JPH07130617A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JPH07130617A
JPH07130617A JP27149093A JP27149093A JPH07130617A JP H07130617 A JPH07130617 A JP H07130617A JP 27149093 A JP27149093 A JP 27149093A JP 27149093 A JP27149093 A JP 27149093A JP H07130617 A JPH07130617 A JP H07130617A
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substrate
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liquid
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JP27149093A
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Izuru Izeki
出 井関
Takeshi Fukuchi
毅 福地
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 少ない処理液でも処理むらが生じにくくす
る。 【構成】 基板現像装置は、基板に現像液を供給して基
板表面の現像を行う装置であり、基板保持部と現像液供
給部とを備えている。基板保持部は基板を水平に保持す
る。現像液供給部は、基板保持部に保持された基板の表
面に沿って相対的往復移動をしながら、基板に対して現
像液を供給可能である。ここでは、現像液供給部が、往
方向に相対移動をしながら基板の表面に現像液を液盛り
する。さらにその液盛り後に、現像液供給部が、復方向
に相対移動しながら基板表面に液盛りされた現像液の上
にさらに現像液を再液盛りする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板処理装置、特に、
基板に所定の処理液を供給して基板の表面処理を行う基
板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】特開平5−158055号公報に開示さ
れた基板現像装置は、基板を水平に保持するスピンチャ
ックと、スピンチャック上に載置された基板より広い幅
を有する現像液供給ノズルとを備えている。現像液供給
ノズルは、吐出部が基板表面に近接しており、その状態
で現像液供給ノズルは基板表面に沿って相対的に平行移
動しながら基板表面に現像液を吐出する。現像終了後に
は、スピンチャックを高速回転させて、基板表面の現像
液を振り切る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の特開平5−
158055号公報に開示された基板現像装置で、現像
液の消費量を減らすためには、基板1枚あたりに供給す
る現像液の量を減らすことが考えられる。しかしその場
合は、現像中に基板表面に存在する現像液の量が少なく
なり、基板表面の一部で現像液が不足する部分が発生す
る。このような現象が著い場合には、現像液が不足した
部分が現像不良になる。
【0004】本発明の目的は、少ない処理液でも処理む
らが生じにくくすることにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、基板に処理液を供給して基板の表面処理を行う基
板処理装置であり、基板保持部と処理液供給部と第1制
御手段と第2制御手段とを備えている。基板保持部は基
板を水平に保持する。現像液供給部は、基板保持部に保
持された基板の表面に沿って相対的往復移動をしなが
ら、基板に対して処理液を供給可能である。第1制御手
段は、処理液供給部を、往方向に相対移動しながら基板
の表面に処理液を液盛りするように制御する。第2制御
手段は、前記液盛り後に、処理液供給部を、復方向に相
対移動しながら基板表面に液盛りされた処理液の上にさ
らに処理液を再液盛りするように制御する。
【0006】
【作用】本発明に係る基板処理装置では、第1制御手段
が処理液供給部を、往方向に相対移動しながら基板の表
面に処理液を液盛りするように制御する。続いて、第2
制御手段が処理液供給部を、復方向に相対移動しながら
基板表面に液盛りされた処理液の上にさらに処理液を再
液盛りするように制御する。このように処理液の液盛り
を2度に分けて行うことで、たとえ供給される処理液の
量が少なくても、基板表面に処理液が全面的に供給され
処理むらが生じにくくなる。
【0007】
【実施例】図1において、本発明の一実施例による基板
現像装置は、現像処理部1と現像液圧送部2とを主に備
えている。現像処理部1は、矩形のガラス基板Pを真空
吸着孔により吸着し水平に保持し得る基板保持部4と、
基板保持部4に保持された基板Pに対して現像液を供給
する現像液供給部5とを備えている。基板保持部4の周
囲には、現像液やリンス液(純水)の飛散を防止するた
めのカップ6が配置されている。基板保持部4はモータ
機構26によって垂直軸回りに回転させられるようにな
っている。
【0008】現像液供給部5は、基板Pの上面に沿って
基板Pの短手方向(図1の奥行き方向)に延びるノズル
