような構成の誘電体共振器も、本考案による場合に
は、バンドエルミネーションフィルタとして構成するこ
とが可能である。なお、本考案は、１つのセラミックケ
ース１内に３つ以上の誘電体柱３が設けられた誘電体共
振器にも適用できることは勿論である。
は、バンドエルミネーションフィルタとして構成するこ
とが可能である。なお、本考案は、１つのセラミックケ
ース１内に３つ以上の誘電体柱３が設けられた誘電体共
振器にも適用できることは勿論である。
ところで、本考案に係るバンドエルミネーションフィル
タは、セラミックケースからなる誘電体共振器を使用す
るので、ケースと誘電体柱との線膨張係数を一致ないし
実質的に一致させやすく、よって焼成の際にケースと誘
電体柱との剥離がなく、このため電気特性が良い。
タは、セラミックケースからなる誘電体共振器を使用す
るので、ケースと誘電体柱との線膨張係数を一致ないし
実質的に一致させやすく、よって焼成の際にケースと誘
電体柱との剥離がなく、このため電気特性が良い。
なお、上記実施例においては誘電体柱３の上のケース部
分に電極４を形成しているが、これは容量を大きくする
ためであり、本考案はこれに限らず、誘電体柱３の上を
外れたケース部分に導電膜1aとは非接触状態で電極４を
形成するようにしてもよい。
分に電極４を形成しているが、これは容量を大きくする
ためであり、本考案はこれに限らず、誘電体柱３の上を
外れたケース部分に導電膜1aとは非接触状態で電極４を
形成するようにしてもよい。
また、上記実施例においてはセラミックケース１の外表
面に導電膜1aを形成しているが、本考案はこれに限ら
ず、セラミックケース１の内表面に導電膜1aを形成した
り、内外表面に導電膜1aを形成するようにしてもよい。
但し、この場合には誘電体柱３の上端部と対向するケー
ス内表面には導電膜1aを形成するには及ばない。つま
り、接触させると、誘電体柱３上面と電極４との間でコ
ンデンサを形成できず、このためバンドエルミネーショ
ンフィルタの製作が不可能となる。
面に導電膜1aを形成しているが、本考案はこれに限ら
ず、セラミックケース１の内表面に導電膜1aを形成した
り、内外表面に導電膜1aを形成するようにしてもよい。
但し、この場合には誘電体柱３の上端部と対向するケー
ス内表面には導電膜1aを形成するには及ばない。つま
り、接触させると、誘電体柱３上面と電極４との間でコ
ンデンサを形成できず、このためバンドエルミネーショ
ンフィルタの製作が不可能となる。
考案の効果 以上詳述した如く本考案による場合には、Ｑの高いTMモ
ードの誘電体共振器のセラミックケース内表面又は外表
面に、λ/4長の伝送ラインを接続する電極が、キャビテ
ィーとなる導電膜とは非接触の状態で設けてあるので、
この電極を利用してλ/4長の伝送ラインに接続すること
によりバンドエルミネーションフィルタを製造すること
が可能となり、これにより減衰特性の良いバンドエルミ
ネーションフィルタを提供することができるという優れ
た効果を奏する。
ードの誘電体共振器のセラミックケース内表面又は外表
面に、λ/4長の伝送ラインを接続する電極が、キャビテ
ィーとなる導電膜とは非接触の状態で設けてあるので、
この電極を利用してλ/4長の伝送ラインに接続すること
によりバンドエルミネーションフィルタを製造すること
が可能となり、これにより減衰特性の良いバンドエルミ
ネーションフィルタを提供することができるという優れ
た効果を奏する。
第１図は本考案に係るバンドエルミネーションフィルタ
を示す斜視図、第２図はその等価回路図、第３図は本考
案を２段のバンドエルミネーションフィルタに適用した
場合の斜視図、第４図は１つのセラミックケース１内に
２つの誘電体柱３が設けられた誘電体共振器に、本考案
を適用した場合の斜視図である。 １…セラミックケース、1a…導電膜、２…空胴、３…誘
電体柱、４…電極、5,6,7…伝送ライン。
を示す斜視図、第２図はその等価回路図、第３図は本考
案を２段のバンドエルミネーションフィルタに適用した
場合の斜視図、第４図は１つのセラミックケース１内に
２つの誘電体柱３が設けられた誘電体共振器に、本考案
を適用した場合の斜視図である。 １…セラミックケース、1a…導電膜、２…空胴、３…誘
電体柱、４…電極、5,6,7…伝送ライン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 高垣 尚 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)考案者 山下 貞夫 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 昭63−299603（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−30403（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】内表面又は外表面に導電膜が形成されたセ
ラミックケース内の空胴に誘電体柱を設けてなるTMモー
ドの誘電体共振器を少なくとも１個以上備え、 この誘電体共振器の前記ケースに、前記導電膜とは非接
触の状態で電極が設けられてあり、この電極にλ/4長の
伝送ラインが接続されている ことを特徴とするバンドエルミネーションフィルタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12659188U JPH0713282Y2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | バンドエルミネーションフィルタ |
| US07/414,133 US4996506A (en) | 1988-09-28 | 1989-09-28 | Band elimination filter and dielectric resonator therefor |
| DE3932448A DE3932448A1 (de) | 1988-09-28 | 1989-09-28 | Sperrfilter |
| GB8921960A GB2224397B (en) | 1988-09-28 | 1989-09-28 | Dielectric resonator and filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12659188U JPH0713282Y2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | バンドエルミネーションフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247802U JPH0247802U (ja) | 1990-04-03 |
| JPH0713282Y2 true JPH0713282Y2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=31378252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12659188U Expired - Lifetime JPH0713282Y2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | バンドエルミネーションフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713282Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP12659188U patent/JPH0713282Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247802U (ja) | 1990-04-03 |
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