部7を有している。ノズル部7は、ノズル支持アーム8
の下端に固定されている。ノズル支持アーム8は、倒立
L字状の部材であり、移動フレーム9に上下移動可能に
支持されている。移動フレーム9は、移動ガイド10に
移動可能に支持されている。移動ガイド10は、基板P
の長手方向(図1の左右方向)に沿って延びている。こ
の結果、ノズル部7は、基板Pの長手方向に基板Pの上
面に沿って図2に示すように移動して、基板Pの全面に
現像液を塗布し得る。
【0009】ノズル部7は、図3に示すように断面が倒
立家型の部材である。ノズル部7の底面は基板Pの長手
方向両端から中央に向かって低くなるように傾斜してい
る。ノズル部7の底面と基板Pとのなす角度θは、たと
えば5°程度である。なお、この角度は、液盛り時に現
像液を表面張力によって引っ張って液垂れしない角度で
あればよく、1°〜30°の範囲、好ましくは3°〜1
0°の範囲であればよい。
【0010】ノズル部7内には、下方に開口するスリッ
トノズル20が形成されている。スリットノズル20の
途中には、上下に配置された1対の液溜め21,22が
形成されている。この液溜め21,22は、現像液供給
配管16から供給された現像液をノズル部7の長手方向
(図3の奥行き方向)に均一に分散させるためのもので
ある。
【0011】現像液圧送部2は、図1に示すように、現
像液を貯溜したポリタンク12を収納し、かつ内部が気
密に封止された加圧タンク11を有している。加圧タン
ク11の上部には、図示しない窒素ガス源から加圧され
た窒素ガスが供給される加圧配管13が開口している。
加圧配管13の途中には、吸排用三方弁14及びレギュ
レータ15が加圧タンク11側からこの順に配置されて
いる。なお、三方弁14は、窒素ガスを加圧タンク11
に供給するかまたは他に排気するかを選択できる。現像
液供給配管16は、一端がポリタンク12の底面近傍に
達し、他端がノズル部7に接続されている。現像液供給
配管16の途中には、流量計17及び現像液供給弁18
がポリタンク12側からこの順で配置されている。
【0012】さらに、この基板現像装置は、図4に示す
ように、マイクロコンピュータからなる制御部23を備
えている。制御部23には、基板保持部4(真空チャッ
ク)、ノズル支持アーム8及び移動フレーム9の駆動
部、吸排用三方弁14、現像液供給弁18が接続されて
いる。さらに、制御部23には、ノズル支持アーム8や
移動フレーム9の位置の検出を行うセンサ等の各種セン
サ(図示せず)及びその他の入出力装置が接続されてい
る。
【0013】次に、基板現像装置の動作を、図5に示す
制御フローチャートにしたがって説明する。まずステッ
プS1で基板現像装置全体の初期設定を行う。ステップ
S2では、図示しない搬送機構が基板Pを基板現像装置
に搬入するのを待つ。この基板Pは、予め感光性樹脂が
塗布されかつ所定のパターンに露光されたものである。
【0014】基板Pが搬入されると、ステップS3に移
行し、基板保持部4の真空チャックで基板Pを真空吸着
する。ステップS4では、ノズル部7をスタート位置に
移動させる。ここでは、ノズル部7が図6に点線で示す
位置(すなわち基板Pの左端)に配置される。ノズル部
7の底面と基板Pとの間の隙間は、0.5〜2.0mm
の範囲内である。
【0015】ステップS5では、ノズル部7のノズルス
リット20から基板Pに現像液を吐出させる。この吐出
開始動作は、三方弁14を供給側に切り換えさらに現像
液供給弁18を開き、ポリタンク12から現像液をノズ
ル部7に供給することで行う。ステップS6では、図6
に示すように、ノズル部7を基板Pに沿って往方向に水
平移動させる。ノズル部7は、図2及び図3に矢印で示
すように移動しながら、基板P上に現像液D1 を液盛り
する。ステップS7では、ノズル部7が基板Pの右端に
到達するのを待つ。ノズル部7が図6に示すように基板
Pの右端に到達するとステップS8に移行し、移動フレ
ーム9の移動を停止させる。
【0016】以上で説明した1回目の液盛り動作におい
て、たとえば、ノズル部7から吐出される現像液の流量
は3.5リットル/分であり、ノズル部7の移動速度は
400mm/秒である。この基板Pの長辺の長さが40
0mmであるとすると、1回目の液盛り動作は1秒かか
る。ステップS9に移行すると、ノズル部7を復方向に
図7のように水平移動させる。このときの移動速度は、
200mm/秒であり、1回目の液盛り速度の1/2で
ある。すなわち、2回目の液盛り動作は2秒かかる。ス
テップS10では、ノズル部7が基板Pの左端に到達す
るのを待つ。その間、ノズル部7は図8に示すように、
1回目に液盛りされた現像液D1 の上に現像液D2 を再
液盛りしていく。ノズル部7が左端に到達すると、ステ
ップS11でノズル部7からの現像液の供給を停止す
る。ここでは、三方弁14を排気側に切り換えるととも
に、現像液供給弁18を閉じる。ステップS12では、
ノズル部7の移動を停止して、2回目の液盛り処理を終
了させる。
【0017】この2回目の液盛り処理では、1回目の液
盛り処理の際に基板Pの表面ぬれ性が向上していること
から、現像液が基板P上に速やかにかつむらなく塗布さ
れる。このため、たとえ現像液の量が少なくても、基板
Pに現像むらが生じにくい。ステップS13に移行する
と、基板Pの搬入出を邪魔しない位置にノズル部7を退
避させる。ステップS14では、現像が終了するまで一
定時間待つ。現像が終了すると、ステップS15に移行
し、図示しない純水供給ノズルにより基板Pをリンス
(洗浄)する。このリンス時には、モータ機構26によ
り基板保持部4を低速回転させる。続いて、モータ機構
26により基板保持部4を高速回転させて、基板Pに対
して液切り乾燥を行う。ステップS16に移行すると、
基板保持部4の真空チャックによる基板Pの吸着を解除
する。ステップS17では、図示しない搬送機構が基板
Pを次の処理のために搬出するのを待つ。基板Pが搬出
されると、ステップS2に戻り次の基板Pが搬入される
のを待つ。
【0018】本実施例では液盛り処理時間が短縮され
る。従来の基板現像装置では、確実に現像液を基板P上
に塗布するために、ノズル部7の移動を100mm/秒
といった低速で行う必要がある。そのため、本実施例の
ように長辺が400mmの基板であれば、従来は液盛り
処理に4秒かかる。これが本実施例の液盛り処理では往
復で3秒に短縮される。
【0019】〔他の実施例〕2回目の液盛り処理で、1
回目の現像液の一部を掻き出しながら現像液を供給する
構成としてもよい。そのためには、前記実施例の図5に
おいて、ステップS8でノズル部7が基板Pの右端で移
動を停止した後に、ノズル部7を僅かに下降させる。そ
の結果、図9及び図10で示すように、2回目の液盛り
処理時にノズル部7は1回目の現像液D1 の上部を基板
Pの左端側に掻き出していく。このとき、掻き出される
現像液の量は半分程度が好ましい。ノズル部7により上
部が掻き出された現像液D1 の上に新たに現像液D2
液盛りされると、既に反応し古くなった現像液D1 が排
除されるので現像の反応速度が高いまま維持される。こ
の結果、現像時間が短縮される。
【0020】基板Pの左端からこぼれる現像液は、たと
えば、図9に示すような樋21を設けることで回収が可
能である。樋21に受けられた現像液は図示しない現像
液回収機構によりポリタンク12に回収されることで、
再利用され得る。さらに、現像液のみならず、液盛りに
よって基板表面の処理を行うエッチング装置及び剥離装
置にも本発明は適用可能である。
【0021】
【発明の効果】本発明に係る基板処理装置では、処理液
供給部が往方向に相対移動しながら液盛りした後に、復
方向に相対移動しながら再液盛りするので、少ない処理
液でも基板表面に全面的に供給され、処理むらが減少す
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による基板現像装置のブロッ
ク模式図。
【図2】液盛り処理中のノズル部の部分斜視図。
【図3】図2のIII −III 断面図。
【図4】基板現像装置の制御構成を示すブロック模式
図。
【図5】基板現像装置の制御フローチャート
【図6】現像処理の一状態を示す縦断面図。
【図7】現像処理の一状態を示す縦断面概略図。
【図8】図7の拡大部分図。
【図9】別の実施例の現像処理の一状態を示す縦断面概
略図。
【図10】図9の拡大部分図。
【符号の説明】
1 現像処理部 4 基板保持部 5 現像液供給部 23 制御部 P 基板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板に所定の処理液を供給して基板の表面
    処理を行う基板処理装置であって、 前記基板を水平に保持する基板保持部と、 前記基板保持部に保持された前記基板の表面に沿って相
    対的往復移動をしながら、前記基板に対して処理液を供
    給可能な処理液供給部と、 前記処理液供給部を、前記往方向に相対移動しながら前
    記基板の表面に処理液を液盛りするように制御する第1
    制御手段と、 前記液盛り後に、前記処理液供給部を、前記復方向に相
    対移動しながら前記基板表面に液盛りされた前記処理液
    の上にさらに処理液を再液盛りするように制御する第2
    制御手段と、 を備えた基板処理装置。
JP27149093A 1993-10-29 1993-10-29 基板処理方法 Ceased JP3383033B2 (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003031460A (ja) * 2001-07-11 2003-01-31 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及びその方法
KR100485755B1 (ko) * 2002-04-16 2005-04-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 4 마스크 어레이 기판의 제조방법
JP2009206486A (ja) * 2008-01-31 2009-09-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

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US9099504B2 (en) 2008-01-31 2015-08-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method

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